「surface steps」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the printed circuit board comprises the steps of laminating the glass clothes 101 on an electric insulating base 100 before heating and pressurizing, forming the resin layers 102a and 102b on both surface of the laminated clothes between the adjacent clothes 101, and impregnating the clothes 101 with the resin of the layers 102a and 102b by heating and pressurizing.例文帳に追加

加熱加圧前における電気絶縁性基材１００は、ガラスクロス１０１が積層され、隣接するガラスクロス１０１の間と、積層されたガラスクロスの両面とに樹脂層１０２ａ、１０２ｂが形成されており、加熱加圧により、樹脂層１０２ａ、１０２ｂの樹脂がガラスクロス１０１に含侵する。 - 特許庁

The method for growing the nitride semiconductor on the crystalline nitride semiconductor substrate comprises the steps of raising the temperature of the substrate, by starting a supply of a material gas to a surface of the substrate before the substrate exceeds 1,200°C to thereby start growing of the nitride semiconductor on the substrate.例文帳に追加

結晶性の窒化物半導体基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、基板を昇温させると共に、当該基板が１２００℃を越える前に当該基板表面への原料ガスの供給を開始することで当該基板上への窒化物半導体の成長を開始させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface.例文帳に追加

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing the MEMS includes the steps of: forming an insulating layer on the surface of a semiconductor layer; forming a plurality of contact holes in the insulating layer; forming a protective film having holes on the surface of the insulating layer with the contact hole formed; and forming the piezoresistive part between the plurality of contact holes by implanting impurities to the semiconductor layer through the insulating layer exposed from the holes.例文帳に追加

半導体層の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層に複数のコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールが形成された前記絶縁層の表面に通孔を有する保護膜を形成し、前記通孔から露出している前記絶縁層を貫通させて前記半導体層に不純物を注入することにより複数の前記コンタクトホールの間にピエゾ抵抗部を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes steps of: forming a plug conductive film on an entire surface of the substrate; etching the plug conductive film so as to form a landing plug; etching the substrate between landing plugs so as to form a trench; forming a gate insulating film on a surface of the trench; and forming the buried gate for burying part of the trench on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、基板の全面にプラグ導電膜を形成するステップと、前記プラグ導電膜をエッチングしてランディングプラグを形成するステップと、前記ランディングプラグ間の基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチの表面上にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜上に前記トレンチの一部を埋め込む埋め込みゲートを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The environmentally-friendly method of processing a substrate which prevents sludge includes steps of: generating a first laser beam; dividing the first laser beam into a plurality of second laser beams by using a diffraction optical element; converging the plurality of divided second laser beams onto a plane in the substrate which is parallel to a circumferential surface of the substrate; and separating the surface of the substrate along the plane in the substrate.例文帳に追加

スラッジの発生を防止できる親環境的な基板加工方法に係り、該基板加工方法は、第１レーザビームを生成する段階、回折光学素子を利用して第１レーザビームを複数個の第２レーザビームに分割する段階、分割された複数個の第２レーザビームを、基板の周面と平行な基板内部の平面に集束させる段階、及び基板内部の平面に沿って基板を面分離させる段階を含むことができる。 - 特許庁

The method includes the steps of raising the silicon single crystal rod which doped a nitrogen by a Czochralski method at least, after slicing this silicon single crystal rod and processing it into a silicon single crystal wafer, forming a first epitaxial layer in the surface part of this silicon single crystal wafer, and then forming a second epitaxial layer to the surface layer part of the first layer epitaxial layer.例文帳に追加

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともチョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、該シリコン単結晶ウェーハの表層部に一層目のエピタキシャル層を形成し、その後、少なくとも、該一層目のエピタキシャル層の表層部に二層目のエピタキシャル層を形成する多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 - 特許庁

A solar cell manufacturing method includes the steps of coating a front surface of a semiconductor substrate with a dispersing agent containing either a p-type dopant or an n-type dopant, performing heat treatment on the dispersing agent to solidify the dispersing agent, partially removing and patterning the solidified dispersing agent, and dispersing the dopant from the patterned dispersing agent to form a dispersion layer on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面上にｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントのいずれか一方を含む拡散剤を塗布する工程と、拡散剤を熱処理することによって固化させる工程と、固化した拡散剤の一部を除去して拡散剤をパターンニングする工程と、パターンニングされた拡散剤からドーパントを拡散させることにより半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

The method for connecting the thermoplastic resin member comprises the steps of bringing a first thermoplastic resin member 1 into contact with a second thermoplastic resin member 2, then pushing the first thermoplastic resin member 1 including the predetermined part of the surface boundary line 7a between the member 1 and the member 2 against a rotating probe 8 on the surface of the member 2.例文帳に追加

第１熱可塑性樹脂部材１と第２熱可塑性樹脂部材２を当接後、前記第１熱可塑性樹脂部材１と前記第２熱可塑性樹脂部材２との表面境界線７ａの所定部分を含む前記第１熱可塑性樹脂部材１と前記第２熱可塑性樹脂部材２の表面部に回転するプローブ８を押し当てて前記表面境界線７ａに沿って移動させることを特徴とする熱可塑性樹脂部材の接合方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming patterns MK having a step with respect to a primary surface of a semiconductor substrate SUB, on the primary surface; forming a first semiconductor layer PS1 containing a semiconductor material above the patterns MK; forming a second semiconductor layer PS2 containing a semiconductor material above the first semiconductor layer PS1; and forming resist patterns RS above the second semiconductor layer PS2.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの主表面上に、主表面に対して段差を有するパターンＭＫが形成される工程と、パターンＭＫ上に、半導体材料を含む第１の半導体層ＰＳ１が形成される工程と、第１の半導体層ＰＳ１上に、半導体材料を含む第２の半導体層ＰＳ２が形成される工程と、第２の半導体層ＰＳ２上にレジストパターンＲＳが形成される工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method is for the graphitized powder consisting of mesocarbon microspheres and comprises the steps of: peeling off a surface part of the sintered powder of mesocarbon microspheres and obtaining the mixture of peeled surface portions and remaining portions; removing the peeled portions from the above mixture to obtain the remaining portions; and graphitizing the remaining portions to obtain the graphitized powder of mesocarbon microspheres.例文帳に追加

メソカーボン小球体黒鉛化粉の製造方法であって、メソカーボン小球体焼成粉の表面部分を剥離手段により剥離し、剥離された前記表面部分である剥離部と残部との混合物を得る剥離工程と、前記混合物から、前記剥離部を除去し、前記残部を得る除去工程と、前記残部を黒鉛化処理し、メソカーボン小球体黒鉛化粉を得る黒鉛化工程と、を具備するメソカーボン小球体黒鉛化粉の製造方法。 - 特許庁

Namely, the method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: directly attaching the photosensitive adhesive layer 10 with the above performance onto the semiconductor mounted surface 6a of the support member 6; patterning the photosensitive adhesive layer 10 on the semiconductor mounted surface 6a through exposure and development; and directly adhering the semiconductor element 8a to the patterned photosensitive adhesive layer (insulating layer) 10a.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。 - 特許庁

A construction method of the hole-in anchor 10 includes steps of embedding an end of the anchor bar 12 in the existing skeleton 2, disposing the steel plate 16 on the surface 2a of the existing skeleton, and injecting grout in a gap 18 between the anchor bar 12 and the existing skeleton 2.例文帳に追加

本発明のあと施工アンカー１０の施工方法は、既存躯体２に新設躯体４を増し打ちする前に、既存躯体２にアンカー筋１２の一端を埋設するとともに鋼製プレート１６を既存躯体の表面２ａに配置し、アンカー筋１２と既存躯体２との間の隙間１８にグラウトを注入することより施工するものである。 - 特許庁

The method of manufacturing a multilayer wiring board for forming a plurality of interlayer insulating layers and wiring on one side or both sides of a core substrate has steps of processing the surface of the wiring with a solution containing an imidazole-type silane coupling agent, cleaning it with water, and then drying it at a temperature of less than 50°C.例文帳に追加

コア基板の片面または両面に、層間絶縁層と配線を複数層形成する多層配線基板の製造方法において、前記配線表面を、イミダゾール系シランカップリング剤を含んだ溶液により処理した後、水洗を行い、さらに５０℃未満の温度において乾燥する工程を有する多層回路基板の製造方法。 - 特許庁

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3.例文帳に追加

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。 - 特許庁

A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed.例文帳に追加

本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。 - 特許庁

In this plasma display panel, a phosphor layer is composed of a phosphor the surface of which is coated with a lanthanum compound, an aluminum compound, a magnesium compound, a calcium compound, and/or a barium compound, each compound comprising fluorine or nitrogen, so that degradation in various steps for manufacturing the phosphor layer can be prevented, and brightness, lifetime and reliability can be improved.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルにおいて、蛍光体層を表面をフッ素または窒素を含有するランタン化合物、アルミ化合物、マグネシウム化合物、カルシウム化合物、バリウム化合物でコーティングした蛍光体で構成することにより、蛍光体層の各種工程での劣化を防止し、輝度および寿命並びに信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

The character reading method has steps of: transferring the business form held on a carrier sheet having an undescribed area by surface contact to a reading position with the carrier sheet; detecting duplicate transfer of the carrier sheet by irradiating the undescribed area of the carrier sheet to be transferred with light and detecting intensity of the transmitted light and notifying the detected duplicate transfer.例文帳に追加

無記載の領域を有するキャリアシートに面接触で保持された帳票をキャリアシートとともに読み取り位置に移送するステップと、移送されるキャリアシートの無記載の領域に光を照射しその透過する光の強度を検出することによりキャリアシートの重複移送を検知するステップと、検知された重複移送を報知するステップとを有する。 - 特許庁

To provide thermosetting resin compositions suitable as materials for forming which meet various properties to be traditionally required as protective optical device protective film films, specifically adhesion, surface hardness, transparency, heat resistance, light-resistance, chemical resistance, water resistance and the like and can flatten the difference in the steps of color filters.例文帳に追加

保護膜として従来から要求される諸特性、具体的には、密着性、表面硬度、透明性、耐熱性、耐光性、耐薬品性、耐水性などを満たすと共に、下地基板であるカラーフィルターの段差を平坦化することが可能である光デバイス用保護膜形成材料として好適な熱硬化性樹脂組成物を提供すること - 特許庁

The resin-dispersing solution is obtained through the steps of dissolving in an organic solvent at least one nonaqueous binder resin selected from a styrene-series thermoplastic resin, an olefin-series resin and a polyolefin halide-series polytetrafluoroethylene resin, dispersing the dissolvent in an aqueous solution including a water-soluble high polymer and/or a surface active agent, and removing the solvent by distillation.例文帳に追加

＜樹脂分散液＞スチレン系熱可塑性樹脂、オレフィン系樹脂、ハロゲン化ポリオレフィン系のポリテトラフルオロエチレン樹脂から選ばれた少なくとも一つの非水系バインダー樹脂を有機溶剤に溶解させ、得られた溶解液を水溶性高分子及び／又は界面活性剤を含む水溶液中で分散し、次いで溶剤を蒸留除去して得られる樹脂分散液。 - 特許庁

Each of the bead cores 5 is constituted by forming a ring-shaped bead core body 5a wound and overlapped with a plurality of steps and a plurality of rows of at least a steel wire S coated with rubber and winding an organic fiber material 5b treated with dipping liquid made of resorcinol-formalin-latex containing surface active agent around a portion where the wire terminal Se of the bead core body 5a exists.例文帳に追加

ゴム被覆された少なくとも１本のスチールワイヤＳを複数段かつ複数列に巻き重ねたリング状のビードコア本体５ａを形成し、界面活性剤を含むレゾルシン・ホルマリン・ラテックスからなるディップ液にて処理された有機繊維材５ｂをビードコア本体５ａのワイヤ端末Ｓｅが存在する部位に巻き付けてビードコア５を構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the RIM molding comprises the steps of injecting a polyurethane molding material 4, in which no foaming agent for forming the surface layer is blended, into a mold cavity at normal pressures, and of immediately injecting, into the inside of the polyurethane molding material, a polyurethane molding material for forming the foaming internal layer until the mold cavity is completely filled up, followed by molding.例文帳に追加

常圧下の金型キャビティ内に表皮層形成用の発泡剤を配合しないポリウレタン成形材料４を注入し、直ちにそのポリウレタン成形材料内部に、発泡内部層形成用ポリウレタン成形材料を金型キャビティ内に完全に充填するまで注入し、成形することを特徴とするＲＩＭ成形品の製造方法。 - 特許庁

The method for growing the group III nitride crystal comprises steps of: preparing a first group III nitride crystal 10 having an alkali metal element concentration of <1.0×10^18 cm^-3; and growing a second group III nitride crystal 20 on a major surface 10 m of the first group III nitride crystal 10 by the HVPE method at an atmospheric temperature higher than 1,100°C.例文帳に追加

アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０^18ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

The method for forming a lubricating film 15 used in warm forging includes: conducting the steps of forming a chemical conversion film and forming the lubricant film; and thereby forming a phosphated chemical-conversion film 11 which contains zinc phosphate or a refractory metal and zinc phosphate, and lubricant films 12 and 13 which contain a non-electrolyte component, on the surface of a material 1 to be forged.例文帳に追加

化成皮膜形成工程と潤滑剤皮膜形成工程とを行うことにより、被鍛造材１の表面に、リン酸亜鉛又は高融点金属とリン酸亜鉛とを含有するリン酸塩化成皮膜１１と非電解質成分を含有する潤滑剤皮膜１２、１３とから構成される温間鍛造潤滑膜１５を形成する方法である。 - 特許庁

The method of aseptically filling the pouch having a spout comprises steps of sterilizing, in a filling machine, an external surface of the pouch with the spout in a sealed state whose pouch container has been radioactively sterilized in advance, unsealing the pouch and filling contents, and thereafter sealing the pouch container by using a cap which has been sterilized in a separate process.例文帳に追加

密封した状態で、予めパウチ容器を放射線滅菌処理したスパウト付きパウチを充填機内で外面殺菌処理を施し、密封を解除して内容物を充填した後、別工程で殺菌処理を施したキャップを用いて、前記パウチ容器を密封することを特徴とするスパウト付きパウチの無菌充填方法である。 - 特許庁

In a process of manufacturing the optical semiconductor device, a diffraction grating is formed in an active layer, a wafer is placed in a growth device (steps S1 and S2), a thermal deformation prevention layer is formed on the surface of the diffraction grating at a first temperature (step S3), and then a temperature is raised to a second temperature for forming a buried layer of the diffraction grating (step S4).例文帳に追加

光半導体装置の製造過程において、活性層に回折格子を形成してウェハを成長装置内に配置し（ステップＳ１，Ｓ２）、この成長装置内で、第１の温度で回折格子表面に熱変形防止層を形成した後（ステップＳ３）、回折格子の埋め込み層を形成する第２の温度まで昇温する（ステップＳ４）。 - 特許庁

A method for manufacturing the package includes steps for forming a slender groove 57 by irradiating one surface of a substrate 56 made of a synthetic resin with a laser beam, Ni-plating on the groove 57, cutting out a slender pin 47 formed by the groove 57 with the laser beam, and standing the base end 49 of this pin 47 on a base material 48 molded by using a stamper to constitute a mold 44.例文帳に追加

合成樹脂製基板５６の一表面にレーザ光を照射して細長い溝５７を形成し、その上にＮｉメッキを施し、溝５７によって形成された細長いピン４７を、レーザ光で切り出し、このピン４７の基端部４９を、スタンパを用いて成形した基材４８に立設して金型４４を構成する。 - 特許庁

The metallic shaft is internally fitted to the cylindrical body consisting of the ceramic having thermal conductivity ≥70 W/mK, a helical or reciprocating groove for passing the medium for heating/cooling is disposed on the outer peripheral surface which comes in contact with the cylindrical body of the metallic shaft, steps are formed on the outside parts of both edges and D-cut is formed on one side or both sides thereof.例文帳に追加

熱伝導率７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックスからなる円筒体に金属シャフトを内嵌めし、該金属シャフトの上記円筒体と接する外周面に、加熱冷却用媒体を通過させる為の螺旋状又は往復状の溝を設け、その両端外形部に段を設けかつ片側もしくは両側にＤカットを設ける。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar cell comprises the steps of baking the semiconductor substrate with a conductive paste formed on a main surface at a maximum burning temperature of not less than 450°C, and maintaining a cooling speed of not more than 7.5°C/sec for the predetermined time at the temperature range of not less than 250°C from the maximum burning temperature in a cooling process.例文帳に追加

一主面に導電性ペーストが形成された半導体基板を、４５０℃以上の最高焼成温度で焼成する焼成工程と、前記最高焼成温度からの冷却過程の２５０℃以上の温度領域において、７．５℃／秒以下の冷却速度を所定時間維持する維持工程とを備えて成る太陽電池素子の製造方法とする。 - 特許庁

A forming method of an electronic apparatus on a substrate 10 comprises the steps of applying a microembossing work to the substrate 10, applying a surface treatment to the substrate so that a non-depressed part 11 has a quality of repelling a solution of a first material 60, and depositing the solution of a first material 60 on a depression 12 on the substrate 10 formed by the microembossing work.例文帳に追加

電子装置の基板１０上での形成方法であり、基板１０をエンボス加工する工程と、基板をくぼみでない部分１１が第１の材料６０の溶液をはじくように表面処理する工程と、エンボス加工によって形成された基板１０上のくぼみ１２に第１の材料６０の溶液を堆積する工程と、を含む。 - 特許庁

The method comprises steps of forming a conductive pattern on a substrate surface; subjecting it to migration electrodeposition or electrocrystallizing high-temperature superconducting particulates and/or high- temperature superconducting precursor substance particulates on the superconducting pattern; and forming the superconducting wiring, by heat treating the substrate to sinter the particulates.例文帳に追加

基体表面に導電性パターンを形成する工程、前記導電性パターン上に、高温超伝導微粒子および／または高温超伝導体前駆物質微粒子を泳動電着または電析させる工程、及び前記基体を熱処理して、前記微粒子を焼結させ、超伝導配線を形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes steps of: generating a digital image of the tooth; identifying tooth regions; extracting a suspicious lesion area by using marker-controlled watershed algorithm or by using a morphological bottom-hat based method together with a multi-resolution surface reconstruction method; and removing false positives.例文帳に追加

歯のデジタル画像を生成するステップと、歯の領域を識別するステップと、マーカー制御式のウォーターシェッドアルゴリズムを用いることにより、又は多重解像度表面再構成と共に形態学的なボトムハットに基づく方法を用いることにより病変と疑われる領域を抽出するステップと、偽陽性のものを除去するステップと、を含む。 - 特許庁

An optical semiconductor electrode may be obtained by a method comprising the steps of causing a solvent-soluble precursor of a solvent- insoluble pigment to adsorb to the surface of a semiconductor, and reacting the precursor with at least one kind of primary amine to produce a photoelectric conversion layer of the solvent-insoluble pigment.例文帳に追加

本発明の光半導体電極は、半導体の表面に溶媒難溶性色素の溶媒可溶性前駆体を吸着させた後、該溶媒難溶性色素の溶媒可溶性前駆体を少なくとも１種の１級アミンと反応させて得られ、半導体の表面に、該溶媒難溶性色素による光電変換層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In a method for manufacturing a blasting material by stacking zinc or a zinc alloy on the surface of the iron powder, this manufacturing method comprises the steps of: heat-treating the nucleus in nitrogen gas in a temperature range of 200 to 450°C for instance; and charging the nucleus into a zinc bath.例文帳に追加

鉄又は鉄合金からなる核の周囲に、亜鉛又は亜鉛合金を積層したブラスト用材料の製造方法において、核を窒素中で、例えば、２００〜４５０℃の範囲内の温度条件で加熱処理した後、当該核を亜鉛浴に投入することにより、核の周囲に、亜鉛又は亜鉛合金を積層することを特徴とする。 - 特許庁

A low voltage electrode part 6 to be placed opposite to a high voltage electrode while being incorporated into an electron gun is housed in a housing cavity, 2 with its pins 7a which are not opposite to the high voltage electrode when its confronted surface 8 being opposite to the high voltage electrode is made non-contact which being held with holding steps 3.例文帳に追加

電子銃に組み立てられて高電圧電極と対向せしめられる低電圧電極部品６を、該高電圧電極と対向する部分である対向面８を非接触にした状態で該高電圧電極と対向しない部分であるピン７ａを保持段部３にて保持することにより収納凹部２内に収納するようにする。 - 特許庁

The manufacturing method for a solid electrolytic capacitor has the steps of forming a solid electrolyte layer and cleaning a capacitive element, with the solid electrolyte layer being formed on the surface thereof, wherein the solute of a cleaning fluid for step of cleaning a capacitive element contains a chelate material, preferably, EDTA and/or salt of EDTA, and the solvent is composed of water and/or an organic solvent.例文帳に追加

固体電解質層を形成する工程と、表面に固体電解質層が形成されたコンデンサ素子を洗浄する工程を有し、前記コンデンサ素子を洗浄する工程に用いる洗浄液の溶質には、キレート材、好ましくはＥＤＴＡ及び／またはＥＤＴＡの塩が含まれており、溶媒は、水及び／または有機溶媒からなる。 - 特許庁

This method of manufacturing this decorative member includes steps of: applying a lipophilic group formation liquid to a metal solid to form a lipophilic group on a surface of the metal solid by drying the metal solid; overheating and softening a resin plate formed of a resin having optical transparency; and pushing the metal solid into the resin solid.例文帳に追加

装飾部材の製造方法は、金属固体に親油基形成液を塗布し、当該金属固体を乾燥して、当該金属固体の表面に親油基を形成するステップと、光透過性を有する樹脂からなる樹脂板を過熱して軟化するステップと、前記樹脂固体に、前記金属固体を押し込むステップと、を有することを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, the method passes through steps of: facing the nozzle to the separator, and extruding the conductive adhesive from the nozzle to form the conductive adhesive layer on the separator while performing thickness control of the conductive adhesive and forming a dry edge between the conductive adhesive layer and the separator; and sticking the shielding gasket to a surface thereof.例文帳に追加

またセパレータにノズルを対向させてこのノズルから、前記導電性接着剤の厚さ制御を行いつつ且つ導電性接着剤層と前記セパレータとの間にドライエッジを形成しつつ、導電性接着剤を押し出してセパレータに導電性接着剤層を形成する工程と、この表面に前記シールディングガスケットを接着する工程とを経る。 - 特許庁

This method includes the steps of: conducting the first pretreatment of terminating the surface of the first metal film that has been formed on a substrate with a hydroxy group; conducting the second pretreatment of supplying a hydrogen-containing gas to the first metal film after the first pretreatment; and forming the second metal film on the first metal film after the second pretreatment.例文帳に追加

基板上に形成された第１の金属膜の表面を水酸基で終端する第１の前処理を行う工程と、第１の前処理後の第１の金属膜に対して水素含有ガスを供給して第２の前処理を行う工程と、第２の前処理後の第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method includes the steps of applying a DC magnetic field to a measurement object sample; repeatedly applying an AC magnetic field to demagnetize, while sequentially weakening a strength of the AC magnetic field; measuring a magnetic field distribution on a surface of the sintered tool, and obtaining a residual stress distribution of the sintered tool by converting the magnetic field distribution into the residual stress distribution.例文帳に追加

被測定試料に直流磁界を加えた後、交流磁界の強度を逐次弱めながら反復して交流磁界を加える消磁操作を実施し、その後前記焼結工具表面の磁界分布を測定して、前記磁界分布を残留応力分布に変換することにより前記燒結工具の残留応力分布を求める。 - 特許庁

The manufacturing method of an electrode base board for a battery with nickel plated on the surface of woven or nonwoven fabric made of resin, coating of nickel is carried out in two steps of electrodeless plating and electric plating, and further, before the electrodeless plating, a heat treatment is applied on the woven or the nonwoven fabric made of resin.例文帳に追加

樹脂からなる織布又は不織布の繊維表面にニッケルを被覆した電池用電極基板の製造方法であって、ニッケルの被覆を無電解めっきと、電気めっきの二段階で行い、なお、かつ無電解めっきを行う前に、樹脂からなる織布又は不織布に加熱処理を行うことを特徴とする電池用電極基板の製造方法である。 - 特許庁

The method of forming the film on a surface of a workpiece W in a treatment vessel 22 where evacuation is carried out includes steps of: forming a metal film 8 containing titanium as a thin film by a plasma CVD method using material gas in the treatment vessel ; and annealing the metal film in the treatment vessel.例文帳に追加

真空排気が可能になされた処理容器２２内で被処理体Ｗの表面に対して薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスを用いて処理容器内でプラズマＣＶＤ法により薄膜としてチタンを含む金属膜８を形成する金属膜形成工程と、処理容器内で金属膜に対してアニール処理を行うアニール工程とを有する。 - 特許庁

This method of manufacturing the integrated seal includes the steps of: supplying a component having an edge portion; forming a profile on the edge portion; supplying a seal; applying a bond preparation on a surface on the edge portion; applying a bonding material on the seal; mounting the seal to the edge portion; and curing bond.例文帳に追加

一体形シールを製作する方法は、エッジ部分を有する構成要素を供給するステップと、エッジ部分上に輪郭を形成するステップと、シールを供給するステップと、エッジ部分の表面上に接着前処理を施すステップと、シール上に接着材料を適用するステップと、シールをエッジ部分に取付けるステップと、接着剤を硬化させるステップとを含む。 - 特許庁

The method for forming the metallic structure includes the sequential steps of: applying the composition for forming the metallic structure which includes a metallic complex (A) of formic acid and ammonium formate (B) onto a substrate to form an applied substance; and heating the obtained applied substance and/or irradiating the obtained applied substance with light to form the structure made from the metal on the surface of the substrate.例文帳に追加

本発明は、基材に、蟻酸の金属錯体（Ａ）及び蟻酸アンモニウム（Ｂ）を含有する金属構造物形成用組成物を塗布し、塗布物を形成する工程と、得られた塗布物に対して、加熱及び／又は光照射し、金属からなる構造物を基材の表面に形成する工程とを、順次、備える金属構造物の形成方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a super-junction semiconductor device capable of suppressing change in shape of a transfer alignment mark to such degree as can be detected at the time when an alignment mark of a lower layer is transferred to the surface of an epitaxial layer of an upper layer, even if a growth rate of the epitaxial layer is raised, with the number of additional steps being as lower as possible.例文帳に追加

できるだけ追加工程が少なくかつエピタキシャル層の成長レートを速くしても、下層のアライメントマークが上層のエピタキシャル層の表面に転写される際の、転写アライメントマークの形状変化を検出が可能な程度に抑制することのできる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁