nd Pとは 意味・読み方・使い方

Further, a relation of nd+n' d'=pλ/4 (p: an integer, λ: oscillation wavelength of laser light) is satisfied between the first dielectric film 8 and the third dielectric film 10, and the second dielectric film 9 and the fourth dielectric film 11.例文帳に追加

また、第１の誘電体膜８および第３の誘電体膜１０と、第２の誘電体膜９および第４の誘電体膜１１との間には、ｎｄ＋ｎ′ｄ′＝ｐλ／４（ｐ：整数、λ：レーザ光の発振波長）の関係が成立する。 - 特許庁

This superjunction semiconductor element is provided with an n high-resistance region 20, around a drift layer 12 consisting of parallel pn layers composed of n drift regions 12a and p partition regions 12b, and concentration ND of the impurities in the high-resistance region 20 is set at 5.62×1017×VDSS-1.36 (cm-3) or lower.例文帳に追加

ｎドリフト領域１２ａとｐ仕切り領域１２ｂとの並列ｐｎ層からなるドリフト層１２の周囲に、ｎ^-高抵抗領域２０を設け、そのｎ^-高抵抗領域２０の不純物濃度Ｎ_Dを５．６２×１０^17×Ｖ_DSS^-1.36（ｃｍ^-3）以下とする。 - 特許庁

Since the ND filter 23 absorbs laser beam and decreases the amount of transmitted light, to attain a safety class of 1, an operator can manually move a test piece 1, while observing an irradiated point P of the laser beam on the test piece 1, for accurate alignment on a predetermined position.例文帳に追加

ＮＤフィルタ２３はレーザービームを吸収し透過光量を減少させて安全クラスを１にするので、作業者は試料１上に照射されているレーザービームの照射ポイントＰを観察しながら試料１を手作業で移動させて所定の位置へ正確に位置決めすることができる。 - 特許庁

The optical glass includes at least one selected from the group comprising P, Al, alkaline earth metals, Zn, Y, La, Gd, Yb and Lu as a cationic component, and F and O as anionic components, and has a partial dispersion ratio (θg, F) of ≥0.535 and a refractive index (nd) of ≥1.44.例文帳に追加

カチオン成分として、Ｐ、Ａｌ、アルカリ土類金属、Ｚｎ、ならびにＹ、Ｌａ、Ｇｄ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１つを含有し、アニオン成分として、ＦおよびＯを含有し、部分分散比（θｇ，Ｆ）が０．５３５以上であり、屈折率（ｎｄ）が１．４４以上である光学ガラス。 - 特許庁

The optical glass includes at least two or more among P and alkaline-earth metal elements and one or more among rare earth elements as cation components, includes O and F as anion components and has a refractive index (nd) of 1.50 or more and 1.65 or less and an Abbe's number (νd) of 60 or more and 77 or less.例文帳に追加

光学ガラスは、Ｐと、アルカリ土類金属元素のうち少なくとも２種以上と、希土類元素のうち１種以上と、をカチオン成分として含有し、Ｏと、Ｆと、をアニオン成分として含有し、１．５０以上１．６５以下の屈折率（ｎｄ）を有し、６０以上７７以下のアッベ数（νｄ）を有する。 - 特許庁

By a bombardment object azimuth calculation means (processor 4), an estimated azimuth nd of the bombardment object 1 on the basis of a position of the impulse wave detection means (acoustic sensor 3) is calculated based on the sound pressure detection signal u output from the impulse wave detection means (acoustic sensor 3), and azimuth information p is generated.例文帳に追加

砲撃体方位算出手段（処理装置４）により、衝撃波検出手段（音響センサ３）から出力された音圧検出信号ｕに基づいて、同衝撃波検出手段（音響センサ３）の位置を基準とする砲撃体１の推定方位ｎｄが算出されて方位情報ｐが生成される。 - 特許庁

The dust collection deodorizing equipment 1 is composed of a housing 8 having an air passage 7 to connect an intake port 5 with an exhaust port 6 formed, a suction fan 9 that generates an air flow W within the air passage 7, an electric dust collecting part 2 that removes fine particles P and deodorizing part 11 that performs deodorization of odor component S of the dust removed air ND.例文帳に追加

集塵脱臭装置１は、吸気口５及び排気口６を連通する空気通路７が形成されたハウジング８と、空気通路７内に気流Ｗを発生させる吸引ファン９と、微粒子Ｐを除去する電気集塵部２と、除塵空気ＮＤの臭気成分Ｓの脱臭を行なう脱臭部１１とから主に構成されている。 - 特許庁

In the method for preparing a transistor having a semiconductor containing source and drain regions and a channel formation regions, a gate insulated film in contact with the semiconductor, and a gate electrode in contact with the gate insulated film; the source and drain regions are formed by adding N or P type impurities in the semiconductor and then radiating an Nd: YAG laser beam onto the semiconductor having the impurities added therein.例文帳に追加

ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む半導体、該半導体に接したゲート絶縁膜並びに該ゲート絶縁膜に接したゲート電極を有するトランジスタの作製方法において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、半導体にＮ型もしくはＰ型の不純物を添加した後、前記不純物が添加された半導体にＮｄ：ＹＡＧレーザー光を照射して形成されることを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 特許庁