「FLUORIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The opening of the pressure adjustment valve 50 is controlled by a controller 53 so that pressure at the upstream side turns into a pressure for satisfying azeotropic conditions in the fluoric acid generation container 10.例文帳に追加

この圧力調整バルブ５０の開度は、これよりも上流側の圧力がふっ酸蒸気発生容器１０における共沸条件を満たす圧力となるように、コントローラ５３によって制御される。 - 特許庁

In more practical, a pre- process to form a surface oxide layer 6s on the amorphous silicon film 6a with a solution including ozone and a post-process to remove the surface oxide layer 6s with a solution including fluoric acid are performed.例文帳に追加

具体的には、オゾンを含む溶液でアモルファスシリコン膜６ａに表面酸化層６ｓを形成する前処理と、フッ酸を含む溶液で表面酸化層６ｓを除去する後処理を行なう。 - 特許庁

Then, HFE used as rinse liquid is supplied onto both the surfaces Wa and Wb of the wafer W from the upper and lower nozzles 64 and 14, and the fluoric acid on the surface of the wafer W is cleaned away (a rinsing process).例文帳に追加

次に、上ノズル６４および下ノズル１４よりリンス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給されて、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される（リンス工程）。 - 特許庁

Then, a recess groove 8 is formed by a citric acid base etchant, a metal 9 used as the gate electrode is deposited, the SiO2 is etched by fluoric acid for removing unwanted metal, and recess gate structure is formed.例文帳に追加

そいてクエン酸系のエッチャントでリセス溝８を形成し、ゲート電極となる金属９を蒸着し、フッ酸でＳｉＯ_2をエッチングして不要な金属を除去し、リセスゲート構造を形成する。 - 特許庁

To obtain a water-dispersion type fluoric copolymer composition which exhibits stable water/oil repellency even in the processing conditions at low temperatures and high speeds and which in addition is excellent in adhesiveness after the processing of imparting the water/oil repellency.例文帳に追加

低温、高速での加工条件においても安定な撥水撥油性を発現し、かつ撥水撥油加工後の接着性に優れた水分散型フッ素系共重合体組成物の提供。 - 特許庁

The soln. contains 0.05-30 g/l silver ion, 0.1-200 g/l hydantoin compd. and 0.01-10 g/l fluoric surfactant and further contains an inorg. acid, an org. acid or both as the pH buffer salt.例文帳に追加

銀イオン０．０５〜３０ｇ／ｌ、ヒダントイン化合物０．１〜２００ｇ／ｌ、フッ素系界面活性剤０．０１〜１０ｇ／ｌ含有し、ＰＨバッファー塩として無機酸または有機酸若しくは両方を含む。 - 特許庁

Before the fluoric acid vapor is supplied to a substrate treatment chamber 20, valves 71 and 81 are closed, and a carrier gas is supplied to a substrate treatment chamber 20 via a bypass path 75 and a treatment gas supply path 40.例文帳に追加

ふっ酸蒸気を基板処理室２０に供給する前に、バルブ７１，８１を閉じ、バイパス経路７５および処理ガス供給路４０を介して、基板処理室２０へとキャリアガスが供給される。 - 特許庁

A water-dispersion type fluoric copolymer composition comprising a copolymer that contains the polymeric unit of a monomer having a polyfluoroalkyl group and one polymerizable unsaturated group, an ammonium salt and an aqueous medium.例文帳に追加

ポリフルオロアルキル基と１個の重合性不飽和基とを有する単量体の重合単位を含む共重合体と、アンモニウム塩と、水系媒体とを含む、水分散型フッ素系共重合体組成物。 - 特許庁

The copper contained in the silicon wafer is diffused by heating the wafer 400°C, collected on the wafer surface, dissolved in the fluoric acid containing recovery liquid dropped on the wafer surface, and removed from the surface.例文帳に追加

シリコンウェーハを４００℃で加熱してウェーハ内部の銅を拡散し、これでウェーハ表面に集められた銅を、ウェーハ表面にフッ酸を含む回収液を滴下してこの液に溶かし、銅を回収除去する。 - 特許庁

Further, the bonding surface of the glass substrates 1, 2 and the inner surface of the flow channel groove 6 are covered with SiO2 films 4, 5 formed by a sputtering method and a fluoric acid aqueous solution is interposed between the glass substrates 1, 2 to bond the substrates.例文帳に追加

さらに、ガラス基板１、２の接合面および流路溝６内面をスパッタ法により成膜したＳｉＯ_２膜４、５で覆い、フッ酸水溶液を界面に介在させてガラス基板１、２を接合する。 - 特許庁

An etching protection film 17 comprising a silicon nitride film is formed on the side wall of the silicon oxide film 15, thus the side wall of the silicon oxide film 15 is prevented from being etched in a fluoric acid rinsing process after a gate electrode is worked.例文帳に追加

また、酸化シリコン膜１５の側壁に窒化シリコン膜からなるエッチング防止膜１７を形成し、ゲート電極加工後のフッ酸洗浄工程で酸化シリコン膜１５の側壁がエッチングされるのを防止する。 - 特許庁

A method for forming fine irregularities by applying blast processing to the surface or a method for substituting other atoms for a fluoric atoms to be the source of water repellent force by plasma processing is used as processing for reducing the water repellent property.例文帳に追加

撥液性の低下する処理については、表面にブラスト処理を施して微細な凹凸を形成する方法、またはプラズマ処理にて撥液力の元となるフッ素原子を他の原子に置換する方法等がある。 - 特許庁

In the method for wet etching by using a liquid essentially comprising fluoric acid and nitric acid, a sufficient etching selection ratio to the insulating film 14 can be obtained so that formation of a protective insulating film or the like which increases the cost is not required.例文帳に追加

フッ酸と硝酸とを主成分とする液を用いたウエットエッチング法では、絶縁膜１４とのエッチング選択比を充分にとることができ、コストアップとなる保護絶縁膜等を形成する必要はない。 - 特許庁

Thus, in a method of obtaining a crystal by cooling a saturated potassium tantalate fluoride solution under a controlled condition to form a recrystallized crystal, filtering and drying the recrystallized crystal in a dryer, the concentration of fluoric acid of the saturated potassium tantalate fluoride solution, which essentially contains fluoric acid, is regulated to be 0.5-10 mol/l.例文帳に追加

フッ酸を必須成分とする飽和フッ化タンタル酸カリウム溶液を制御冷却することで、これらの再結晶を生成し、生成した当該再結晶を濾別採取して、濾別採取した当該再結晶を乾燥装置内で乾燥して結晶を得る方法において、フッ酸を必須成分とする飽和フッ化タンタル酸カリウム溶液は、フッ酸濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｏｌ／ｌの溶液とすることを特徴とする低酸素フッ化タンタル酸カリウム結晶の製造方法等による。 - 特許庁

The surface of a quartz wafer 2 is subjected to lapping machining until a prescribed thickness, etching liquid such as fluoric acid is used for wet etching, and a machining deterioration layer due to the lapping machining is removed and at the same time, is machined to a desired thickness in a quartz chip.例文帳に追加

水晶ウエハ２の表面を所定の厚さまでラッピング加工した後、弗酸等のエッチング液を用いてウェットエッチングし、ラッピング加工による加工変質層を除去すると同時に、所望の水晶チップの厚さに加工する。 - 特許庁

This prevents Al fluoride from growing on the side wall of the Al alloy film 20B based on the use of a fluoric gas for forming the connection holes 31.例文帳に追加

弗素拡散バリア膜２１は、例えばＴｉＮ膜等の金属窒化物を用いて形成されており、接続孔３１を形成する際のＦ系ガスの使用に基づく、Ａｌ合金膜２０Ｂの側壁のＡｌ弗化物の生成を防止することができる。 - 特許庁

Therefore, if the oxygen sensor is exposed to a high temperature, nickel fluoride which is a compound of fluorine of fluoric acid and nickel of the nickel plating 71 is formed to form a sealing layer in the gaps between the sealing member 17 and a plurality of the lead wires.例文帳に追加

このため、ガスセンサが高温下に晒されると、このフッ酸のフッ素とニッケルメッキ７１のニッケルとの化合物であるフッ化ニッケルなる化合物が形成され、これがシール部材１７と複数のリード線との隙間に封着層を形成する。 - 特許庁

The functional coating where fluorine consumption is decreased may be obtained by making use of time-gap melting of coating material with both the hot blending and temperature raising of the coating object to dispose the fluoric coating on the surface without performing a uniform distribution in the coating.例文帳に追加

ホットブレンドと被塗物昇温による塗料の時間差溶融を活用し、塗膜中に均一分布することなく、表層にフッ素塗膜を配置して、フッ素使用量を減少した機能性塗膜とすることができる。 - 特許庁

The thermosetting resin composition containing a fluoric resin having a thermosetting group and a polymerization initiator, the resin cured film formed by heat-polymerizing the thermosetting resin and the electronic member having the film are provided.例文帳に追加

熱硬化性基を有するフッ素樹脂と、重合開始剤とを含有してなる熱硬化性樹脂組成物、およびこの熱硬化性樹脂を用いて加熱重合して形成された樹脂硬化膜、さらに樹脂硬化膜を有してなる電子部材。 - 特許庁

The laminated structure film on the first Mo, MoOx, and second Mo films 10, 10A, and 11 is formed on the Al film 9, thus preventing corrosion, due to buffered fluoric acid solution and alkaline- based developer in the gate electrode.例文帳に追加

第１Ｍｏ膜１０／ＭｏＯ_ｘ膜１０Ａ／第２Ｍｏ膜１１の積層構造膜を、Ａｌ膜９上に形成することにより、ゲート電極の緩衝フッ酸溶液及びアルカリ系現像液による腐食を防止出来る。 - 特許庁

Subsequently, the silicon nitride film 51 is opened, with a CVD oxide silicon film as a mask, and further the silicon oxide film 5 is opened, using dilute fluoric acid aqueous solution; and at the same time, the removal of the CVD oxide silicon film used as a mask of the silicon nitride film 51 is performed.例文帳に追加

続いて、ＣＶＤ酸化シリコン膜をマスクとして、シリコン窒化膜５１を開口し、さらに希フッ酸水溶液を用いて酸化シリコン膜５を開口すると同時に、シリコン窒化膜５１のマスクとして用いたＣＶＤ酸化シリコン膜の除去を行う。 - 特許庁

The alkali-free glass substrate for the liquid crystal panel includes a Haze value of ≤7.0% after being immersed in a buffered fluoric acid solution comprising 5.3 mass% of hydrofluoric acid (HF), 35.8 mass% of ammonium fluoride (NH_4F) and the balance water for 20 min at 25°C.例文帳に追加

液晶パネル用の無アルカリガラス基板において、フッ酸（ＨＦ）：５．３質量％、フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）：３５．８質量％、残部：水からなるバッファードフッ酸の溶液中に２５℃、２０分間浸漬した後のヘイズ値が７．０％以下である。 - 特許庁

After the ferroelectric film is formed on the semiconductor substrate by using a CVD method, the back of the semiconductor substrate is substrate-etched down to a specific depth by using a mixed solution of a nitric acid and a fluoric acid, to remove the contamination components included in the back of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にＣＶＤ法等を用いて強誘電体膜を形成した後、半導体基板の裏面を、硝酸とフッ酸の混合液を用いて所定の深さまで基板エッチングして、半導体基板の裏面に含まれる汚染成分を除去する。 - 特許庁

After the first irradiation process of the fluoric resin with an electron beam at a melting temperature or above and an oxygen concentration of 10 torr or less, the second irradiation process with a radioactive ray of 1 MGy or less is carried out at an ordinary temperature in air.例文帳に追加

弗素樹脂に、融点以上および１０ｔｏｒｒ以下の酸素濃度のもとで電子線を照射する第１の照射処理を施した後、常温および空気中において１ＭＧｙ以下の放射線を照射する第２の照射処理を施す。 - 特許庁

To perform stable and efficient treatment over a long period of time by preventing the deterioration of and damage to the electrode plate of an electric regeneration type deionizing apparatus caused by fluoric acid, in a method for making pure water by applying deionizing treatment to fluorine ion-containing water in the electric regeneration type deionizing apparatus.例文帳に追加

フッ素イオン含有水を電気再生式脱イオン装置で脱イオン処理する純水の製造方法において、フッ酸による電気再生式脱イオン装置の電極板の劣化、損傷を防止して、長期に亘り安定かつ効率的な処理を行う。 - 特許庁

To lower the residual ratio of fluorine ions in a waste soln. after treatment by charging alkaline earth metal hydroxide in an acidic waste soln. to selectively precipitate a fluoric acid component and charging alkali metal hydroxide in the waste soln. so as to raise the pH value thereof to neutralize a residual sulfuric acid component in a form dissolved in the waste soln.例文帳に追加

弗酸成分と硫酸成分とを含有する酸性廃液の中和処理において、処理後の廃液中の弗素イオン残留率が低く、しかも不溶性の硫酸塩系スラッジの発生量を劇的に削減できる処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an ultra-water repellent member capable of improving the surface of a base material of every kind so as to have ultra-water repellency and not causing the environmental problem due to the production of fluoric acid at the time of disposal, and the ultra-water repellent member.例文帳に追加

本発明は、各種基材の表面を超撥水性に改良することができ、しかも廃棄時にフッ酸発生による環境問題がない超撥水性部材の製造方法、及び該方法による超撥水性部材の提供を目的とする。 - 特許庁

To obtain a wet-cleaning apparatus and wet-etching method, that can reduce fluctuation in product characteristics by making uniform the amount of etching in a wafer, when using etching liquid, such as a fluoric acid to etch a wafer an oxide film in wet cleaning treatment and the like.例文帳に追加

ウェット洗浄処理においてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等のウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法を得る。 - 特許庁

Both sulfonated polymeric compounds are non-fluoric sulfonated polymeric compounds, and the sulfonated polymeric compound having a high ion exchange capacity and the sulfonated polymeric compound having a low ion exchange capacity have the same chain structure except an ion exchange capacity.例文帳に追加

スルホン化高分子化合物はいずれも非フッ素系スルホン化高分子化合物であり、またイオン交換容量が高いスルホン化高分子化合物とイオン交換容量が低いスルホン化高分子化合物はイオン交換容量を除いて同一の骨格構造を有する。 - 特許庁

In an oxygen sensor 1, nickel plating 71 corroded by fluoric acid (HF) generated from a sealing member 17 at a high temperature is applied to the surfaces of lead wires at the interfaces of the sealing member 17 and a plurality of the lead wires, both of which comprise a fluorine-containing resin.例文帳に追加

酸素センサ１では、共にフッ素含有樹脂からなるシール部材１７と複数のリード線との界面において、リード線側の表面に、高温下にてシール部材１７が発生するフッ酸（ＨＦ）により腐食されるニッケルメッキ７１が施されている。 - 特許庁

To obtain an alumina sintered compact excellent in corrosion resistance to fluoric plasma or gas and easily providing a large-size product or a product having a complex shape, and to provide a method for producing the alumina sintered compact.例文帳に追加

フッ素系プラズマやガスに対する耐食性が良好で大型品や複雑形状品の製造が容易なアルミナ焼結体及びフッ素系プラズマやガスに対する耐食性が良好で大型品や複雑形状品の製造が容易なアルミナ焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide primarily a matter which is superior in anti-electrolyte property, and provide secondarily the matter which is superior in anti-leakage characteristics in an electrochemical element in which an aluminum material is used, even if an electrolyte to contain a material enable to generate a material such as fluoric acid to corrode aluminum is used.例文帳に追加

アルミニウム材料を用いた電気化学素子において、ふっ酸のように、アルミニウムを侵すような物質を発生しうる物質を含む電解液を使用しても、第一に、耐電解液性に優れたものを提供することであり、第二に、耐漏液性に優れたものを提供することである。 - 特許庁

An agent contains 1-100 g/L total chrome ion (sexivalent chrome ion + trivalent chrome ion), phosphate ion and zirconium fluoric ion, a weight ratio of trivalent chrome ion/total chrome ion is 0.4-0.8 and further, a weight ratio expressed in terms of metal is phosphor/chrome = 0.13 to 1.00 and zirconium/chrome = 0.4 to 2.5.例文帳に追加

全クロムイオン（６価クロムイオン＋３価クロムイオン）１〜１００ｇ／Ｌと、リン酸イオンと、ジルコニウムフッ素イオンとを含有し、３価クロムイオン／全クロムイオンの重量比が０．４〜０．８であり、かつ金属換算での重量比が、リン／クロム＝０．１３〜１．００及びジルコニウム／クロム＝０．４〜２．５である塗布型表面処理剤。 - 特許庁

In the electrostatic capacity humidity sensor 1 constituted by successively forming a lower electrode 3, a humidity-sensitive film 4 using an organic compound having a hydrophilic group and an upper electrode 5 on an insulating substrate 2, the humidity-sensitive film 4 is formed based on a fluoric organic compound.例文帳に追加

下部電極３、親水基を有する有機化合物を用いた感湿膜４、および上部電極５を絶縁性基板２上に順次形成して構成された静電容量式湿度センサ１において、感湿膜４は、フッ素系有機化合物を主成分として形成されている。 - 特許庁

To provide an electric desalting apparatus efficiently performing desalting treatment for raw water containing fluoric acid or high concentration of chlorine ions without incuring troubles such as deterioration/damages of an ion exchange membrane and an ion exchange body caused by corrosion of the electrode and generation of free chlorine.例文帳に追加

フッ酸や高濃度の塩素イオンを含む原水を、電極の腐食や遊離塩素の発生に起因するイオン交換膜及びイオン交換体の劣化／破損といった問題を引き起こすことなく、有効に脱塩処理を行うことができる電気式脱塩装置を提供する。 - 特許庁

For cleaning an electrostatic chuck 10 with a fluoric cleaning gas plasma for removing an SiO_x film 20 deposited on the periphery of the chuck, a dummy wafer 25 is laid on the central portion of the chuck 10, away from the SiO_x film 20 deposited on the periphery of the chuck 10 during making a specified cleaning.例文帳に追加

フッ素系のクリーニングガスプラズマにより静電チャック１０の周辺部に付着するＳｉＯ_x膜２０を除去するクリーニングの際、静電チャック１０の周辺部に付着するＳｉＯ_x膜２０が存在しない静電チャック１０の中央部分に、ダミーウェハー２５を載置して所定のクリーニングを行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which possesses a light reflection film hard to be molten by fluoric acid in the case of using a silicon oxide for a light reflection film, while providing a light reflection film of 0.5 μm in the semiconductor device using an SOS wafer with a light reflection film advanced in film thinning, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

薄膜化が進む光反射膜を有するＳＯＳウェハを用いた半導体装置において、０．５μｍ以下の光反射膜を提供するとともに、光反射膜にシリコン酸化物を用いた場合にフッ酸によって融解しにくい光反射膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the mask substrate 41 is covered with the fluoric resin coating; the mask 28 and the IC chip 15 of the piezoelectric device 11 fixed in contact with the mask 28 are insulated electrically when the frequency is adjusted to desired frequency, while metallic particle 19 is deposited in vapor to the piezoelectric oscillating piece 14.例文帳に追加

マスク基板４１にフッ素樹脂コーティングが施されていることにより、圧電振動片１４に金属粒子１９を蒸着しながら所望の周波数に調整するとき、マスク２８と、マスク２８と接して固定されている圧電デバイス１１のＩＣチップ１５とが、電気的に絶縁された状態になっている。 - 特許庁

In the overcurrent protection element in which the metal foils are provided on both surfaces of the sheet-shaped conductive composition, the metal foil is a rolling foil and its surface is roughened by a chemical treatment using a chemical solution of at least one or more of phosphoric acid, chromic acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrogen peroxide, and fluoric acid.例文帳に追加

シート状の導電性組成物の両面に金属箔を設けてなる過電流保護素子において、該金属箔が圧延箔であって、その表面をリン酸、クロム酸、硫酸、硝酸、塩酸、過酸化水素、フッ酸の少なくとも１以上の薬液による化学的処理により粗面化したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plating method for a base material made from an aluminum alloy, which does not use nitric acid and fluoric acid for a pretreatment liquid for plating, thereby reduces an environmental load, improves a working environment, reduces a chemical cost, reduces a waste liquid treatment cost and imparts adequate adhesiveness to a plated film.例文帳に追加

めっき前処理に硝酸及び弗酸を用いないようにされて、環境負荷の低減及び労働環境の改善を図ることができるとともに、薬品コスト及び廃水処理コストを削減でき、かつ、良好なめっき密着性を得ることができるようにされたアルミニウム合金製素材のめっき方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming discharge plasma by microwaves or high frequency by introducing gas into a vacuum chamber, and etching the thin film of the material containing porous silica accumulated on the substrate by applying negative bias voltage to the substrate, the etching is performed using the fluoric gas not having double coupling as etching gas.例文帳に追加

真空チャンバー内にガスを導入してマイクロ波や高周波により放電プラズマを形成すると共に基板に負のバイアス電圧を印加して、基板上に堆積したポーラスシリカを含有する材料の薄膜をエッチングする方法において、 エッチングガスとして二重結合を持たないフッ素系ガスを使用してエッチングを行うことを特徴としている。 - 特許庁

A method of washing a silicon wafer which includes the step of dipping a silicon wafer 12 in an aqueous solution containing a fluoric acid and a surfactant respectively to remove an oxide film of a back surface 12a of the wafer, and the step of dipping the wafer obtained by removing the oxide film in a dissolved ozone aqueous solution 14 to wash both surfaces of the wafer is improved.例文帳に追加

フッ酸及び界面活性剤をそれぞれ含む水溶液１１にシリコンウェーハ１２を浸漬させてウェーハ表裏面１２ａの酸化膜を除去する工程と、酸化膜を除去したウェーハを溶存オゾン水溶液１４に浸漬させてウェーハ表裏面を洗浄する工程とを含むシリコンウェーハの洗浄方法の改良である。 - 特許庁

After a first resist pattern 52 for opening a logic element formation region 32 is formed, a third insulating film 18A made of silicon oxide is etched by a fluoric acid aqueous solution with the first resist pattern 52 as a mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 including a buried element separation film 15B of the third insulating film 18A.例文帳に追加

ロジック素子形成領域３２を開口する第１のレジストパターン５２を形成した後、第１のレジストパターン５２をマスクとして、酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１８Ａに対して、弗酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜１８Ａの埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

In a first neutralization treatment process performing part 50, a first neutralizing agent wherein a main alkali component is alkaline earth metal hydroxide is charged in a waste soln. to be treated being an acidic waste soln. so as to selectively precipitate the fluoric acid component in the waste soln. to be treated in a form of alkaline earth metal fluoride to perform first neutralization treatment.例文帳に追加

弗酸成分と硫酸成分とを含有する酸性廃液の中和処理を、アルカリ土類金属水酸化物を投入して弗酸成分を選択的に沈殿させる第一中和処理工程と、それよりもｐＨ値が上昇するようにアルカリ金属水酸化物を投入して、残留硫酸成分を液中溶存形態で中和させる第二中和処理工程との、２段階にて行うようにした。 - 特許庁

When an impurity in a quartz is to be measured by an equipment neutron activation analysis for enclosing a sample into a neutron irradiation container, by irradiating it with neutrons, performing cooling, and then measuring γ rays, a container made of quartz that is etched by a fluoric acid is used as a neutron irradiation container, the sample is transferred from the neutron irradiation container to another container, and then γ rays are measured.例文帳に追加

試料を中性子照射容器へ封入し中性子を照射し冷却した後γ線測定を行う機器中性子放射化分析により石英中の不純物を測定するに際し、中性子照射容器としてフッ酸によりエッチングした石英製の容器を用い、且つ試料を中性子照射容器から別容器に移し替えた後にγ線測定を行うことを特徴とする石英中の不純物の測定方法。 - 特許庁