「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(144ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device capable of avoiding the occurrence of an undesirable hump phenomenon by a response of drain current Id by gate voltage Vg by a parasitic transistor to be generated in an edge portion of an active region adjacent to an interface between an isolation region and the active region.例文帳に追加

素子分離領域と活性領域との界面に隣接した活性領域のエッジ部分に生じる寄生トランジスタによって、ゲート電圧Ｖｇによるドレイン電流Ｉｄの応答で好ましくないハンプ現象の発生を回避することができる半導体素子半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The ion generating element has a plus discharge section generating a plus ion, and a minus discharge section generating a minus ion, and the plus discharge section and the minus discharge section are arranged by separating at a designated interval capable of securing isolation between the both discharge sections on the same plane.例文帳に追加

本発明に係るイオン発生素子は、プラスイオンを発生するプラス放電部およびマイナスイオンを発生するマイナス放電部を備えたイオン発生素子であって、前記プラス放電部とマイナス放電部を同一平面上で、かつ両放電部間での絶縁を確保できる所定間隔を隔てて配置した構成としている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a substrate (102) having recesses formed in the surface, and an element isolation insulating film 105 including a first oxide film 106 which is formed in the recess 103 of the substrate, and a second oxide film 108 which is formed on the first oxide film 106 and having film density different from that of the first oxide film 106.例文帳に追加

半導体装置１００は、表面に凹部が形成された基板（１０２）と、基板の凹部１０３に形成された第１の酸化膜１０６と第１の酸化膜１０６上に形成され、第１の酸化膜１０６と膜密度が異なる第２の酸化膜１０８とで構成された素子分離絶縁膜１０５と、を含む。 - 特許庁

In normal condition, the total weight of the building 5 and the bed slab 2 ensures stability against lateral wind pressure and, in earthquake when the foundation 1 is subjected to strong horizontal earthquake power, the bed slab 2 and the building 5 are horizontally slid on the foundation 1 via the sand 3 to relief earthquake power and thus show base isolation effect.例文帳に追加

平時において建物５と底盤２との重量で横方向の風圧に対しても安定状態が保たれ、地震時においては基礎１が強い水平方向の地震力を受けたら、砂３を介して底盤２及び建物５が基礎１に対して水平滑りが起こり、地震力を逃して免震効果を得る。 - 特許庁

The isolation structure of a motor generator 11 as a rotating electrical machine includes a motor case 21 which forming an inner space 25 and stores the motor generator 11 in the inner space 25, a compressor 31 connected to the motor case 21 and capable of supplying air to the inner space 25, and an altitude meter which detects altitude of a place where a vehicle runs.例文帳に追加

回転電機であるモータジェネレータ１１の絶縁構造は、内部空間２５を形成し、内部空間２５にモータジェネレータ１１を収容するモータケース２１と、モータケース２１に接続され、内部空間２５に空気を供給可能なコンプレッサ３１と、車両が走行する場所の標高を検出する標高計とを備える。 - 特許庁

To provide an electroabsorption optical modulation module having a monolithically integrated photodetector whereby the optical axes of the photodetector and a distributed feedback laser are readily aligned, a malfunction caused by an ambient environment is prevented in the photodetector, and electrical isolation is readily obtained between the photodetector and the distributed feedback laser.例文帳に追加

光検出器と分布帰還レーザの光軸整列の容易化、周辺環境の影響による光検出器の誤作動の防止、光検出器と分布帰還レーザとの電気的絶縁性確保の容易化が図られた、光検出器がモノリシック集積された電界吸収型光変調モジュールを提供する。 - 特許庁

The active lightweight sound isolation unit 20 is constituted by stacking a bottom plate section 13 formed by stacking plastic corrugated boards 13a and 13b, on the flat speaker 21 formed by pinching a thin printed coil plate 21e via buffer sheets 21ga and 21gb with permanent magnet plate 21a, 21b, thereby reducing a primary sound source.例文帳に追加

薄型プリントコイル板２１ｅを緩衝シート２１ｇａ、２１ｇｂを介して永久磁石板２１ａ、２１ｂで挟んで形成した平面スピーカ２１に、プラスチックダンボール１３ａ、１３ｂを重ねて形成した底板部１３を重ねたアクティブ軽量遮音ユニット２０を構成することによって、一次音源を低減する。 - 特許庁

To solve the problem, the crane base isolation supporting beam structure for supporting the frame of a tower crane comprises an outrigger for the crane frame passing through an opening formed at the web of a supporting beam, the supporting beam and the crane frame fixed to each other via the vibration damping means.例文帳に追加

上記課題を解決するため、タワークレーンの架台を支持するクレーン基礎免震受け梁構造において、受け梁のウェブに設けた開口部に該クレーン架台のアウトリガーを貫通させ、該受け梁とクレーン架台とを振動減衰手段を介して固定してなるクレーン基礎免震受け梁構造を特徴とする。 - 特許庁

A clock isolation function separates a card edge side port of a PCI Express bridge chip 13 and an optical cable side port as domains operating separate clocks, and a clock (first clock) used in the optical cable side port is supplied from a clock source 14 on a PCI Express/optical cable conversion board 10.例文帳に追加

クロックアイソレーション機能によりＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓブリッジチップ１３のカードエッジ側ポートと光ケーブル側ポートとを別々のクロックで動作する領域として分離し、光ケーブル側ポートで用いるクロック（第１のクロック）を、ＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ／光ケーブル変換ボード１０上のクロック源１４から供給する。 - 特許庁

An isolation film possible to be peeled and stuck is tightly stuck to a cathode position of the fuel cell system or peeled from the cathode position, thereby a cathode of a fuel cell is perfectly isolated from ambient air under a state of tight sticking and the ambient air is supplied to the cathode of the fuel cell system under a state of peeling.例文帳に追加

剥離と貼り付け可能な隔離膜が緊密に燃料電池システムの陰極位置に貼り付けられるか、陰極位置より剥離され、これにより緊密な貼り付け状態下で、外界空気と燃料電池の陰極を完全に隔離し、及び、剥離状態下で、外界空気を燃料電池システムの陰極に流通させる。 - 特許庁

The polyphenol derived from rice which is a natural product free from anxiety of adverse effect, etc. and used from from a long time ago has effect of strongly suppressing melanogenesis and has effect of suppressing mast cell and/or basophil degranulation and suppressing isolation of a chemical substance such as histamine, serotonin or leukotriene as a result.例文帳に追加

副作用等の心配のない古くから用いられている天然物であるイネ由来のポリフェノールは、メラニン生成を強く抑制する効果があり、また、肥満細胞及び／又は好塩基球の脱顆粒を抑制し、結果としてヒスタミン、セロトニン、ロイコトリエン等の化学物質の遊離を抑制する効果がある。 - 特許庁

In the base isolation device 10, local shear strain is inhibited and durability is improved even if bidirectional independent exciting forces mutually crossing act in the plane crossing the axial direction at right angle by partially pasting a rubber reinforcement layer 11 having the elastic coefficient higher than that of a rubber layer 1 on a radially outside of a laminated body 4.例文帳に追加

免震装置において、積層体４の半径方向外側に、ゴム層１より高い弾性係数を有するゴム強化層１１を部分的に貼り付けることにより、軸方向と直行する面内で互いに交差する２方向の独立した加振力が作用しても局部剪断歪を抑え耐久性を向上させる。 - 特許庁

The method for forming electrical isolation includes a step of forming multiple wiring lines 16 on the surface of the substrate, and that of a primary layer 48 composed of amorphous carbon by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method so that air may be filled and air gap may be arranged between adjoining wiring lines under the primary layer 48 on the wiring lines 16.例文帳に追加

複数の配線ライン１６を基板表面の上に形成すること、および前記配線ライン１６の上に、第１層４８の下であって隣りあう配線間には、空気が満たされ空隙を設けるように、非晶質炭素である第１層４８をプラズマ助長化学気相（ＰＥＣＶＤ）により形成すること、を含む。 - 特許庁

To provide a structure displacement limit device capable of preventing excessive displacement in the horizontal direction of an upper structure to a lower structure due to a gale or an earthquake so as to prevent damage of the upper structure even in the case of using a base isolation device in a lightweight structure, and a structure using it.例文帳に追加

軽量構造物に免震装置を用いた場合であっても、強風又は地震による上部構造物の下部構造物に対する水平方向の過大な変位を防止でき、而して、上部構造物の損傷等を防止できる構造物変位制限装置及びそれを用いた構造体を提供すること。 - 特許庁

The trench isolation structure 20 has structures that an insulation film 4 is disposed on the inner surface of a trench provided inside a silicon substrate 1, and that doped polysilicon for which phosphorus is doped to the density of about 1×1020/cm3 for instance as the conductor 3 is buried on a lower part side inside a trench space stipulated by the insulation film 4.例文帳に追加

トレンチ分離構造２０はシリコン基板１内に設けられたトレンチの内面に絶縁膜４を配設し、絶縁膜４で規定されるトレンチ空間内の下部側に、導電体３として、例えばリンを１×１０^20／ｃｍ^3程度の濃度にドープしたドープトポリシリコンが埋め込まれた構成を有している。 - 特許庁

To provide a required object, for requiring a minimum structural element capable of reducing swinging, capable of largely securing an opening part and capable of bearing a wooden building having durability, in a present state wooden building of causing swinging of about 10 times as compared with a concrete building, even if a devised structural wall and a base isolation mechanism are introduced.例文帳に追加

工夫した構造壁や免震のしくみを導入しても、コンクリート造に比べ１０倍ほどの揺れとなってしまっている現状の木造について、揺れを縮小し、開口部を大きく取れて、かつ耐久性を有する木造を誕生させることのできる、最小限の構造要素が求められており、それを提供する。 - 特許庁

To provide a vibrational energy absorber, and a structure having this absorber constitutable in a small shape without requiring an occupying space so much without requiring to specially increase rigidity of a part of a structure for receiving resistance force or a base isolation structure for receiving the resistance force and restoring force of a restoring means.例文帳に追加

抵抗力を受ける構造物又は抵抗力と復帰手段の復元力とを受ける免震構造物の部位の剛性を特に大きくしなくてもよい上に、それ程占有スペースを必要としないで小型に構成できる振動エネルギ吸収装置及びそれを備えた構造物を提供すること。 - 特許庁

After the abolition of the embassies to China, in the Japanese aristocratic society, in which an isolation policy was practiced based on a petit Sino centrism, there were accumulated discontent with and criticism of the tribute trade because Japan was treated as vassal to the emperors of Ming; but, as the aristocrats were not able to speak out publicly in the face of the Yoshimitsu's strong influence, they could do nothing but comment on their dissatisfaction in diaries or other documents. 例文帳に追加

遣唐使の廃止以来、独自の小中華思想に基づく孤立政策を採っていた公家社会では明皇帝の臣下となる朝貢貿易に対して不満や批判が多くあったが、義満の権勢の前では公な発言ができず日記などに記すのみであった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On March 3 (March 31), Perry landed in Yokohama Village of Musashi Province in Kanagawa (present-day Yokohama City, Kanagawa Prefecture), where a 12-article treaty between the United States of America and the Empire of Japan was signed (the Treaty of Kanagawa), that is, the agreement between Japan and the United States became official, and Japan's 200 years of national isolation that stretched back to the regime of Iemitsu TOKUGAWA came to an end. 例文帳に追加

3月3日（3月31日）、ペリーは約500名の兵員を以って武蔵国神奈川の横浜村（現神奈川県横浜市）に上陸し、全12箇条に及ぶ日米和親条約（神奈川条約）が締結されて日米合意は正式なものとなり、徳川家光以来200年以上続いてきた、いわゆる鎖国が解かれた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The military doctrine of the offensive operations was stated which were to beware of foreign countries where conflicts occurred after avoiding international isolation, to endeavor to have an advantage in the war with a close alliance while preventing the enemy countries from uniting, and to defeat the enemies in a foreign country and bring the war a rapid end. 例文帳に追加

また国際的な孤立を回避した上で対立がもっとも激しい外国に対しては警戒し、敵国が結合することを防ぎながら同盟を密接にして戦争遂行で優位に立つように努め、敵を海外において撃破して速やかに終結するという攻勢作戦の軍事ドクトリンが述べられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The electrode isolation wall 20, which is formed on a substrate 10 with transverse first electrodes in perpendicular relation to the first electrodes to isolate second electrodes, is formed out of an inorganic dielectric material and structured with a T-shaped section.例文帳に追加

横條状の第１電極が形成された基板（１０）上にあって、第２電極を隔離するために第１電極と垂直に形成された電極隔離壁（２０）において、 該電極隔離壁（２０）は、無機誘電材料で形成され、且つ断面がＴ形を呈する構造とされたことを特徴とする、電極隔離壁としている。 - 特許庁

This method includes selective isolation of peptides (NHNR peptides) containing both no arginine and no histidine from all the proteins, and measurement of a relative concentration of one or several proteins in different samples, based on an area ratio estimated theoretical spectra of the NHNR peptides labelled with different isotopes in the respective samples.例文帳に追加

この方法は、アルギニンもヒスチジンも含まないペプチド（ＮＨＮＲペプチド）のすべてのタンパク質からの選択的単離と、各試料中の異なるアイソトープで標識されたＮＨＮＲペプチドの推定理論的スペクトルの面積の比から、異なる試料中の１つまたは数個のタンパク質の相対的濃度の測定とを含む。 - 特許庁

Further, a method is provided for fabricating an image sensor that includes a photodiode formed in a substrate adjacently to the sidewalls of the trenches, including a step of forming trenches for STI in the substrate, a step of forming channel stop films on the substrate inside the trenches, and a step of forming device isolation films in the trenches.例文帳に追加

また、基板にＳＴＩのためのトレンチを形成するステップと、前記トレンチ内の前記基板上にチャンネルストップ薄膜を形成するステップと、前記トレンチに素子分離膜を形成するステップと、前記トレンチの側壁に隣接して基板内に形成されたフォトダイオードとを含むイメージセンサの製造方法が提供される。 - 特許庁

Base-isolation supports 24 are provided in positions on a predetermined imaginary arc 30 drawn within an imaginary vertical plane and are each oriented in a direction such that its axis 28 passes through the point of intersection between a vertical axis 32 passing through the center 31 of the imaginary arc 30 and the imaginary arc 30.例文帳に追加

免震支承２４を、仮想鉛直平面内に描かれる所定の仮想円弧３０上に位置するようにそれぞれ設けるとともに、免震支承２４を、その中心軸線２８が、仮想円弧３０の中心３１を通る鉛直軸３２と仮想円弧３０との交点を通るような向きに配置した。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film of a semiconductor element in which, since a smiling atmosphere is precluded from occurring at the edge of a tunnel oxide film formed in a semiconductor substrate and the upper corner of a trench can be formed round, the reliability of the process and electric characters of the element can be enhanced.例文帳に追加

半導体基板に形成されたトンネル酸化膜の縁部にスマイリング現象が生じることを防止するとともにトレンチの上部コーナーを丸く形成することができるため、その結工程の信頼性及び素子の電気的な特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜の形成方法。 - 特許庁

Since foaming aluminum 3b is bonded to a core material made of synthetic resin 3a in an instrument panel main body 3, functions of the foaming aluminum 3b such as electrostatic/electromagnetic shield property, conductivity, heat conductivity, sound proofing property, sound isolation and impact absorbing performance can be added to the basic function of the synthetic resin 3a.例文帳に追加

インストルメントパネル本体３における合成樹脂３ａ製の芯材に発泡アルミ３ｂが接合されているため、合成樹脂３ａの基本的機能に、発泡アルミ３ｂのもつ静電・電磁シールド性、導電性、伝熱性、防音性、遮音性、衝撃吸収性等の機能を付加をすることができる。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a semiconductor device whereby a semiconductor device with a high breakdown strength MOS type transistor can be manufactured readily at a low cost, by forming a drift region of complete dielectric isolation and a proper thickness by using a semiconductor device with a high breakdown strength MOS transistor, especially an SOI board.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置、特に、ＳＯＩ基板を用いて、完全な誘電体分離と適切な厚みのドリフト領域を形成することにより、高耐圧のＭＯＳ型トランジスタを有する半導体装置をより簡便かつ低コストに製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device by forming a shallow trench isolation (STI) 12 on a silicon substrate 11 and forming a gate insulation film covering the corner part of the STI 12 in a region isolated by the STI 12, fluorine ions are implanted into a gate electrode 15 and diffused to the gate insulation film 14.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２を形成し、このＳＴＩ１２で分離された領域にＳＴＩ１２のコーナー部を覆うゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極１５にフッ素イオンを注入し、該フッ素イオンをゲート絶縁膜１４に拡散させる。 - 特許庁

The device further includes a means (for example, short-circuiting protection module including a fuse or current sensor circuit, and an electric isolation switch) for isolating anyone of the sensor cell groups from the related bus line, in response to the fact that the anyone out of the large number of finely machined sensor cells in anyone of the sensor cell groups is short-circuited to grounding.例文帳に追加

更に、いずれか１つのセンサ・セル群の多数の微細機械加工したセンサ・セルの内のいずれか１つがアースに短絡されたことに応答して、該センサ・セル群をその関連した母線線路から隔離する手段（例えば、ヒューズ、又は電流センサ回路と電気隔離スイッチとを含む短絡保護モジュール）が設けられる。 - 特許庁

Shielding layers 17-1, 17-2, 17-3, etc., are arranged in the element isolation regions in such a manner that their bottom portions are lower than the channel regions and their upper portions are higher than at least the main surface of the semiconductor substrate to provide electric and magnetic shield between their storage layers and channel regions of adjacent memory cells.例文帳に追加

上記素子分離領域内には、下部がチャネル領域よりも低く、上部が少なくとも半導体基板の主表面よりも高い位置に形成され、隣接するメモリセルの電荷蓄積層とチャネル部分との間を電気的及び磁気的に遮蔽するシールド層１７−１，１７−２，１７−３，…が設けられている。 - 特許庁

To provide a vibration removing device with base isolation function capable of exhibiting a reliable vibration removing effect with respect to anti-vibration equipment mounted thereon during normal operation and of surely preventing the damage to a vibration removing mechanism and the collapse or damage of anti-vibration equipment when a large oscillation is generated at the occurrence of an earthquake or the like.例文帳に追加

通常時においては載置した嫌振機器に対して確実な除振効果を発揮することができ、地震発生時など大きな揺れが発生した際には、除振機構の損傷及び嫌振機器の倒壊或いは損傷を確実に防止することができる免震機能付き除振装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus of manufacturing a semiconductor light emitting device which reduce the variance of irradiation of a laser light and entirely and uniformly form an isolation layer for isolating a growth substrate by reducing the warpage of a large-area wafer (growth substrate and supporting substrate), as a part of a process of removing the growth substrate for the large-area wafer.例文帳に追加

大面積ウェハ（成長用基板および支持基板）の成長用基板除去プロセスの一環として、該ウェハの反りを低減することで、レーザ光の照射むらを低減し、成長用基板を分離するための分離層を全面均一に形成できる半導体発光素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

After a buried insulating film 111 of a film thickness full to fill this groove 110 is formed, the film 111 or the film 104 is polished by a CMP method using the film 103 as a stopper film and after that, the film 103 is removed by ashing and moreover, the film 102 is removed to form a grooved element isolation structure.例文帳に追加

この溝を埋込むのに十分な膜厚の埋込み絶縁膜１１１を形成後、埋込み絶縁膜または灰化保護膜１０４を、ＤＬＣ膜をストッパー膜としたＣＭＰ法により研磨した後、ＤＬＣ膜を灰化除去し、さらに第１のＳｉ酸化膜を除去して溝型素子分離構造を形成する。 - 特許庁

To effectively use the interiors of trench regions for a wiring, to contrive reduction in a chip size, to reduce the size of a cell pattern in the direction intersecting orthogonally a word line in the case where a semiconductor device is applied to the memory cell of a CMOS STRAM, and to enable the speedup of the STRAM in the device using a trench element isolation structure.例文帳に追加

トレンチ型素子分離構造を用いた半導体装置において、トレンチ領域の内部を配線のために有効に活用し、チップサイズの縮小化を図り、ＣＭＯＳ型のＳＲＡＭのメモリセルに適用した場合には、ワード線に直交する方向のセルパターン寸法を縮小化し、ＳＲＡＭの高速化を実現する。 - 特許庁

A lower electrode S1b formed of a first polysilicon layer is formed on an element isolation insulating film 2b, a dielectric film 6 is formed on the lower electrode S1b, an upper electrode S2b formed of a second polysilicon layer, whose sheet resistance is higher than that of the first polysilicon layer, is formed on the dielectric film 6 and a capacitance Y1 is formed.例文帳に追加

素子分離用絶縁膜２ｂの上に第１のポリシリコン層からなる下部電極Ｓ１ｂが形成され、下部電極Ｓ１ｂの上に誘電膜６が形成され、誘電膜６の上に第１のポリシリコン層よりシート抵抗の高い第２のポリシリコン層からなる上部電極Ｓ２ｂが形成され、容量Ｙ１が形成される。 - 特許庁

A Y-shaped potential divider 1, 'Wilkinson Divider', comprised of λ/4 (λ is a wavelength) line elements Z1-Z3 is interposed between a capacitor C1 on the side of a high-frequency input/output terminal A and a D.C. voltage input terminal B to utilize isolation characteristics between the terminal B and an output terminal C.例文帳に追加

高周波入出力端子Ａ側のコンデンサＣ１と直流電圧入力端子Ｂとの間に、λ／４（λは波長）ライン素子Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３から成るＹ形の電力分配器１“Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ Ｄｉｖｉｄｅｒ”を介装し、上記端子Ｂと出力端子Ｃとの間のアイソレーション特性を利用する。 - 特許庁

The buffer structure 1 of the lining body mounted on the upper part of a supporting body (holding girder 6) is constituted of the vibration insulation member (rubber member 3) mounted to the lower surface of the lining body 4 and a buffer protection member (urethane plate 2) lying between the vibration isolation member (rubber member 3) and the supporting body (holding girder 6).例文帳に追加

支持体（受桁６）の上部に載置されている覆工体の緩衝構造１において、覆工板４の下面に設置した防振部材（ゴム部材３）と、この防振部材（ゴム部材３）と支持体（受桁６）との間に介在させた緩衝保護部材（ウレタン板２）とから構成されることを特徴とする。 - 特許庁

The sill support member 9 is equipped with a seismic isolation laminated body 27 inserted between two base plates 25, anchor bolts 29, a cylindrical cap 31 or the like fixed to a base plate at the lower side, and the sill support member 9 is attached to the foundation support by externally fitting the cap 31 to the upper end portion of the foundation support 7.例文帳に追加

土台支持部材９は、２枚のベースプレート２５の間に介挿した免震ゴム積層体２７と、アンカーボルト２９と、下側のベースプレートに固定した筒状のキャップ３１等を備えており、キャップ３１を基礎支柱７の上端部に外嵌することで土台支持部材９が基礎支柱に取り付けられる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a device function element formed on a semiconductor substrate; a charge storage element formed on the semiconductor substrate; and an isolation element formed on the semiconductor substrate, and connected between the device function element and the charge storage element, and formed from an electrically rewritable and nonvolatile memory transistor.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたデバイス機能素子と、半導体基板上に形成されたチャージ蓄積用素子と、半導体基板上に形成され、デバイス機能素子とチャージ蓄積用素子との間に接続され、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリトランジスタにより形成された分離用素子とを有する。 - 特許庁

A trench for element isolation area is formed in the semiconductor substrate 1 by etching the semiconductor substrate 1 with the protective silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 with the predetermined areas each opened as the masks, and an insulative shielding film 402 absorbing electromagnetic wave is formed so as to be along the side wall surface and bottom of the trench.例文帳に追加

つぎに、所定領域が開口された保護酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３をマスクとして半導体基板１をエッチングすることにより半導体基板１に素子分離用の溝を形成し、溝の側壁面および底面に沿うように電磁波を吸収する絶縁性の遮光膜４０２を形成する。 - 特許庁

Gate length after etching is made uniform in the wafer plane by controlling the wafer processing direction when the underlying structure of the gate electrode is formed according to a model expression of gate dimensions (or controlling dose for every shot at the time of resist transfer formation in an exposure device while taking account of the underlying structure of isolation).例文帳に追加

すなわち、ゲート寸法のモデル式にしたがいゲート電極の下地構造形成時のウエハ処理方向を制御（または素子分離等の下地構造を考慮して露光装置においてレジスト転写形成時にショット毎にドーズ量を制御）することで、エッチング加工後のゲート長をウエハ面内で均一化する。 - 特許庁

To provide a fluid sealing type vibration isolation device with a navel structure in which abnormal noises and impacts that are generated when enormously-large-load vibrations have been input can be reduced with high reliability and a higher precision while securing fully a fluid flow through an orifice passage when vibrations to be isolated has been input.例文帳に追加

防振すべき振動入力時におけるオリフィス通路を通じての流体流動量を十分に確保しつつ、衝撃的な大荷重振動が入力された際の異音や衝撃の軽減を、高い信頼性をもってより高精度に実現することが出来る、新規な構造の流体封入式防振装置を提供すること。 - 特許庁

Upon acquiring the detection notice generated by the detecting means 1a of the own device or detection notices generated by other network cut-off devices 3a, 3b, the isolation management means 1c generates a cut-off operation request and sends it to a communication cut-off means 1d.例文帳に追加

隔離管理手段１ｃは、自装置の検知手段１ａが生成した検知通知、または他のネットワーク遮断装置３ａ、３ｂが生成した検知通知を取得すると、隔離ポリシー（記憶手段）１ｂに格納される隔離ポリシーに基づき、遮断操作依頼を生成して通信遮断手段１ｄに送る。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes processes of forming an interlayer insulating film 8 on an element isolation film 2 and a semiconductor element; forming a connection hole 8a through the interlayer insulating film 8, which is located on the semiconductor element; and embedding the electrically conductive plug 10 into the connection hole 8a.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、素子分離膜２上及び半導体素子上に層間絶縁膜８を形成する工程と、層間絶縁膜８に、半導体素子上に位置する接続孔８ａを形成する工程と、接続孔８ａに導電プラグ１０を埋め込む工程とを具備する。 - 特許庁

The base-isolation structure is provided with the quake-absorbing anchor bolt whose middle or lower part is composed of a high-strength elastic body of a wire shape made of steel or reinforced resin for absorbing the earthquake energy and also a coil-shaped elastic body made of steel or reinforced resin which surrounds the stem of the anchor bolt.例文帳に追加

地震エネルギーを吸収するための金属もしくは強化樹脂製のワイヤー状の高強度弾性体がその中腹部又は下方部を構成する免震アンカーボルトと、前記アンカーボルトの腹部を囲む金属もしくは強化樹脂製のコイル状弾性体を併せ備えた免震構造による。 - 特許庁