「Electron temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加

配線の構造を作成し、背景場（温度、電流密度）を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数（格子、粒界、界面、表面）を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁

The temperature adjusting means is composed of a heater 16 locally heating the vacuum vessel and a coolant circulation pipe 15 for cooling the vacuum vessel 1, and heating and cooling of the vacuum vessel 1 is made by the heater 16 and the coolant circulation pipe 15 when replacing the electron source base plate 3.例文帳に追加

温度調節手段は真空容器１を局所加熱するヒータ１６と、真空容器１を冷却する冷媒循環パイプ１５から構成され、電子源基板３の交換時にヒータ１６と冷媒循環パイプ１５によって真空容器１の加熱冷却を行う。 - 特許庁

In the single-layer type electrophotographic photoreceptor, a hole transport agent is a cyclohepto derivative which is represented by general formula (1), and the electron transport agent has a solubility with respect to tetrahydrofuran (measurement temperature: 25°C) in a range of 27 to 50 wt.%.例文帳に追加

単層型電子写真感光体であって、正孔輸送剤が、下記一般式（１）で表されるシクロヘプト誘導体であり、かつ、電子輸送剤が、テトラヒドロフランに対する溶解度（測定温度：２５℃）として、２７〜５０重量％の範囲内の値を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active matrix substrate, incorporating a high-performance driver and an electro-optical device such as a display thin-film semiconductor device using it by evenly film-forming a single-crystal silicon thin-film of high electron/positive hole mobility at a relatively low temperature.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン薄膜を比較的低温でかつ均一に成膜し、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。 - 特許庁

After putting the electron emission body 1 in a hole formed at the bottom of a bottomed cylinder-shaped mold 3, tungsten powder 5 is filled in the mold 3, and compressed by a punch 4 and is burned in proper temperature to form a rod-shaped negative electrode base body.例文帳に追加

電子放射体１を有底筒状の金型３の底部に設けた穴に取り付けた後に、タングステンの粉末５を金型３に充填し、パンチ４にて圧縮し、適宜の温度にて焼結して柱状の陰極素体を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an inkjet recording material, by which no trouble such as crack in high temperature and high-speed drying at the manufacturing of a porous inkjet recording material with a method other than an electron beam curing method having the fear of an undesirable side reaction.例文帳に追加

望ましくない副反応の危険の有る電子線硬化方式以外の手段で、多孔質インクジェット記録材料の製造時に高温高速乾燥によるひび割れ等の故障を生じないインクジェット記録材料の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Heating valve 1 from inside and outside and evacuating the inside of the valve 1 allow the temperature rising speed of the valve to be high, so that the time for the frit baking process can be decreased, and the forced elimination of the organic materials can be performed, to keep the electron beam irradiation ability from reducing.例文帳に追加

バルブ１に内部と外部から加熱し、バルブ１内を真空排気することにより、昇温速度を大きくできるので、従来よりフリットベーキング行程に要する時間を短縮でき、有機物質を焼成し強制除去できるので電子線照射能力の低下を防止できる。 - 特許庁

In manufacturing a gas-barrier film containing an organic layer and an inorganic layer at least on one surface of a plastic film, the whole is heated at a temperature of higher than a glass transition point of a polymer constituting the organic layer, or irradiated with an electron beam after the organic layer is molded but before the inorganic layer is molded.例文帳に追加

プラスチックフィルム上の少なくとも一方の面に有機層と無機層を含む層を有するガスバリアフィルムを製造する際に、有機層を成膜した後、無機層を成膜する前に、有機層を構成するポリマーのガラス転移温度以上の温度で加熱するか、有機層に電子線を照射する。 - 特許庁

To eliminate a decrease in a density of a recorded part without completely color developing a skin even the part is brought into contact with a high temperature heater having 120°C or higher by incorporating a specific diphenylsulfone derivative as an electron acceptive compound and incorporating a specific salicylamide derivative as an additive.例文帳に追加

１２０℃以上の高温の発熱体と接触した場合でも地肌部が完全発色せず、かつ記録部の濃度低下が無く、記録の目視による判読が可能な高耐熱記録画像保存性を有し、かつ記録感度に優れた感熱記録材料を提供する。 - 特許庁

This electron emitting element material is a needle shape structural body 15 having C=N bond obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material on the surface of which colloidal golds 14, 14, 14 are adhered by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、表面に金コロイド１４，１４，１４を付着させた有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、Ｃ＝Ｎ結合の針状構造体１５であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

A dielectric film of the laminated ceramic capacitor is formed by using a winding type electron beam vacuum deposition method and when the dielectric film is vacuum-deposited, a temperature of a vacuum deposition part of an electrode which comes into contact with an idler is set to a predetermined temperature to optimize crystallinity, thereby forming the dielectric film which has a high dielectric constant and a high breakdown voltage with high efficiency.例文帳に追加

本発明では積層セラミックコンデンサーの誘電膜作成を、巻取り式電子ビー ム真空蒸着法を用いて作成し、誘電膜蒸着時に、アイドラーと接する電極の蒸着部の 温度を所定の温度に設定することで、結晶性の最適化をおこない、高誘電率で高耐電圧 の誘電膜を高能率で作成する。 - 特許庁

The electron transport layer 4 is formed by supplying dispersing liquid with particles of a single-crystal material of multiple oxide salt dispersed in a dispersion medium on the electrode 3 to form a liquid-state coating, and then, putting it under heat treatment at a temperature below the heat-resistant temperature, and removing the dispersing medium from inside the liquid-state coating.例文帳に追加

電子輸送層４は、複酸化物塩の単結晶材料の粒子を分散媒に分散してなる分散液を、電極３上に供給して液状被膜を形成した後、樹脂材料の耐熱温度未満の温度で熱処理を施し、液状被膜中から分散媒を除去することにより形成される。 - 特許庁

Each pixel cell of the plasma display panel has a phosphor layer containing a phosphor material and a secondary electron emitting material, and further the pulse voltage value and/or the pulse width of a drive pulse applied to each of a row electrode pair and a column electrode pair of the plasma display panel is adjusted according to the temperature of the plasma display panel and its ambient temperature.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの各画素セルには蛍光体材料及び二次電子放出材料を含む蛍光体層が形成されており、更に、プラズマディスプレイパネルの行電極対の各々及び列電極の各々に印加される駆動パルスのパルス電圧値、及び／又はパルス幅が、プラズマディスプレイパネルの温度、又はプラズマディスプレイパネル周囲の温度に応じて調整される。 - 特許庁

A substrate for electron source forming has a layer 1b containing SiO_2 as a main component on a substrate 1a, wherein the SiO_2 layer has a hardness higher than 5 GPa measured by the nano indentation method at room temperature, or an etching rate not higher than 10 nm/min in the solution containing 0.4 wt% of ammonium hydrogen fluoride at room temperature.例文帳に追加

基板１ａ上にＳｉＯ_２を主成分とする層１ｂを有し、該ＳｉＯ_２層の室温におけるナノインデンテーション法により測定される硬度が５ＧＰａ以上、あるいは、該ＳｉＯ_２層の室温における０．４ｗｔ％フッ化水素アンモニウム水溶液でのエッチングレートが１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method for the fluorescent display device wherein the element substrate 1 having the electron emission element and the counter substrate 2 are stuck through a sandwiching body 3 has a process for applying heat treatment to the sandwiching body at a temperature not less than a temperature in a sealing process before the process for sticking the element substrate 1 and the counter substrate 2 through the sandwiching body 3 in vacuum for the sealing.例文帳に追加

電子放出素子を有する素子基板１と対向基板２とを挟持体３を介して貼り合わせしてなる蛍光表示装置の製造方法において、前記素子基板１と前記対向基板２とを真空中で前記挟持体３を介して貼り合せて封着する工程の前に、当該封着する工程での温度以上で前記挟持体を加熱処理する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

Though there is the risk of the dew condensation of the container 2 carried in from the outside since a temperature inside the sterilization box 18 is elevated by irradiation with the electron beams, the dew condensation is not caused on the container 2 since a container heating means is provided on the upstream side of the sterilization box 18, the temperature of the container 2 is raised and then it is introduced to the sterilization box 18.例文帳に追加

電子線の照射により殺菌ボックス１８内の温度が上昇するため、外部から搬入された容器２が結露を生じてしまうおそれがあるが、殺菌ボックス１８の上流側に容器加温手段を設けて容器２の温度を上昇させてから殺菌ボックス１８に搬入するため、容器２に結露が生じることがない - 特許庁

A process of bringing a cathode 3 disposed in the vacuum vessel 1 to emit electrons by using a cold cathode electric field emitting method and sequentially measuring electron emission current which is the quantity of current of the electrons emitted from the cathode 3 for at least a prescribed period of time, is carried out while the temperature of the cathode 3 is kept to be a predetermined temperature.例文帳に追加

真空容器１内に配置された陰極３から冷陰極電界放出方式により電子を放出させ、この時に陰極３から放出される電子の電流量である電子放出電流を少なくとも所定時間の期間分、逐次計測する処理を、陰極３の温度をあらかじめ定めた所定温度に保持した状態で実行する。 - 特許庁

In the thermal recording body providing the thermal recording layer comprising a colorless or light-colored basic leuco dye and an electron-accepting coloring agent, the thermal recording layer is characterized by comprising furthermore a styrene-acrylic resin with a glass transition temperature of ≥50°C and a lowest film-forming temperature of ≤20°C.例文帳に追加

支持体上に、無色又は淡色の塩基性ロイコ染料及び電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層を設けた感熱記録体において、該感熱記録層が更にガラス転移点５０℃以上かつ最低造膜温度２０℃以下のスチレン−アクリル樹脂を含有することを特徴とする感熱記録体である。 - 特許庁

This back electron impact heating device includes: a filament 9 arranged behind a heating plate 2 used as a top plate of a heating vessel 1; a heating power source 12 heating the filament 9; an acceleration power source 7 applying an acceleration voltage to the filament 9; and a temperature measurement means measuring the temperature of the heating plate 2.例文帳に追加

背面電子衝撃加熱装置は、加熱容器１の天板となっている加熱プレート２の背後に設けられたフィラメント９と、このフィラメント９を加熱する加熱電源１２と、このフィラメント９に加速電圧を印加する加速電源７と、前記加熱プレート２の温度を測定する温度測定手段とを有する。 - 特許庁

In the reversible thermal recording medium, a reversible thermal recording layer uses an electron donating color forming compound and an electron receiving compound, and can relatively form on a support a color developed state and a color erased state by the difference of a heating temperature and/or or a cooling speed after heating.例文帳に追加

支持体上に、電子供与性呈色性化合物と電子受容性化合物を用い、加熱温度および／または加熱後の冷却速度の違いにより相対的に発色した状態と消色した状態を形成しうる可逆性熱発色組成物を含有する可逆性感熱記録層を有する可逆性感熱記録媒体において、前記可逆性感熱記録層中に消色促進剤として下記一般式（Ｉ）で表されるヘキソース類を含有すること特徴とする可逆性感熱記録媒体。 - 特許庁

In the reversible heat sensitive color developing composition capable of relatively forming a color developed state and an achromatized state according to the heating temperature and/or the cooling speed after heating by using an electron donative colorational compound and an electron acceptive compound, the composition contains a compound represented by any of formulae (1) to (4) as an achromatization accelerator.例文帳に追加

電子供与性呈色性化合物と電子受容性化合物を用い、加熱温度及び／又は加熱後の冷却速度の違いにより相対的に発色した状態と消色した状態を形成しうる可逆性感熱発色組成物において、該可逆性感熱発色組成物中に消色促進剤として下記一般式（１）乃至一般式（４）のうちいずれかで表わされる化合物を含有させたことを特徴とする可逆性感熱発色組成物。 - 特許庁

In the reversible thermal recording material which can indicate and eliminate the visible image by dispersing an electron donating coloring matter precursor and an electron accepting compound to be the color developing/subtracting agent in a resin base material and changing the tone of the composition reversibly by temperature, the base material has a glass transition point (Tg) of -20 to 120°C and is preferably a shape-memory polyurethane.例文帳に追加

樹脂母材に電子供与性色素前駆体およびその顕減色剤となる電子受容性化合物を分散状態に配合し、この配合物の色調を温度によって可逆的に変化させることにより可視画像を表示および消去可能な可逆性感熱記録材料において、前記樹脂母材が、ガラス転移点（Ｔ_g）−２０〜１２０℃であり、好ましくはポリウレタン系形状記憶ポリマーからなる形状記憶ポリマーである可逆性感熱記録材料とする。 - 特許庁

The reversible thermal recording medium has a reversible thermal recording layer, formed on a support, which contains a reversible heat-sensitive composition which can relatively generate a color-developing state and a decoloring state depending on a difference in the heating temperature and/or the cooling rate after heating, using an electron-donative coloring compound and an electron-receptive compound.例文帳に追加

支持体上に電子供与性呈色性化合物と電子受容性化合物を用い、加熱温度および／または加熱後の冷却速度の違いにより相対的に発色した状態と消色した状態を形成し得る可逆性感熱組成物を含有する可逆性感熱記録層を有する可逆性感熱記録媒体において、該電子受容性化合物として下記式［１］で表わされるフェノール化合物を用いることを特徴とする可逆性感熱記録媒体。 - 特許庁

The method of forming the ITO (indium tin oxide) electrode 50 in the semiconductor device 1 includes steps for forming the electrode 50 through electron beam evaporation under a deposition rate of 1 Å/sec or higher and 5 Å/sec or lower and an oxygen pressure of 0.005-0.02 Pa and then calcining the electrode at a predetermined temperature, thereby obtaining the ITO electrode 50 of favorable quality.例文帳に追加

半導体素子１における酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の電極５０の形成方法において、電極５０を、成膜レートにつき１Å／ｓｅｃ以上５Å／ｓｅｃ以下とし、酸素圧力につき０．００５Ｐａ以上０．０２Ｐａ以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なＩＴＯ電極５０を得た。 - 特許庁

The humidity indicator is formed by adhering coating, which is composed of an electron donating coloration compound, an acidic compound being a solid at a normal temperature, a deliquescent substance, a complex salt of higher fatty acid or an amino acid of which the solubility to 100 g of water of 20°C is 3-200 g and an aqueous resin emulsion, to a carrier and drying the formed coating layer under heating.例文帳に追加

電子供与性呈色化合物と、常温において固体である酸性化合物と、潮解物質と、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が３ｇ〜２００ｇの範囲にある高級脂肪酸の錯塩またはアミノ酸の錯塩と、水系樹脂エマルジョンとからなる塗料を、担持体に付着させ、加熱乾燥させることにより形成する。 - 特許庁

To provide a gel electrolyte forming composition that can be crosslinked by heating or energy beam irradiation such as ultraviolet rays and electron beams, has a high electrolyte retention rate and high ion electrical conductance, and forms a gel-like electrolyte having proper high-temperature durability, and to provide the gel-like electrolyte where the gel electrolyte forming composition is crosslinked.例文帳に追加

加熱又は紫外線、電子線などのエネルギー線照射によって架橋可能であり、電解液保持率が高く、従ってイオン伝導度が高く、しかも高温耐久性に優れたゲル状電解質を形成するゲル状電解質形成組成物及びこれを架橋させたゲル状電解質を提供することにある。 - 特許庁

This manufacturing method of this electron source is characterized in that positive potential is applied to a needle composed by mounting a supply source of barium formed of a double oxide of a barium oxide and an oxide of a metal other than barium in a part of a monocrystal needle of tungsten or molybdenum to heat it at a temperature of 1,000-1,700 K, preferably 1,350-1,650 K.例文帳に追加

タングステンまたはモリブデンの単結晶ニードルの一部に、バリウム酸化物とバリウム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリウムの供給源を設けたニードルに正電位を印加して１０００Ｋ以上１７００Ｋ以下、好ましくは１３５０以上１６５０Ｋ以下で加熱することを特徴とする電子源の製造方法。 - 特許庁

To deposit a hard carbon film at a high film deposition rate and also at a low temperature in a method in which Ar plasma by electron cyclotron resonance is generated in a plasma generating chamber 4, the Ar plasma is applied on a substrate 9 arranged in a vacuum chamber 7, simultaneously, gaseous hydrocarbon is fed to the vacuum chamber 7, and a hard carbon film is deposited on the substrate 9.例文帳に追加

プラズマ発生室４に電子サイクロトロン共鳴によるＡｒプラズマを発生させ、該Ａｒプラズマを真空チャンバー７内に配置した基板９に照射すると同時に、真空チャンバー７に炭化水素ガスを供給して、基板９上に硬質炭素被膜を形成する方法において、高い成膜速度でかつ低温で硬質炭素被膜を形成する。 - 特許庁

Electrons are emitted from the cathode 3 arranged in the vacuum container 1 are discharged by a cold cathode electric field discharge system in a state that the temperature of the cathode 3 is respectively successively held to a plurality of kinds of temperatures and an electron discharge current, which is current quantity of the electrons discharged from the cathode 3 at this time is successively measured at least for a predetermined time period.例文帳に追加

真空容器１内に配置された陰極３の温度を複数種類の温度のそれぞに順次保持した状態で、陰極３から冷陰極電界放出方式により電子を放出させ、この時に陰極３から放出される電子の電流量である電子放出電流を少なくとも所定時間の期間分、逐次計測する。 - 特許庁

The manufacturing method of the active ester of the organic acid or of derivatives thereof comprises causing the organic acid or the derivatives thereof to react with an electron-withdrawing group (one or a combination of two or more of succinimidyl, sulfosuccinimidyl, maleimidyl, phthalimidyl, imidazolyl, nitrophenyl, tredyl and derivatives thereof) in the presence of N, N'-dicyclohexylcarbodiimide at a reaction temperature of 0-10°C in an organic solvent.例文帳に追加

有機酸又はこれらの誘導体を有機溶媒中において電子吸引基（スクシンイミジル、スルホスクシンイミジル、マレイミジル、フタルイミジル、イミダゾールイル、ニトロフェニル、トレジル又はこれらの誘導体の１種又は２種以上の組み合わせ）と、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミドの存在下、反応温度０〜１０℃にて、反応させる有機酸又はこれらの誘導体の活性エステル体の製造方法。 - 特許庁

The electron device is provided with an optical system 10, a board 30 having a plurality of infrared sensor elements 20 that are sealed by a cap body for each element, a Peltier element 50, a signal-processing circuit 60, an element-driving circuit 70, a temperature detection/Peltier element-driving circuit 80, and a shade 90 for inspection.例文帳に追加

本発明の電子デバイスは、光学系１０と、素子ごとにキャップ体によって封入されている複数の赤外線センサ素子２０を有する基板３０と、ペルチェ素子５０と、信号処理回路６０と、素子駆動回路７０と、温度検出＆ペルチェ素子駆動回路８０と、検査用遮光板９０とを備えている。 - 特許庁

The electron source is manufactured by applying positive voltage to a needle which comprises a tungsten or molybdenum single crystal needle and a barium supply source formed on a part of the single crystal needle consisting of multiple oxide made from barium oxide and oxide of metal excepting barium, and heating the needle to temperature of 1,000 to 1,700°K, preferably 1,350 to 1,650°K.例文帳に追加

タングステンまたはモリブデンの単結晶ニードルの一部に、バリウム酸化物とバリウム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリウムの供給源を設けたニードルに正電位を印加して１０００Ｋ以上１７００Ｋ以下、好ましくは１３５０以上１６５０Ｋ以下で加熱することを特徴とする電子源の製造方法。 - 特許庁

To provide glass powder granule of which the press molded goods have enough mechanical strength, the attached boric acid does not burn at firing of press molding, and the electrode supporting glass rod at assembling the electron gun increases in surface temperature in a short time to stabilize in heat conditions, does not get damage and enables to obtain the desired electrode fixed accuracy.例文帳に追加

プレス成形体が十分な機械的強度を有し、プレス成形体の焼成時に付着硼酸の燃焼を起こさず、電子銃を組み立てる際に電極支持用ガラス棒の表面温度が短時間で上昇して加熱条件が安定し、電極支持用ガラス棒が破損せず、所望の電極固定精度が得られる電子銃用ガラス粉末顆粒をを提供する。 - 特許庁

The heat-resistance resin is obtained by subjecting to a crystallization treatment a film comprising 70-30 wt.% of a polyarylketone resin having a crystal melting peak temperature of at least 260°C and 30-70 wt.% of a non- crystalline polyetherimide resin and has a maximum crystal grain size of at most 0.3 μm as observed by a transmission electron microscope.例文帳に追加

結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂７０〜３０重量％と非晶性ポリエーテルイミド樹脂３０〜７０重量％とからなるフィルムを結晶化処理したフィルムであって、透過型電子顕微鏡で観察した際に、最大結晶粒径が０．３μｍ以下であることを特徴とする耐熱性フィルム。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor memory element is provided with a first step wherein the interlayer insulating film is formed in an upper part of a semiconductor substrate on which a capacitor is formed, and a second step wherein the interlayer insulating film is dry-etched under a condition that electron temperature of the plasma is maintained to 2.0 eV to 4.0 eV and the capacitor is exposed.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ素子の製造方法は、キャパシタが形成された半導体基板上部に層間絶縁膜を形成する第1ステップ、及びプラズマの電子温度を2.0eVないし4.0eVに保持した条件下に前記層間絶縁膜をドライエッチングして前記キャパシタを露出させる第2ステップを備えている。 - 特許庁

The pattern formation method comprises the steps of: forming a resist film on a semiconductor substrate; forming the antistatic film on the resist film; exposing an electron beam to the resist film; peeling the antistatic film by using peeling liquid with a temperature of 30°C or more and 35°C or less; and performing a development to the resist film to form predetermined patterns.例文帳に追加

パターン形成方法が、レジスト膜を半導体基板上に形成する工程、前記レジスト膜上に帯電防止膜を形成する工程、前記レジスト膜に対して電子線を露光する工程、温度３０℃以上３５℃以下の剥離液を用いて前記帯電防止膜を剥離する工程、および前記レジスト膜に対して現像を行い所定のパターンを形成する工程とを含む。 - 特許庁

The membrane 92 has the dynamic modulus of elasticity in a range of 2.4×10^7 to 2.45×10^7 Pa at the temperature of 27-28°C when giving the sinusoidal distortion of the frequency of 5 Hz by crosslinking molecules constituting the rubber component by irradiating electron beams on the suction face side of the suction pad body 13.例文帳に追加

皮膜９２は、吸着パッド本体１３の吸着面側に電子線を照射してゴム成分を構成する分子を架橋させることにより、周波数５Ｈｚの正弦波歪みを与えたときに、温度２７〜２８℃における動的弾性率が２．４×１０^７〜２．４５×１０^７Ｐａの範囲内とされた皮膜にされている。 - 特許庁

To provide a gel electrolyte forming composition for forming a gel electrolyte that can be cross-linked by heating or energy rays irradiation such as ultraviolet rays and electron beams and has a high electrolyte holding ratio, and, accordingly, has high ion conductivity and high-temperature durability, and a gel electrolyte that has cross-linked this and its manufacturing method.例文帳に追加

加熱又は紫外線、電子線などのエネルギー線照射によって架橋可能であり、電解液保持率が高く、従ってイオン伝導度が高く、しかも高温耐久性に優れたゲル状電解質を形成するゲル状電解質形成組成物、これを架橋させたゲル状電解質及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electric load is applied to a circuit pattern by a step of irradiating an electron beam for a predetermined time period to a wafer including the circuit pattern in a semiconductor manufacturing process to charge the circuit pattern to a predetermined charge voltage (Step 99), and a step of controlling a region surrounding the circuit pattern to a predetermined temperature by laser irradiation or the like (Step 106).例文帳に追加

半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。 - 特許庁

To provide a compact X-ray generating device for improving durability of electron emitting part through restraint of its temperature rise and extracting a large dose of X-rays, applicable for medical fields such as intravascular radiation therapy, cancer therapy, and medical diagnosis, and industrial and research fields such as nondestructive testing.例文帳に追加

電子放射部の温度上昇を抑制して電子放射部の耐久性を向上させ安定かつ大線量のＸ線を取り出すことが可能な、血管内放射線治療用、がん治療用、医療診断等の医療分野及び非破壊検査などの工業用、研究用分野にも適用できる小型Ｘ線発生装置の提供。 - 特許庁

In accordance with the temperature of a plasma display panel on which an magnesium oxide layer containing magnesium oxide crystal bodies allowed to be stimulated by irradiation of electron beams and emit cathode luminescence light having a peak in a wavelength area of 200 to 300nm is formed, the pulse width of driving pulses to be applied to the plasma display panel is changed.例文帳に追加

電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層が形成されているプラズマディスプレイパネルの温度に応じて、プラズマディスプレイパネルに印加する駆動パルスのパルス幅を変更する。 - 特許庁

The position of a bimetal 9a fixed firmly to a flame 8 is moved backward and the bimetal 9a is irradiated with electron beams 5, thereby the temperature change in the bimetal 9a is forced to correspond to that of the frame 8 and a shadow grille 7, and the position of the frame 8 and the shadow grille 7 is shifted suitably.例文帳に追加

フレーム８に固着されたバイメタル９ａの位置を後退させ、バイメタル９ａに対しても電子ビーム５を照射することにより、バイメタル９ａの温度変化をフレーム８およびシャドウグリル７の温度変化に対応させて、フレーム８およびシャドウグリル７の位置を適切に移動させる。 - 特許庁

To provided a gel-form electrolyte forming composite, that is capable of cross-linking by heating, or energy beam radiation, such as ultraviolet rays and electron beam and has a high retention of electrolyte, and therefore high ionic conductivity, and that forms a gel electrolyte excellent in high resistance to temperature withstand, a gel-form electrolyte cross-linked with this, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

加熱又は紫外線、電子線などのエネルギー線照射によって架橋可能であり、電解液保持率が高く、従ってイオン伝導度が高く、しかも高温耐久性に優れたゲル状電解質を形成するゲル状電解質形成組成物、これを架橋させたゲル状電解質及びその製造方法を提供する。 - 特許庁