「V-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A pair of transistors Tr1 and Tr2 which differ in polarity from each other are connected in series across a power supply voltage V_DD of 10 V.例文帳に追加

互いに極性の異なる一対のトランジスタＴｒ１及びＴｒ２が、１０Ｖ系の電源電圧Ｖ_DD間に直列接続される。 - 特許庁

The pixels PX adjacent to each other in the first direction (v) are same in the arrangement of the first to third sub pixels C1, C2, and C3 as each other.例文帳に追加

第１方向ｖに隣接するピクセルＰＸは互いに第１乃至第３サブピクセルＣ１，Ｃ２，Ｃ３の配列が同じである。 - 特許庁

In a service station 1, each shaft 4, 5 extends in a direction D orthogonal to the moving direction V of a capping unit 11.例文帳に追加

サービスステーション１では、各シャフト４および５はキャッピングユニット１１が移動する方向Ｖに対して直交する方向Ｄに伸びている。 - 特許庁

When using the 100 V commercial power supply, a current flows in a solenoid 76, and a push rod 76b projects in a positive X-direction.例文帳に追加

商用電源が１００Ｖ系である場合には、ソレノイド７６に電流が流れ、プッシュロッド７６ｂが＋Ｘ方向に突出する。 - 特許庁

(v) in addition to what is provided for in the preceding items, grades primarily indicating the results of an assessment of matters other than the credit status. 例文帳に追加

五　前各号に掲げるもののほか、主として信用状態以外の事項に関する評価の結果について表示した等級 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(v) If any event other than those listed in Article 13 items (1) through (3) is stipulated as a event of dissolution in the Partnership Agreement such event. 例文帳に追加

五　組合契約で第十三条第一号から第三号までに掲げる事由以外の解散の事由を定めたときは、その事由 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(v) The Affairs under jurisdiction and authority authorized to the Board, pursuant to laws or orders pursuant to laws in addition to what is listed in the preceding items. 例文帳に追加

五　前各号に掲げるもののほか、法律又は法律に基づく命令に基づき審査会に属させられた事務及び権限 - 日本法令外国語訳データベースシステム

i) Any person who changes the matters listed in item (iii) through item (v) of Article 3 paragraph (3) in violation of the provisions of Article 7 paragraph (1 例文帳に追加

一　第七条第一項の規定に違反して第三条第三項第三号から第五号までに掲げる事項を変更した者 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In this gadolinium vanadate single crystal, the molar ratio of vanadium(V) ions to the total cations in the single crystal is 48.0-54.0%.例文帳に追加

このバナジウム酸ガドリニウム単結晶は、バナジウム（Ｖ）イオンが単結晶中の全陽イオンに対してモル比で４８．０〜５４．０モル％である。 - 特許庁

(v) Whether in-house regulations have been developed regarding the measures mentioned in (iii) and (iv) above, and a control environment has also been developed for ensuring the examination of compliance of such regulations. 例文帳に追加

⑤ 上記③及び④の措置に関する社内規則を整備するとともに、その遵守状況を検証する態勢となっているか。 - 金融庁

(3) In the manufacturing method of the two-layer optical recording medium mentioned in either of (1) and (2), the periodical negative pulse voltage is -300 V or lower.例文帳に追加

（３）周期的な負のパルス電圧が、−３００Ｖ以下である（１）又は（２）の何れかに記載の２層光記録媒体製造方法。 - 特許庁

Pillar sections 22 of a retainer included in the roller bearing is bent in a sectioned V-shape at an internal diameter surface 28 side.例文帳に追加

上記したころ軸受に含まれる保持器の柱部２２は、内径面２８側に断面形状がＶ字状に押し曲げられている。 - 特許庁

When the wiring harness 5 is attached to the vehicle body, the accessory fixing tool 1 is fit into an anchoring hole in the vehicle body in an inverted V shape.例文帳に追加

そして、ワイヤーハーネス５を車体に取り付ける際には、装備品固定具１を車体の係合孔に逆Ｖ字状に嵌め込む。 - 特許庁

A drainage pipe 2 is obliquely cut out in the vertical direction to its wall to form an opening 6 of a nearly V-shape in its side surface.例文帳に追加

排水管２は、同壁に上下方向から斜めに切欠されて側面ほぼＶ字形状の開口部６が形成されている。 - 特許庁

(v) the estimated period of use and the estimated quantity to be used in one year (in the case where the estimated period is less than one year, the estimated period of use), 例文帳に追加

五　予定使用期間及び年間（予定使用期間が一年に満たない場合にあつては、その予定使用期間）予定使用量 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(v) in cases where a stock company effecting an entity conversion has issued share options, a document listed in Article 59, paragraph (2), item (ii); 例文帳に追加

五　組織変更をする株式会社が新株予約権を発行しているときは、第五十九条第二項第二号に掲げる書面 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(v) in cases where a juridical person is to become a partner of a company incorporated through consolidation-type merger, the document listed in Article 94, item (ii) or (iii). 例文帳に追加

五　法人が新設合併設立会社の社員となるときは、第九十四条第二号又は第三号に掲げる書面 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(v) In addition to the matters listed in the preceding each item, services necessary for preventing industrial accidents provided for by the Ordinance of the Ministry of Health, Labour and Welfare. 例文帳に追加

五　前各号に掲げるもののほか、労働災害を防止するため必要な業務で、厚生労働省令で定めるもの。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Article 66 The case prescribed in the Ordinance of the Ministry of Health, Labour and Welfare set forth in item (v) of paragraph (2) of Article 74 of the Act shall be as follows: 例文帳に追加

第六十六条　法第七十四条第二項第五号の厚生労働省令で定めるときは、次のとおりとする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Of the works set forth in item (iv) of Article 6 of the Order, work handling only boilers listed in (a) through (d) of item (v) of Article 20 of the Order 例文帳に追加

令第六条第四号の作業のうち令第二十条第五号イからニまでに掲げるボイラーのみを取り扱う作業 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Also, the joint 16 is formed in the shape of V to prevent its vertical length from increasing and to secure a large opening area in the angular frame 13.例文帳に追加

また、接合部材１６を「く」字状にして垂直方向の長さの増大を防ぎ、山形架構１３の開口面積を大きく取る。 - 特許庁

The thickness dimension of the non-magnetic layer 4 is in the range of 1-50 nm and surface roughness (P-V) is in the range of ≥2 nm and ≤20 nm.例文帳に追加

非磁性層４の厚さ寸法は、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲、表面粗さ（Ｐ−Ｖ）が２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲とする。 - 特許庁

One dry battery 41a is loaded in a battery holder 42 in the case the dry battery 41a is an unused new one, and then, a power of 1.5 V is supplied.例文帳に追加

電池ホルダ４２には、乾電池４１ａが未使用の新品の場合には、１個装着され、１．５Ｖの電力が供給される。 - 特許庁

In this glass molding 11, a bar groove 12 having a V-shaped cross section is formed on its outer surface side along the cutting line L in a molding process.例文帳に追加

ガラス成型体１１には、成型工程で切断線Ｌに沿って外面側に断面ほぼＶ字状の条溝１２を形成する。 - 特許庁

In S55, a feature amount U(p) is specified for each Y coordinates on the basis of a total value V(p, q) for each pixel calculated in S54.例文帳に追加

Ｓ５５で、Ｓ５４で算出された各画素の合計値Ｖ（ｐ，ｑ）に基づいて、Ｙ座標毎の特徴量Ｕ（ｐ）が特定される。 - 特許庁

To provide a chemical filter unit capable of suppressing pressure loss without deteriorating gas adsorption performance in the chemical filter unit in which filter panels are arranged into a V shape.例文帳に追加

フィルタパネルをＶ形に配置したケミカルフィルタユニットにおいて、ガス吸着性能を低下させることなく、圧力損失を抑制する。 - 特許庁

In addition, the sliding velocity V (m/h) of the plate is made to satisfy expression (2) with respect to the ZrO_2 content Z (mass%) in the plate.例文帳に追加

また、プレート中のＺｒＯ_２含有率Ｚ（質量％）に対して、プレートの摺動速度Ｖ（ｍ／ｈ）が式（２）を満たすようにする。 - 特許庁

To enable to effectively reduce dimension of the whole device in a height direction in a key switch device having a constitution of a V-shaped gear link.例文帳に追加

Ｖ字ギアリンクの構成を有するキースイッチ装置において、装置全体の高さ方向寸法を効果的に削減できるようにする。 - 特許庁

The writing of the image data based on coordinates information is carried out only in the image storing area V set in a permission mode.例文帳に追加

座標情報に基づく画像データの書き込みは、許可モードに設定されている画像記憶領域Ｖに対してのみ行われる。 - 特許庁

The negative potential applied on the bolt 1 is allowed to vary periodically in the range of -0.8 to -1.5 V in relation to a silver/silver chloride electrode.例文帳に追加

ボルト１に付与する負の電位が、銀塩化銀電極に対して−０．８乃至−１．５Ｖの範囲を周期的に変動しても良い。 - 特許庁

To simplify more a communication procedure in facsimile communication in the V.34 mode, to make the communication stable and to reduce a total communication time furthermore.例文帳に追加

Ｖ．３４モードのファクシミリ通信で、通信手順をより簡略化し、通信を安定させ且つトータル通信時間をさらに短縮する。 - 特許庁

The foam can also have the reinforcing ribs (24), the folded back parts of which folded back in the V-shape in cross section are overlapped with each other.例文帳に追加

該発泡体は、断面Ｖ字状に折り返した補強リブ(24)の折り返し部どうしが重ね合わされたものとすることもできる。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III-V compound semiconductor crystal suppressing cracks in the group III-V compound semiconductor crystal to be grown, and suppressing contamination in a chamber while maintaining a low cost; and to provide a group III-V compound semiconductor substrate and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

成長させるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶のクラックを抑制し、かつ低いコストを維持し、かつチャンバー内の汚染を抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

Video-signal processing circuits 111, 112 to 11n in each channel for the video processing circuit 10 are supplied with a positive power-supply voltage +V and a ground voltage GND, and output driver circuits 121, 122 to 21n in each channel for the video processing circuit 10 are supplied with the positive power-supply voltage +V and a negative power-supply voltage -V.例文帳に追加

映像処理回路１０の各チャネルの映像信号処理回路１１１，１１２，・・・，１１ｎに正電源電圧＋Ｖと接地電圧ＧＮＤを供給し、映像処理回路１０の各チャネルの出力駆動回路１２１，１２２，・・・，２１ｎに正電源電圧＋Ｖと負電源電圧−Ｖを供給する。 - 特許庁

To provide a formation method of a III-V compound semiconductor layer which uniformizes a composition ratio of nitrogen element in the III-V compound semiconductor layer containing nitrogen element in a thickness direction of the III-V compound semiconductor layer, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor light element.例文帳に追加

窒素元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層中の窒素元素の組成比を、当該III−Ｖ族化合物半導体層の厚み方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。 - 特許庁

In the thin film transistor formed by using the oxide semiconductor layer, the amount of change in threshold voltage of the thin film transistor before and after a BT test is made to be ≤2 V, preferably ≤1.5 V, more preferably ≤1.0 V, thereby the semiconductor device which has high reliability and stable electrical characteristics can be manufactured.例文帳に追加

酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、ＢＴ試験前後における薄膜トランジスタのしきい値電圧の変動幅を２Ｖ以下、好ましくは１．５Ｖ以下、さらに好ましくは１．０Ｖ以下とすることで、信頼性が高く安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

This electromagnetic flowmeter 40 can prevent erroneous measurement when a flow velocity V is zero since flow quantity Q is calculated with the flow velocity V evenly zeroed irrespective of the value of induced voltage E if the flow velocity V is less than a threshold K1 in a stationary state in which an electromagnetic proportioning pump 24 is at rest.例文帳に追加

本発明の電磁式流量計４０は、電磁定量ポンプ２４が停止した静止状態においては、流速Ｖが閾値Ｋ１より小さい場合に、誘起電圧Ｅの値に拘わらず流速Ｖを一律にゼロにして流量Ｑを演算するので、流速Ｖがゼロのときの誤計測を防ぐことができる。 - 特許庁

The waveform of a driving voltage in which the last sustaining pulse voltage Vsn (V) in the sustenance period just before an initialization period when the applying of an initializing pulse voltage Vr (V) is performed is made smaller than a previous sustaining pulse voltage Vst (V) is used as the waveform of the driving voltage to be outputted by the driving part of a plasma display device.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置の駆動部が出力する駆動電圧の波形として、初期化パルス電圧Ｖｒ（Ｖ）の印加が行われる初期化期間の直前の維持期間での最後の維持パルス電圧Ｖｓｎ（Ｖ）をそれ以前の維持パルス電圧Ｖｓｔ（Ｖ）より小さくした駆動波形を用いる。 - 特許庁

The walking beam 8 includes: a beam 15 making a circular motion while keeping in parallel to the horizontal line; a V-stand 16a having a V-valley for placing the pipe and provided on the beam; and a shift mechanism 31 for moving the V-stand 16a to the beam 15 in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the pipe.例文帳に追加

ウォーキングビーム８は、水平線に対して平行を保ったまま円運動するビーム１５と、パイプが載せられるＶ字谷を有すると共にビームに設けられるＶ台１６ａと、Ｖ台１６ａをビーム１５に対してパイプの長手方向と直交する方向に移動させるシフト機構３１と、を有する。 - 特許庁

Such an outlet O is provided with a maximum load pressure introducing port 29 communicating with a maximum load pressure passage 21 arranged in the load sensing valve V, a load pressure introducing port 28 communicating a load pressure passage 14 similarly arranged in the load sensing valve V, and a tank port 30 communicating with a tank passage 5 similarly arranged in the load sensing valve V.例文帳に追加

このようにしたアウトレットＯには、ロードセンシングバルブＶに設けた最高負荷圧通路２１に連通する最高負荷圧導入ポート２９と、同じくロードセンシングバルブＶに設けた負荷圧通路１４に連通する負荷圧導入ポート２８と、同じくロードセンシングバルブＶに設けたタンク通路５に連通するタンクポート３０とを設けている。 - 特許庁

Here, the load on the actuator tends to increase, as the traveling speed V of the vehicle 1 is lower, however, as the lower traveling speed V is lower, the drive speed of the actuator is lower, and thus, an increase in the load on the actuator while the traveling speed V of the vehicle 1 is low, can be suppressed.例文帳に追加

ここで、車両１の走行速度Ｖが小さくなるにつれアクチュエータの負荷が大きくなる傾向があるが、走行速度Ｖが小さいほどアクチュエータの駆動速度が小さくされることで、車両１の走行速度Ｖが小さいときにアクチュエータの負荷が大きくなることを抑制できる。 - 特許庁

In addition, a power source pf 12 V is each base sheet and after the power source of 12 V reaches a reaches a voltage Vuh and a tome Trh passes, a source reset signal of a discharge controlling board is released and after the power source of 12 V reaches a voltage Vum and a time Trm passes, a reset system signal of a main base sheet is released.例文帳に追加

そして各基板に１２Ｖ電源が供給され、その１２Ｖ電源が電圧Ｖuhに達してから時間Ｔrh後に払出制御基板のシステムリセット信号が解除され、そして１２Ｖ電源が電圧Ｖumに達してから時間Ｔrm後に主基板のリセットシステムリセット信号が解除される。 - 特許庁

In the method for growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen and other elements as a group V is composed, an organic nitrogen material G4 is at least partially decomposed by heating the organic nitrogen material G4 for growing the group III-V compound semiconductor layer by using a heater 59.例文帳に追加

Ｖ族として窒素および他の元素を含むIII−Ｖ化合物半導体層を成長する方法では、III−Ｖ化合物半導体層を成長するための有機窒素原料Ｇ４をヒータ５９を用いて加熱して、有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させる。 - 特許庁

To provide ferromagnetic group III-V compounds in which ferromagnetism can be obtained by using the group III-V compounds (GaAs, InAs, GaP, InP) transmitting light, and a method for controlling the ferromagnetic properties of the ferromagnetic group III-V compounds.例文帳に追加

光を透過するＩＩＩ-Ｖ族系化合物（GaAs, InAs, GaP, InP）を用いて強磁性が得られる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method of a group III-V nitride semiconductor substrate which can manufacture a group III-V nitride semiconductor substrate exhibiting performance sufficient for use in a device only by polishing, and to provide the group III-V nitride semiconductor substrate obtained by the method.例文帳に追加

研磨処理だけで、デバイスに使用するために十分な性能を示すことができるIII−Ｖ族窒化物半導体基板を得ることができるIII−Ｖ族窒化物半導体基板の研磨方法及びそれにより得られたIII−Ｖ族窒化物半導体基板を提供すること。 - 特許庁