「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

A monopole antenna 2 and a cell 11 for an apparatus power source are arranged in a straight line with a center at an antenna feeder (connector) 3 to couple an antenna with the cell in a high frequency domain, thus forming an antenna equivalent to a dipole antenna on the whole.例文帳に追加

モノポールアンテナ２と装置電源用としての電池１１とを、アンテナ給電部（コネクタ）３を中心として一直線状になるように配置してアンテナと電池とを高周波的に結合し、全体としてダイポールアンテナ相当のアンテナを形成できるようにする。 - 特許庁

Also, when data verification is performed in data rewriting processing, reference voltage generated by a reference voltage generating section 15 is compared with voltage of bit lines BL1-BLn and a read-out reference line RL, data of the memory cell and the dummy cell are read out.例文帳に追加

また、データ書き換え処理においてデータ照合を行なう場合には、参照電圧生成部１５が生成する参照電圧と、ビット線ＢＬ１〜ビット線ＢＬｎおよび読み出し参照線ＲＬの電圧が比較されて、メモリセルおよびダミーセルのデータが読み出される。 - 特許庁

An ATM header conversion part 141 allocates information that the ATM cell received from the physical line 401 includes and ATM header information extracted from the header part of the ATM cell to a fixed length packet by an octet unit for each information element and outputs them.例文帳に追加

ＡＴＭヘッダ変換部１４１は、物理回線４０１から受信したＡＴＭセルが有する情報と、ＡＴＭセルのヘッダ部から抽出したＡＴＭヘッダ情報とを情報要素ごとにオクテット単位で固定長パケットに割り付けて出力する。 - 特許庁

A maximum current flows from a lithium cell 16 during a transmission mode for transmitting data and a large current flows from the lithium cell 16 to a transmitter 14, when a controller 13 outputs data via a data line 17 to the transmitter 14.例文帳に追加

リチウム電池１６から最も大きな電流が流れるのは、データを送信する送信モードの時であり、制御部１３がデータライン１７を介してトランスミッタ１４にデータを出力している間、リチウム電池１６からトランスミッタ１４に大きな電流が流れる。 - 特許庁

In this purge method for the fuel cell system, a purge operation by steam is carried out and thereafter, the purge operation by air is carried out when the purge operation is carried out by a fuel reformer 12, a fuel cell body 11 and a fuel feeding line 13.例文帳に追加

また、本発明に係る燃料電池システムのパージ方法は、燃料改質器１２、燃料電池本体１１、燃料供給系統１３にパージ運転を行わせる際、最初に蒸気によるパージ運転を行わせた後、空気によるパージ運転を行わせる。 - 特許庁

It is discovered that although suppressing expression of the RecQ1 gene, a RecQ helicase family gene, shows suppressive effects on cell proliferation in cancer cells, such effects are not observed in human TIG3 cells (a normal diploid fibroblast cell line), which are normal cells.例文帳に追加

RecQヘリカーゼファミリー遺伝子であるRecQ1の遺伝子の発現を抑制することにより、癌細胞において細胞増殖の抑制効果が観察されるものの、これらの効果は正常細胞であるヒトTIG3細胞（正常二倍体線維芽細胞株）では認められないことを見出した。 - 特許庁

A semiconductor memory comprises a redundancy memory cell and a fuse circuit having three output states being different each other according to an input signal, and is provided with a redundancy circuit having a redundancy word line decoder substituting for a redundancy cell corresponding to a defective type generated in a normal cell by controlling cutting of a fuse according to an input signal.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、冗長メモリセルと、入力信号に従いそれぞれ異なった三つの出力状態をもつヒューズ回路を含み、入力信号に従いヒューズのカッティングを制御してノーマルセルに発生した不良類型に相応する冗長セルに代替する冗長ワードラインデコーダとを有する冗長回路を備える。 - 特許庁

To provide an electrolytic water generator which has first and second diaphragm electrolytic cells, diaphragm-electrolyzes alkaline electrolytic water, generated in the first electrolytic cell, in the second electrolytic cell as water to be electrolyzed, and makes strongly alkaline electrolytic water generated in a first electrolytic chamber of the second electrolytic cell flow out into a lead-out line used only for the alkaline electrolytic water.例文帳に追加

第１，第２の有隔膜電解槽を有し、第１の電解槽にて生成されるアルカリ性電解水を被電解水として第２の電解槽にて有隔膜電解して、第２の電解槽の第１の電解室にて生成される強アルカリ性電解水をアルカリ性電解水専用の導出管路に流出させる電解水生成装置を提供する。 - 特許庁

This cogeneration system comprises a fuel cell 6 generating electric power and heat, an inverter 10 performing system interconnection of electric power generated from the fuel cell 6 to a commercial electric power supply line, a hot water storage device for recovering exhaust heat from the fuel cell 6 and storing the same as hot water, and a control means 70 for controlling the operation of the cogeneration device.例文帳に追加

電力及び熱を発生する燃料電池６と、燃料電池６から発生する電力を商業電力供給ラインに系統連系するためのインバータ１０と、燃料電池６からの排熱を回収して温水として貯えるための貯湯装置と、熱電併給装置を運転制御するための制御手段７０と、を備えたコージェネレーション。 - 特許庁

For the unit cell element 10 with electrodes 10A, 10B formed by coating a pole activator on one surface of a flat plate-shaped current collector, and constructing a flat plate-shaped laminated cell by laminating themselves, pole electrodes 13A, 13B, which are extended parts of the current collectors, are formed symmetrically with the center line CL of the unit cell element at horizontal projection.例文帳に追加

平板状の集電体の片面に極活物質が塗布された電極１０Ａ，１０Ｂをそなえるとともに複数積層されて平板状積層電池を構成する単位電池要素１０において、該集電体が延設されてなる極端子１３Ａ，１３Ｂを、平面視で単位電池要素１０の中心線Ｃ_Lに対してそれぞれ対称に形成する。 - 特許庁

After the first memory cell is selected and sense amplifier is activated for forming the intermediate potential in the bit line, different multiple word lines are selected while pairs of bit lines are separated from the sense amplifier and the bit line potential is set to be the intermediate potential by the reversed data.例文帳に追加

ビット線に中間電位を生成するために第１のメモリセルを選択してセンスアンプを活性化した後，ビット線対をセンスアンプから切り離した状態で，異なるワード線を多重選択しその反転データによりビット線電位を中間電位にする。 - 特許庁

The moisture measuring coulometric titrator includes a reagent circulating line for circulating a reagent into a titration cell (1), a metering pipe (6) for sampling a definite amount of a sample, a sample supply line for passing the sample through the metering pipe (6), and a flow channel switching valve (5).例文帳に追加

水分測定用電量滴定装置は、滴定セル（１）内の試薬を循環させる試薬循環ライン、一定量の試料を採取する計量管（６）、計量管（６）に試料を通液する試料供給ライン及び流路切替弁（５）を備えている。 - 特許庁

When the congestion occurs on the out line of the ATMSW (5), the ATMSW transmits congestion occurrence information to the system managing device, and the system managing device controls the cell speed controller to selectively decelerate the speed of a signal routed to the out line where the congestion occurs.例文帳に追加

そして、ATMSW （５）の出回線に輻輳が発生した場合ATMSW はシステム管理装置に輻輳発生情報を送信し、システム管理装置はセル速度調整装置を輻輳が発生した出回線にルーティングされた信号の速度が選択的に低下されるように制御する。 - 特許庁

This seal structure body for the fuel cell has the MEA2 disposed between a pair of separators 5, a rubber sheet 6 disposed on a line of a plane extension on an outer peripheral side of the MEA2, and a lip line 7 in a gasket shape close contact a separator 5 integrally molded on both sides of the rubber sheet 6.例文帳に追加

一対のセパレータ５間に配置されるＭＥＡ２と、ＭＥＡ２の外周側であってその平面延長線上に配置されるゴムシート６と、ゴムシート６の両面に一体成形されセパレータ５に密接するガスケット形状のリップライン７とを有する。 - 特許庁

Card patterns of a card game or the like are used in each cell of a matrix card, only when all cells on one line is made effective by a lottery and a hand of a poker game etc. is completed on the line, a prescribed profit is given to a player.例文帳に追加

マトリクス・カードの各セルにトランプゲームのカードの図柄等を用い、抽選によって１つのライン上のセルがすべて有効化され、且つ、当該ライン上でポーカー・ゲーム等の役が完成している場合にのみ、遊技者に対して所定の利益提供を行う。 - 特許庁

In the diffraction grating pattern having a plurality of minute cells each consisting of a diffraction grating composed of grating fringes of curved lines on the surface of a substrate, the profile line which defines the outer form of the cell does not include a horizontal profile line.例文帳に追加

曲線の格子縞により構成される回折格子からなる微小なセルが基板表面に複数配置されて構成される回折格子パターンにおいて、前記セルの外形を規定する輪郭線として、水平な輪郭線を含まないことを特徴とする。 - 特許庁

A memory cell M00 including a pair of inverters connected in cross-couple is provided with a first switch part provided between a bit line BL and an output of one side of inverters and a second switch part provided between a bit line XBL and the other side of the inverters.例文帳に追加

クロスカップル接続される一対のインバータを含むメモリセルＭ００は、ビットラインＢＬと、一方のインバータの出力との間に設けられる第１スイッチ部と、ビットラインＸＢＬと、他方の前記インバータの出力との間に設けられる第２スイッチ部とを備えている。 - 特許庁

A pre-charge circuit 46 fixes the central bit line to pre-charge voltage, which is selected out of a bit line BL3 connected to the memory cell MC12, four bit lines, and five bit lines being adjacent to it, on the other hand, put other bit lines in a floating state by pre-charge voltage.例文帳に追加

プリチャージ回路４６は、メモリセルＭＣ12に接続されたビット線ＢＬ3とそれに隣接する４本のビット線との５本のビット線のうち、中央のビット線をプリチャージ電圧に固定する一方、残りのビット線をプリチャージ電圧でフローティング状態にする。 - 特許庁

The device further includes a combined read/write circuit associated with each respective bit line in the array portion configured to read from or write to a resistive memory cell associated with the respective bit line.例文帳に追加

上記装置は、上記アレイ部における各ビット線のそれぞれにつながって、上記各ビット線のそれぞれにつながっている抵抗メモリセルから読み出し、または抵抗メモリセルに書き込みを行うように形成されている読み出し／書き込み複合回路をさらに含む。 - 特許庁

The first power supply cell 20 is connected to a first power line 62 perpendicular to the row direction and supplies a supply voltage corresponding to a voltage supplied from the first power line 62, to the plurality of first cells 10 and the plurality of second cells 10.例文帳に追加

第１電源供給セル２０は、行方向に直交する第１電源配線６２に接続され、第１電源配線６２から供給される電圧に応じた電源電圧を、複数の第１セル１０及び複数の第２セル１０に供給する。 - 特許庁

In a DRAM cell array pattern including asymmetrical contacts provided at ends of word lines extended in one direction, the gradient of the word line occurring near the contact is corrected by providing an overhanging part between the contact and the word line via the asymmetrical contacts.例文帳に追加

一方向に延びるワード線の端部に、非対称なコンタクトを設けたＤＲＡＭセルアレイパターンにおいて、当該非対称なコンタクトによって、コンタクト近傍に生じるワード線の傾きをコンタクトとワード線との間に、張り出し部を設けることによって是正する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which is provided with; a first mode in which bit-line pairs are precharged for each cycle in which access is made to a data register; and a second mode in which bit-line pairs are precharged when access is made to a specific memory cell of the data register.例文帳に追加

データレジスタに対するアクセスのサイクルごとにビット線対をプリチャージする第１のモードと、データレジスタの特定のメモリセルに対するアクセスが行なわれたときにビット線対をプリチャージする第２のモードとを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In an MRAMb (magnetic random access memory), when a write data signal DI is at an "H" level, a power supply voltage Vdd is applied to one end of a source line SL corresponding to a selected memory cell MC and also a grounding voltage GND is applied to both ends of a corresponding bit line BL.例文帳に追加

このＭＲＡＭでは、書込データ信号ＤＩが「Ｈ」レベルの場合は、選択されたメモリセルＭＣに対応するソース線ＳＬの一方端に電源電圧Ｖｄｄを印加するとともに、対応のビット線ＢＬの両端に接地電圧ＧＮＤを印加する。 - 特許庁

To effectively prevent malfunction or dielectric breakdown of a selection gate transistor even when microfabrication progresses and a rate of capacity between a selection gate line and a control gate of an adjacent memory cell is increased in capacity of the selection gate line.例文帳に追加

微細化が進展し、選択ゲート線の容量において、選択ゲート線と隣接メモリセルの制御ゲートとの間の容量の占める割合が大きくなった場合であっても、選択ゲートトランジスタの誤動作又は絶縁破壊を効果的に防止することができる。 - 特許庁

As different information are stored in a dummy memory cells DMC2n-1 and DMC2n, when information is read out from each dummy memory cell and for example, a potential Va is generated in a bit line BL2n-1, a potential Vb is generated in an adjacent bit line BL2n.例文帳に追加

ダミーメモリセルＤＭＣ２ｎ−１とダミーメモリセルＤＭＣ２ｎには相違する情報が格納されているため，各ダミーメモリセルから情報を読み出したとき，ビット線ＢＬ２ｎ−１に例えば電位Ｖａが生じるならば，隣のビット線ＢＬ２ｎには電位Ｖｂが生じる。 - 特許庁

In a regular memory cell array, a data line is independently provided to the redundant row circuit and the redundant column circuit respectively, and redundant column relieving is performed by changing selectively connection of each data input/output line and a global data bus.例文帳に追加

正規メモリセルアレイ、ロウ冗長回路７０およびコラム冗長回路８０のそれぞれに対して独立にデータ線が設けられ、各データ入出力線とグローバルデータバスとの接続を選択的に変更することによって冗長列救済が実行される。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device which suppresses increase in a current consumption caused by a transient current due to a potential change of a bit line and a word line when a high-integrated memory cell array is shifted among each operational mode of reading, writing, and erasure.例文帳に追加

高集積化されたメモリセルアレイにおいて、読み出し、書き込み、消去の各動作モード間の移動の際に、ビット線とワード線の電位変化に伴う過渡電流によって生じる消費電流増加を抑制する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a fuel cell power generation system, a low-temperature coolant water outward line 27 and a low-temperature coolant water homeward line 34, which circulate water for heat exhaustion, are connected between a condenser 22 for water recycling and a low-temperature side cooler 40 of a heat exhaustion processing device 33.例文帳に追加

燃料電池発電システムにおいて、水回収用凝縮器２２と排熱処理装置３３の低温側冷却器４０との間に排熱用の循環水を循環させる低温冷却水往ライン２７及び低温冷却水復ライン３４を接続する。 - 特許庁

Sub- column decoders 14 select the respective column selecting lines CL0-CL7 simultaneously when cell information is simultaneously rewritten to all memory cells 10 connected to the selected word selecting line WL.例文帳に追加

サブコラムデコーダ１４は、選択されたワード選択線WLに接続された全ての記憶セル１０に対してセル情報を一括して書き替えるとき、各コラム選択線CL0 〜CL7 を同時選択する。 - 特許庁

To provide a novel manufacturing process of a thin film solar cell in which the number of laser material processing machines to be arranged in a manufacturing line can be decreased, and enhancement of power generation efficiency can be expected.例文帳に追加

製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことができ、発電効率の向上をも見込めるような、新たな薄膜太陽電池の製造プロセスを提供する。 - 特許庁

To sufficiently boost the potential of a word line of a non-selection block without scaling a memory cell in a NAND flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルのスケーリングによらず、非選択ブロックのワード線の電位を十分に昇圧できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

Successively, residual word lines out of plural word lines WLy(n) are activated, the decided prescribed data are written en bloc in a memory cell selected by the activated word line.例文帳に追加

続いて、複数のワード線ＷＬｙ（ｎ）のうちの残りのワード線を活性化し、活性化されたワード線によって選択されたメモリセルに、確定された所定データを一括に書き込む。 - 特許庁

To provide a multi-level storing type nonvolatile semiconductor memory device in which variation of a threshold value of a memory cell caused by disturbance of a word line is minimized and a peak current and average power consumption in writing can be reduced.例文帳に追加

フラッシュメモリでは、消去レベルに近いしきい値のメモリセルから、しきい値が遠いメモリセルへ順次書込みを行なうようにすると、ワード線ディスターブによるしきい値の変動が大きい。 - 特許庁

When the cooling water is recovered, air is supplied to the fuel cell 1 by the operation of an air compressor 11, and the ventilation operation of the air supply line is conducted, at the same time.例文帳に追加

冷却水を回収する際には、空気圧縮機１１の作動によって燃料電池１に空気を供給し、空気供給ラインの換気運転を同時に行うことができる。 - 特許庁

In this method, by using only one current line for generating a writing region, at least four different state levels can be stored in an MRAM cell.例文帳に追加

書き込み領域を発生させるためのただ１つの電流線を使用することで、当該方法は、異なる少なくとも４つの状態レベルをＭＲＡＭセル内に記憶することを可能にする。 - 特許庁

On the other hand, write data line pairs WDL and /WDL are arranged by each of the eight memory cell arrays and the column selection in data writing is performed by eight sub-write activation lines SWRL.例文帳に追加

一方、ライトデータ線対ＷＤＬ，／ＷＤＬは、８個のメモリセル列ごとに配置され、データ書込におけるコラム選択は、８本のサブライト活性化線ＳＷＲＬによって行なわれる。 - 特許庁

A bit deleting part 15 compresses the pixel data of each area so that the data can be expressed with only the necessary number of bits, and a cell integrating part 16 assembles the cells for each area on each horizontal scanning line.例文帳に追加

ビット削減部１５は、各領域の画素のデータを必要なビット数のみで表すように圧縮し、セル化部１６は、各水平走査線上の領域毎にセルを組み立てる。 - 特許庁

When write to the memory cell M00is to be carried out, the write by a source side injection method is carried out while applying a negative voltage to the p type well region via the well line WL0.例文帳に追加

メモリセルＭ００に書き込みを行うときは、ウエル線ＷＬ０を通じてｐ型ウエル領域に負電圧を印加しながら、ソースサイド注入方式による書込みを行う。 - 特許庁

To provide a method boosting a voltage level of a word line in a DRAM in a mode in which an electric field applied to a gate oxide film of a memory cell access MOSFET is reduced.例文帳に追加

メモリセルアクセスＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜へ印加される電界を減少させるような態様でＤＲＡＭにおけるワード線の電圧レベルを昇圧する方法を提供する。 - 特許庁

A data line 131 is connected commonly to all pixel cells 54 and 141 of a pixel cell group, consisting of pixel cells 54 and 141 that adjoin each other in two horizontal directions.例文帳に追加

データ線１３１は、２つの水平方向に隣接する画素セル５４および１４１からなる画素セル群１３３の全ての画素セル５４および１４１に共通して接続される。 - 特許庁

Each of the circuit blocks 30 comprises a memory cell part 11, a sense amplifier 22, and a pull-down transistor 23 which uses output of the sense amplifier 22 as a gate input and has a drain connected to the global bit line 50.例文帳に追加

各回路ブロック３０は、メモリセル部１１、センスアンプ２２、及びセンスアンプ２２の出力をゲート入力とし、ドレインがグローバルビット線５０に接続されたプルダウントランジスタ２３を含む。 - 特許庁

The secondary cell 134 and the aqueous solution tank 130 are arranged so that the respective centers of gravity are deviated on the side opposite to the swing arm 48 side from the center line B in the body width direction.例文帳に追加

二次電池１３４および水溶液タンク１３０は、それぞれの重心が車体幅方向中心線Ｂよりもスイングアーム４８側とは反対側にずれるように配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing the increse of area, and securing a period of time required for writing data in a memory cell even when bit line length is short.例文帳に追加

面積が増加することを抑制しつつ、ビット線長が短い場合であっても、メモリセルにデータを書き込むために必要な時間を確保することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a standard cell capable of easily finding a signal line in which much current is flown in a circuit to be designed and easily measuring the current in the portion.例文帳に追加

設計する回路の中で電流の多く流れる信号線を容易に見つけ出すことができ、容易にその部分の電流を測定できるスタンダードセルを提供することを課題とする。 - 特許庁

There is provide a product comprising a cell line or lines intended for use as an allogeneic immunotherapy agent for the treatment of cancer in mammals and humans.例文帳に追加

本発明は、哺乳類及びヒトのガンの処置のための、同種間の免疫療法剤としての使用が意図される１又は複数の細胞系を含んで成る生成物に関する。 - 特許庁