「M[[w]]」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The thermal conductivity of the high thermal conductivity adhesive is preferably at least 0.3 W/m*K.例文帳に追加

高熱伝導性接着剤の熱伝導率は、０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。 - 特許庁

The image of a first surface (M) is projected on a second surface (W) by the projection optical system (PL).例文帳に追加

第１面（Ｍ）の像を第２面（Ｗ）に投影する投影光学系（ＰＬ）。 - 特許庁

A substrate transfer mechanism 20 is applied to a proximity scanning exposure apparatus 1 that irradiates an approximately rectangular substrate W with exposure light EL through a mask M to impart a pattern P of the mask M onto the substrate W; and the mechanism supports the substrate W by floating and transfers the substrate W in a prescribed direction.例文帳に追加

基板搬送機構２０は、略矩形状の基板Ｗに対してマスクＭを介して露光用光ＥＬを照射し、基板ＷにマスクＭのパターンＰを露光する近接スキャン露光装置１に適用され、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板Ｗを所定方向に搬送する。 - 特許庁

A width W_0 of the transverse wall opening part 21 is set to prescribed even number times of the module M when a distance W between the partition walls 10 is even number times of the module M, and is set to prescribed odd number times of the module M when the distance W between the partition walls 10 is odd number times of the module M.例文帳に追加

妻壁開口部２１の幅Ｗ_０は、間仕切壁１０の間の距離ＷがモジュールＭの偶数倍である場合、モジュールＭの所定の偶数倍に設定され、間仕切壁１０の間の距離ＷがモジュールＭの奇数倍である場合、モジュールＭの所定の奇数倍に設定されている。 - 特許庁

The liquid level measurement sensor 1 for measuring the liquid level of ultra cold liquefied gas is provided with MgB_2 and covering metal, and is a long sized single core wire of 50 cm or more, the resistance of which is 1 Ω/m to 5 Ω/m at the normal temperature, and the heat conductivity is 5 W/(m×K) to 15 W/(m×K).例文帳に追加

超低温液化ガス液面測定用センサ１は、ＭｇＢ_2と、この表面を覆っている被覆金属とを備え、長さが５０ｃｍ以上の長尺状単芯線であり、常温の際の抵抗値が１Ω／ｍ〜５Ω／ｍ、熱伝導度が５Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。 - 特許庁

After the soft long work (w) is molded by extrusion molding, a resin extrudate (m) made of a resin relatively hard to extend as compared with the work (w) is extruded to the surface of the work (w) at a predetermined position of the work (w) to be continuously joined to the work (w) along the longitudinal direction thereof.例文帳に追加

軟質で長尺のワークｗを押出成形した後に、ワークｗよりも相対的に伸びにくい樹脂製の樹脂押出体ｍをワークｗ表面の所定位置に押し出し、この樹脂押出体ｍをワーク長手方向に沿って連続して接合する。 - 特許庁

It included the description that a large island located far away across the sea from Jurchen and Goryeo as an area against the Great Yuan Dynasty, transcribed as 'جمنكوj-m-n-k-w,' which appeared to be a 'country of Japan.' 例文帳に追加

女直、高麗などから東南海上の彼方に大元朝に敵対する地域として「日本国」の音写とおぼしき「جمنكوj-m-n-k-w」と呼ばれる大島についての記述がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The cermet body includes both un-dissolved TiC cores and rims of (Ti, W, M_x) C alloy as well as (Ti, W, M_x) C grains which have been formed during sintering.例文帳に追加

サーメット本体は、溶解していないＴｉＣコアと、（Ｔｉ，Ｗ，Ｍ_x）Ｃ合金の縁部並びに焼結の際に形成される（Ｔｉ，Ｗ，Ｍ_x）Ｃ粒子の両方を含む。 - 特許庁

The polymer compound thus obtained is dissolved in physiological saline or the like at 5-7.5 w/w% to make a vitrified liquid containing 6-7.5 M of ethylene glycol and 0.75 M of sucrose.例文帳に追加

このようにして得た高分子化合物を、生理的食塩水などに5〜7.5w/w%溶解させ、エチレングリコール6〜7.5M、スクロース0.75Mを含有した溶液としたガラス化液とする。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy for pressure casting having a high thermal conductivity of ≥150 W/(m.°C) and usable as heat radiating parts in place of pure aluminum.例文帳に追加

150 W/(m・℃)以上の熱伝導度を有し、純アルミニウムに代わって放熱部品として使用できる高熱伝導加圧鋳造用アルミニウム合金を開発する事にある。 - 特許庁

The diaphragm for the filter press is composed of a resin composition containing a thermoplastic resin and a filler and characterised in that the heat conductivity thereof at room temperature is 0.4-2.0 W/m.°C.例文帳に追加

熱可塑性樹脂と充填剤を含む樹脂組成物からなり、室温における熱伝導率が0.4〜2.0 W／m・℃であることを特徴とするフィルタープレス用ダイアフラム。 - 特許庁

After a required number of dot marks(M') with a rising part whose part rises from a wafer surface are formed in a front or a rear of a semiconductor wafer(W), an insulation film(IF) is formed in a wafer surface.例文帳に追加

半導体ウェハ(W) の表面又は裏面に、ウェハ面から一部が隆起する隆起部を有するドットマーク(M′) を所要数形成したのち、ウェハ表面に絶縁膜(IF)を形成する。 - 特許庁

The exposure apparatus irradiates a workpiece W with a light beam of exposure light from an illumination optical system 160 through a mask M, and transfers a pattern Pa of the mask M to the workpiece W.例文帳に追加

露光装置は、照明光学系１６０からの露光光の光束をマスクＭを介してワークＷに照射し、マスクＭのパターンＰａをワークＷに転写する。 - 特許庁

The conveying speed and web tension of the X-ray film are set so that the contact heat transfer rate of the X-ray film and the print roll becomes 475 W/(m^2K) or more or preferably 480 W/(m^2K) or more.例文帳に追加

また、Ｘレイフィルムとプリントロールの接触伝熱係数が、４７５Ｗ／（ｍ^２・Ｋ）以上、好ましくは４８０Ｗ／（ｍ^２・Ｋ）以上となるように、Ｘレイフィルムの搬送速度及びウエブテンションとなるように設定する。 - 特許庁

The heat conductivity of the inner core is preferably 1-170 W/(m×K) and the heat conductivity of the outer casing is preferably 1-300 W/(m×K).例文帳に追加

前記内芯部の熱伝導率は１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることが、前記外筒部の熱伝導率は１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることが好ましい。 - 特許庁

The polyimide film comprises 100 pts.wt. of a polyimide resin and 5-400 pts.wt. of boron nitride, and has a thermoconductivity in the plane direction of at least 1 W/m×K and a thermoconductivity in the thickness direction of at most 1 W/m×K.例文帳に追加

ポリイミド樹脂１００重量部に対し、窒化ホウ素を５〜４００重量部含有し、面方向熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、厚み方向の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The substrate W being transferred in the prescribed direction is irradiated with exposure light EL through the plurality of masks M, and the patterns P of the masks M are transferred by exposure onto the substrate W.例文帳に追加

そして、所定方向に搬送される基板Ｗに対して複数のマスクＭを介して露光用光ＥＬを照射し、基板Ｗに複数のマスクＭのパターンＰを露光する。 - 特許庁

The user equipment 20 selects (s), R at random, computes X=g_1^m×ψ(u)×ψ(v)^s×(ψ(w×h))^R and sends them to the blind signature generating apparatus 10.例文帳に追加

利用者装置２０は、ｓ，Ｒをランダムに選択し、X=g_1^m・ψ(u)・ψ(v)^s・(ψ(w・h))^Rを計算してブラインド署名生成装置１０に送信する。 - 特許庁

Because the physical quantity A at loading time and mechanical control physical quantity A' of a work W which are bending angles at loading time are physical quantities which are generated as the result of the interaction between the work W and the bending machine M, the both are affected by a work characteristics w and mechanical properties (m).例文帳に追加

負荷時曲げ角度であるワークＷの負荷時物理量Ａと機械制御物理量Ａ′とはワークＷと曲げ加工機Ｍとの相互作用の結果で発生した物理量なので、ともにワーク特性ｗと曲げ加工機の機械特性ｍとから影響を受ける。 - 特許庁

Data on a write cache CW are transferred to a buffer for recording BW and, at the same time, data on a medium M are transferred to a buffer for reproduction BR, and then data on the buffer for recording BW are transferred to the medium M and, at the same time, data on the buffer for reproduction BR are transferred to a read cache CR.例文帳に追加

ライトキャッシュＣ_W 上のデータを記録用バッファＢ_W に転送すると同時にメディアＭ上のデータを再生用バッファＢ_R に転送した後、記録用バッファＢ_W 上のデータをメディアＭに転送すると同時に再生用バッファＢ_R 上のデータをリードキャッシュＣ_R に転送する。 - 特許庁

When a mask M and a base plate W are moved in a separating direction relatively, the relative moving speed V between the mask and the base plate W is controlled such that a peeling force F acting on the mask M with the relative movement becomes smaller than a retaining force f of the mask M to a flange 26.例文帳に追加

マスクＭと基板Ｗとを相対的に離間する方向に移動させる際、相対移動に伴ってマスクＭに作用する剥離力Ｆが、フランジ２６に対するマスクＭの保持力ｆよりも小さくなるように、マスクＭと基板Ｗとの相対移動速度Ｖを制御する。 - 特許庁

The above wide wall taper β_w and the narrow wall taper β_n take values (%/m) calculated with the following formulas (1), (2), respectively, and their ranges are β_w: 0.2 to 0.9 %/m, and β_n: 0.8 to 1.3 %/m.例文帳に追加

上記長辺テーパーβ_ｗ、短辺テーパーβ_nはそれぞれ下記の（１）、（２）式で計算される値（％／ｍ）であり、その範囲は、β_ｗ：０．２％／ｍ以上０．９％／ｍ以下、β_n：０．８％／ｍ以上１．３％／ｍ以下とする。 - 特許庁

This mask assembly MA comprises a liquid crystal glass substrate W, a magnetic mask M for partially shielding a film deposition surface, and a holder having a built-in magnet for attracting the mask M and pressing the liquid crystal glass substrate W against the mask M from a back side.例文帳に追加

マスク組立体ＭＡは、液晶ガラス基板Ｗと、その成膜面を部分的に遮蔽する磁性体性のマスクＭと、マスクＭを吸引するマグネットを内蔵し、液晶ガラス基板Ｗを裏面側からマスクＭに押し付けるホルダとを備える。 - 特許庁

In the manufacture, a value obtain by dividing the charged power to the ultraviolet source by the traveling speed is controlled to ≥0.5 w×min/m and ≤50 W×min/m during a linear velocity increasing period to increase the traveling speed of the wire body from 100 m/min.例文帳に追加

この製造において、線条体の走行速度を１００ｍ／ｍｉｎから上昇させる線速上昇期間において、紫外線光源への投入電力を走行速度で除した値を０．５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ以上５０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ以下の値とする。 - 特許庁

The mask assembly MA comprises a liquid crystal glass substrate W, a magnetic mask M for partially shield a film deposition surface thereof, and a holder having a built-in magnet for attracting the mask M, and pressing the liquid crystal glass substrate W against the mask M from a back side.例文帳に追加

マスク組立体ＭＡは、液晶ガラス基板Ｗと、その成膜面を部分的に遮蔽する磁性体性のマスクＭと、マスクＭを吸引するマグネットを内蔵し、液晶ガラス基板Ｗを裏面側からマスクＭに押し付けるホルダとを備える。 - 特許庁

The sheet-material finishing machine 1 transports the stock sheet material W on a table 5 with a sheet transporting function 7 and cuts the stock sheet material W with a finishing head 6 to obtain a cut-off sheet material M from this stock sheet material W.例文帳に追加

板材加工機１は、板材送り機構７により素材板材Ｗをテーブル５上で送り、加工ヘッド６により素材板材Ｗを切断してこの素材板材Ｗから切取板材Ｍを切り取る。 - 特許庁

Six switching elements U+, V+, W+, U-, V- and W- are alternately switched on/off in accordance with a rotor phase of the brushless DC motor M, and the rotor is rotated by alternately passing a current to a plurality of coils 37(U), 37(V) and 37(W) corresponding to the elements.例文帳に追加

ブラシレス直流モータＭのロータの位相に応じて６個のスイッチング素子Ｕ＋，Ｖ＋，Ｗ＋，Ｕ−，Ｖ−，Ｗ−を交互にオン・オフし、対応する複数のコイル３７（Ｕ），３７（Ｖ），３７（Ｗ）に交互に通電することによりロータを回転させる。 - 特許庁

Exposure light is used for allowing the pattern of the mask M to project onto the wafer W, and at the same time the wafer W and exposure light are relatively scanned for exposing an exposure region on the wafer W.例文帳に追加

マスクＭのパターンを露光光を用いてウエハＷ上に投影するとともにウエハＷと露光光を相対走査してウエハＷ上の露光領域を露光する。 - 特許庁

The MIMO receiver is provided with m_0 directivity controllable directivity variable antennas AN-m, radio receivers R-m and adaptive control controller C1 and weighting devices (multiplier) W-m and a signal combination device (adder) p1.例文帳に追加

指向性制御可能なｍ_0個の指向性可変アンテナＡＮ−ｍ、無線受信機Ｒ−ｍ、適応制御コントローラＣ１、重み付け装置（乗算器）Ｗ−ｍ、信号合成装置（加算器）ｐ１とを備えている。 - 特許庁

Namely, data whose width where the distortion occurs is M is mapped to the length of M+W-L by using a texture mapping algorithm when the width of a distortion area where the back cover is positioned is M.例文帳に追加

すなわち、背表紙の位置する歪み領域の幅がＭだとすれば、テクスチャマッピングアルゴリズムを用いて、歪みが生じた幅がＭのデータをＭ＋Ｗ−Ｌの長さにマッピングする。 - 特許庁

The semi-finished article M is pushed out from the steel sheet W, and the outer circumferential surface 85 and temporary hole h of the semi-finished article M are corrected while the front and rear surfaces of the semi-finished article M are sandwiched.例文帳に追加

この鋼板Ｗから中間品Ｍを押し出すと共に、中間品Ｍを表裏から挟んだ状態として、当該中間品Ｍの外周面８５及び仮穴ｈを矯正する。 - 特許庁

A nylon canvas 4c is nipped between a thin rubber plate 4a and a thick rubber plate 4b and then pressed to form a rubber plate 4, for example, having a length L of 5 m, a width W of 1 m and a thickness T of 2 m.例文帳に追加

ゴム材の薄板４ａと厚板４ｂの間にナイロン製の帆布４ｃを挟み込みプレスして、例えば長さＬ＝５ｍ、幅Ｗ＝１ｍ、厚さＴ＝２ｍｍのゴム板４を成形する。 - 特許庁

(where W is a slab width (m), T is a slab thickness (m), and S is a discharge port cross section (m^2) of a submerged nozzle).例文帳に追加

Ｖ_Ａｒ≦０．３×η＋０．５ （１）ｖ_Ｃ≦（０．０５２７×２×６０×Ｓ×η）／（Ｗ×Ｔ） （３）ただし、Ｗは鋳片幅（ｍ）、Ｔは鋳片厚み（ｍ）、Ｓは浸漬ノズルの吐出口断面積（ｍ^２）である。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルＭがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ１と、ワード線Ｗ_1〜Ｗ_mと、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nと、プレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nと、トランジスタＴとを有する。 - 特許庁

Further, the cermet body contains at least one element M_x selected from group-V elements of the periodic table such that atomic ratio Ti/M_x is 4 to 20, and atomic ratio W/M_x is 1 to 6.例文帳に追加

サーメット本体は、周期表の第５族からの少なくとも１つの元素Ｍ_xをさらに含み、原子比Ｔｉ／Ｍ_xは４〜２０であり、原子比Ｗ／Ｍ_xは１〜６である。 - 特許庁

|t_on-T/4WUmax C|≤2, t_off≤1 Wherein, W: width (m) of the cast slab, T: thickness (m) of the cast slab, Umax: the maximum value (m/sec) of the stirring flow speed at the center of coils and C: parameter.例文帳に追加

｜ｔ_on−Ｔ／４ＷＵmax Ｃ｜≦２ ｔ_off ≦１ ここで、Ｗ：鋳片幅（ｍ）、Ｔ：鋳片厚（ｍ）、Ｕmax ：コイル中心での攪拌流速の最大値（ｍ／秒）、Ｃ：パラメータ - 特許庁

In the equation, N represents the number of the grooves 2c on the back surface of the substrate layer 2 per 0.9 m length [(0.9 m)^-1], and W represents the moisture permeability of the moisture proof layer 4 measured based on JIS Z0208 [g/(m^2×24 h)].例文帳に追加

Ｎ：長さ０．９ｍ当たりの基材層２の裏面の溝２ｃの本数〔本／０．９ｍ〕 Ｗ：JIS Z0208に準拠して測定した防湿層４の透湿度〔ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）〕 - 特許庁

Wherein, Io denotes the reference acoustic intensity being 0.96×10^-12(W/m^2), ρo is the density of the air being 1.2(kg/m^3) and (c) denotes the sound speed in the air being around 340(m/S).例文帳に追加

ここで、Ｉｏ：基準音響インテンシティーで０．９６×１０^−１２（Ｗ/ｍ^２）、ρo：空気の密度で１．２（ｋｇ/ｍ^３）、ｃ：空気中の音速で約３４０（ｍ／Ｓ）である。 - 特許庁

The cord lock includes: a male tool M; a female tool F for storing the male tool M to move against a bias of a biasing means S; and penetration holes 1, 5 of the string W at lateral parts of the male tool M and the female tool F, respectively.例文帳に追加

雄具Ｍとこの雄具Ｍを付勢手段Ｓの付勢に抗する向きへの移動操作可能に納める雌具Ｆとを有すると共に、この雄具Ｍ及び雌具Ｆの側部にそれぞれ紐Ｗの通し孔１、５を備えてなる。 - 特許庁

A belt-like work W is carried and moved, the work mark on the belt-like work W is detected by the alignment microscopes of two alignment units AU, the alignment of the mask M and the work W is performed, and a mask pattern is exposed on the work W.例文帳に追加

帯状ワークＷを搬送移動して、帯状ワーク上のワークマークＷＡＭを、２台のアライメントユニットＡＵのアライメント顕微鏡により検出しマスクＭとワークＷの位置合わせを行ってマスクパターンをワークＷ上に露光する。 - 特許庁

A machining head 3 is held by an arm 6 so as to be movable in a radial direction of the wafer (W), and removes the electroconductive film (M) on the surface of the wafer (W) by constantly supplying equal electricity to the wafer (W), while moving toward the outer circumferential part from the center of the wafer (W).例文帳に追加

加工ヘッド３はアーム６によりウェハＷの半径方向に移動可能に保持し、加工ヘッド３をウェハＷの中心から外周部に向かって移動させながら、常に均等な電気を供給してウェハＷ表面の導電性膜Ｍを除去する。 - 特許庁

An adaptive array antenna system 100 disclosed herein includes: m_0 pieces of directivity variable antenna elements AN-m (m is a natural number of m_0 or below) whose directivity is controlled; wireless receivers R-m; an adaptive control controller C1; weighting units (multipliers) W-m; and a signal composite unit (adder) p1.例文帳に追加

アダプティブアレーアンテナ装置１００は、指向性制御可能なｍ_0個の指向性可変アンテナ素子ＡＮ−ｍ（ｍはｍ_0以下の自然数、以下同じ）と、無線受信機Ｒ−ｍと、適応制御コントローラＣ１と、重み付け装置（乗算器）Ｗ−ｍと、信号合成装置（加算器）ｐ１とを備えている。 - 特許庁

In this surface finishing method for a work W using a machining center having a spindle 4 for holding a ball end mill M, the surface finishing tool 1 is made by coating the surface of the ball end mill M with coating material 2 made of softer material than the work W, abrasive grains are supplied on the work W, and the surface of the work W is finished by the finishing tool 1.例文帳に追加

ボールエンドミルＭを把持可能な主軸４を持つマシニングセンタによるワークＷの表面仕上げ方法であって、ボールエンドミルＭの表面にワークＷよりも軟質の材料からなるコーティング材２をコーティングした構成からなる仕上げ工具１を作製し、砥粒をワークＷ上に供給して、仕上げ工具１によりワークＷの表面を仕上げ加工する表面仕上げ方法とした。 - 特許庁

In 1920 he dissolved W.M. Vories & Company, establishing the "W.M. Vories Architect Office"as well as the "Omi Sales Company." 例文帳に追加

1920年、ヴォーリズ合名会社を解散し「W・M・ヴォーリズ建築事務所」および「近江セールズ株式会社」を設立する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The encapsulating epoxy resin composition comprises an epoxy resin, a hardener, an inorganic filler having a thermal conductivity of ≥5 W/m×K, and a stress reducer.例文帳に追加

エポキシ樹脂、硬化剤、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機充填材、低応力材を含有する。 - 特許庁