「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(140ページ目) - Weblio英語例文検索

This structure makes possible electron emission whatever the intervals of the mask pattern in lithography making use of the electron emission by switching of the ferroelectric, so that a uniform electron emission is realized even with a mask pattern formed in isolation in a torus shape.例文帳に追加

この構成により、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィーにおいて、マスクパターン３３の間隔によらずエレクトロンエミッションを行なわせることができ、ドーナツ状に孤立して形成されたマスクパターンにおいても、均一なエレクトロンエミッションを実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for producing methyl 4-(aminomethyl)benzoate by esterifying 4-(aminomethyl)benzoic acid and then obtaining the methyl 4-(aminomethyl)benzoate, capable of avoiding isolation of hydrochloride salt of the methyl 4-(aminomethyl)benzoate formed as an intermediate and therefore advantageous.例文帳に追加

４−（アミノメチル）安息香酸をエステル化し、その後、メチル４−（アミノメチル）ベンゾエートを得ることによって、メチル４−（アミノメチル）ベンゾエートを製造する方法であって、中間体として生成したメチル４−（アミノメチル）ベンゾエートの塩酸塩の分離を回避することができる有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide toner for developing electrostatic latent images that can effectively prevent isolation of an external additive in the toner and effectively prevent desorption of the external additive from toner particles, and that shows stable fluidity and charging property and causes no contamination on a photoreceptor drum or a developing sleeve.例文帳に追加

トナー中の外添剤の遊離を効果的に防止するとともに外添剤のトナー粒子からの脱離も効果的に防止することができ、その結果、安定した流動性、帯電性を有するとともに感光体ドラムや現像スリーブを汚染しない静電潜像現像用トナーを提供することにある。 - 特許庁

An isolation unit 12 comprises a capacitor 11 and a common mode choke coil 10, the capacitor 11 electrically isolates a DC component from a transmission signal coming from a driver 8 and a received signal coming from a transmission line 2, and a common mode choke coil 10 eliminates common mode noises.例文帳に追加

絶縁部１２をコンデンサ１１とコモンモードチョークコイル１０により構成し、ドライバ８からの送信信号および伝送線路２からの受信信号を、コンデンサ１１により直流分を電気的に絶縁すると共にコモンモードチョークコイル１０によりコモンモードノイズの除去を行う。 - 特許庁

Further, it has been found that, when p75NTR^+ is combined with one or more marker proteins selected from c-Kit^+, CD44^+, CD105^+ and CD106^+, the identification, isolation, cultivation and differentiation of the stem cells are synergistically increased.例文帳に追加

さらに、ｐ７５ＮＴＲ^＋に加えて、ｃ−Ｋｉｔ^＋、ＣＤ４４^＋、ＣＤ１０５^＋及びＣＤ１０６^＋から選択されるマーカータンパク質を１種以上組み合わせることで、相乗的に幹細胞の同定、分離培養及び分化誘導の効率が向上することを発見した。 - 特許庁

This vibration isolation support leg 10 is composed of a support leg main body 11 formed by a rubberlike elastic material and a coil spring 12 which is arranged at its outer periphery and whose both end parts 12a, 12b are locked in collarlike projecting parts 112, 113 formed in both end parts of the support leg main body 11.例文帳に追加

防振支持脚１０が、ゴム状弾性材料で成形された支持脚本体１１と、その外周に配置されると共に両端部１２ａ，１２ｂが支持脚本体１１の両端部に形成された鍔状突起部１１２，１１３に係止されたコイルスプリング１２とからなる。 - 特許庁

An insulating substrate is pasted on the back face of the Si bench and an isolation groove reaching the insulating substrate is formed by spacing the Si bench at an appropriate position on the boundary of the transmitting and the receiving sections and the electric crosstalk between the transmitting section and the receiving section is reduced by eliminating an AC current which flows via the Si bench.例文帳に追加

Ｓｉベンチの裏面に絶縁基板を貼り付け、送信部、受信部の境界の適当な部位でＳｉベンチを切り込み絶縁基板にいたる分離溝を形成してＳｉベンチを介して流れる交流電流をなくすことによって送信部・受信部間の電気的クロストークを減らす。 - 特許庁

Moreover, the surface of the extension part 19 (the second conductive layer 18 within the element isolation region 16) is exposed, and a third conductive layer 21 is made through a second insulating film 20 on the second conductive layer 18, and a contact 23 is connected to the extension part 19.例文帳に追加

また、延在部分１９（素子分離領域１６内の第２の導電層１８）の表面を露出して、第２の導電層１８上に第２の絶縁膜２０を介して第３の導電層２１が形成され、延在部分１９にコンタクト２３が接続されている。 - 特許庁

When the battery is overcharged, the voltage thereof rises and gas is generated by heat generation to increase internal pressure, the central attachment part 124 small in adhesion force (junction strength) is separated earlier than the peripheral attachment parts 123, and an isolation state between a first space 125 and a second space 126 is interrupted.例文帳に追加

電池が過充電となり電圧が上昇し発熱によりガスが発生して内圧が増大すると、周縁貼着部１２３より先に貼着力（接合強度）の弱い中央貼着部１２４が剥離し、第１の空間１２５と第２の空間１２６との隔離状態が中断される。 - 特許庁

To display originally excellent vibration isolation performance in the case of the generation of an earthquake, ensuring a fixed trigger function to wind pressure or the like by a severe typhoon having a long return period at a normal time, and to easily restore the trigger function to fixed one after the earthquake abates.例文帳に追加

通常時は再現期間が長い大型台風による風圧などに対する所定のトリガー機能を確保できながら、地震発生時は本来の優れた免震性能を発揮させることができ、また、地震が修まった後は所定のトリガー機能に容易に復元させることができるようにする。 - 特許庁

The device is provided with the semiconductor substrate 10, plate-like hollows 11 formed in the semiconductor substrate 10 and element isolation regions 12 formed on a surface of the semiconductor substrate 10 so that they are brought into contact with end parts in the in-plane directions of the hollows 11.例文帳に追加

半導体基板１０と、前記半導体基板１０内に形成された平板状の空洞１１と、前記半導体基板１０の表面内に、前記空洞１１の面内方向における端部に接するようにして形成された素子分離領域１２とを具備することを特徴としている。 - 特許庁

Consequently, the cables 17 and 18 surely have prescribed isolation from a cylindrical wall portion of a dummy hinge shaft portion 16 and are arranged along a prescribed arrangement path extending from a connection position of a receiver-side substrate 31 to a connection position of a microphone-side substrate 32 through in the hinge portion 5.例文帳に追加

これによって、ケーブル１７，１８は、ダミーヒンジ軸部１６の円筒状壁部との所定の離隔が確保されると共に、レシーバ側基板３１の接続部位から、ヒンジ部５内を通過して、マイク側基板３２の接続部位へ至るまでの所定の配置経路に沿って、配置される。 - 特許庁

The isolation insulator in which cross-sectional shapes of the insulator are circular or oval, and shade diameter sizes of them have 3 or more varieties and they are alternatively and repeatedly arranged so that shade distances are made to be smaller while space insulation distances among shade tips of the greatest diameter insulators are secured.例文帳に追加

本発明の絶縁碍子は、碍子の横断面形状をだ円もしくは長円とし、笠径寸法を３種類以上としてそれらを交互にかつ、繰り返し配置する事により、最大径の碍子笠先端間の空間絶縁距離を確保しつつ、笠間隔を小とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form a recess broadened toward a channel formation region by avoiding formation of the too deep recess, and can suppress abnormal epitaxial growth of an SiGe film upon its epitaxial growth or degradation of the element isolation characteristic of a transistor.例文帳に追加

リセスを形成する際に、できるだけ深くならないようにして、チャネル形成領域側に広げて形成でき、ＳｉＧｅ膜のエピタキシャル成長時の異常成長やトランジスタの素子分離特性の悪化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sliding bearing 10 for base isolation has a first assembly 16 and a second assembly 18 which are coupled respectively to the lower structure 12 and the upper structure 14 of a structure, with a horizontal sliding surface 20 of the first assembly 16 making sliding contact with a horizontal sliding surface 22 of the second assembly 18.例文帳に追加

免震用滑り支承１０は、構造物の下部構造１２に結合される第１アセンブリ１６と、上部構造１４に結合される第２アセンブリ１８とを備え、第１アセンブリ１６の水平滑り面２０と第２アセンブリ１８の水平滑り面２２とが摺接する。 - 特許庁

Further, it has impurity capture layers 21, 22, 23, 24 containing both or either of chlorine and fluorine in at least one of the upper layer of the multi component glass substrate 1, the upper layer of the contamination-preventing insulating film 21, the upper layer of the gate insulating film 6, and the upper layer of the interlayer isolation insulating film 8.例文帳に追加

さらに、前記多成分ガラス基板１の上層、前記汚染防止絶縁膜２１の上層、前記ゲート絶縁膜６の上層、前記層間分離絶縁膜８の上層の少なくとも一つに、塩素とフッ素の双方または片方を含む不純物捕獲層２１，２２，２３，２４を有している。 - 特許庁

Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.例文帳に追加

このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁

During execution of forming operation in which the resistance state of a variable resistance element VR is set to a transition-enabled state with respect to a selection memory cell MC_11, the isolation latches 63, 83 brings the bit lines BL_0 and the word lines WL_2 to which a defective memory cell CPF is connected into a floating state.例文帳に追加

アイソレーションラッチ６３、８３は、選択メモリセルＭＣ＿１１に対して可変抵抗素子ＶＲの抵抗状態を遷移可能にするフォーミング動作を実行する際に、欠陥メモリセルＣＰＦが接続されたビット線ＢＬ＿０及びワード線ＷＬ＿２をフローティング状態にする。 - 特許庁

Hence, since the bipolar transistor can be formed, without causing the penetration of the external base layer or the trench isolation region in the forming of the contact via hole on the external base layer, leakage will not be generated at the collector-base region and is capable of forming the bipolar transistors with high yield.例文帳に追加

そのため、外部ベース層上のコンタクトヴィア形成において外部ベース層又はトレンチ分離の突き抜けを起こすことなくバイポーラトランジスタを形成することができるため、コレクタ・ベース間リークを引き起こすことなく、高歩留なバイポーラトランジスタを形成することができる。 - 特許庁

At least one of the source region 106 and the drain region 106 has a second face for coming into contact with contact wiring; the second face inclines with respect to a first face AA' and intersects with the surface of the element isolation region at not higher than 80 degrees.例文帳に追加

ソース領域１０６およびドレイン領域１０６の少なくとも一方は、コンタクト配線と接触するための第２の面を有し、第２の面は、第１の面ＡＡ’に対して傾いており、第２の面は、素子分離領域の表面と８０度以下の角度で交差する。 - 特許庁

To provide a multilayer polystyrene resin foam molded body for which a sophisticated process for injecting a foamed body after a semi-molded product is manufactured is not required, and in which the outer appearance of the foam molded body thus manufactured is beautiful and lightweight properties, mechanical strength, heat insulation properties, cushioning properties, vibration isolation properties, oil resistance, impact resistance and the like are provided.例文帳に追加

半成形品を製造後、発泡体を注入する複雑な工程が不要であり、得られる発泡成形体の外観が奇麗であり、軽量性、機械的強度、断熱性、緩衝性、防振性、耐油性、耐衝撃性等に優れた多層ポリスチレン系樹脂発泡成形体を提供する。 - 特許庁

Isolation space 12 is provided between the projection lens 4 and discharge opening 20 and respective ribs of a louver 21 are fitted so that the angle between a reference surface orthogonal to the projection direction of the projection lens 4 and a boundary line of a projection range is larger than the angle between the reference surface and the direction of the ribs.例文帳に追加

投射レンズ４と排気口２０との間に隔離スペース１２を設け、ルーバー２１ーの各リブを、投射レンズ４による投射方向と直交する基準面と投射範囲の境界ラインとのなす角度が、基準面とリブの向きとのなす角度以上となるように取り付ける。 - 特許庁

To exhibit a sufficient base isolation effect at earthquake happening time without being influenced by swinging by wind at ordinary time even when applied to a lightweight structure by simultaneously providing a restroring function and a damping function for a sliding bearing means as well as to extremely improve workability.例文帳に追加

滑り支承手段に復元機能と減衰機能とを併有させて軽量構造物に適用した場合でも、通常時に風揺れなどの影響を受けず、地震発生時には十分な免震効果を発揮させることができ、また、施工性にも非常に優れたものとする。 - 特許庁

Then, by adjusting the flow rate of the oxygen of an etching gas including CHF3, the ratio of the etching rate of first and second mask patterns 16B and 20B to that of the element isolation protection film 21 is set to approximately 5:1, and a control gate electrode 15B and a contact electrode 19B are exposed.例文帳に追加

続いて、ＣＨＦ_3 を含むエッチングガスの酸素流量を調節することにより、第１及び第２のマスクパターン１６Ｂ、２０Ｂのエッチング速度と素子分離保護膜２１のエッチング速度との比を５対１程度として、制御ゲート電極１５Ｂ及びコンタクト電極１９Ｂを露出する。 - 特許庁

Furthermore, a double voltage rectifier circuit is formed on the secondary, and secondary windings N2, N2' and N2" are arranged as secondary windings of the power isolation transformer PIT so that currents flowing through rectifier diodes D01 and D02 by the magnetic flux of different polarity have the same magnitudes.例文帳に追加

さらに、二次側は二倍電圧整流回路とし、異なる極性の磁束によって生じる整流ダイオードD01と整流ダイオードD02とに流れる電流の大きさが同一となるように絶縁コンバータトランスＰＩＴの二次巻線として、二次巻線N2と二次巻線N2'と二次巻線N2''とを配した。 - 特許庁

To provide a heater panel A for electric floor heating incorporating a wire heater 54 or a surface heater on a rear face side of a wooden basic member 50, capable of ensuring both of high thermal insulation performance and high sound isolation performance without worsening sense of walking, and enabling direct bonding construction onto a concrete slab.例文帳に追加

木質基材５０の裏面側に線ヒーター５４あるいは面ヒーターが組み込まれている電気式床暖房用のヒーターパネルＡにおいて、歩行感の悪化を招くことなく高い断熱性能と遮音性能とを共に確保できるようにして、コンクリートスラブへの直貼り施工を可能とする。 - 特許庁

To provide a base isolation device capable of taking a large range of operation for the size of the device, having an insulating function against the largeness of amplitude, adding a revertive function or a trigger function in addition to the insulating function and enlarging the control of a range of operation as compared with the scale of device.例文帳に追加

装置の大きさの割に動作範囲を大きくとることができ、大きな振幅に対する絶縁機能を有し、しかもその絶縁機能に加えて復帰機能やトリガ機能を付加したり動作範囲の規制に関する設定の自由度の大きい免震装置を提供する。 - 特許庁

The isolated converter for isolating a signal source from earth includes: an amplifier circuit 2 for receiving an output signal of a filter 1 and outputting a reference signal; an isolation circuit 3 for receiving the reference signal and shutting off noise in the reference signal; and a voltage follower 4.例文帳に追加

アースから信号源を絶縁するための絶縁変換装置であって、フィルター１からの出力信号を受信し基準信号を出力する増幅回路２と、前記基準信号を受信し前記基準信号のノイズを遮断する絶縁回路３と、電圧フォロア４を有する。 - 特許庁

A developing system of a toner having a positive charging external additive having 0.5 to 5% isolation rate is characterized in that: a supply bias with superposition of an AC component is applied between a developing roller and a supply roller; and the waveform of the supply roller surface voltage is different from that of the developing roller surface voltage.例文帳に追加

遊離率０．５〜５％の正帯電性外添剤を有するトナーの現像システムにおいて、現像ローラと供給ローラ間に交流成分を重畳した供給バイアスを印加するとともに、供給ローラ表面電圧波形と現像ローラ表面電圧波形とを異ならせたものである。 - 特許庁

The antireflection film (ARC) 103, the silicon nitride film 102, and the silicon board 101, are etched continuously and collectively by using an etching gas containing at least an NF_3 gas or an SF_6 gas or the NF_3 gas and the SF_6 gas, thus forming the trenches 105 for the element isolation (STI).例文帳に追加

少なくとも、ＮＦ_3ガス、又はＳＦ_6ガス、又はＮＦ_3ガスとＳＦ_6ガスを含むエッチングガスを用い、反射防止膜（ＡＲＣ）１０３と、シリコン窒化膜１０２と、シリコン基板１０１のエッチングを、連続的に一括で行い、素子分離（ＳＴＩ）のためのトレンチ１０５を形成する。 - 特許庁

To provide a binder resin for toners which has good fixability because of excellent thermal responsiveness in fixing, so that a high-glossiness image can be formed, and which excels also in anti-hot-offset properties, storage stability and mechanical strength and suppresses isolation of incorporating components in kneading, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

定着時の熱応答性に優れるために定着性が良好で光沢度の高い画像を形成でき、非ホットオフセット性、保存性、機械的強度にも優れ、混練時における含有成分の分離も抑制されたトナー用結着樹脂とその製造方法を提供。 - 特許庁

Additionally, a foundation 4 made of a lower part foundation 5 constructed on the ground and an upper part foundation 6 constructed on the upper side of this lower part foundation 5 is constructed on the lower end part of the building frame, and plural number of the base isolation devices 7 are arranged between the lower part foundation 5 and the upper part foundation 6 with specified intervals between them.例文帳に追加

また、建物躯体の下端部に、地盤上に構築された下部基礎５とこの下部基礎５の上側に構築された上部基礎６とからなる基礎４を構築し、下部基礎５と上部基礎６との間に複数の免震装置７を所定間隔に配置する。 - 特許庁

In a free-flow electrophoresis device impressing a voltage vertically to a flow, while making a sample and buffer solution to flow from an upper stream to a lower stream, and implementing electrophoresis, the cross section and the length of a plurality of preparative isolation channels 5(1)-5(n+m) installed in the lower stream side are constituted equal to each other.例文帳に追加

試料および緩衝液を上流から下流へ流しながら、流れと垂直に電圧を印加し電気泳動を行うフリーフロー電気泳動装置において、下流部に設置される複数の分取流路５(1) 〜５(n＋m)の断面および、長さが等しい構成とする。 - 特許庁

In this way, the sliding motion of the sleeve bearing 3 of the base isolation device attached right under a column 5 of a building frame 4 is gradually restricted as the sleeve bearing moves to the outer periphery of the slide plate 1 by the action of the frictional face, accordingly the sleeve bearing is prevented from coming off from the slide plate 1.例文帳に追加

これにより、建物躯体４の柱５の直下に取付けられた免震装置の摺動支承３は、震度の大きな地震の場合にも、前記摩擦面の作用ですべり板１の外周に移動するに従って摺動が徐々に制限され、すべり板１より外れることがない。 - 特許庁

To eliminate vertical displacement of an upper structure part 2 by horizontal directional vibration in a gravity restorable base isolation structure 3 by an eccentric roller bearing 4 for restoring the upper structure part 2 to an origin position to a lower structure part 1 by the dead weight.例文帳に追加

上部構造部２がその自重により下部構造部１に対して原点位置へと復元していくようになされた偏心ローラー支承４などによる重力復元式免震構造３において、水平方向の振動による上部構造部２の上下の変位をなくす。 - 特許庁

The isolation and characterization of genes involved in proteolytic processing in species of the genus Pichia and the availability of such genes enable the generation of the strains of Pichia which are deficient in proteolytic activity and useful as hosts for the expression of proteolytically sensitive recombinant products.例文帳に追加

ピキア属の種のタンパク分解処理に関係する遺伝子の単離と特性化、およびこのような遺伝子の利用可能性が、タンパク分解活性の欠損した、タンパク分解感受性組換え産物の発現に宿主として有用であるピキア菌株の発生を可能にしている。 - 特許庁

An HFET 1 has a non-doped GaN layer 11 and a non-doped AlGaN layer 12 stacked on a substrate 10 made of SI-SiC, and also has a source electrode 13, a gate electrode 14, and a drain electrode 15 formed on the AlGaN layer 12 and isolated from other elements by an element isolation region 16.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１は、ＳＩ−ＳｉＣからなる基板１０上に、ノンドープのＧａＮ層１１、ノンドープのＡｌＧａＮ層１２が積層され、ＡｌＧａＮ層１２上にソース電極１３、ゲート電極１４、ドレイン電極１５が形成され、素子分離領域１６によって他の素子と分離されている構造である。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.例文帳に追加

高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター／セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Under such an arrangement, flux density of a power isolation transformer PIT is set not higher than a predetermined level so that the rectification operation current of a secondary both wave rectification circuit is in a continuous mode regardless of load variation thus suppressing increase in ripple voltage of the secondary DC output voltage caused by power regeneration.例文帳に追加

この構成の下で、絶縁コンバータトランスＰＩＴの磁束密度を所定以下に設定することで、負荷変動に関わらず二次側両波整流回路の整流動作電流が連続モードとなるようにして、これにより、電力回生に起因する二次側直流出力電圧のリップル電圧の増加を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the metal fuses 11 formed in the fuse region formed above the element isolation region of a semiconductor substrate, and the polysilicon wiring 16 which are located in a lower layer than the metal fuses and are arranged along the sides of the metal fuses when viewed in top view and which are hardly blown by laser light which is irradiated to bow the metal fuses.例文帳に追加

半導体基板の素子分離領域の上方に設定されるヒューズ領域に形成されたメタルヒューズ１１と、メタルヒューズより下層側で平面的に見てメタルヒューズの側方に沿って配置され、メタルヒューズをブローする際に照射されるレーザー光ではブローし難いポリシリコンからなる配線１６とを具備する。 - 特許庁

In the method of forming the element isolation trench, the upper end of the liner 14 composed of the silicon nitride film is exposed by downwardly retreating the top surface of a first embedded insulating film 17 packed in a groove 2a formed into a silicon substrate 1, after the liner 14 is caused to deposit on the internal wall of the groove 2a.例文帳に追加

本発明による素子分離溝の形成方法は、シリコン基板１に形成した溝２ａの内壁に窒化シリコン膜ライナー１４を堆積した後、溝２ａの内部に充填した第１の埋め込み絶縁膜１７の上面を下方に後退させ、窒化シリコン膜ライナー１４の上端部を露出させる。 - 特許庁

Since the additive agent isolation ratio of the toner 5 is set to be ≥1%, the amount of the free additive agent among the toner left after transfer increases, and then, the free additive agent functions as lubricant between the cleaning blades 12a and 13a, the organic photoreceptor 2 and the intermediate transfer belt 7 so as to reduce the friction between them.例文帳に追加

このトナー５の外添剤遊離率が１％以上に設定されているので、転写残りトナーの遊離外添剤が多くなり、これらの遊離外添剤がそれぞれ各クリーニングブレード１２ａ,１３ａと有機感光体２および中間転写ベルト７との間で滑剤として作用し、これらの間の摩擦が軽減する。 - 特許庁

The other means is to have the first spacer removed and replaced with a second spacer 48 which has a width smaller than that of the first one, and a new silicon source/drain region 60 formed under a self-aligned isolation region 56 by lateral selective full overgrowth, by using the newly exposed silicon/ledge 46 as a seed.例文帳に追加

第２に、第１のスペーサを除去し、第１のスペーサの横幅より狭い横幅を有する第２のスペーサ４８で置き換え、横方向選択エピタキシャル全面成長を用い新たに露出したシリコン・レッジ４６をシードとして用い自己整合した分離領域５６下に新たなシリコンのソース／ドレイン領域６０を成長させる。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is provided with the photoelectric conversion element and an element isolation region disposed to a semiconductor substrate, and has a plurality of inter-layer insulating layers including a first inter-layer insulating layer disposed most closely to the semiconductor substrate and a second inter-layer insulating layer disposed covering the first inter-layer insulating layer.例文帳に追加

光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と素子分離領域とを有し、半導体基板に最も近接して配された第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁層を覆って配された第２の層間絶縁層と、を含む複数の層間絶縁層とを有する。 - 特許庁

After the thin-film device 140 is formed, the thin-film device 140 is joined to a primary transfer destination 180 via a second isolation layer 160 composed of water soluble adhesive, organic solvent soluble adhesive, or adhesive that has a stripping action through heating or ultraviolet irradiation, and then, a laser beam is projected from the back of the substrate.例文帳に追加

薄膜デバイス１４０の形成後、水溶性、有機溶剤溶融性、あるいは加熱または紫外線照射により剥離作用を有する接着剤からなる第２分離層１６０を介して薄膜デバイス１４０を一次転写体１８０に接合した後に、基板側からレーザー光を照射する。 - 特許庁