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M[[w]]の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 893



例文

Next, the holding of the holder H is released and the holder H is pressed against the liquid crystal glass substrate W while the liquid crystal glass substrate W is pressed against the mask M by a plurality of pressing pins 5.例文帳に追加

次に、複数の押付ピン5によって液晶ガラス基板WをマスクMに対して付勢している状態で、ホルダHの保持を解除してホルダHを液晶ガラス基板Wに押し付けさせる。 - 特許庁

An illumination optical system 70 irradiates a substrate W with light for pattern exposure via the mask M, and exposure-transfers the line-like pattern 84 corresponding to the main pattern part 81, on the substrate W.例文帳に追加

照明光学系70が基板Wに対してパターン露光用の光をマスクMを介して照射し、基板Wに主パターン部81に対応するライン状のパターン84を露光転写する。 - 特許庁

To provide a latex polymer meeting an E/A (emulsification agglomeration/unification) toner capable of customizing a latex of a wide M_w range substantially not changing M_n and Tg to keep the performance of good toner.例文帳に追加

E/A(乳化/凝集/合一)トナー製品に見合ったラテックスポリマーを調製し、良好なトナー性能が維持されるようにM_nを実質的に変えずに、Tgを実質的に変えずに、広範なM_wのラテックスをカスタマイズする。 - 特許庁

As the thermosetting resin foam, phenol urethane foam having a density of 20-80 kg/m^3, and heat conductivity (0°C) of 0.020-0.024 W/(m*K), is used.例文帳に追加

熱硬化性樹脂発泡体として、密度は20〜80kg/m^3、熱伝導率(0℃)は0.020〜0.024W/(m・K)であるフェノールウレタンフォームを用いる。 - 特許庁

例文

The product of a short-time discrete Fourier transformation arithmetic result X(f, m) of time-series data x(n) and a separate matrix W(f) is calculated to find Y(f, m).例文帳に追加

時系列データx(n)の短時間離散フーリエ変換演算結果X(f,m)と、分離行列W(f)との積の演算をしてY(f,m)を求める。 - 特許庁


例文

A mixture of a woody material W and a melt of a thermoplastic resin R is sprinkled over a form 10 to form a mat M having a double-layered structure and the mat M is press-molded to manufacture the woody molded product.例文帳に追加

型枠10上に木質材料Wと熱可塑性樹脂R溶融物との混合物を散布して複層構造のマットMをフォーミングし、該マットMをプレス成形して木質成形体を製造する。 - 特許庁

When a magnification setting circuit 107 sets a reduction rate (m), a control coefficient generating circuit 108 generated a control coefficient (k) in response to the reduction rata (m), and an interpolation coefficient calculation circuit 109 calculates an interpolation coefficient (w).例文帳に追加

倍率設定回路107が縮小倍率mを設定すると、制御係数発生回路108は倍率mに応じて制御係数kを発生させ、補間係数算出回路109が補間係数wを算出する。 - 特許庁

A M_xV_2O_5 crystal is selectively deposited in V-based glass, where M is either of metallic elements Fe, Sb, Bi, W, Mo, Mn, Ni, Cu, Ag, alkaline metals, and alkaline earth metals, and 0<x<1.例文帳に追加

V系ガラス中に、M_xV_2O_5結晶(M:Fe,Sb,Bi,W,Mo,Mn,Ni,Cu,Ag,アルカリ金属,アルカリ土類金属)のいずれかの金属元素、0<x<1)を選択的に析出させる。 - 特許庁

The antenna weight processing part 140A calculates the antenna weight w^*_1-w^*_R using the optimization algorithm at a state that the calculated equalization weight c^*_0-c^*_M are held in a feedforward part 120A.例文帳に追加

アンテナウェイト処理部140Aは、算出された等化ウェイトc^*_0〜c^*_Mがフィードフォワード部120Aにおいて保持された状態で、最適化アルゴリズムを用いてアンテナウェイトw^*_1〜w^*_Rを算出する。 - 特許庁

例文

Before bend forming is performed on the workpiece W with the hole part A, formed part or the like hear the bending line M, a designated groove G is formed in the bending line M position.例文帳に追加

曲げ線Mの近傍に穴部A、成形部等を有するワークWに対して曲げ加工を行う前に、該曲げ線M位置に、所定の溝Gを加工する。 - 特許庁

例文

The saw wire has a wire diameter of 0.05 to 0.30 mm, and a residual amount of a wire-drawing lubricant m (lubricant residual) attaching to the surface of the wire w is 15 to 40 mg/m^2.例文帳に追加

線径が0.05〜0.30mmで、ワイヤw表面に付着した、伸線潤滑剤mの残留量(残留潤滑剤量)が15〜40mg/m^2 であるソーワイヤ。 - 特許庁

In the apparatus for manufacturing a silica crucible comprising a carbon mold for manufacturing the silica crucible by a rotating mold method, the carbon mold has thermal conductivity of not more than 125 W/(m×K).例文帳に追加

回転モールド法により石英ルツボを製造するためのカーボン製モールドを有する石英ルツボ製造装置であって、前記カーボン製モールドは、熱伝導率が125W/(m・K)以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The fabric reducing the load of exercise has an increasing rate of friction coefficient of 100% or less when applied with moisture on at least one side surface thereof, and has a contact cool feeling value of 240 W/m^2×°C or less when applied with moisture of 200 g/m^2.例文帳に追加

少なくとも一方の面の水分付与時の摩擦係数増加率が100%以下であり、かつ、200g/m^2水分付与時の接触冷感値が240W/m^2・℃以下であることを特徴とする運動負荷軽減布帛。 - 特許庁

The exposure system is equipped with a lighting system (1 to 9) illuminating a mask (M), and a projection optical system (PL) which projects the image of a pattern provided on the mask (M) onto a photosensitive substrate (W) for exposure.例文帳に追加

マスク(M)を照明する照明系(1〜9)と、マスクのパターン像を感光性基板(W)上に投影露光する投影光学系(PL)とを備えた露光装置。 - 特許庁

If an electronic watermark embedding part 202 reads out the data for embedding X(i) from the storage device 122, it divides the read out data for embedding X(i) to create m pieces of divided data W(i, j) (j=1, 2, ..., m).例文帳に追加

電子透かし埋め込み部202は、埋め込み用データX(i)を記憶装置122から読み取ると、読み取った埋め込み用データX(i)を分割してm個の分割データW(i,j)(j=1,2,・・・,m)を生成する。 - 特許庁

In interpolating operation 21 using a 3D-LUT, conversion to outputs K, Lk, C_UCR, M_UCR, and Y_UCR corresponding to eight grating points (points W, Y, M, R, C, G, B, and K) of C_0M_0Y_0, is performed.例文帳に追加

3D−LUTを用いた補間演算21では、C_0M_0Y_0の8格子点(点W,Y、M,R,C,G,B,K)に対応する出力K、Lk、C_UCR、M_UCR、Y_UCRに変換する。 - 特許庁

As the woven fabric of an inorganic fiber, use is made of the one formed of a fiber comprising a highly heat-conductive substance consisting of an insulating inorganic material that has a heat conductivity of20 W/m×K.例文帳に追加

無機繊維織布として、熱伝導率が20W/m・K以上である絶縁性無機材料からなる高熱伝導性物質を含む繊維から形成されるものを用いる。 - 特許庁

The M^2 may be also at least one selected from rare-earth elements In, Pd, Sb, Ti, As, Al and Ga, and the M^3 may be also at least one selected from Si, Ge, Ti, Mo, W, Pt and Zr.例文帳に追加

M^2は希土類元素、In,Pd,Sb,Ti,As,Al,Gaの中から選ばれる少なくとも一種、M^3はSi,Ge,Ti,Mo,W,Pt,Zrの中から選ばれる少なくとも一種からなるものであってもよい。 - 特許庁

An estimation matrix storage part 17 prestores estimation matrixes W_1, W_2, to W_M predetermined by M types of light sources to be used for providing an illuminating environment.例文帳に追加

推定行列格納部17は、照明環境を提供するために用いられ得るM種類の光源毎に予め定められた推定行列W_1,W_2,・・・,W_Mを予め格納する。 - 特許庁

The cleaning device is equipped with an ultrasonic wave atomization device 1 which atomizes the cleaning liquid W into the mist M by ultrasonic vibration, and a supply portion 5 which supplies the mist M atomized by the ultrasonic wave atomization device 1 to the surface of the material H.例文帳に追加

洗浄装置は、洗浄液Wを超音波振動させてミストMに霧化する超音波霧化機1と、この超音波霧化機1で霧化されたミストMを被洗浄物Hの表面に供給する供給部5とを備える。 - 特許庁

The sealing amount M (mg/cc) of iron as the sealing material is set to a value which satisfies the relation of 0.001<M<0.15 relative to the capacity of the discharge space 10 when the lamp input per unit length is 50-160 W/cm.例文帳に追加

封入物である鉄の封入量M(mg/cc)を、単位長さ当たりのランプ入力が50〜160W/cmがあるとき、放電空間10の容積に対して、0.001<M<0.15の関係になる値に設定した。 - 特許庁

The irradiation object W with a photoresist R applied to a mask M is placed on the stage 21 with a side of the mask M in close contact with the light incident section 32 of the liquid-proof member 30.例文帳に追加

マスクM上にレジストRを塗布した被照射物Wはステージ21に載置され、被照射物WのマスクM側が防液部材30の光入射部32に密接するように配置される。 - 特許庁

(2) The sputtering target according to (1) further includes (M) and O, (wherein (M) represents at least one element selected from among Mg, Al, Si, Cr, Co, Ti, Ge, Y, Zr, Ta, W and rare earth elements).例文帳に追加

(2)更にMとOを含む(1)記載のスパッタリングターゲット(但し、MはMg、Al、Si、Cr、Co、Ti、Ge、Y、Zr、Ta、W、希土類元素から選ばれる少なくとも1つの元素)。 - 特許庁

The pair of leg parts 23 and 23 of the male member 2 are formed with insertion holes 28 for easy-operation string body W', which are provided in an object M to be used respectively so that the clasp T is engaged with the object M.例文帳に追加

雄部材2の一対の脚部23、23にそれぞれ、留め具Tを使用対象物Mに係留させるように使用対象物Mに備え付けられる易操作用紐状体W’の挿通穴28が形成してある。 - 特許庁

The thermally conductive emulsion is used as a high thermally conductive coating agent or adhesive, and shows high thermal conductivity of ≥5 W/m×K.例文帳に追加

本発明に係る熱伝導性エマルジョンは、高熱伝導性コート剤または接着剤として使用されるが、5W/m・k以上といった高い熱伝導性を示す。 - 特許庁

The mold M is immersed in the washing liquid W housed in a washing tank B to be washed in order to remove adherends adhering to the outer surfaces 1b and 2b and a vapor hole 22 of the mold M.例文帳に追加

洗浄槽Bに収容された洗浄液W内に成形型Mを所定時間浸漬させて、前記成形型Mの外面1b,2b、及び蒸気孔22に付着した各付着物を除去すべく洗浄する。 - 特許庁

Even after wear of forming tool 1, an angle between the tool axis M and the central axis of the work W, i.e., a tool relative angle, maintains the inclination angle θ0 of the tool axis M and there is no need to correct the position of the tommy bar 5 or the like.例文帳に追加

総型工具1の摩耗後でも、工具軸MとワークWの中心軸の角度すなわち工具相対角度が工具軸Mの傾斜角度θ_0 を維持し、カンザシ5等の位置を修正する必要はない。 - 特許庁

This prevents application of a residual pressure of a M/C (master cylinder) pressure generated in an M/C 13a to the W/Cs 14b, 15b of the driving rear wheels RL, RR, thus prevents the vehicle from becoming unstable.例文帳に追加

このため、そのときにM/C13a内に発生しているM/C圧の残圧が駆動輪となる後輪RL、RRのW/C14b、15bに加えられないようにすることができ、車両が不安定になることを防止することが可能となる。 - 特許庁

The pattern drawing device includes n light sources 41 and m (m=n-1) optical units 32 that deform pulse beams emitting from the light sources 41 into a prescribed pattern to irradiate the surface of a substrate W with the deformed beams.例文帳に追加

パターン描画装置は、n個の光源41と、光源41から入射されたパルス光を所定のパターン形状に変形して基板Wの表面に照射するm個(m=n−1)の光学系ユニット32とを備える。 - 特許庁

In the cleaning method; cleaning liquid W is atomized into mist M by ultrasonic vibration, and the mist M is supplied to the surface of the material H for cleaning the material H.例文帳に追加

洗浄方法は、洗浄液Wを超音波振動させてミストMとし、このミストMを被洗浄物Hの表面に供給して被洗浄物Hを洗浄する。 - 特許庁

The element M is at least one kind of element selected from the group consisting of B, Na, Mg, Al, Si, S, P, K, Ca, Mo, W, Cr, Mn, Co, Ni, and Fe.例文帳に追加

0< M/Ti ≦0.5 (I) 1≦ Nb/Ti ≦5 (II) 前記元素Mは、B、Na、Mg、Al、Si、S、P、K、Ca、Mo、W、Cr、Mn、Co、Ni及びFeから成る群から選択される少なくとも1つである。 - 特許庁

Suction information groups 19 are provided in which designated values of suction positions Q being stopping positions at the time of sucking plate material parts M cut out with a plate processing machine 1 are set for each of the parts M in each blank material W.例文帳に追加

板材加工機1により切り出された板材部品Mを吸着するときの停止位置である吸着位置Qの指定値を、1枚の素材板材W毎の各板材部品Mについて定めた吸着情報群19を設ける。 - 特許庁

When the distance between adjacent nozzles, and the contact angle between the discharged liquid and the substrate are denoted by l [m] and ϕ, respectively, the discharge volume W [m^3] of the liquid drops satisfies a numeric expression 1.例文帳に追加

隣接ノズル間距離をl[m]、吐出した液体と基板との接触角をφとするとき、液滴の吐出体積W[m^3]が以下の式を満たすものとする。 - 特許庁

The method for removing ethylene gas using fine water droplets by electrostatic atomization includes: subjecting water W to electrostatic atomization so as to generate fine water droplets by electrostatic atomization M containing active species; and making the active species falling in the fine water droplets by electrostatic atomization M react with the ethylene gas so as to decompose the ethylene gas into carbon dioxide and water.例文帳に追加

水Wを静電霧化して、活性種を含む帯電微粒子水Mを生成し、前記帯電微粒子水Mに含まれる活性種とエチレンガスを反応させ、二酸化炭素と水に分解する。 - 特許庁

The sportswear is such that the contact cold sense value of at least part of a skin-side surface layer when having moisture of 200 g/m^2 is ≤240 W/(m^2°C).例文帳に追加

少なくとも一部の肌側表面層の200g/m^2水分付与時の接触冷感値が240W/m^2・℃以下であることを特徴とするスポーツウエア。 - 特許庁

A glass substrate W coated with a photosensitive agent Pa is mounted on a substrate stage 20; and the glass substrate W is exposed through a mask M while varying energy irradiating the glass substrate W so that the photosensitive agent Pa forms three resist layers R, G, B in different thicknesses.例文帳に追加

感光剤Paが塗布されたガラス基板Wを基板ステージ20に載置し、感光剤Paが厚さの異なる3つのレジスト層R,G,Bを形成するように、ガラス基板Wに照射されるエネルギーを変えながらマスクMを介してガラス基板Wを露光する。 - 特許庁

A mask stage 23 that mounts a mask M, a wafer stage 25 that mounts a wafer W, a focusing mechanism 26 that detects the surface position information of the wafer W, and adjustment means 27 and 42 that adjust the surface position of the wafer W based on the detected result of the focusing mechanism 26 are provided.例文帳に追加

マスクMを載置するマスクステージ23と、ウエハWを載置するウエハステージ25と、ウエハWの面位置情報を検出する合焦機構26と、合焦機構26の検出結果に基づいてウエハWの面位置を調整する調整手段27,42とを備える。 - 特許庁

The exposure of the glass substrate W is conducted by continuously conveying the glass substrate W with a substrate conveying mechanism 10 and making irradiation portions 13 emit pulsed light in synchronization with coincidence of the black matrix layers BM of the glass substrate W and the mask patterns 51 of a mask M.例文帳に追加

このガラス基板Wの露光は、基板搬送機構10によってガラス基板Wを連続搬送しながら、ガラス基板Wのブラックマトリクス層BMと、マスクMのマスクパターン51との一致に同期させて、照射部13をパルス発光させて行う。 - 特許庁

A mask M held by exposure mechanisms 3A and 3B is brought into contact with a substrate W held by substrate holder mechanisms 3A and 3B of exposure processing parts 1A and 1B of an automatic exposure device and the substrate W is automatically exposed to a specified pattern through the mask W.例文帳に追加

自動露光装置1の各露光処理部1A,1Bの基板ホルダ機構3A,3Bに保持された基板Wに、各露光機構5A,5Bに保持されたマスクMを接触させ、このマスクMを通して基板W上に所定のパターンを自動的に露光処理する。 - 特許庁

The substrate holding means 13 holds the substrate W so that the film deposition face Wa in the substrate W is almost vertically held, and is provided with driving means relatively moving the substrate W and the mask member M to the film deposition gas G ejected from the gas feeding means 20, and a temperature control means.例文帳に追加

基板保持手段20は、基板Wの成膜面Waが略垂直に保たれるように基板Waを保持すると共に、ガス供給手段20から噴き出される成膜ガスGに対して基板Wおよびマスク部材Mを相対的に移動させる駆動手段や温度調整手段を備えている。 - 特許庁

When the projecting strips 6 of a wheel W are fitted into the recessed grooves M2 of the moving passage M, a braking body 4 is brought into contact with the road surface M1 of the moving passage M, and also an auxiliary wheel 5 is fitted into the recessed grooves M2 of the moving passage M.例文帳に追加

車輪Wの凸条6が移動通路Mの凹条溝M2 に嵌り込んだときに、制動体4を移動通路Mの路面M1 に接触するようにすると共に、補助輪5を移動通路Mの凹条溝M2 に嵌り込むようにしている。 - 特許庁

The marking device 1 forming the identification mark M on the work W having a grip possible area H includes a gripping arm 6 gripping the work W in a grip-possible area H; and a marking grip 6b provided at the gripping arm 6 to grip the work W, and forming at least a part of the identification mark M at a gripping position.例文帳に追加

把持可能領域Hを有するワークWに識別マークMを形成するマーキング装置1であって、把持可能領域HにおいてワークWを把持する把持アーム部6と、把持アーム部6に設けられ、ワークWを把持するとともに、把持した位置に識別マークMの少なくとも一部を形成するマーキング把持部6bと、を備えるものを用いる。 - 特許庁

This processing method is one which removes fine particles adhering to the surface, while physically bringing particles X into contact with the surface W of many sheets of semiconductor wafers W soaked and stored in immersed form in treatment liquid M, making use of high-speed shower and bubbles arising in the treatment liquid M while sending gas into the treatment liquid M where the particles X are mixed.例文帳に追加

粒子Xを混入させた処理液M中に気体を送り込みながら、それにより処理液M中に発生す高速シャワー並びに泡を利用して、処理液M中に没入状に浸漬収容されている多数枚の半導体材料Wの表面に前記粒子Xを物理的に接触させながら、該表面に付着している微粒子を取り除くようにしたことである。 - 特許庁

A relay server device 10 acquires web data W, including moving image data (video contents) M to be provided by a WWW server device 20, embeds a control code C, constituted of scripts or byte codes in the web data W for preparing web data W' for linking, and distributes the web data W' to each client device 30.例文帳に追加

中継サーバ装置10は、WWWサーバ装置20が提供する動画データ(映像コンテンツ)Mを含んだウェブデータWを取得して、スクリプトやバイトコードによりなるコントロールコードCを埋め込むことにより、連動用のウェブデータW’を作成し、各クライアント装置30へ配信する。 - 特許庁

In the steering device provided with an actuator M capable of controlling a wheel steering angle ϕ of the wheels W, W in the vehicle, the wheel steering angle ϕ is controlled based on a wheel steering angle ϕ1 at at least returning of the wheel and a phenomenon that the wheels W, W are returned to a neutral position by self aligning torque is duplicated at returning of the wheel.例文帳に追加

車両における車輪W,Wの車輪操舵角φを制御可能なアクチュエータMを備えたステアリング装置において、車輪戻り時に、少なくとも車輪戻り時の車輪操舵角φ1に基づいて車輪操舵角φを制御して、セルフアライニングトルクにより車輪W,Wが中立位置に戻される現象を再現するようにした。 - 特許庁

Here is the full list of supported escapes: % the escape character itself a either 'am' or 'pm' A either 'AM' or 'PM' c current time HH:MM in 24h format C current time HH:MM in 12h format d day number D weekday name f flags of the window F sets %? to true if the window has the focus h hardstatus of the window H hostname of the system l current load of the system m month number M month name n window number s seconds t window title u all other users on this window w all window numbers and names. 例文帳に追加

以下にサポートされているエスケープの完全なリストを示す:%エスケープ文字自身a\\(aqam' または 'pm' のどちらかA\\(aqAM' または 'PM' のどちらかc現在の時刻 HH:MM (24h 表記)C現在の時刻 HH:MM (12h 表記)d月内日D曜日fウィンドウのフラグFウィンドウにフォーカスがあると %? を真にするhウィンドウのハードステータスHシステムのホスト名lシステムの現在の負荷 (load)m月 (数値)M月 (名前)nウィンドウ番号s秒tウィンドウのタイトルuこのウィンドウを使っている他のユーザすべてw全ウィンドウの番号と名前。 - JM

The housing made of resin is obtained from a polyphenylene sulfide resin composition having thermal conductivity in the thickness direction of 4 W/m×K or more measured by laser flash method, preferably from a polyphenylene sulfide resin composition comprising polyphenylene sulfide, carbon fibers having thermal conductivity of 100 W/m×K or more, and metallic silicon powders, and is suitably used especially for portable apparatuses.例文帳に追加

レーザーフラッシュ法により測定した厚み方向の熱伝導率4W/m・K以上のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、好ましくはポリフェニレンスルフィド、100W/m・K以上の熱伝導率を有する炭素繊維及び金属ケイ素粉末からなるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物よりなり、特に携帯機器用として好ましく用いることが出来る樹脂製筐体。 - 特許庁

When a difference between the dynamic torque of the developing device 23 storing the developer G and the dynamic torque of the development device 23 containing no developer G is W(kgf cm) and the mass of toner in the developer G in the development device 23 is M(g), the relationship expressed by W/M≤0.04 is established.例文帳に追加

そして、現像剤Gが収納された状態における現像装置23の動トルクと現像剤Gが収納されていない状態における現像装置23の動トルクとの差をW(kgf・cm)とし、現像装置23内における現像剤G中のトナーの質量をM(g)としたときに、W/M≦0.04なる関係が成立するように構成する。 - 特許庁

In a grid computing system 100, a master M generates a job group by binding jobs (for example, analytic programs) whose execution time is short by the number of jobs calculated based on the processing performance of a worker W at the destination of allocation and a communication time between master M/worker W, and inputs the job group to the destination of allocation.例文帳に追加

グリッドコンピューティングシステム100では、マスタMが、実行時間の短いジョブ(例えば、解析用プログラム)を、割当先のワーカWの処理性能およびマスタM/ワーカW間の通信時間をもとに求めたジョブ数で束ねたジョブ群を生成し、そのジョブ群を割当先に投入する。 - 特許庁

例文

This hydrogen storage powder is the aggregate of a particle 1, at least a part of the surface of which comprises a metal oxide MxOy (wherein, x is the number of a metal atoms M and is ≥1; and y is the number of oxygen atoms O and is <w when the stoichiometric number of oxygen atoms in the chemical bond of atoms M and O is defined as w).例文帳に追加

水素貯蔵粉末は,少なくとも表面の一部が金属酸化物MxOyよりなる粒子1の集合体であって,金属原子Mの数xがx≧1であり,また酸素原子Oの数yが,金属原子Mと酸素原子Oとの化学結合における化学量論に基づく酸素原子Oの数をwとしたとき,y<wである。 - 特許庁

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