「surface steps」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing semiconductor device comprises the steps of adhering a silicon wafer 10 to a supporting substrate 8 through an oxide film 20, forming a drain layer 11 by grinding the wafer 10, forming a buffer layer 12 and a high resistance layer 13 on the layer 11 by an epitaxial growth, and forming a MOS gate structure on the surface of the layer 13.例文帳に追加

シリコンウェハ１０を支持基板８と酸化膜２０を介して接着する工程と、上記シリコンウェハ１０を研削してドレイン層１１を形成する工程と、ドレイン層１１の上にバッファ層１２及び高抵抗層１３をエピタキシャル成長で形成する工程と、高抵抗層１３の表面にＭＯＳゲート構造を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

A method of manufacturing the ferroelectric capacitor according to this invention comprises the steps of: forming a platinum film, an electrode material, on the whole surface of a silicon substrate; forming facing electrodes which are a pair of capacitor electrodes obtained by collectively etching the platinum film; and embedding the ferroelectric film, a dielectric film of the capacitor, into a portion pinched between a pair of the facing electrodes.例文帳に追加

本発明の強誘電体キャパシタの製造方法は、シリコン基板上の全面に電極材料となる白金膜を形成し、白金膜を一括エッチングして一対のキャパシタ電極となる対向電極を形成し、キャパシタの誘電体膜である強誘電体膜を一対の対向電極の間の挟まれる部分に埋め込むようにしたものである。 - 特許庁

A method for manufacturing the membrane electrode assembly includes the steps of: (a) forming a catalyst layer on the surface of the electrolyte membrane; (b) moistening with water the electrolyte membrane on which the catalyst layer is formed; and (c) heat-joining a diffusion layer to the catalyst layer under the environment where the contraction percentage of the electrolyte membrane becomes 3% or less.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体の製造方法は、（ａ）電解質膜の表面に、触媒層を形成する工程、（ｂ）触媒層が形成された電解質膜を、水で湿潤させる工程、（ｃ）触媒層の上に、拡散層を、電解質膜の収縮率が３％以下となる環境下で、熱接合する工程を有する。 - 特許庁

A method comprises the steps of: forming an insulating film by applying CVD treatment on a base substance to be treated whose main component is single crystal silicon; and exposing the base substance to be treated to plasma generated by irradiating treatment gas with microwave via a flat surface antenna member (SPA) having a plurality of slots, and reforming the insulating film using plasma.例文帳に追加

単結晶シリコンを主成分とする被処理基体上にＣＶＤ処理を施して絶縁膜を形成する工程と、前記被処理基体を、複数のスロットを有する平面アンテナ部材（ＳＰＡ）を介して処理ガスにマイクロ波を照射することにより生成したプラズマに晒し、このプラズマを用いて前記絶縁膜を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

The method comprises the steps of: forming a fuel electrode including metal nickel obtained by distributing nickel oxalate or preferably acicular nickel oxalate over a surface of a porous metal substrate, or coating the substrate with a paste containing such nickel oxalate, and then heating the substrate in this condition, thereby thermally decomposing the nickel oxalate into the metal nickel; and thereafter stacking thereon an electrolyte and an air electrode in turn.例文帳に追加

多孔質金属基板上に、蓚酸ニッケル、望ましくは針状の蓚酸ニッケルを分散させた状態、あるいはこのような蓚酸ニッケルを含むペーストを塗布した状態で加熱することによって蓚酸ニッケルを金属ニッケルに熱分解し、これを含む燃料極を形成したのち、電解質及び空気極を順次積層する。 - 特許庁

The manufacturing method of the laminated piezoelectric element comprises the steps of preparing a sheet having an electrode paste layer containing powdered zirconium oxide whose metal and BET specific surface area is ≤10 m^2/g on a piezoelectric material green sheet, obtaining a lamination by laminating a plurality of sheets, and baking this lamination.例文帳に追加

本発明の積層型圧電素子の製造方法は、圧電体グリーンシート上に、金属及びＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下である粉末状のジルコニウム酸化物を含む電極ペースト層を備えるシートを準備する工程と、このシートを複数積層して積層体を得る工程と、この積層体を焼成する工程とを含む。 - 特許庁

The method of producing the glass substrate 95 comprises the steps of a ST1 for cutting wherein the glass substrate 95 in a predetermined size is obtained by cutting a glass base member 80, a ST4 for finishing wherein a cut surface of the severed glass substrate 95 is finished and a ST5 for chemically strengthening wherein the finished glass substrate 95 is chemically strengthened.例文帳に追加

ガラス基板９５の製造方法であり、ガラスの母材８０を切断して所定のサイズのガラス基板９５を得る切断ステップＳＴ１と、切断されたガラス基板９５の切断端面を仕上げ加工する仕上げ加工ステップＳＴ４と、仕上げ加工されたガラス基板９５を化学強化する化学強化ステップＳＴ５を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the printing blanket 10 comprises the steps to introduce a base cloth 13a with a surface printing layer 11 and base cloths (13b to 13d) with an adhesive layer into a continuous vulcanizing machine 20 equipped with a heating drum 21 and a conveying belt 22 and laminate/vulcanize the base cloths (13b to 13d) simultaneously.例文帳に追加

本発明に係る印刷用ブランケット１０の製造方法は、表面印刷層１１を備える基布１３ａと、接着層を備える基布（１３ｂ〜１３ｄ）とを、熱ドラム２１と搬送ベルト２２とを備える連続加硫機２０に導入して、当該基布（１３ｂ〜１３ｄ）の貼り合わせと加硫とを同時に行うことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the polarizing plate includes the steps of: subjecting a surface on which a polarizer is provided of a cycloolefin-based resin film to corona discharge treatment at an output strength of 0.9 to 2.5 kW; washing the cycloolefin-based resin film which has been subjected to the corona discharge treatment; and bonding the polarizer and the cycloolefin-based resin film to each other through an adhesive.例文帳に追加

本発明の偏光板の製造方法は、シクロオレフィン系樹脂フィルムの偏光子が設けられる面に、出力強度０．９〜２．５ｋＷにてコロナ放電処理を施す工程、コロナ放電処理を施したシクロオレフィン系樹脂フィルムを水洗する工程、及び偏光子とシクロオレフィン系樹脂フィルムとを接着剤を介して貼り合わせる工程を含む。 - 特許庁

The furniture according to a second aspect of the invention comprises a plurality of drawers 19 superimposed on one another in the furniture body 10, wherein at least one of the drawers 19 comprises a handrail 21 provided on the front surface thereof, can be exchanged with one or more drawers in other steps and can be fixed to the cabinet body 10.例文帳に追加

後の発明は、家具本体１０に複数の引き出し１９が複数段設けられ、これらの内少なくとも一つの引き出し１９の前面に手摺り２１を設け、手摺り２１付き引き出し１９を少なくとも１以上の他の段と差し替え可能にし、かつ手摺り２１付き引き出し１９を家具本体１０に固定可能にした。 - 特許庁

A method for doping a semiconductor layer comprises the steps of forming the semiconductor layer on the substrate when the layer is doped, then controlling an amount of dopant ions to be adsorbed to the surface of the semiconductor layer by a means for introducing a hydrogen gas at a plasma emitting time, and activating the dopant ion adsorbed by an excimer laser or the like in the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層をドーピングする際に、基板上に半導体層を形成した後、プラズマ照射時に水素ガスを導入するなどの手段によって半導体層の表面に吸着するドーパントイオンの量を制御し、エキシマレーザーなどによって吸着したドーパントイオンを半導体層内で活性化させることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes steps of a thermal oxidation film of 25-45 angstroms thick on the surface of the silicon substrate 1, by loading the substrate 1 into the furnace while introducing an N2 gas having 1% of O2 gas added therein, and thereafter forming a thermal oxidation film of 100 angstroms or less on the substrate 1.例文帳に追加

この方法は、加熱した炉内に１％のＯ_２ガスを添加したＮ_２ガスを導入しながら、前記炉内にシリコン基板１をローディングすることにより、シリコン基板１の表面上に２５〜４５オングストロームの熱酸化膜を形成する工程と、その後、シリコン基板１の表面上に１００オングストローム以下の熱酸化膜を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less.例文帳に追加

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。 - 特許庁

The substrate is a substrate to which a thin line-like zinc oxide fine crystal is stuck by using a zinc oxide thin film and the substrate production method involves steps of decomposing the substrate having the line-like zinc oxide fine crystal on the surface through a thin film of a liquid-state zinc complex by high temperature steam and carrying out heat treatment.例文帳に追加

細線状の酸化亜鉛微細結晶を、酸化亜鉛薄膜を介して接着した基板；ならびに該基板の製造方法であって、その表面に液状の亜鉛錯体の薄膜を介して細線状の酸化亜鉛微細結晶を有する基板を高温水蒸気分解する工程；および熱処理する工程を含む方法。 - 特許庁

The method for coating the substrate includes steps for removing an inorganic oxide phase in an organic-inorganic polymer hybrid having molecular structure integrated by the covalent bond of a polyimide phase and the inorganic oxide phase, covering the surface of the substrate with a porous polyimide molded body obtained by removing the inorganic oxide phase, and heating the substrate covered with the porous polyimide molded body.例文帳に追加

ポリイミド相と無機酸化物相とが共有結合によって一体となった分子構造を呈する有機−無機ポリマーハイブリッドに対して、その無機酸化物相の除去処理を施して得られる多孔性ポリイミド成形体を用いて、基材の表面を覆い、かかる多孔性ポリイミド成形体にて覆われた基材を加熱する。 - 特許庁

The method for manufacturing the flexible metal foil laminate comprises the steps of preheating a heat press bondable multilayer polyimide film obtained by laminating and integrating the polyimide layer on and with at least one surface of the high heat resistant aromatic polyimide layer in line directly before introducing the polyimide film to the continuously laminating device, heat press bonding and laminating the metal foil and the multilayer polyimide film.例文帳に追加

高耐熱性の芳香族ポリイミド層の少なくとも片面に熱圧着性のポリイミド層が積層一体化された熱圧着性多層ポリイミドフィルムを連続ラミネ−ト装置に導入する直前のインラインで予熱して、金属箔と熱圧着性多層ポリイミドフィルムとを加熱圧着して張り合わせる前記のフレキシブル金属箔積層体の製造法。 - 特許庁

The formation method for a film pattern includes steps of forming a self-organizing film on a substrate surface which has fluid repellency, providing a fluid material on the self-organizing film and drying it, giving energy to the back side of the substrate, and sintering the dried fluid material.例文帳に追加

本発明は、基板の表面に、撥液性を有する自己組織化膜を形成する工程と、前記自己組織化膜上に液体材料を供与し、これを乾燥する工程と、前記基板の裏面側にエネルギーを付与する工程と、乾燥した前記液体材料を焼結させる工程と、を含むことを特徴とする膜パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

In the invention, a method of producing a carbon nanotube including the following steps is provided, a metallic substrate is provided, a carbon source gas is provided: the surface of the metallic substrate is oxidized to form an oxide layer, a catalyst layer is formed on the oxide layer, the carbon source gas is introduced to grow a carbon nanotube, and simultaneously, the oxide layer is reduced.例文帳に追加

本発明は下記のステップを含む炭素ナノチューブの製造方法を提供し、金属基板を提供し、炭化水素ガスを提供し、該金属基板の表面を酸化して酸化物層を形成し、該酸化物層に触媒層を形成し、炭化水素ガスを導入して炭素ナノチューブを成長する同時に、該酸化層を還元する。 - 特許庁

A negative photoresist is obtained through steps of: providing a photoresist layer containing a polycarbonate resin having a specified structure and a photoacid generator such as diazonaphthoquinone on a substrate; masking the layer with a desired pattern; irradiating the pattern surface with UV rays; and then developing the resist by using a developing solution comprising a tetra-substituted ammonium hydroxide, a low molecular weight alcohol, and a solvent containing water.例文帳に追加

基板上に、特定構造のポリカーボネート樹脂及びジアゾナフトキノンなどの光酸発生剤を含むフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクし、このパターン面に紫外線を照射したのち、テトラ置換アンモニウムヒドロキシド、低分子アルコール及び水を含む溶媒から成る現像液を用いて現像することによりネガ型のフォトレジストを得る。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated steel sheet comprises the steps of: laminating a first steel sheet so as to be introduced into a projection region of a second steel sheet; fixedly disposing the first and second steel sheets on separate mounting surfaces, irradiating the surface of the second steel sheet with a laser beam; and thereby manufacturing the laminated steel sheet including at least one zinc-plated steel sheet.例文帳に追加

第１の鋼板を第２の鋼板の投影領域内入るように重ね合わせるとともに、第１の鋼板と第２の鋼板とをそれぞれ別の搭載面に固定して配置し、第２の鋼板の表面にレーザビームを照射して、少なくとも一方が亜鉛系めっき鋼板から構成される重ね合わせ鋼板を製造する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic level gage with enhanced accuracy of ultrasonic measurement, for example, by uniformly providing an inner circumferential surface of a nozzle with steps comprising projections and recesses to remove echoes coming from places other than a medium under measurement as far as possible, as to an ultrasonic level gage for measuring the medium under measurement by means of ultrasonic echoes.例文帳に追加

超音波のエコーにより被測定媒体を測定する超音波レベル計において、被測定媒体以外のところからのエコーを出来る限り無くすため、例えばノズルの内周面に凹凸の段差を均等に設けるようにしてエコーを相殺するようにして超音波による測定精度を高めた超音波レベル計を提供する。 - 特許庁

The inkjet cleaning head includes at least steps of: increasing the pressure in the ink supply tank, and discharging ink from nozzles of the inkjet head; and placing under a cleaning member a flexible buffer material having a 20 or less Asker hardness, and moving the cleaning member while bringing it into contact with the discharge surface of the inkjet head.例文帳に追加

少なくとも、インク供給タンク内圧力を上昇させ、インクジェットヘッドのノズルからインク吐出を行う工程と、洗浄部材の下にアスカー硬度２０度以下の柔軟性のある緩衝材を敷設し該洗浄部材を前記インクジェットヘッドの吐出面に接触させつつ移動する工程と、を有することを特徴とするインクジェットヘッドの洗浄方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a copper oxide film 21 only on the surface of wiring 15 embedded in an interlayer insulating film 12 and composed of copper or a copper alloy; selectively removing the copper oxide film 21; and forming the cap film 31 which prevents the diffusion of copper only on areas from which the copper oxide film 21 is removed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２に埋め込まれた銅もしくは銅合金からなる配線１５の表面のみに酸化銅膜２１を形成する工程と、酸化銅膜２１を選択的に除去する工程と、酸化銅膜２１を除去した領域のみに銅の拡散を防止するキャップ膜３１を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The substrate laminating method includes steps of laminating a wafer W on the supporting substrate G via the adhesive double coated sheet S sandwiched therebetween while rolling a sticking roller by pushing it against a surface of the bumped wafer W, and thereafter pushing and rolling the roller 19 along the rim of the supporting substrate G to stick the periphery of the substrate G to the sheet S.例文帳に追加

バンプの設けられたウエハＷの表面に貼付けローラを押圧して転動させながらウエハＷと支持基板Ｇを、その間に介在させた両面粘着シートＳによって貼り合せた後に、さらに支持基板Ｇの周縁に沿って貼付けローラ１９を押圧して転動させながら支持基板Ｇの周縁部分を両面粘着シートＳに貼り付ける。 - 特許庁

This method comprises the steps of exposing only the parts within a metal layer 30, formed on the surface of a substrate 20 where a ball pad 62 and/or a bonding pad 63 are/is to be formed, forming a gold-plated layer 60 on the exposed metal layer 30, and selectively removing the metal layer 30 and forming the circuit pattern 32 on the substrate.例文帳に追加

基板２０の表面に形成された金属層３０中ボールパッド６２及び／またはボンディングパッド６３が形成される部分のみ露出される段階と、露出された金属層３０に金メッキ層６０が形成される段階と、金属層３０が選択的に除去されて基板上に回路パターン３２が形成される段階とが含まれる。 - 特許庁

An approximate function of deflected brightness information when brightness information about detection areas of white line candidate points is expressed by brightness information of original road surface and deflected brightness information due to the puddle, etc., is detected by approximating the brightness information to the X axis direction and deflected brightness information about inputted image information is obtained based on detection (steps S21 to 23).例文帳に追加

白線候補点検出領域の輝度情報を路面本来の輝度情報と水溜まり等による偏向輝度情報とで表したときの偏向輝度情報の近似関数を、輝度情報をＸ軸方向に近似して検出し、これに基づいて、入力した画像情報の偏向輝度情報を得る（ステップＳ２１〜２３）。 - 特許庁

The process increases a leaching rate of zinc, by adjusting a particle size of the concentrate, reducing the concentrations of the pulp and an oxidizing agent, and instead reacting them in the steps divided into two or more, because when a reaction product (S) formed in a leaching step covers the surface of a mineral (ZnS), a leaching rate extremely decreases.例文帳に追加

浸出工程における反応生成物（Ｓ）が鉱物（ＺｎＳ）表面を覆うようになると浸出速度が極端に低下するため、精鉱の粒度を調整し、パルプ濃度及び酸化剤濃度を低く抑え、その代わりに反応を二段階若しくは多段階に分けて行うことにより亜鉛浸出率を高めることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the solid support comprises the steps of providing a substrate (2), depositing a layer (3) of the substance selected from HfO_2, TiO_2, Ta_2O_5, ZrO_2 and a mixture including at least one of these substances, and treating the free surface of the layer (3) to be hydrophilic.例文帳に追加

また、かかる固形支持体を製造する方法であって、前記基板（２）を用意する工程、前記基板（２）に、ＨｆＯ_2、ＴｉＯ_2、Ｔａ_2Ｏ_5、ＺｒＯ_2およびこれらの物質の少なくとも一つを含む混合物から選択された物質の層（３）を沈着させる工程、および、前記層（３）の自由面を親水性化処理する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the inkjet printing method for recording on the fabric by inkjet system, steps for applying a pretreating liquid to at least a part of a fabric prior to the recording, carrying out recording by ink and then washing the fabric are provided and the pretreating liquid comprises a metal salt having a valence not lower than bivalence and has ≤35 mN/m surface tension.例文帳に追加

インクジェット方式により布帛に記録するインクジェット捺染方法において、該記録に先だち布帛の少なくとも一部に前処理液を付与し、インクによる記録を行った後、該布帛を洗浄する工程を有し、該前処理液が二価以上の金属塩を含有し、表面張力が３５ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とするインクジェット捺染方法。 - 特許庁

The inkjet recording method includes steps for: heating a recording surface of the recording medium having no absorbability or low absorbability for ink, up to a temperature of 40-110°C; and performing recording on the recording medium by using an aqueous ink composition containing paraffin wax having a melting point of 110°C or lower, and at least one kind of a non-aqueous colorant, and water.例文帳に追加

インク非吸収性または低吸収性の記録媒体の記録する側の表面温度を４０℃以上１１０℃以下の範囲に加熱し、融点が１１０℃以下のパラフィンワックスと、少なくとも１種の水不溶性の着色剤と、水と、を含有する水性インク組成物を用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法。 - 特許庁

(2) The method for manufacturing the member coated with the liquid extrusion layer which is composed of the fluoride silane coupling agent and the silicone resin includes the steps of applying the flouride silane coupling agent on the surface of the member to be coated, and then applying silicone resin without removing the surplus fluoride silane coupling agent including an unreacted silanol group.例文帳に追加

（２）被覆対象となる部材の表面にフッ素系シランカップリング剤を付着させた後、未反応シラノール基を有する余剰のフッ素系シランカップリング剤を除去することなく、シリコーン樹脂を付着させることにより、フッ素系シランカップリング剤及びシリコーン樹脂で構成される撥液層を形成する撥液層被覆部材の作製方法。 - 特許庁

The shrink packaging method comprises steps of applying an adhesive layer 30 made of heat-sealable varnish on part of the internal surface of the web-like heat-shrinkable film 20 before packaging in the pillow package form, and temporarily fixing at the center of a lid 12 of the container 10 with the lid via the adhesive layer 30.例文帳に追加

本発明に於いて上記課題を達成するために、ピロー包装形態で包装する前に、ウエブ状の熱収縮性フィルム２０の内面の一部にヒートシール性ニスでなる接着剤層３０を点状に施し、該接着剤層３０で蓋付き容器１０の蓋材１２の中心に仮止めするシュリンク包装方法としたものである。 - 特許庁

The method includes steps of: rubbing a long plastic film F; applying and fixing liquid crystalline molecules on the surface of the rubbed film to form a first optical compensation layer 13 satisfying nx>ny=nz; and laminating a second optical compensation layer 14 satisfying nx>ny>nz and 1.2≤Nz≤2 thereon.例文帳に追加

本発明は、長尺のプラスチックフィルムＦをラビング処理する工程と、ラビング処理されたフィルムの表面に液晶性分子を塗工し固定して、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの第１の光学補償層１３を形成する工程と、この上に、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚで１．２≦Ｎｚ≦２を満足する第２の光学補償層１４を積層する工程とを含む。 - 特許庁

The method for forming the image comprises the steps of coating the entirety or the part of the image forming area of the surface of the intermediate transfer medium with a light shielding ink layer (or the opaque ink layer), then forming the ink image made of the image forming ink in the image forming area, and then re-transferring the image to the substantially transparent final printing medium.例文帳に追加

中間転写媒体表面の画像形成領域全体又はその一部を遮光性インク層（又は不透明インク層）により被覆した後、前記画像形成領域内に画像形成用インクから成るインク画像を形成した後、実質的に透明である最終印刷媒体へ再転写することを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a silicon carbide film 31 on the back of a semiconductor substrate 1 and forming a transistor on the surface thereof; forming an interlayer insulating film 12 on the semiconductor substrate 1 and the transistor; and burying a Cu interconnection 13 in the interlayer insulating film 12.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の裏面に炭化シリコン膜３１を形成し、かつ半導体基板１の表面にトランジスタを形成する工程と、半導体基板１上及びトランジスタ上に層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２にＣｕ配線１３を埋め込む工程とを具備する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of rapidly heating the attached solder paste locally and heating the solder paste to a melting point at which the solder paste is melted, using an additional heat source; and forming a temperature gradient across the substrate by cooling a second surface of the pallet and dissipating heat from the substrate, while further rapidly locally heating the attached paste.例文帳に追加

更に、付着されたソルダペーストを更に急速に局部的に加熱し、追加熱源を用いて、ソルダペーストを溶融させるのに充分な融点に加熱するステップと、付着されたソルダペーストを更に急速に局部的に加熱しながらパレットの第２の表面を冷却して基板から熱を放散させ基板を横切る温度勾配を形成するステップと、を有する。 - 特許庁

A Co film formation method includes the steps of, while performing vacuum drawing in a processing chamber after disposing a base material S in the processing chamber 10, heating the base material at a predetermined temperature, vaporizing an organometallic material L in which ions or molecules having an alkyl group coordinate on cobalt, supplying the vaporized organometallic material onto the base material surface, and performing thermal decomposition of the organometallic material to deposit a Co film.例文帳に追加

基材Ｓを処理室１０内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Ｌを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてＣｏ膜を成膜する。 - 特許庁

A method of forming a tungsten silicide layer on a wafer, which is coated with polysilicon inside a CVD reaction chamber comprises the steps of supplying 3-group or 5-group hydrogen compound gas into the CVD reaction chamber, conducting a preprocessing to the surface of polysilicon with the 3-group or 5-group hydrogen compound gas and subsequently supplying a silane source gas and a tungsten source gas for evaporation of a tungsten silicide layer.例文帳に追加

ＣＶＤ反応チャンバ内でポリシリコンが塗布されたウェーハ上にタングステンシリサイド層を形成する方法において、ＣＶＤ反応チャンバ内に３族または５族水素化合物ガスを流入し、ポリシリコンの表面を３族または５族水素化合物ガスに前処理し、続いて、シランソースガスとタングステンソースガスを流入し、タングステンシリサイド層を蒸着する。 - 特許庁

This method comprises the steps of embedding a conductive metallic material into fine recesses formed in a substrate, such as a semiconductor wafer (step 1), polishing the surface of the metallic material by a mechanical and chemical operation using a working solution (including a polishing solution, a chemical solution and a cleaning solution) from the outermost layer of the buried metal (step 2), whereby an interconnection structure is prepared.例文帳に追加

半導体ウエハ等の基材に設けた微細な凹みに導電性の金属材料を埋込み（工程１）、その後埋込み金属の最外層側から、金属材料表面を作業液（研摩液や薬液、洗浄液を含む）を用いて機械的・化学的作用によって研摩する（工程２）ことによって配線構造を製造する。 - 特許庁

The method for ink jet recording comprises the steps of imparting the ink containing a polymer emulsion obtained by incorporating a color material insoluble or slightly soluble in water in polymer fine particles in response to recording information on the surface of the porous layer side of a recording medium having one or more porous layers containing inorganic particles on the base, and recording the ink thereon.例文帳に追加

基材上に無機粒子を含む１層以上の多孔質層を有する記録媒体の多孔質層側の表面に、記録情報に応じて、ポリマー微粒子に水不溶性または難溶性の色材を含有させてなるポリマーエマルジョンを含有するインクを付与して記録を行なうことを特徴とするインクジェット記録方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element includes the steps of dissolving silver to an electrolyte containing hydrogen fluoride; and contacting an n-type single crystal silicon substrate 1 with the electrolyte, into which silver is dissolved to form a rugged shape 1a onto the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 without the need for power application.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、ｎ型単結晶シリコン基板１を接触させることにより、通電を行うことなく、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に凹凸形状１ａを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing carbon nanotubes includes the processes of: preparing a substrate tilted in a one-dimensional or two-dimensional direction from a specified crystallographic orientation with high symmetry; vapor-depositing a catalyst metal along the atomic steps appearing on the substrate surface; and growing carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the catalyst metal as nuclei.例文帳に追加

特定の対称性の高い結晶方位から１次元方向又は２次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises sequentially the steps of forming a gate electrode having a metal silicide layer on a semiconductor wafer, decreasing crystal grain region on the surface of the metal silicide layer exposing at least its part, forming a spacer consisting of an oxide film on the side wall of the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板上に金属シリサイド層を有するゲート電極を形成する工程と、少なくとも一部が露出する前記金属シリサイド層表面の結晶粒界を減少させる工程と、前記ゲート電極の側壁に酸化膜からなるスペーサを形成する工程と、を順次含むことを特徴とする半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the nozzle plate 3 for the droplet discharge head having a fluorine-containing water-repellent layer 2d on the surface includes at least steps of: vacuum-depositing a fluorine-containing organic silane compound having a hydrolyzable group; and introducing a material gas including water molecules and an acid into a vacuum deposition atmosphere.例文帳に追加

表面にフッ素を含む撥水層２ｄを有する液滴吐出ヘッド用のノズルプレート３の製造方法において、少なくとも、加水分解性基を有するフッ素含有有機シラン化合物を真空蒸着する工程と、水分子と酸を含む材料ガスを蒸着雰囲気中に導入する工程と、からなることを特徴とする。 - 特許庁

This method comprises the steps of joining a first turbine nozzle 50 into the engine, joining a second turbine nozzle to the first turbine nozzle adjacent to each other in the circumferential direction so that a gap can be formed between the first and second turbine nozzles, and preparing at least one spline seal 100 having a generally flat surface body.例文帳に追加

本方法は、エンジン内に第１のタービンノズル（５０）を結合する段階と、第２のタービンノズルを、第１及び第２のタービンタービンノズル間にギャップが形成されるように第１のタービンノズルに円周方向に隣接させて結合する段階と、ほぼ平面の本体を備えた少なくとも１つのスプラインシール（１００）を準備する段階とを含む。 - 特許庁