「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(146ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin".例文帳に追加

ＳＢＳＩ法よって製造される半導体装置であって、素子分離層１３を「素子形成領域１０を囲み、囲んだ範囲内でＳＯＩ形成領域１ａとＳＯＩ形成領域１ｃとの間を仕切ると共に、ＳＯＩ形成領域１ｂとＳＯＩ形成領域１ｄとの間を仕切る」平面形状に形成している。 - 特許庁

Then, when the display of a prediction vibration value is instructed, vibration at a position where the vibration isolation device has been disposed is calculated for prediction, based on a database for each of the input distance from the construction position, construction type, and a construction machine type stored in advance, thus displaying prediction results and the evaluation reference value on a display (120-126).例文帳に追加

そして、予測振動値の表示が指示された場合に、入力された工事位置からの距離、及び工事種、並びに予め記憶された建設機械種毎にデータベースに基づいて、嫌振装置が配置された位置における振動を算出することによって予測し、予測結果及び評価基準値をディスプレイに表示する（１２０〜１２６）。 - 特許庁

To reduce a coupling radiation in electric field caused by a stray capacitance between two signal lines in differential signal lines, and a stray capacitance between upper side differential signal lines and a stray capacitance between lower side differential signal lines in the upper/lower differential signal lines, and to make transmission characteristics proper over a wide frequency range by improving isolation characteristics, etc.例文帳に追加

差動信号線路間における２つの信号線路間の浮遊容量、上下差動信号線路における上面側差動線路間の浮遊容量、および下面側差動線路間の浮遊容量によって発生する電界のカップリング放射を抑制し、アイソレーション特性等を改善して広帯域にわたって伝送特性を良好なものとすること。 - 特許庁

The reactor containment has a reactor primary containment apparatus 36 for containing a reactor pressure vessel 2, an upper secondary containment 42 placed above the reactor primary containment 36, and a gas phase vent pipe 44 for connecting between the reactor primary containment 36 and the upper secondary containment 42 by way of an isolation/connection switching means 45.例文帳に追加

原子炉格納容器は、原子炉圧力容器２を格納する原子炉一次格納容器３６と、原子炉一次格納容器３６の上方に設置された上部二次格納容器４２と、原子炉一次格納容器３６と上部二次格納容器４２の間を、隔離連通切替手段４５を介して連結する気相ベント管４４と、を有する。 - 特許庁

To provide a digital cordless telephone system that meets the requirements of DCT standards, that can quickly switch between a transmit function and a receive function, that can utilize a non-switched frequency synthesizer for receive and transmit functions, that provides significant isolation between a transmit component and a receive component and that can be implemented in an IC form.例文帳に追加

ＤＣＴ規格の要件を満たし、送信機能と受信機能との間で素早く切換えることが可能であり、受信及び送信機能のために非切換周波数シンセサイザを使用することができ、送信構成要素と受信構成要素との間に著しい分離を与え、かつＩＣの形式で実現可能なデジタルコードレス電話システムを提供する。 - 特許庁

To provide a small-sized, inexpensive and simple telephone line interface circuit that is operated with a minimum power available when the circuit is hooked off, where a true event and a noise event can be distinguished preliminarily and an event signal can be sent between a device side and a line side while keeping electric isolation between the device side and the line side.例文帳に追加

回路がオンフック状態にあるときに利用可能な最小限の電力量で動作可能な、簡単で小型で低コストの電話線インタフェース回路であって、デバイス側とライン側の間の電気的絶縁を維持しながら、真のイベントとノイズイベントを予備的に区別し、デバイス側とライン側の間でイベント信号を伝えるものを実現する。 - 特許庁

In producing an alicyclic ketone compound such as 2-adamantanone by subjecting an alicyclic alcohol such as 1-adamantanol and 2-adamantanol to sulfuric acid oxidation in a solvent or in the absence of a solvent with the use of sulfuric acid, concentrated sulfuric acid having a sulfuric acid concentration of 90-94 wt.% is used as sulfuric acid to prepare the alicyclic ketone compound in a high isolation yield.例文帳に追加

１−アダマンタノールや２−アダマンタノールなどの脂環式アルコール化合物を、溶媒中または無溶媒で、硫酸を用いて硫酸酸化して２−アダマンタノンなどの脂環式ケトン化合物を製造する際に、硫酸濃度が９０〜９４重量％の範囲にある濃硫酸を使用して、当該脂環式ケトン化合物を高単離収率で製造する。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

Since it is difficult to write data by a head in the perpendicular magnetic medium having the magnetic crystal grains whose isolation is promoted, a second magnetic layer 18 for facilitating magnetization inversion by lowering oxide concentration to slightly increase bonding force between particles only in a surface side magnetic layer is formed in an upper layer of the first magnetic layer 17 to be a main magnetic layer.例文帳に追加

孤立化が促進された磁性結晶粒を有する垂直磁気媒体は，ヘッドによる書き込みが著しく困難となるため，メインとなる第１磁性層17の上層に，酸化物濃度を低くして，表面側磁性層でのみ粒子間の結合を若干強めて磁化反転を容易にさせるための第２磁性層18を形成する。 - 特許庁

A plurality of local select oxide films 4 are formed in a region surrounded by a select oxide film 2 for element isolation serving as an element separation region, and also there is formed the capacitance element configured by sequentially laminating a lower electrode 5, a dielectric film 6 and an upper electrode 7 which are curved along a rugged shape of the local select oxide films 4.例文帳に追加

素子分離領域であって素子分離用選択酸化膜２に囲まれた領域に、複数の局所的選択酸化膜４を有するとともに、局所的選択酸化膜４の凹凸形状に沿って湾曲する下部電極５、誘電体膜６、及び、上部電極７を順次積層した構造の容量素子を設ける。 - 特許庁

A first insulated separation film 5a which partitions an active region and a second insulation isolating film 5b which is thinner than the first insulation isolating film 5a and separates the active region into a first active region 6 and a second active region 7 as element isolation layers made of LOCOS are formed on the major surface S of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面ＳにＬＯＣＯＳからなる素子分離層として、活性領域を区画する第１の絶縁分離膜５ａと、この第１の絶縁分離膜５ａよりも厚さが薄く、且つ、活性領域を第１の活性領域６と第２の活性領域７とに分離する第２の絶縁分離膜５ｂを形成する。 - 特許庁

The damper material for a base isolation device is composed of composition containing at least two kinds of resins having different melting points, and compression-molded at the temperature higher than the melting point of low melting point resin which is the lowest melting point of the resins and at the temperature lower than the melting point of high melting point resin which is the highest melting point of the resins.例文帳に追加

融点の異なる少なくとも２種の樹脂を含有する組成物からなり、前記樹脂のうち最も融点の低い低融点樹脂の当該融点より高い温度で、かつ、前記樹脂のうち最も融点の高い高融点樹脂の当該融点より低い温度で圧縮成型されてなることを特徴とする免震装置用ダンパー材料である。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

A battery charging system 10 which charges the battery of an electric automobile connected to a battery charging probe by means of a diode bridge and fourth element capacitors 16a and 16b is provided with a voltage source 11 and a plurality of battery chargers 20 connected in parallel with the source 11, and each battery charger 20 is provided with a serial tank circuit and an isolation transformer 14.例文帳に追加

ダイオード・ブリッジと第４の素子コンデンサとにより充電プローブに結合された電気自動車のバッテリを充電するバッテリ充電システム１０は、電圧源１１と、この電圧源１１に並列に接続された複数のバッテリ充電器２０とを備え、バッテリ充電器２０の各々は直列タンク回路と絶縁変成器１４とを備える。 - 特許庁

At least one of the belt plies of the motorcycle tire is furnished with belt cords 10 having curved portions 10A extending along a curve K in the shape of a circular arc and located in isolation in the circumferential direction where the angle α relative to the tire circumferential direction in the ply plane decreases gradually in the same circumferential direction from the tire equator C to the edges E of the belt ply.例文帳に追加

少なくとも１枚のベルトプライは、そのプライ面内において、タイヤ周方向に対する角度αをタイヤ赤道Ｃからベルトプライの両端縁Ｅに周方向同向きに漸減してのびる円弧状の曲線Ｋに沿って延在する曲線部１０Ａを有し、かつ該曲線部１０Ａが周方向に隔設されるベルトコード１０を具える。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

For instance, when an element isolation insulating film is formed, a silicon nitride film (CMP stopper film) 8 is formed on the recessed face of a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged surface) 7, and then a process where a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged layer) 7 in a disused region is polished is provided.例文帳に追加

例えば、素子分離用絶縁膜を形成する際に、酸化シリコン層（絶縁層であり、凹凸面を備えている層）７の特定の凹面に窒化ケイ素膜（ＣＭＰ用ストッパ膜）８を形成した後に、ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の酸化シリコン層（絶縁層であり、凹凸面を備えている層）７を研磨する工程を有するものである。 - 特許庁

The toner for developing the electrostatic latent images comprises toner base particles comprising at least a binder resin and a colorant and including one kind or more of toner base particles having an average circularity of 0.98 or more and toner base particles having an average circularity of 0.97 or less, to which the external additive is externally added, and shows an isolation rate of the external additive of 0 to 1%.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂、着色剤から成るトナー母粒子は平均円形度が０．９８以上のトナー母粒子と平均円形度が０．９７以下のトナー母粒子とをそれぞれ１種以上含み、前記トナー母粒子に対して、外添剤を外添処理した静電潜像現像用トナーであって、外添剤の遊離率が０〜１％である。 - 特許庁

A charge storage film 15 is formed on a semiconductor substrate 11, and a plurality of element isolation insulating films which extend in a memory string direction are formed at an upper-layer part of the semiconductor substrate 11 to part the electric charge storage film 15 in an electrode direction and also to section the upper-layer part of the semiconductor substrate 11 into a plurality of semiconductor parts 13.例文帳に追加

半導体基板１１上に電荷蓄積膜１５を形成し、半導体基板１１の上層部分にメモリストリング方向に延びる複数本の素子分離絶縁膜を形成することにより、電荷蓄積膜１５を電極方向に分断すると共に、半導体基板１１の上層部分を複数本の半導体部分１３に区画する。 - 特許庁

In this base isolation frame, first and second guide means 7, 8 absorbing vibration are constituted of guide rails 21 having guide grooves 21c, 21d formed along peripheral surface longitudinal directions of opposed positions and sliders 22 storing a plurality of balls 30 fitting and inserting into these guide grooves 21c, 21d and rolling along these guide grooves 21c, 21d.例文帳に追加

震動を吸収する第１および第２のガイド手段７、８を、相対向する位置の周面長手方向に沿って形成されたガイド溝２１ｃ、２１ｄを有するガイドレール２１と、このガイド溝２１ｃ、２１ｄ内に嵌挿し、このガイド溝２１ｃ、２１ｄに沿って転動する複数のボール３０を収容したスライダー２２とから構成した。 - 特許庁

To hold inertia force on a main house to a minimum by separating a roof comparatively heavy with weight in housing weight and located on the highest position from a main house to execute the seismic base isolation of the roof based on such a theory that inertia force caused by an earthquake is increased with the increase of weight and as floor goes up in a detached house.例文帳に追加

戸建住宅において、重量の大きいほど、また上階になるほど地震による慣性力が大となる理論に基き、住宅重量のうち比較的重くまた一番高位置にある屋根を主家と隔離して、屋根の免震を行うことにより主家に対する慣性力を最小限に押えることを目的としている。 - 特許庁

To provide an electrophotographic carrier obtained by coating the surface of a carrier core material with a resin, wherein isolation of the coating resin is prevented by an easy method, stability of picture quality in an initial state is obtained, and changes in the picture quality are prevented after forming a large number of images, and to provide a method for manufacturing the electrophotographic carrier.例文帳に追加

簡単な方法で、キャリア心材の表面に樹脂を被覆した電子写真用キャリアにおける被覆樹脂の遊離を押さえ、初期状態での画質の安定性を得るとともに、多数枚の画像形成後における画質変化を防ぐことのできる電子写真用キャリア及びその製造方法を提供することが課題である。 - 特許庁

The upper case 2 and the lower case 3 comprise a first protruding part 3a and second protruding part 2c which form an isolation part 11 for isolating a first space S1 adhered or welded to the upper case 2 to house the board from a second space S2 for movably housing the slide switch 5 and also guiding the movement of the slide switch 5.例文帳に追加

上ケース２及び下ケース３は、上ケース２に接着又は溶着されて基板を収容する第１空間Ｓ１とスライドスイッチ５を移動自在に収容する第２空間Ｓ２とを隔離するとともにスライドスイッチ５の移動をガイドする隔離部１１を形成する第１突出部３ａ及び第２突出部２ｃを備えている。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と；前記半導体基板の表面付近に形成されたソース／ドレイン拡散層と；前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と；前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

In the bipolar transistor using the temperature characteristics of the forward voltage generated between emitter-base, a heavily doped region for a base electrode which is a second conductive type, and a heavily doped region for a collector electrode which is a first conductive type are directly contacted, the element area is reduced by not forming an unnecessary isolation region.例文帳に追加

エミッタ-ベース間に発生する順方向電圧の温度特性を利用するバイポーラトランジスタにおいて、第二の導電型であるベース電極用高濃度不純物領域と、第一の導電型であるコレクタ電極用高濃度不純物領域とを直接に接触させ、不要な分離領域を形成しないことで素子面積を縮小する。 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with a semiconductor substrate, an element region arranged on an upper part of the semiconductor substrate, an element isolation region arranged between the adjacent element regions, one or more electrically rewritable memory cell transistors arranged in the element region, and two selective transistors holding the memory cell transistor there between arranged in the element region.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に配置された素子領域と、隣接する素子領域の間に配置された素子分離領域と、素子領域に配置された、電気的に書き換え可能な１つ以上のメモリセルトランジスタと、素子領域に配置された、メモリセルトランジスタを挟み込む２つの選択トランジスタとを具備する。 - 特許庁

The semiconductor device formed on a semiconductor substrate while being isolated by an isolation region comprises a channel portion formed on the semiconductor substrate, a gate insulating film formed on the channel portion, a gate electrode formed on the gate insulating film, and a buried silicon oxide film formed only beneath the channel portion.例文帳に追加

本発明は、半導体基板に素子分離領域によって分離されて形成される半導体デバイスにおいて、前記半導体基板に形成されるチャネル部と；前記チャネル部の上に形成されるゲート絶縁膜と；前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と；前記チャネル部の下部にのみ形成される埋め込みシリコン酸化膜とを備える。 - 特許庁

The production method has excellent characteristics such as (1) usable repeatedly of an ammonia-containing filtrate in production, (2) improving the yield of aminomalonamide without decreasing purity thereof and, further, (3) preventing isolation and volatilization of ammonia, and is useful as a commercial production method of high purity aminomalonamide with high yield and low in environmental load.例文帳に追加

本発明の製造法は、（１）アンモニア含有濾液を繰り返し製造に使用できる、（２）アミノマロンアミドの純度を低下させることなく、収率を向上させ、さらに（３）アンモニアの遊離および揮発を防ぐことができる、などの優れた特徴を有し、環境負荷が少なく、高純度、高収率なアミノマロンアミドの工業的製造法として有用である。 - 特許庁

To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

By taking such structure, the radiation plate small in size can be designed, and since a first and second feed ports 2, 3 are disposed at positions to make orthogonal the segments between the center of the radiation plate 1 and the feed ports 2, 3 at the center of the plate 1, the isolation between the ports is made possible to secured.例文帳に追加

このような構造を取ることにより、放射板１を小型に設計することができるとともに、第１の給電ポート２および第２の給電ポート３が、放射板１の中点と各給電ポート２，３を結んだ各線分が放射板１の中点において直交するような位置に配置されているため、ポート間アイソレーションを確保することが可能となる。 - 特許庁

To instantly and definitely release the fixation between a structure and a foundation during earthquake without making generating malfunction during weak vibration and further reducing the cost with a relatively simple construction by fixing the structure and the foundation in ordinary times thereby avoiding the vibration of the structure due to wind and also by the seismic isolation equipment operating for common use against the wind and the earthquake.例文帳に追加

通常時には構造物と基礎を固定して風等で構造物が振動しないようにし、地震時には免震装置を作動させる風・地震共用免震装置において、地震時に構造物と基礎の固定を瞬間的に確実に解除でき、弱い振動では誤動作することがなく、しかも比較的簡易な構造でコストの低減を図れるようにする。 - 特許庁

The repeater base station apparatus including the reception-side antenna, the transmission-side antenna, and a repeater is provided with: an amplitude adjusting means for adjusting an amplitude; a phase adjusting means for adjusting a phase; and a correcting means for correcting the amplitude and phase so as to maximize the amount of isolation between the reception-side antenna and the transmission-side antenna.例文帳に追加

受信側アンテナと、送信側アンテナと、レピータ装置とを備えるレピータ基地局装置であって、振幅を調整する振幅調整手段と、位相を調整する位相調整手段とからなり、受信側アンテナと、送信側アンテナとの間のアイソレーション量が最大になるように振幅と位相を補正する補正手段をさらに備えた。 - 特許庁

A control gate line CGL is connected to a plurality of memory cells MC arrayed in a y direction side by side in common and arrayed extending in the y direction, and the control gate line CGL has a first width D2 on the element region 10 and a second width D1 wider than the first width D2 on the element isolation region 20.例文帳に追加

ｙ方向に並んで配列された複数のメモリセルＭＣに共通に接続されｙ方向に延びるように制御ゲート線ＣＧＬが配列され、制御ゲート線ＣＧＬは素子領域１０上では第１の幅Ｄ２を有する一方素子分離領域２０上では第１の幅Ｄ２より広い第２の幅Ｄ１を有する。 - 特許庁

As the inductance component from the ground conductive layer 12 to the ground conductor of the exterior electric circuit can be neglected and an LC resonance caused by a capacitance component between the surface acoustic wave filter 17 and the package can be reduced, then attenuation quantity in a blocking area turned into a high frequency and a deterioration in an isolation between input/output lines 13 and 13 can be improved.例文帳に追加

接地導体層12から外部電気回路の接地導体までのインダクタンス成分を削除することができ、弾性表面波フィルタ素子17およびパッケージが持つキャパシタンス成分とのＬＣ共振を抑制することができるので、高周波化した阻止域における減衰量および入出力配線13・13間のアイソレーションの劣化を改善できる。 - 特許庁

To provide a slide plate of a sliding base isolation device which prevents a sleeve bearing from coming off from the slide plate by gradually regulating the moving range of the sleeve bearing sliding in contact with the sliding face by making the frictional coefficient of the slide face of the sliding plate larger at the outer peripheral part than at the central part.例文帳に追加

すべり板のすべり面の摩擦係数を中心部より外周部が大きくなるように構成することによって、このすべり面に当接されて摺動する摺動支承の移動範囲を徐々に制限して該摺動支承がすべり板から外れることを防止するようにしたすべり式免震装置のすべり板を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a plurality of element formation regions divided by isolation separation trenches on a semiconductor substrate, pairs of electrodes are arranged on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate to be separated from each other, and a pn column region is provided on the semiconductor substrate as a region for forming dual-face electrode elements through which currents flow between the electrodes.例文帳に追加

絶縁分離トレンチにより、半導体基板において複数の素子形成領域が区分された半導体装置であって、対をなす電極が半導体基板の表面と該表面の裏面に分けて配置され、電極間に電流が流れる両面電極素子の形成領域として、半導体基板にｐｎコラム領域を設けた。 - 特許庁

Since the additive agent isolation ratio of the toner 5 is set to be ≥1%, the amount of the free additive agent of the toner left after transfer is increased, then, the free additive agent works as lubricant between the respective cleaning blades 12a and 13a constituted of urethane-based resin and the organic photoreceptor 2 and the intermediate transfer belt 7 so as to reduce the friction between them.例文帳に追加

このトナー５の外添剤遊離率が１％以上に設定されているので、転写残りトナーの遊離外添剤が多くなり、これらの遊離外添剤がそれぞれ、ウレタン系樹脂からなる各クリーニングブレード１２ａ,１３ａと有機感光体２および中間転写ベルト７との間で滑剤として作用し、これらの間の摩擦が軽減する。 - 特許庁

The backup fluid flow route sends pressure-regulated hydraulic fluid to a BOP operation part via an isolation valve rigidly attached to the BOP, then to a hose connected to an intervention panel on the BOP and finally through a valve that isolates the primary flow route and establishes a secondary flow route to allow continued operation.例文帳に追加

このバックアップの流体の流れのルートは、圧力を調整された液圧流体を、ＢＯＰに堅く取り付けられた隔離弁を介してＢＯＰ操作部に、次いでＢＯＰ上の介在パネルに接続されたホースに、最後に一次的な流れのルートを隔離させる弁を通して送り、二次的な流れのルートを確立して連続的な操作を可能にする。 - 特許庁

Oxygen ions are implanted into an internal region 16 of a semiconductor substrate 11 containing a bottom 22 of a shallow groove 15 prior to forming the shallow groove 15 in an element isolation region 18 of the semiconductor substrate 11, and annealing is performed in a non-oxidizing atmosphere such as a nitride atmosphere or a vacuum atmosphere after forming the shallow groove 15 in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の素子分離領域１８に浅溝１５を形成する前に、浅溝１５の底部２２を内包する半導体基板１１の内部領域１６に酸素イオンを注入し、半導体基板１１に浅溝１５を形成した後に、窒素雰囲気または真空雰囲気等の非酸化雰囲気でアニーリングを行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has a trench 12 which is formed in a surface part of a silicon substrate 11 and has an isolation oxide film 13 inside, a plurality of element formation regions 10A wherein a surface of the silicon substrate 11 is divided by the trench 12, and a gate wiring 15 which extends on the trench 12 and the element formation region 10A.例文帳に追加

半導体装置１０は、シリコン基板１１の表面部分に形成され内部に素子分離酸化膜１３を有するトレンチ１２と、トレンチ１２によってシリコン基板１１の表面部分が区画された複数の素子形成領域１０Ａと、トレンチ１２及び素子形成領域１０Ａ上に延びるゲート配線１５とを有する。 - 特許庁

To provide a restoring mechanism for a base isolation device, for preventing the resonance between the vibrations of the ground and a superstructure caused by an earthquake while supporting the load of the superstructure, and also for surely restoring the swinging of a building to an original position in a short time by the simple mechanism when the vibration due to the earthquake is over.例文帳に追加

上部構造物の荷重を支持しつつ、地震により生じる地盤の振れと上部構造物が共振しないようにすると共に、地震による振動が収まった時に、建物の揺れを簡単な機構によって短時間で確実に元の位置まで復元させることができる免震装置における復元機構を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1 having a major surface, a trench 2 made in the substrate 1, and an isolation region comprising an insulation film filling the trench 2 and having a part 4 projecting from the major surface where slopes 5a-5c are formed from the top of the projecting part 4 to the major surface of a basic body.例文帳に追加

主表面を有するシリコン基板１と、この基板１内に形成された溝２と、この溝２内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部４を有し、かつこの突出部４の頂部から基体の主表面にかけてスロ−プ状５ａ〜５ｃとなっている絶縁膜から成る素子分離領域を有する。 - 特許庁

The gate electrode of the first high-voltage insulated-gate field effect transistor and the gate electrode of the second high-voltage insulated-gate field effect transistor are connected in common over the first element isolation insulating film, and the impurity concentration of the second impurity diffusion layer is higher than that of the first impurity diffusion layer.例文帳に追加

第１の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と第２の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極とは、第１の素子分離絶縁膜上に跨って共通に接続されており、第２の不純物拡散層の不純物濃度は、第１の不純物拡散層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

A semiconductor laser 26 is mounted on a submount 16 through solder layers 20, 21 and 22 by junction-down mounting, and it is formed monolithically with an infrared laser part 27 and a red laser part 28 which are isolated by an isolation groove 29, where an insulating layer 14 is formed, and are placed adjacently on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ２６はサブマウント１６の上に半田層２０、２１および２２を介してジャンクションダウン実装により載置されたものであり、それはｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、絶縁層１４が形成された分離溝２９によって分離された赤外レーザ部２７と赤色レーザ部２８とが隣接してモノリシックに形成されたものである。 - 特許庁