「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(143ページ目) - Weblio英語例文検索

A solid-state imaging device comprises: a plurality of photodiodes PD that are provided in a substrate 15 and each have a semiconductor region 17 of a first conductivity type; and an element isolation region 19 that is provided in the substrate 15, is composed of semiconductor regions of a second conductivity type, and isolates the plurality of photodiodes PD.例文帳に追加

固体撮像装置は、基板１５内に設けられ、かつ第１導電型の半導体領域１７をそれぞれが有する複数のフォトダイオードＰＤと、基板１５内に設けられ、かつ第２導電型の半導体領域から構成され、かつ複数のフォトダイオードＰＤをそれぞれ分離する素子分離領域１９とを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 hybridly mounted with a logic transistor 10 and a high breakdown voltage transistor 20, an isolation film with an opening region 28, whose outer circumference is formed thick is formed on a low-concentration drain region 24b formed in an Si substrate 2, on both sides of a gate electrode 22 of the high breakdown voltage transistor 20.例文帳に追加

ロジックトランジスタ１０と高耐圧トランジスタ２０が混載された半導体装置１において、高耐圧トランジスタ２０のゲート電極２２両側のＳｉ基板２内に形成された低濃度ドレイン領域２４ｂ上に、外周部が厚く形成された開口領域２８を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A coupling resonance circuit is formed by the electromagnetic coupling of a power isolation transformer PIT by providing a secondary series resonance circuit formed at least of a secondary winding N2 (N2A, N2B) and a secondary series resonance capacitor C2 (C2A, C2B) together with a primary series resonance circuit forming a current resonance converter.例文帳に追加

電流共振形コンバータを形成する一次側直列共振回路とともに、少なくとも二次巻線Ｎ2（N2A、N2B）及び二次側直列共振コンデンサＣ2（C2A、C2B）とにより形成される二次側直列共振回路を備えることで、絶縁コンバータトランスＰＩＴの電磁結合による結合形共振回路を形成する。 - 特許庁

The circuit 14 has a hybrid coupler 26 provided with an input terminal 20, a first output terminal 22a, a second output terminal 22b and an isolation terminal 24; a first reactance section 28A connected to the terminal 22a; and a second reactance section 28B connected to the terminal 22b.例文帳に追加

第２の遅延回路１４は、入力端子２０、第１の出力端子２２ａ、第２の出力端子２２ｂ及びアイソレーション端子２４を備えたハイブリッドカプラ２６と、第１の出力端子２２ａに接続された第１のリアクタンス部２８Ａと、第２の出力端子２２ｂに接続された第２のリアクタンス部２８Ｂとを有する。 - 特許庁

To realize an isolation method of a semiconductor layer which can isolate a semiconductor layer well from a base material in a post-process without peeling of a semiconductor layer from a base material in the middle of a manufacturing process, a manufacturing method of a semiconductor substrate wherein it is used, and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

製造工程の途中において基体から半導体層が剥離することなく、かつ後工程において基体から半導体層を良好に分離することができる半導体層の分離方法、並びにそれを用いた半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this pipe joint for base isolation, composed by continuously connecting the flexible pipe 5 formed of a flexible material having extensibility and bendability, to respective openings 2 and 4 of a pair of pipes 1 and 3 arranged oppositely to each other, a pipe inside surface 5 m of the flexible pipe 5 is formed into a state having recessed parts M in the circumferential direction.例文帳に追加

伸縮性及び屈曲性を有する可撓材から成る可とう管５が、対向配置される一対の配管１，３それぞれの開口部２，４に連通接続されて成る免震用配管継手において、可とう管５の管内面５ｍが周方向で凹凸Ｍを有する状態に形成されている。 - 特許庁

This device is provided with an active region 5 formed on a wafer 1, an isolation region 2 formed on the wafer 1 for isolating the active region 5, and gates 6A and 6B formed in the active region 5 through gate oxide films 7A and 7B, The gate oxide films 7A and 7B are operated as electric fuse.例文帳に追加

半導体基板１に形成された活性領域５と、半導体基板１に形成され、活性領域５を分離する分離領域２と、活性領域５にゲート酸化膜７Ａ、７Ｂを介して形成されたゲート６Ａ、６Ｂとを備え、ゲート酸化膜７Ａ、７Ｂを電気ヒューズとして作用させるようにした。 - 特許庁

To forcedly roll a small diameter rolling steel ball 2 by its own force and let it roll and enter between a bowl-like load receiving rolling passage panel 1 and a large diameter rolling steel ball 3 without letting it remain on the halfway irrespective of direction to roll for base isolation by providing the small diameter rolling steel ball 2 between them securely when earthquake vibration occurs.例文帳に追加

地震動時に椀状荷受転動路盤１と大径転がり鋼球３との間に確実に小径転がり鋼球２を介在させて転動免震させるために、小径転がり鋼球２を強制自力転動させ、方向を問わず、途中に停滞させることなく該間に転動入させる。 - 特許庁

Further, a base formation layer 4 is formed on the n-type epitaxial growth layer 2 by epitaxial growth for example, and the base lead high concentration layer (p^+-type) 5 is formed like a stripe so as for the base formation layer to be engaged into the base formation layer 4 from the upper portion of the embedded oxide film (element isolation) 3 for deriving a base electrode.例文帳に追加

さらに、Ｎ型エピタキシャル成長層２の上には、ベース形成層４が例えばエピタキシャル成長によって形成され、埋込酸化膜(素子分離)３の上部からベース形成層４にくい込むように、ベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５がベース電極取出しの為にストライプ状に形成されている。 - 特許庁

By connection of the capacitive element (101), comparatively large resistance is inserted between the base of the emitter follower circuit and the reference power sources for isolation, and thus, an influence of nonlinear components between the base and the emitter of a transistor constituting the reference power sources is reduced to reduce deterioration in the output waveform.例文帳に追加

この容量素子（１０１）の接続により、上記エミッタホロワ回路のベースと上記基準電源との間には、アイソレーションのために比較的大きな抵抗を挿入することができ、それによって、基準電源を構成するトランジスタのベース−エミッタ間の非線形成分の影響を小さくして出力波形の劣化の低減を図る。 - 特許庁

For this semiconductor device, a silicon region 4 insulated by an insulating layer 2 and a dielectric isolation region 3 is formed on an SOI substrate 1, a polysilicon resistor 6 is formed via an insulation protective film 5 at the upper part of the silicon region 4, the polysilicon resistor 6 and the silicon region 4 are electrically connected, and the polysilicon resistor 6 is used as a resistor.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に絶縁層２や誘電体分離領域３で絶縁されたシリコン領域４を形成し、そのシリコン領域４上部に絶縁保護膜５を介してポリシリコン抵抗６を形成し、そのポリシリコン抵抗６とシリコン領域４を電気的に接続して、ポリシリコン抵抗６を抵抗体として使用する。 - 特許庁

When an antenna device is in an open state, switches SW1 and SW2 are electrically opened, and as a result, an antenna element 1 and a ground conductor 3 operate as a first dipole antenna, and a second antenna element 2 and the ground conductor 3 operate as a second dipole antenna with a specified isolation from the first dipole antenna by a non-excitation slit S.例文帳に追加

アンテナ装置が開状態にあるときスイッチＳＷ１，ＳＷ２は開き、これにより、アンテナ素子１と接地導体３とは第１のダイポールアンテナとして動作し、アンテナ素子２と接地導体３とは、非励振スリットＳにより第１のダイポールアンテナとの間に所定のアイソレーションを有して第２のダイポールアンテナとして動作する。 - 特許庁

In the case that amplitude and phases of two systems of input signals are deviated from a mixing condition of the power mixer 18 due to amplitude and phase deviation in outputs of power amplifiers 16, 17, a high frequency power produced at the isolation terminal 5 can be regenerated to a DC power by a rectifier circuit 20.例文帳に追加

電力増幅器１６および１７の出力の振幅および位相偏差により、二系統の入力信号の振幅，位相が電力合成器１８の合成条件からずれた場合、アイソレーション端子５に発生した高周波電力は、整流回路２０により直流電力として回収することができる。 - 特許庁

The photodiode array PDA1 includes: a p^--type semiconductor layer 33 formed on an n-type semiconductor layer 32; a resistor 24 that is provided for each light detection channel CH and has one edge connected to a signal conductor 23; and an n-type isolation section 40 formed among the plurality of light detection channels CH.例文帳に追加

フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ^−型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。 - 特許庁

In base isolation reinforcement enhancing the earthquake resistance of the existing building by fixing a reinforcing frame to the existing building frame, a connecting steel member 16 is fixed to the building frame 11 through post-driven anchor bolts 17, and the reinforcing frame 13 is fixed to the connecting steel member 16.例文帳に追加

既存建物の躯体に補強架構を固定することにより当該既存建物の耐震性を高める耐震補強において、上記躯体１１にあと施工アンカーボルト１７を介して連結用鋼材１６を固定し、この連結用鋼材１６に上記補強架構１３を固定したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a perpendicular medium in which an isolation structure of an underlayer is formed wherein a magnetic cluster size can be reduced while orientation dispersion is suppressed in a magnetic recording layer and high recording performance by the thin film thickness of the underlayer is made possible using a simple method as in a conventional manufacturing process for a medium of continuous films.例文帳に追加

従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。 - 特許庁

The multi-domain liquid crystal display device with a concave structure comprises a substrate with a pixel electrode layer, another substrate with a common electrode layer, an isolation layer formed on the electrode layer of the one of those substrates, a liquid crystal layer formed between two pieces of the substrates and multiple concave structures formed in the electrode layer, at least, one of the substrates.例文帳に追加

画素電極層を具えた基板、共電極層を具えたもう一つの基板、そのうち一方の基板の電極層の上方に形成された隔離層、２片の基板の間に形成された液晶層、及び少なくとも一方の基板の電極層に形成された複数の凹構造を具えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In an insulated space section formed between a bracket 4 and a stator 16 and a rotor 17 in the axial direction of the rotor, a first control board 12 having a high voltage system motor drive circuit 19 and an insulating circuit 20 is built in integrally with a second control board 21 having a low voltage system control board 23 in isolation.例文帳に追加

回転子軸方向でブラケット４と固定子１６及び回転子１７との間に形成される絶縁空間部に高電圧系のモータ駆動回路１９と絶縁回路２０を有する第１の制御基板１２が低電圧系の制御回路２３を有する第２の制御基板２１と分離して一体に組み込まれる。 - 特許庁

To provide a vibration damper, by which vibrations to be caused by a small earthquake and a strong wind force can be surely prevented while improving the workability of installation works and removal works and cost of which is reduced, regarding the damper for preventing the vibrations of a building with a vibration isolation device.例文帳に追加

本発明は、例えば、免震装置を有する建物の揺れを防止する抑制装置に係り、小さな地震や強大な風力に対して確実に揺れない様にするとともに、設置作業や撤去作業の作業性の良いもので、低コストにした揺れ抑制装置を提供することが課題である。 - 特許庁

On the other hand, the manufacturing method of the duplexer utilizing the air gap type FBAR includes the steps of: manufacturing a first substrate part wherein a plurality of laminated resonant parts are produced; manufacturing a second substrate part wherein a plurality of air gaps and isolation parts formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.例文帳に追加

一方、このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

A quarantine network system 10 comprises: a relay device 400 disposed on a communication path between virtual terminals 720 to 740 and a remote terminal 100; a quarantine server 500 for determining conformity to a security policy; and a terminal isolation device 710 for connecting a virtual terminal which is not conformable to the policy to a quarantine network.例文帳に追加

検疫ネットワークシステム１０は、仮想端末７２０〜７４０とリモート端末１００との通信経路に設置される中継装置４００と、セキュリティポリシーへの適合を判定する、検疫サーバ５００と、適合しない仮想端末を検疫ネットワークに接続させる端末隔離装置７１０とを備える。 - 特許庁

The antenna includes a plurality of magnetic wires 1 with isolation processed surfaces, a first shorting member 2 and second shorting member 3 connecting these magnetic wires 1 at both ends, a means for passing radio-frequency pulse current through the magnetic wires 1, and an impedance-detecting means for detecting impedance of the magnetic wires 1.例文帳に追加

表面を絶縁処理した磁性ワイヤ１を複数本有し、これらの磁性ワイヤ１を両端で接続する第一短絡部材２・第二短絡部材３と、高周波パルス電流を前記磁性ワイヤ１に通流する手段と、磁性ワイヤ１のインピーダンス検出手段とを含み、ＭＩ効果を利用してアクティブアンテナを実現する。 - 特許庁

A spindle 21 for an angle detector for achieving a sensor tilt angle detecting function is disposed in an air chamber 20 for ultrasonic sensor audio isolation, and a tilt angle detecting circuit 22 is connected to a thermistor 15 for a temperature sensor in parallel, and is integrally formed to a terminal plate 16 of an ultrasonic sensor circuit.例文帳に追加

センサ傾斜角度検出機能を実現するための角度検出器用の錘２１は、超音波センサ音響アイソレーション用の空気室２０内に設けられ、傾斜角検出回路２２は温度センサ用のサーミスタ１５と並列接続されるとともに超音波センサ回路の端子板１６に一体化して形成されている。 - 特許庁

The inside space S of the vibration damping member 14 is defined so that its force becomes a degree that the vibration damping member 14 relatively loosely fastens the flexible member 10, while changing the force generated when the isolation part 18 is deformed in the installation with the flexible member 10, to force for pressing the flexible member 10 by the contact part 17.例文帳に追加

制振部材１４の内部空間Ｓは、離隔部分１８がフレキシブル部材１０との組付け時に変形することで生じた力を接触部分１７がフレキシブル部材１０を押圧する力に変えつつ、その力は制振部材１４がフレキシブル部材１０を相対的に緩く締め付ける程度となるように画成する。 - 特許庁

A load supporting area formed by the laminated rubbers 14a, 14b between the plates 12 is expanded successively in the horizontal direction from the upper layer portion to the lower layer portion, and thus, the position of center of gravity of the input load is not deviated from an effective load supporting area even when the upper layer portion of the base isolation device is largely displaced in the horizontal direction.例文帳に追加

各プレート１２間の積層ゴム１４ａ，１４ｂにより形成される荷重支持領域が上層部から下層部に向かって順次水平方向に拡大しているため、免震装置の上層部が大きく水平変位しても、入力荷重の重心位置が荷重支持有効領域から外れることはない。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

In this base isolation supporter device, a structural body 4 is supported to a foundation floor 1 by interposing an elastic unit, an anchor bar 5 implanted in the foundation floor 1 is fit into a shock absorbing member 6 buried in the structural body 4, and the elastic unit 13 of this shock absorbing member 6 is formed in a shape having a space part 30.例文帳に追加

基礎床１に弾性体３を介在して構造体４を支承し、基礎床１に植設したアンカーバー５を構造体４内に埋設した緩衝部材６に嵌挿し、この緩衝部材６の弾性体１３は空間部３０を有する形状とした構造体の免震支持装置である。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an element isolation (102) formed in a semiconductor layer (101); a first-conductivity-type impurity layer (104); a first-conductivity-type source region (106); a first-conductivity-type drain region (107); a second-conductivity-type gate region (105); and a control electrode (109) formed via an insulating film (108).例文帳に追加

半導体装置は、半導体層（１０１）に形成された素子分離（１０２）、第１導電型の不純物層（１０４）、第１導電型のソース領域（１０６）、第１導電型のドレイン領域（１０７）、第２導電型のゲート領域（１０５）、絶縁膜（１０８）を介して形成された制御電極（１０９）を備える。 - 特許庁

Thereby the element isolating oxide film 2 in the vicinities of the resistance elements 4 can be partitioned in necessary regions, and the formation of a recessed part in a central part of the element isolation oxide film 2 can be restrained, when the film 2 is polished by a CMP method, so that the dimensional accuracy of the shapes of the resistive elements 4 can be improved.例文帳に追加

抵抗素子４近傍の素子分離酸化膜２を必要な範囲に区切ることができ、ＣＭＰ法による素子分離酸化膜２の研磨の際に素子分離酸化膜２の中央部に凹みが形成されてしまうことを抑止できるため、抵抗素子４の形状の寸法精度を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To solve the problem that in a conventional vibration isolation support structure of a cabin, a vibration isolating member is interposed between a lower part and a body of the cabin and an effect to suppress vibration in the vertical direction of a vehicle is large but an effect to suppress oscillation in the front and rear direction of the cabin is small at a rapid stop from high- speed driving.例文帳に追加

従来のキャビンの防振支持構造は、キャビンの下部と本体との間に防振部材を介装させるものであり、車両の上下方向の振動を抑制する効果は大きいが、高速走行から急停車する場合におけるキャビンの前後方向の揺れを抑制する効果が小さい。 - 特許庁

This base isolation anchor bolt 1 has an embedding part 2 embedded in a foundation 30, and a male screw 3 having a tip projected from a sill 40 and screwed to a fastening nut 5; and is constituted by integrally arranging a spring 4 capable of absorbing the energy of earthquake motion in an intermediate part between the embedding part 2 and the male screw 3.例文帳に追加

免震アンカーボルト１は、基礎３０に埋め込まれる埋め込み部２と、先端部分が土台４０より突出して締付ナット５と螺合する雄ねじ部３とを有し、埋め込み部２と雄ねじ部３との中間部分に、地震動のエネルギを吸収可能なスプリング部４を一体的に設けた構成である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which there is offered a technique capable of raising a bonding property of the semiconductor device, by forming an element isolation film and a gate line after forming a polysilicon layer for plug especially including a dopant on a semiconductor substrate, and capable of simplifying a process.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に半導体基板上に不純物を含むプラグ用ポリシリコン層を形成したあと、素子分離膜とゲートラインを形成して半導体素子の接合特性を向上させることができ、工程を単純化することができる技術を提供する。 - 特許庁

The following property of displacement between layers is further given to the ALC panel 2 having the following property of displacement between layers of the steel frame skeleton 1 to form the tile wall face and obtain its base isolation property so that tiles 20 can be laid and freely arranged without taking the working joint section 3 into account.例文帳に追加

鉄骨躯体１の層間変位に追従性を有するＡＬＣパネル２に更に層間変位の追従性を付与してタイル壁面とすることによってその免震性が得られるし，ワーキングジョイント部位３のを顧慮することなくタイル２０の設置が可能となり，タイル２０の自由な配置が可能となる。 - 特許庁

A donor antenna and a service antenna are improved in isolation each by mounting a substrate arranged with a radiating device on the opposite surface of a shield case containing an electronic circuit of the repeater and also mounting a substrate arranged with a parasitic element for improving radiation characteristics thereof on the top surface of each radiating device.例文帳に追加

ドナー アンテナ、サービスアンテナは、放射器素子を搭載した基板を中継器の電子回路を収容したシールドケースの反対面に搭載し、それぞれの放射特性を向上させるための寄生素子を搭載した基板を各、放射器の上面に搭載する構造とすることで、アイソレーションの向上を図った。 - 特許庁

A first element isolating insulation film is provided which is buried in an element isolation groove provided on the semiconductor substrate, and the bottom face of which is lower than the height of a face at which the semiconductor substrate and the tunnel insulation film are contacted and the top face of which is lower than the height of a face at which the charge storage layer and the block insulation film are contacted.例文帳に追加

前記半導体基板に設けられた素子分離溝部に埋め込まれ、底面が前記半導体基板と前記トンネル絶縁膜の接する面の高さよりも低く、かつ上面が前記電荷蓄積層および前記ブロック絶縁膜の接する面の高さよりも低い第１の素子分離絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

The organic EL display 1 includes an organic EL element 5, a heat-absorbing layer 22 provided apart from the organic EL element 5 and containing a material making a phase shift at a temperature of 50 to 130°C, and by having an isolation member enclose the heat-absorbing layer 22 to isolate the heat-absorbing layer 22 from the organic EL element 5.例文帳に追加

有機ＥＬ素子５と、有機ＥＬ素子５より離間して設けられ、５０℃以上１３０℃以下の温度にて相転移する材料を含む吸熱層２２と、吸熱層２２を取り囲むことにより、有機ＥＬ素子５から吸熱層２２を隔離する隔離部材と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ１。 - 特許庁

When a plurality of high-strength rigid short rods are fixed vertically on the lower surface of the foundation beam or foundation bottom plate near an area occupied by the rubber composite base isolation element 3, the lateral vibration of the foundation 1 and further the building caused at the earthquake can be attenuated by the slidable contact of the foundation or building with the crushed stone or soil and sand.例文帳に追加

なお、前記ゴム複合体免震要素占有部近傍の基礎梁又は基礎底板下面に、複数本の高強度剛性短ロッドを垂設固定した構成とすれば、砕石又は土砂との摺動接触により、基礎ひいては建物の地震時における横振れを減衰することができる。 - 特許庁

The base isolation structure for apparatus includes, between an upper plate which an apparatus is placed on and a lower plate as a base part, a centripetal mechanism for specifying the position of an apparatus in a steady state, a brake mechanism for regulating lateral shifts of the placed apparatus in the steady state, and a moving quantity limiting mechanism for coupling the upper plate and the lower plate together and limiting separation therebetween.例文帳に追加

装置を積載する上部プレートと基礎部分となる下部プレートとの間に、定常時に装置の位置を規定する求心機構と、定常時に前記の積載装置のずれを規制するブレーキ機構と、前記の上部プレートと下部プレートとを連結してその乖離を制限する移動量制限機構とを設ける。 - 特許庁

To provide a rubber composition for vibration isolation rubbers which even when vulcanized at a high temperature (170-190°C), is sufficiently suppressed in a reversion-induced decrease in e.g., tensile properties (strength at break and elongation at break) and in rubber hardness and static spring constant (Ks) and balancedly improved in heat resistance, fatigue resistance, durability and aging.例文帳に追加

高温（１７０〜１９０℃）で加硫した場合でも、加硫戻りによる引っ張り特性（破断強度，破断伸び）およびゴム硬度等の低下や静的バネ定数（Ｋｓ）の低下が充分に抑制され、かつ耐熱性、耐ヘタリ性、耐久性、および経年劣化抑制の効果がバランスよく向上した防振ゴム用ゴム組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a pin diode switching circuit capable of being driven by the reverse bias voltage of a low voltage and to also provide the pin diode switching circuit and a pin diode switching method capable of preventing the isolation deterioration of the off side terminal of the pin diode switching circuit even when an RF signal of a high power is applied.例文帳に追加

低電圧の逆バイアス電圧でＰＩＮダイオードスイッチ回路を駆動できると共に、大電力のＲＦ信号が印加された時でもＰＩＮダイオードスイッチ回路のオフ側端子のアイソレーションの劣化を防ぐことができるＰＩＮダイオードスイッチ回路およびＰＩＮダイオードスイッチ方法を提供する。 - 特許庁

A nonmagnetic isolation layer 305 is located between the second pole piece 102 and the write shield layer 304 and at least one ferromagnetic stud 300 and/or 302 is magnetically connected between a first pole piece layer 100 and the write shield layer 304 and is located between the head surface ABS and the insulation stack 110.例文帳に追加

非磁性分離層３０５が第２磁極片１０２と書込みシールド層３０４の間に位置しており、少なくとも１個の強磁性スタッド３００，３０２が第１磁極片層１００と書込みシールド層３０４の間に磁気的に結合され、かつヘッド表面ＡＢＳと絶縁スタックの１１０間に位置している。 - 特許庁

To improve temperature dependence of elastic property and high attenuation property while securing processability of a rubber composition for forming a rubber layer, in a base-isolation rubber laminate having a laminated structure formed by laminating a rigid plate having rigidity such as a metal plate and the rubber layer alternately.例文帳に追加

金属板等の剛性を有する硬質板とゴム層とが交互に積層せしめられてなる積層体構造の免震ゴム積層体において、かかるゴム層を与えるゴム組成物の加工性を確保しつつ、弾性特性の温度依存性の改善を図り、更に、より一層の高減衰特性を実現すること。 - 特許庁

The base isolation part unit has a ball which slides or rolls between ball grooves 4 and 5 of upper and lower guide parts 2 and 3, and has at least two combinations of the ball grooves whose crossing angle θ is from 0 to 90 degrees.例文帳に追加

上下案内部２，３のボール溝４，５間を滑り又は転がるボール６を有し、ボール溝の交差角θが０度以上９０度以下の二以上の組み合わせとし、交差角の二等分線方向３２，３３を同一とし、上下案内部をそれぞれ上下側プレートに固定し、載荷荷重を各免震部品に均等にする免震部品ユニットとする。 - 特許庁