「upper step」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily mold a container which is a foamed resin molded container having a skin layer on the inner face of the container, and a step by at least one of a recess and a projection, and holds an enough shape holding strength even at the step at the upper end of the projection, or at the step at the lower end of the recess or the like.例文帳に追加

容器内面に表皮層を有しかつ凹部及び凸部の少なくとも一方による段差部を有する発泡樹脂成形容器で、凸部上端の段部あるいは凹部下端の段部等においても充分な保形強度を保有できる容器を容易に成形できるようにする。 - 特許庁

In the case of manufacturing the semiconductor device 100 forming a source contact plug and a drain contact plug, a part of the semiconductor substrate 100 is etched and a step is formed to form an overlay vernier and a hard mask 108 is formed on the upper part of the step so that the step is maintained.例文帳に追加

ソースコンタクトプラグ及びドレインコンタクトプラグを形成する半導体素子１００を製造するに際して、その半導体基板１００の一部をエッチングして段差を形成することでオーバーレイバーニアを形成し、上記段差が維持されるように上記段差の上部にハードマスク１０８を形成する。 - 特許庁

A step 651 is formed on the lower wall part inside the opening 66 while a projection 652 covering the over-part of the step 651 is provided on the upper wall part, and thereby foreign matters being apt to intrude through the opening 66 are hitched at the step 651 so that it is prevented from intruding into the device.例文帳に追加

さらに、開口部６６内側の下壁部に段差６５１を設けるとともに、上壁部にはこの段差６５１に上方から被さる突出部６５２を設けることで、開口部６６から侵入しようとする異物を前記段差６５１に引っかけて装置内部への侵入を防止する。 - 特許庁

The method of forming the asymmetrical memory cell includes a step of forming a lower electrode having a first area, a step of forming an electric pulse various-resisting (EPVR) layer placed on the lower electrode, and a step of forming an upper electrode placed on the EPVR layer and having a second area smaller than the first area.例文帳に追加

この方法は、第１の面積を有する下部電極を形成するステップと、下部電極上に載る電気パルス変動抵抗（ＥＰＶＲ）材料を形成するステップと、ＥＰＶＲ層上に載る、第１の面積よりも狭い第２の面積を有する上部電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The method is further provided with: a step (c) of forming a nitride film 7 covering the normal and dummy laminate structure patterns 13 and 16; a step (d) of forming an oxide film 8 on the nitride film 7; and a step (e) of etching the oxide film 8 and the nitride film 7 to expose the upper part of the cap layer 6.例文帳に追加

そして、（ｃ）正規およびダミー積層構造パターン１３，１６を覆う窒化膜７を形成する工程と、窒化膜７上に酸化膜８を形成する工程と、（ｅ）酸化膜８および窒化膜７をエッチングして、キャップ層６の上部を露出させる工程とを備える。 - 特許庁

Namely judging that the condition is occurring (Step S402/YES), unadded condition information exists in a response list to the user (Step S403/YES), and the number of condition information of the response list does not exceed the upper limit number (Step S404/NO), the device adds the unadded condition information to the response list to the user (Step S405).例文帳に追加

すなわち、状態が発生中となっており（ステップＳ４０２／ＹＥＳ）、ユーザへの応答リストに未追加の状態情報が存在し（ステップＳ４０３／ＹＥＳ）、応答リストの状態情報の数が上限数を超えていないと判断した場合（ステップＳ４０４／ＮＯ）には、ユーザへの応答リストに未追加の状態情報を追加する（ステップＳ４０５）。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic apparatus comprises the first step of forming the relief plate 20 having a convex 22, the second step of forming a liquid layer on the convex 22, the third step of exposing part of the upper surface of the convex 22 by removing part of the liquid layer, and the fourth step of transferring the liquid layer 30 to a substrate 40.例文帳に追加

本発明にかかる電子装置の製造方法は、凸部２２を有する版２０を形成する第１工程と、凸部２２の上に液体層を形成する第２工程と、液体層の一部を除去して凸部２２の上面の一部を露出させる第３工程と、液体層３０を基板４０に転写する第４工程と、を含む。 - 特許庁

About 10 mm stroke at the molding step and a longest stroke at a maintenance step can be performed by arranging a stroke adjusting device to decide the rising limit position of each upper block for each driving device at the heating, pressing and cooling stages and then the cycle time at the molding step can be shortened and workability at the maintenance step can be enhanced.例文帳に追加

加熱、加圧および冷却ステージの駆動装置に各上ブロックの上昇限位置を決定するストローク調整装置を配設することで、成形工程時は、約１０ｍｍのストロークで、メンナンス工程時は、最長のストロークとすることが可能となり、成形工程時のサイクルタイムの短縮と、メンテナンス工程時の作業性の向上が可能となる。 - 特許庁

The method includes a step of forming a conductive film pattern 27A used for a lower electrode, a step of forming a nanotube 28 like whiskers on the surface of the conductive film pattern 27A without using any catalysts, a step of forming a dielectric film 29 on the conductive pattern 27A including the nanotube 28, and a step of forming an upper electrode 30 on the dielectric film 29.例文帳に追加

下部電極に用いられる導電膜パターン２７Ａを形成するステップと、導電膜パターン２７Ａの表面上に触媒を使用せずにひげ状のナノチューブ２８を形成するステップと、ナノチューブ２８を含む導電膜パターン２７Ａ上に誘電膜２９を形成するステップと、誘電膜２９上に上部電極３０を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The method for fabricating a capacitor comprises a step for forming a platinum alloy film as a lower electrode 28 on a semiconductor substrate 21, a step for forming a conductive oxide film 29 by oxidizing the platinum alloy film, a step for forming a dielectric thin film 30 on the conductive oxide film, and a step for forming an upper electrode 31 on the dielectric thin film.例文帳に追加

半導体基板２１上に下部電極２８として白金合金膜を形成するステップと、前記白金合金膜を酸化処理して導電性酸化膜２９を形成するステップと、前記導電性酸化物膜上に誘電体薄膜３０を形成するステップと、前記誘電体薄膜に上部電極３１を形成するステップとを含む。 - 特許庁

A baseboard 5a is mounted to a boundary between an interior wall 8 and an underfloor surface thereof, a wall panel 4 is mounted on an upper wall surface thereof, and the upper end thereof is covered with an uneven step 3a formed in the lower end section of a partition rail 3.例文帳に追加

内壁８の床面下との境界にベース幅木５ａを取り付け、その上方の壁面上には、壁パネル４を取り付け、その上端を仕切り框３の下端部に形成された段差３ａで覆ってある。 - 特許庁

The cover apparatus 20 is laid on between 2 edges of the upper part opening 11 by applying and supporting the step parts 33b and 34b respectively on the edge of the upper part opening 11 of the water treatment vessel 10.例文帳に追加

これら段差部３３ｂ，３４ｂが、水処理槽１０の上部開口１１の縁にそれぞれ当てがわれ支持されることにより、蓋装置２０が上部開口１１の２つの縁間に架け渡されている。 - 特許庁

To provide a two step type console box capable of making it enough with a small space required for opening an intermediate lid and an upper lid and preventing them from becoming an obstacle in the surroundings even when the intermediate lid and the upper lid are opened.例文帳に追加

中蓋及び上蓋の開放に必要なスペースは小さくて足り，しかも中蓋及び上蓋の開放状態でも，それらが周囲の邪魔物とはならないようにした２段式コンソールボックスを提供する。 - 特許庁

Then, an SOG solution as a raw material of an SOG film 14 for restraining a step between an upper surface of the first aluminum wiring 12 and an upper surface of the semiconductor substrate 11 is applied over the whole of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

次に、第１アルミ配線１２の上面と半導体基板１１の上面との段差を抑制するためのＳＯＧ膜１４の原料であるＳＯＧ液を、半導体基板１１全体に亘って塗布する。 - 特許庁

The height of the step is adjusted by changing the height of an upper side end block 12 disposed above an upper side blank holder 4 and the height of a lower side end block 13 disposed below a lower side blank holder 5.例文帳に追加

上側ブランクホルダー４の上方に配置された上側エンドブロック１２の高さと下側ブランクホルダー５の下方に配置された下側エンドブロック１３の高さとをそれぞれ変化させることにより、ステップの高さを調節する。 - 特許庁

Moreover, a transparent stopper 3 is attached to the upper part of a taking out port 13 and an article in the upper step than the article G to be taken out is once maintained by this stopper 3 to secure seeing of the article G and to prevent flying out.例文帳に追加

また、取出口１３の上部に透明なストッパ３を取り付け、このストッパ３で取り出す商品Ｇより上段の商品を一旦保持して、商品Ｇの視認性を確保すると共に、飛び出しを防止する。 - 特許庁

The frame body has the first upper frame part 27 and the second upper frame part 28 on the height position one-step lower than that corresponding respectively to the height of the first or second container having the container cushioning material placed thereon on the pedestal.例文帳に追加

枠体には、台座上で容器緩衝材を上に載せた第１又は第２容器の高さと対応する、第１上フレーム部２７とそれより一段低い高さ位置の第２上フレーム部２８を有する。 - 特許庁

Each second accommodating part 11 includes peripheral side plates 11a vertically extending from the peripheral edges of a bottom plate 3a, and step plates 11b extending outward from the upper ends of the peripheral side plates 11a to the upper plate 2a.例文帳に追加

第２収容部１１は、底板３ａの周縁から垂直に立ち上がる周側板１１ａと、周側板１１ａの上端から外向きに張り出して上板２ａまで立ち上がる段差板１１ｂとを含む。 - 特許庁

The heat-insulating structural member 6 is preferably set ascendably/descendably with a winding-up system of wire 7, etc., onto a drum 5, in the upper surface and the upper part of the cast slab 101 positioned at the uppermost step.例文帳に追加

前記断熱構造部材６は、最上段に位置するスラブ鋳片１０１の上面およびその上方を、ワイヤー７などをドラム５に巻き取る方式により昇降可能に設置されていることが好ましい。 - 特許庁

The upper surface of the wiring pattern 2 in the border region 4b is formed to be recessed from the upper surface of the wiring pattern 2 in the wiring region 4a, and a step 2b is provided in the border region 4b.例文帳に追加

境界領域４ｂにおける配線パターン２の上面は配線領域４ａにおける配線パターン２の上面よりも窪むように形成され、境界領域４ｂには段差部２ｂが設けられる。 - 特許庁

To provide a rotary electric machine wherein a creepage gap can be ensured at an intersecting portion where an upper-layer coil 13B and a lower-layer coil 13A intersect each other without providing a step in an area where the upper-layer coil 13B and the lower-layer coil 13A come close to each other.例文帳に追加

上層コイル１３Ｂと下層コイル１３Ａとの近接部に段差を設けることなく、上層コイル１３Ｂと下層コイル１３Ａとが交差する交差部での沿面ギャップを確保できる回転電機の提供。 - 特許庁

When a basic target current Ibase exceeds the upper limit current value Imax and determination in a step S17 is Yes, the target current generation part 53 sets the upper limit current value Imax as a target current Itgt in a step S20, and outputs a drive current according to the target current Itgt to an MLV coil 40 of each damper 4 in a step S19.例文帳に追加

目標電流生成部５３は、基本目標電流Ｉｂａｓｅが上限電流値Ｉｍａｘを超え、ステップＳ１７の判定がＹｅｓとなった場合、ステップＳ２０で上限電流値Ｉｍａｘを目標電流Ｉｔｇｔとし、ステップＳ１９で目標電流Ｉｔｇｔに応じた駆動電流を各ダンパ４のＭＬＶコイル４０に出力する。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitor of the semiconductor element comprises a step of vapor depositing a Ta metal film 28 on a semiconductor substrate 20, a step of crystallizing the Ta metal film 28, a step of forming a lower electrode 30 by patterning a prescribed part of the film 28, a step of forming the TaON film on the electrode 30, a step of forming an upper electrode 34 on the TaON film 32.例文帳に追加

半導体基板20上にＴａ金属膜を蒸着するステップと、Ｔａ金属膜28を結晶化するステップと、Ｔａ金属膜28の所定部分をパターニングして、下部電極30を形成するステップと、下部電極30上にＴａＯＮ膜を形成するステップと、ＴａＯＮ膜32上に上部電極34を形成するステップとを含む半導体素子のキャパシタの製造方法及びこれにより製造される半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁

A manufacturing method of a nonvolatile semiconductor memory device of an embodiment includes: a step of forming a lower electrode on a semiconductor substrate 9; a step of forming a variable resistance layer 11 containing a carbon nanotube on the lower electrode; an irradiation step of irradiating the variable resistance layer with an electron beam or a photon beam; and a step of forming an upper electrode on the variable resistance layer after the irradiation step.例文帳に追加

実施形態の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板９上に、下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上にカーボンナノチューブを含む可変抵抗層１１を形成する工程と、前記可変抵抗層に電子線或いは光子線を照射する照射工程と、前記照射工程の後に、前記可変抵抗層の上に上部電極を形成する工程とを含む。 - 特許庁

A step 4b having a low tip side is formed on the upper face of a pattern termination part 4 while its lower level face 4c is made as a face to which a solder ball 7 is arranged.例文帳に追加

パターン終端部４の上面に、先端側が低くなった段差４ｂを形成し、その低位面４ｃを、半田ボール７を配置する面とする。 - 特許庁

This device is fitted firmly to two upper and lower step bars of the stepladder or the ladder to be connected therewith and it is provided with a horizontal wide footboard.例文帳に追加

本装置は脚立およびはしごの連結する上下２段の踏みざんにシッカリと嵌合状態で組みつけられ水平な幅広の足踏み板を設けている。 - 特許庁

Further, a signal sending part 6b which sends a signal so that the sheet-like receiving part 6a can receive the signal is disposed on the upper side of a return-path step 2b.例文帳に追加

また、シート状受信部６ａが受信できるように信号を発信する発信部６ｂが、復路ステップ２ｂの上側に配置されている。 - 特許庁

The step difference portion 11 is formed so as to have side surfaces 11F, 11R each being preferably inclined at an angle not less than 54.7° for the upper surface 10A.例文帳に追加

段差部１１は、上面１０Ａに対して好ましくは５４．７°以上の角度で傾斜した側面１１Ｆ，１１Ｒを有するように形成する。 - 特許庁

If necessary, the user manually sets a change step, an upper limit of the change, and a lower limit of the change for the change of light quantity balance in continuous shooting.例文帳に追加

必要に応じて，連続撮影において光量バランスを変化させていく際の変化ステップ，変化の上限および変化の下限を手動で設定する。 - 特許庁

The intraocular pressure values, the upper-limit value PH, and the lower-limit value PL are compared in the steps S3, S4, a warning is indicated when at least one intraocular pressure value exceeds either limit value in a step 7.例文帳に追加

一方、ステップＳ３、Ｓ４で眼圧値と上限値ＰＨ、下限値ＰＬとを比較し、１つでも外れた眼圧値があると、ステップＳ７で警告表示をする。 - 特許庁

The protrusion 35 presses the upper face or peripheral face of the lower arm 6, 60 stored on both receiving faces 20, 30 appropriately while that the block units 1 are stacked in two or more step.例文帳に追加

突起35はまた、ブロックユニット1が複数段積層された状態で、両受け面20、30に正しく収納されたロアアーム6、60の上面又は周面を抑える。 - 特許庁

A recess of a knitting yarn receiving part 17h of the movable sinker 17 has a depth exceeding a needle bottom face and lower than an upper limit restricted in the stitch forming step.例文帳に追加

可動シンカー１７の編糸受け部１７ｈは、窪みの奥が、編目形成時に規制される上限で、針底面を越えるように、深くなっている。 - 特許庁

If the baseboard 20 is not necessary, the upper lock means 24 are disengaged from the baseboard body 21, and the baseboard body 21 is fallen down to the step board 13 side.例文帳に追加

仮設足場用巾板２０の不要時には、上側ロック手段２４を巾板本体２１から外して巾板本体２１を踏み板１３側へ倒伏させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for restricting a facet and forming the upper edge of a trench in a gently sloping form in a step of forming the trench.例文帳に追加

トレンチの形成に際して、ファセットを抑制し、且つ、トレンチの上端部をなだらかな形状に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 formed with a step 2 is etched back using the region of a nitride film 3 covering the substrate 1 as a mask and the upper side part of the substrate 1 is made to expose.例文帳に追加

段部２が形成された半導体基板１を覆う窒化膜３の領域をマスクしてエッチバックし、半導体基板１の上側部分を露出させる。 - 特許庁

When request power is lower than the reference value and step-up operation of the converters 10, 12 is unnecessary in view of the target voltage, upper arm ON mode is selected.例文帳に追加

要求パワーが基準値より低く、かつ、目標電圧に照らしてコンバータ１０，１２による昇圧動作が不要のときに上アームＯＮモードが選択される。 - 特許庁

In this occasion, the steps are covered by the layers formed by the transverse epitaxial growth from the buffer layers 21 formed mainly on the upper step faces of the steps, and the surface is flattened.例文帳に追加

この時、主に段差の上段面に形成されたバッファ層２１からの横方向エピタキシャル成長により段差が覆われ、表面が平坦となる。 - 特許庁

By setting the angle α2 of the groove surface 4b of a thickness area in the upper part of the angle α1 to be smaller than α1, a double-step groove is obtained as a whole.例文帳に追加

その上方の厚さ領域の開先面４ｂの角度α_２を、α_１よりも小さく設定し、全体として２段開先形状とする。 - 特許庁

The side surface of the susceptor 2B is formed in a stepped shape where its cross section is reduced as it goes from an upper side to a lower side, and has a step 26.例文帳に追加

サセプタ２Ｂの側面部は、上方側から下方側に向うにしたがって断面積が縮小する段付き状に形成され、段差部２６を有する。 - 特許庁

All of the outer circumferences are in contact with the inner wall 1f, and both the upper faces of the yoke 5 and the top plate 7 coincide with a face of a step 1c of the frame 1.例文帳に追加

これらの外周は何れも内壁１ｆに接しており、ヨーク５及びトッププレート７の上面は共にフレーム１の段部１ｃ面と一致している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing an increase in thickness of an insulating film on a fuse, and effectively decreasing a step due to a wiring in an upper most layer.例文帳に追加

ヒューズ上の絶縁膜の厚みの増加を抑制しつつ、最上層の配線による段差を効果的に低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a step device for construction machine and a forestry machine equipped with a leveling system for regulating a horizontal state of an operation cabin and an upper frame.例文帳に追加

運転室及び上部フレームの水平状態を調整するレベリングシステムを備えた建設機械用及び林業機械用ステップ装置を提供する。 - 特許庁

At this time, the pedestal 104 comes close to a support stand 134 on the upper step of a stage 132 and the delivery of the container 110 by a pushing out work can be carried out smoothly.例文帳に追加

このとき、台座１０４は、ステージ１３２の上段の支持台１３４に接近し、押し出しによるコンテナ１１０の受け渡しが円滑に行われる。 - 特許庁

In the case where a traverse motion device 42 is employed in front of a multi-step draft mechanism, a deflecting screen 40 is arranged on the upper side of the sucking zone 33.例文帳に追加

多段・ドラフト機構１３の手前で綾振り装置４２を使用した場合、吸込み帯域３３の上側に偏向スクリーン４０が設けられている。 - 特許庁

The disaster prevention tile 1 lowered through an uneven step section 23 formed in the boundary section is roofed on an overlapping site 22 on the tail side in the upper surface of a batten crest section 2.例文帳に追加

桟山部２の上面における尻側の重合部位22を、境界部に形成した段差部23を介して低くした防災瓦１を葺設する。 - 特許庁