「the seed」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

A single crystal wafer comprises an insulating layer formed on a substrate having a window that exposes a part of the substrate, a selective crystal growth layer formed on the part of the substrate exposed by the window, and a single crystal layer formed on the crystal growth layer located on the insulating layer and crystallized using the crystal growth layer as a crystalline seed layer.例文帳に追加

基板上に形成され、前記基板の一部が露出されるウィンドウを有する絶縁層と、前記ウィンドウに露出された前記基板の部分に形成される選択的結晶成長層と、前記絶縁層上で前記結晶成長層上に形成され、前記結晶成長層を結晶化シード層として用いて結晶化された単結晶層とを備える単結晶ウェーハである。 - 特許庁

The multistage emulsion polymerization of a conjugated diene monomer, ethylene unsaturated carboxylic acid monomer and other copolymerizable monomer is carried out using a low Tg seed at the polymerization temperature range of 75°C or less and the differences in the weight ratio and the solubility parameter of a copolymer part comprising the monomer in the first step and final step are each within a specific range.例文帳に追加

７５℃以下の重合温度領域で、低Ｔｇシードを用いて、共役ジエン系単量体、エチレン性不飽和カルボン酸単量体およびその他共重合可能な単量体を多段乳化重合し、かつ第一工程と最終工程それぞれ単量体からなる共重合体部分の重量比と溶解性パラメータ差を特定範囲にする。 - 特許庁

The production method of the Langasite single crystal C by a Czochralski method comprises mounting a Langasite seed crystal S of a Y54 pulling orientation at a pulling shaft 5 for pulling the Langasite single crystal C and pulling the Langasite single crystal C in the state of ≥20 rpm and ≤30 rpm in the number of revolutions of the pulling shaft 5.例文帳に追加

チョクラルスキ法によるランガサイト単結晶Ｃの製造方法であって、ランガサイト単結晶Ｃを引き上げるための引き上げ軸５にＹ５４方位のランガサイト種結晶Ｓを取り付け、引き上げ軸５の回転数を、２０ｒｐｍ以上、３０ｒｐｍ以下の状態で、ランガサイト単結晶Ｃを引き上げることを特徴とする。 - 特許庁

After forming a wiring electrode 1 on the upper surface of an aluminum substrate 3 while interposing a seed metal layer 4, anodization is performed according to the time corresponding to the width of a predetermined wiring electrode 1 thus obtaining a circuit board in which an alumite layer of a predetermined thickness is formed entirely on the upper layer of the aluminum substrate 3 including the lower part of the wiring electrode 1.例文帳に追加

アルミニウム基板３の上面にシードメタル層４を介して配線電極１を形成した後、所定の配線電極１の幅に対応した時間に応じて陽極酸化処理を行うことにより、配線電極１の下部も含めて、アルミニウム基板３の上層部全域に所定の厚みのアルマイト層を形成した回路基板であることを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the biodiesel fuel includes a sampling step of sampling vegetable oils from the seed of Xanthoceras sorbifolia Bunge, an esterification step of carrying out transesterification by adding methanol to the vegetable oils in the presence of an acid or basic catalyst, and a dividing step of dividing a methyl ester of fatty acids from the reaction liquid of the esterification step.例文帳に追加

本発明のバイオディーゼル燃料の製造方法は、ブンカンカの種子から植物油を採取する採取工程と、該植物油にメタノールを加えて酸触媒又は塩基性触媒の存在下でエステル交換を行うエステル化工程と、該エステル化工程の反応液から脂肪酸のメチルエステルを分取する分取工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the sulphidizing process of forming the sulfide (B) containing nickel and the barren solution by blowing hydrogen sulfide gas into the aqueous solution (A) of sulfuric acid containing nickel, this reaction-controlling method includes cyclically using the sulfide (B) containing nickel in an amount 4 to 6 times as much as an amount of nickel contained in the aqueous solution (A) of the sulfuric acid, as a seed crystal.例文帳に追加

ニッケルを含む硫酸水溶液（Ａ）に、硫化水素ガスを吹きこみ、ニッケルを含む硫化物（Ｂ）と貧液を形成する硫化工程において、種晶として、該硫酸水溶液（Ａ）に含まれるニッケル量に対し、４〜６倍のニッケル量に当たる該硫化物（Ｂ）を循環使用することを特徴とする。 - 特許庁

In the treatment of the waste water containing nitrogen, at least ammonia, in an anaerobic ammonia oxidizing bath 18 using the anaerobic ammonia oxidizing bacteria for denitrification with ammonia and nitrous acid as a substrate, the collected sludge in which the anaerobic ammonia oxidizing bacteria having a specific proliferation rate of 0.39 per day or more in seed sludge are collected and cultured is brought into contact with the waste water containing nitrogen in the anaerobic ammonia oxidizing bath 18.例文帳に追加

亜硝酸とアンモニアを基質として脱窒を行なう嫌気性アンモニア酸化細菌を用いて少なくともアンモニアを含む窒素含有廃水を嫌気性アンモニア酸化槽１８で処理する際に、嫌気性アンモニア酸化槽１８内では、種汚泥から比増殖速度０．３９日-1以上の嫌気性アンモニア酸化細菌を集積培養した集積汚泥を窒素含有廃水に接触させるようにした。 - 特許庁

The process for producing the acrylic polymer emulsion comprises subjecting a reactive monomer comprising as the main component a (meth)acrylate to the emulsification to prepare emulsified liquid for droplets and dropping the emulsified liquid for droplets into an aqueous medium containing a seed polymer in a amount of 0.0001-0.01 wt.% per solids of the finally produced acrylic polymer emulsion to polymerize the reactive monomer.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸エステルを主成分とする反応性モノマーを乳化させることより滴下乳化液を調製し、この滴下乳化液を、最終的に得られるアクリル系ポリマーエマルションの固形分に対して０．０００１〜０．０１重量％の割合でシードポリマーが含有されている水性媒体中に滴下して、反応性モノマーを重合させる。 - 特許庁

The method for treating drainage is carried out by supplying the drainage containing fluorine and hydrogen peroxide and a calcium-containing liquid into a crystallization tank and by depositing calcium fluoride on the seed crystal in the crystallization tank while keeping the pH in the crystallization tank to ≤7 so as to produce the treated water by crystallization with reduced fluorine.例文帳に追加

フッ素および過酸化水素を含む排水とカルシウム含有液とを晶析反応槽に供給し、晶析反応槽内のｐＨを７以下に維持しつつ、晶析反応槽内の種晶上にフッ化カルシウムを析出させて、フッ素が低減された晶析処理水を生じさせる排水処理方法が提供される。 - 特許庁

A prediction coefficient generating apparatus 20 acquires feature quantity information of an image viewed by the user from the history information memory 13 of a board 12 removed from the television receiver 10 and uses the feature quantity information of the image viewed by the user to produce coefficient seed data used by the television receiver 10.例文帳に追加

予測係数生成装置２０は、テレビジョン受信装置１０から取り外された基板１２の履歴情報メモリ１３から、ユーザが視聴する画像の特徴量情報を取得し、そのユーザ視聴画像の特徴量情報を用いて、テレビジョン受信装置１０が用いる係数種データを生成する。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises definition of a first zone and a second zone in the surface of a substrate, formation of a seed crystal in the first zone, formation of an amorphous silicon layer to cover the first zone and the second zone and melting of the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer with laser.例文帳に追加

また、本発明に係る多結晶シリコン層の結晶方法は、基板の表面に第一区域および第二区域を定義することと、第一区域に種晶を形成することと、第一区域および第二区域を覆うように非晶質シリコン層を形成することと、レーザで非晶質シリコン層を照射して非晶質シリコン層を溶融させることとを含んでいる。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: depositing a amorphous silicon film; forming a seed crystal on the side surfaces of the amorphous silicon film; and crystal-growing silicon toward the inside of the amorphous silicon film in a direction perpendicular to the film thickness direction of the amorphous silicon film by annealing using microwave.例文帳に追加

実施形態による半導体装置の製造方法は、非晶質シリコン膜を成膜する工程と、該非晶質シリコン膜の側面に種結晶を作成する工程と、マイクロ波を用いたアニーリングにより上記非晶質シリコン膜の膜厚の方向に直交する方向で上記非晶質シリコン膜の内部へシリコンを結晶成長させる工程と、を持つ。 - 特許庁

Since the flow is efficiently convected in straightening like this, after nitrogen is dissolved in the melt liquid near the gas/liquid interface, the melt liquid can be rapidly supplied in the whole growing vessel, and a step-flow growth occurs on the growing surface of the seed crystal substrate and a flat and smooth nitride single crystal of good quality is formed.例文帳に追加

このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 - 特許庁

The client device 20 generates a series of second password group by repeated operation of the one-way function using the seed as an initial value of argument, associates a series of expiration dates to passwords thereof in the order opposite to the generation order of passwords, selects a currently valid password from the second password group at authentication execution and transmits it to the server device 10.例文帳に追加

クライアント装置２０はシードを引数の初期値として一方向関数の繰り返し演算によって一連の第２パスワード群を生成し、パスワードの生成順とは逆順に一連の有効期限を対応付け、認証実施時に現在有効なパスワードを第２パスワード群から選定してサーバ装置１０に送信する。 - 特許庁

Article 61 (1) The Minister of Agriculture, Forestry and Fisheries shall, where he/she finds it particularly necessary in order to secure the distribution of designated seeds of good quality, determine and publicize standards relating to the production, conditioning, stocking or packaging, of the said designated seeds, that should be complied with by persons producing the said seeds in the course of business and seed dealers. 例文帳に追加

第六十一条　農林水産大臣は、優良な品質の指定種苗の流通を確保するため特に必要があると認められるときは、当該指定種苗の生産、調整、保管又は包装について当該指定種苗の生産を業とする者及び種苗業者が遵守すべき基準を定め、これを公表するものとする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

An aqueous solution of silver nitrate and aqueous ammonia are mixed and are reacted so as to obtain an aqueous solution of a silver ammine complex, the aqueous solution of the silver ammine complex and the aqueous solution of a reducing agent are mixed in the air in the presence of grains to form into seed and an imine compound, and the silver grains are reductively precipitated.例文帳に追加

硝酸銀水溶液とアンモニア水とを混合して反応させて銀アンミン錯体水溶液を得、種になる粒子およびイミン化合物の存在下において、当該銀アンミン錯体水溶液と還元剤水溶液とを空中で混合して、銀粒子を還元析出させる銀粉の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device 100 has a second organic insulation film 3 formed on the first metal pattern, an aperture (opening 15) formed in the second organic insulation film 3 to reach the first metal pattern, and a second metal pattern (seed metal 19 and a barrier metal 5) connected with the first metal pattern through the aperture.例文帳に追加

更に、第１の金属パターン上に形成された第２の有機絶縁膜３と、第２の有機絶縁膜３に形成され第１の金属パターンに達する開口部（開口部１５）と、この開口部を介して第１の金属パターンに接続された第２の金属パターン（シードメタル１９及びバリアメタル５）を有する。 - 特許庁

A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth.例文帳に追加

窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。 - 特許庁

The manufacturing method of fine polymer particles comprises causing a polyaddition-type monomer (A) to react with a polyaddition-type monomer (B) reactive with the polyaddition-type monomer (A), where the polyaddition-type monomer (A) is caused to react with the polyaddition-type monomer (B) reactive with the polyaddition-type monomer (A) in the presence of a fine seed particle (C).例文帳に追加

（Ａ）重付加系モノマーと（Ｂ）（Ａ）重付加系モノマーと反応しうる重付加系モノマーを反応させてポリマー微粒子を製造する方法において、（Ｃ）シード微粒子の存在下で、（Ａ）重付加系モノマーと（Ｂ）（Ａ）重付加系モノマーと反応しうる重付加系モノマーを反応させてポリマー微粒子を製造することを特徴とするポリマー微粒子の製造方法を用いる。 - 特許庁

A method for creating the identification badge includes the steps of: generating a digital image of a badge possessor; allowing a random number generator using a seed value to generate a random number arrangement; adding the random number arrangement to the digital image to generate a corrected digital image; and printing the corrected digital image on the identification badge.例文帳に追加

このような識別バッジを作成する１つの方法には、バッジ保持者のデジタル画像を生成するステップと、シード値を用いる乱数発生器によって乱数配列を発生させるステップと、その乱数配列をデジタル画像に加えて修正されたデジタル画像を生成するステップと、その修正されたデジタル画像を識別バッジ上に印刷するステップが含まれる。 - 特許庁

The crystal thin film is manufactured by heating a condensation polycyclic hydrocarbon compound to a temperature near a critical temperature Tc where the phase is transitioned from crystal to an Iso phase, turning a part except the part of crystal nuclei to the Iso phase to leave one or more crystal nuclei and decreasing the temperature to crystal-grow using the crystal nuclei as seed crystals.例文帳に追加

縮合多環炭化水素化合物を結晶からＩｓｏ相に層転移する臨界温度Ｔｃ近傍まで昇温し、１つ又は複数の結晶核を残して該結晶核の部分以外の部分をＩｓｏ相とした後、降温して前記結晶核を種結晶として結晶成長させることを特徴とする結晶薄膜の製造方法。 - 特許庁

In the light source device, optical device, and projector; excitation light from the common excitation light source is introduced at least at one portion of the plurality of optical amplifiers and optical amplification to the seed light at mutually different wavelength regions is made by the gain medium having a sufficient gain to each wavelength in the plurality of optical amplifiers.例文帳に追加

本発明による光源装置、光学装置、投影装置においては、複数の光増幅部の少なくとも一部において共通の励起光光源部からの励起光が導入され、互いに異なる波長域のシード光に対する光増幅が、上述の複数の光増幅部内の、それぞれの波長に対して十分な利得を持つ利得媒体により、それぞれなされる。 - 特許庁

In succession, a silicon nitride film 13 is formed on the bases and wall surfaces of recessed parts 12b each interposed between the protuberant parts 12a, and then a GaN selection growth layer 14 is formed above the seed layer 12, coming into contact with the protuberant parts 12a so as to form air gaps between its under surface and the bases of the recessed parts 12b.例文帳に追加

続いて、凸部１２ａ同士に挟まれてなる各凹部１２ｂの底面及び壁面上に窒化シリコンからなるマスク膜１３を形成し、その後、シード層１２の上に、各凸部１２ａと接するようにＧａＮからなる選択成長層１４をその下面と溝部１２ｂの底面との間に空隙部１２ｃが設けられるように形成する。 - 特許庁

This device has threshold memory means 106 which rewritably stores the vibration detecting threshold, determines the fresh threshold in accordance with the value detected by vibration detection means 104 when a disk rotated at an arbitrary rotational seed by controlling disk rotating means 103 in updating the threshold and stores the value in the threshold memory means 106.例文帳に追加

振動検出しきい値を書き換え可能に記憶するしきい値記憶手段１０６を備え、しきい値を更新する際に、ディスク回転手段１０３を制御して任意の回転速度で回転させたときの振動検出手段１０４の検出値をもとに新しいしきい値を決定し、しきい値記憶手段１０６に記憶する。 - 特許庁

The crystals are produced by (A) a process for reacting cyanuric acid with epichlorohydrin to obtain the reaction solution containing tris-(2,3-epoxypropyl)-isocyanurate, (B) a process for adjusting the concentration of solid contents, (C) a process for adding seed crystals, (D) a process for cooling the mixture to obtain the crystals, and (E) a process for washing and drying the crystals.例文帳に追加

（Ａ）工程：シアヌール酸、エピクロルヒドリンを反応させてトリス−（２，３−エポキシプロピル）−イソシアヌレートを含有する反応溶液を得る工程、（Ｂ）工程：固形分濃度を調製する工程、（Ｃ）工程：種晶を添加する工程、（Ｄ）工程：冷却して結晶体を得る工程、及び（Ｅ）工程：洗浄及び乾燥する工程より製造する。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

Otherwise, oxygen is doped into the gallium nitride crystal via a non-C-plane facet face by using a seed crystal having a C-plane surface, supplying material gases including a gallium material, a nitrogen material and oxygen to be doped, generating the non-C-plane facet face, and growing the gallium nitride crystal in the direction of the c-axis with vapor deposition, while maintaining the facet face.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

A document registration program 110 stores a registered document M registered from the user m in a document storage part 410 on the basis of the document M, a document property and a user profile, prepares a retrieval index of the document M and respective retrieval structure indexes of the document property and the user profile, stores them in a data storage part 420 for retrieval and generates seed documents 1, 2 and 3 further.例文帳に追加

文書登録プログラム110は、ユーザｍから登録された登録文書Ｍと文書プロパティとユーザプロフィールをもとに文書Ｍを文書記憶部410に格納し、文書Ｍの検索インデクスと、文書プロパティとユーザプロフィールの各検索構造インデクスを作成し、検索用データ記憶部420に格納し、さらに種文書1,2,3を生成する。 - 特許庁

In a method of forming thin film, the pressure of the whole gaseous raw material contributing to the deposition of a thin film is maintained at the atmospheric pressure of 760 Torr or lower, so that no expensive vacuum evacuating device may be required even though the partial pressure of the gaseous raw material is maintained at ≤1 Torr so that a deposition seed may be transported to a substrate under such a gas pressure.例文帳に追加

本発明では、膜堆積に寄与する原料ガス自体の分圧はたとえば１Torr以下に保ちつつもガス圧全体としてはそれよりもはるかに高い760Torrの常圧またはそれ以下であっても高度な真空排気装置を必要としない減圧レベルとし、このようなガス圧下で基板までそれら堆積種が輸送されるようにした。 - 特許庁

The method for producing the soybean extract-containing Shochu includes: adding a seed malt selected from either one of yellow Aspergillus, and white Aspergillus or black Aspergillus to malt raw materials composed of soybeans and grains to produce a malt; adding the malt, yeast and water to main raw materials composed of soybeans and grains to ferment the mixture; and then distilling the prepared unrefined Shochu to obtain the soybean extract-containing Shochu.例文帳に追加

大豆と穀類からなる麹原料に黄麹菌と、白麹菌又は黒麹菌のいずれかである種麹を添加して製麹し、次いで大豆と穀類からなる主原料に前記麹と酵母と水とを仕込んで発酵させた後、このもろみの蒸留を行って大豆エキス入り焼酎を得ることを特徴とする大豆エキス入り焼酎の製造方法。 - 特許庁

The method comprises the following process: A Boc-converting agent is reacted with 2-bromoethylamine or its salt in a water-miscible solvent in the presence of sodium hydroxide followed by adding water as cystallization solvent and seed crystal to the resultant reaction solution to deposit the crystal of the objective N-(2-bromoethyl)carbamic acid tert-butyl ester.例文帳に追加

２−ブロモエチルアミン又はその塩とＢｏｃ化剤を水溶性溶媒中で水酸化ナトリウムの存在下に反応させ、反応溶液に晶析溶媒としての水及び種結晶を添加することによりＮ−（２−ブロモエチル）カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチルの結晶を析出させることを特徴とするＮ−（２−ブロモエチル）カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチルの製造方法。 - 特許庁

This light parametric oscillating method has a 1st wavelength converting process for converting the wavelength of laser light by birefringent crystals 22 and 24 and a 2nd wavelength converting process for converting the wavelength of the laser light by making both the seed light obtained by the wavelength conversion and the original laser light incident on a crystal 26 in cyclic polarization inversion structure.例文帳に追加

レーザ光を複屈折結晶２２，２４により波長変換させる第１の波長変換工程と、前記波長変換により得られるシード光および前記レーザ光をともに周期分極反転構造の結晶２６に入射させてこのレーザ光を波長変換させる第２の波長変換工程と、を備えることを特徴とする光パラメトリック発振方法である。 - 特許庁

The method for the anomer-selective production of a nonnatural halogenated sugar comprises the selective crystallization of either one of the α- and β-isomers of the nonnatural halogenated sugar of general formula (1) (X and Y are each independently O or S; Z is a halogen atom; and W is a protecting group of hydroxy group) by the addition of a seed crystal.例文帳に追加

一般式（１） （式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立して、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｚはハロゲン原子を表わし、Ｗは水酸基の保護基を表す。）で表されるハロゲン化非天然型糖のα体またはβ体の一方を種晶添加により選択的に晶析させることを特徴とするハロゲン化非天然型糖のアノマー選択的な製造方法。 - 特許庁

Alternatively, oxygen is doped into the gallium nitride crystal through a facet-plane by preparing a C-plane gallium nitride seed crystal, generating the facet-plane of a reverse hexagonal or dodecagonal pyramid while supplying the material gases including gallium, nitrogen and oxygen to be doped, and performing the vapor-phase growth of the gallium nitride crystal while maintaining the facet-plane.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら逆六角錐、十二角錐ファセット面を発生させファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させファセット面を通して酸素をドーピングする。 - 特許庁

To provide an artificial quartz crystal having low line defect density in order to solve the extreme difficulty in growing the artificial quartz crystal having the decreased line defects as the generation of growth progresses in the current growth method of using a Y rod or Z plate as the seed quartz crystal.例文帳に追加

現状のＹ棒またはＺ板を種水晶として用いる育成法では、育成の世代が進むにつれて線状欠陥の少ない人工水晶を育成することは非常に困難である．本発明は上記課題を解決するためになされたものであって線状欠陥密度の低い人工水晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a method of producing an oxide single crystal, which comprises of growing the oxide likely to become a flat form due to the occurrence of crystal habit caused by anisotropy in growing speed or the like by a floating zone melting method, the anisotropic growth speed of the crystal is controlled by non-isotropically heating a melting zone from the opposite angle directions while rotating a raw material rod without rotating a seed crystal.例文帳に追加

成長速度の異方性などによる晶癖の発生で扁平状になりやすい酸化物を浮遊帯域溶融法により育成する酸化物単結晶の製造方法において、種結晶を回転させずに原料棒を回転させながら、溶融帯を対角方向から非等方的に加熱することにより結晶の異方的な成長速度を制御する。 - 特許庁

(5) In the event that the plant protection officer considers as a result of the inspection pursuant to the provision of paragraph 1 or 2 that there are injurious animals or injurious plants under paragraph 3, he/she shall suspend the inspection and instruct matters, which he/she deems necessary for disinfestations of such injurious animals or injurious plants or prevention of their spread, to such Seed and Seedling Producer orally or in writing. 例文帳に追加

５　植物防疫官は、第一項又は第二項の規定による検査により、第三項の有害動物又は有害植物があると認めたときは、その検査を中止し、当該種苗生産者に対し、当該有害動物又は有害植物を駆除し、又はそのまん延を防止するため必要と認める事項を口頭又は文書により指示しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The method for producing the zeolite includes the step of forming zeolite or zeotype molecular sieve seed crystals with different thicknesses on a substrate and adding the seeded substrate to gel for the synthesis of an MFI zeolite containing a structure-directing agent to grow MFI zeolite or zeotype molecular sieve crystals thereon.例文帳に追加

さらに詳細には、基質上に多様な厚さを有するゼオライトまたは類似分子篩の種子結晶を生成させる段階と、基質を構造指向剤を含むＭＦＩ型ゼオライト合成ジェルに入れてＭＦＩ型ゼオライトまたは類似分子篩の結晶を成長させる段階と、を含むゼオライト製造方法及びその方法で製造されたゼオライト薄膜を提供することである。 - 特許庁

The biodegradable resin emulsion, or the biodegradable resin emulsion powder comprises a biodegradable resin emulsion produced by subjecting vinyl acetate to seed polymerization, or emulsifying substance obtained by dissolving the biodegradable resin in the vinyl acetate to carry out emulsion polymerization while dropping the emulsified substance in an emulsifier-containing water solution.例文帳に追加

生分解性樹脂エマルジョン、生分解性樹脂の粉末としては、例えば、生分解性樹脂の水系分散液の存在下において酢酸ビニルをシード重合してなる生分解性樹脂エマルジョン，或いは生分解性樹脂を酢酸ビニルに溶解させたものを乳化し，乳化剤を含む水溶液中に滴下しながら乳化重合してなる生分解性樹脂エマルジョン，それらの粉末などが使用できる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a first organic insulation film 2 formed on an inorganic insulation film 8, an aperture (opening 14) formed in the first organic insulation film 2 to reach the inorganic insulation film 8, and a first metal pattern (seed metal 9 and an interconnect metal 10) connected with the inorganic insulation film 8 through the aperture.例文帳に追加

半導体装置１００は、無機絶縁膜８上に形成された第１の有機絶縁膜２と、第１の有機絶縁膜２に形成され無機絶縁膜８に達する開口部（開口部１４）と、この開口部を介して無機絶縁膜８に接続された第１の金属パターン（シードメタル９及び配線メタル１０）を有する。 - 特許庁

The application liquid composition in which a light-emitting material is dissolved in an organic solvent is used to form a light-emitting layer 4 by removing the organic solvent on a substrate after ejecting it to the substrate by the inkjet method where the organic solvent includes a solvent seed having a boiling point of 200°C or higher.例文帳に追加

有機溶媒で発光材料を溶解した塗布液組成物であるとともに、インクジェット方式により基体上に噴出させた後、当該基体上の有機溶媒を取り除くことにより発光層４を形成するための塗布液組成物において、前記有機溶媒として、沸点が２００℃以上の溶媒種を含むように構成する。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises growing an SiC single crystal on an SiC seed crystal substrate 9 from a raw material solution 3 containing SiC, C and a solution component other than the two components by the solution method, and includes a process for dissolving C before the start of SiC growth and a process for replenishing SiC after the start of SiC growth.例文帳に追加

溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。 - 特許庁

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal.例文帳に追加

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁

The method for producing powdered momordica charantia includes: a step for pulverizing seed-containing fruit of momordica charantia to make it slurry; a step for preliminarily freezing the slurry in a segmented freezing mold; a step for subjecting the frozen product to vacuum frozen dry treatment to be reduced in moisture to 3-5%; and a step for subjecting the dried product obtained in the frozen dry step to powder preparation.例文帳に追加

ゴーヤーの種子を含む果実を粉砕してスラリー化する工程と、該スラリーを小分けした凍結型に予備冷凍する工程と、該冷凍品を水分３〜５％に低下する真空凍結乾燥処理を施す工程と、前記工程から得られた乾燥処理品を粉末調整する工程と、から構成されることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor package substrate comprises a base substrate including a circuit having a connection pad 103 in an insulation layer 101, a protection layer 106 formed on the base substrate and including polyimide with an open part for exposing the connection pad 103, and a post bump 115 including a seed layer 110 and an electrolytic plating layer 114 formed on the connection pad at the open part of the protection layer 106.例文帳に追加

絶縁層１０１に接続パッド１０３を含む回路が形成されたベース基板と、ベース基板上に形成され、接続パッド１０３を露出させるオープン部を有し、ポリイミドを含む保護層１０６と、保護層１０６のオープン部の接続パッド上に形成されたシード層１１０と電解メッキ層１１４からなるポストバンプ１１５とを含んでなる半導体パッケージ基板。 - 特許庁