V-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8952件
A main body 1 with a nearly V-shaped plane having rubber elasticity is bent so as to be roughly V-shape in its cross section, and both sides of a bending line are secured to each other by a securing means 2 so as to keep the state, so that the V-shaped angle can be expanded and contracted elastically.例文帳に追加
ゴム弾性を有する平面略V字状の本体1を横断面略V字状に折り曲げると共に、その状態を保持するように止着手段2によって折り曲げ線の両側を互いに止着し、そのV字の角度が弾性的に拡縮できるようにする。 - 特許庁
In the method for growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen and other elements as a group V is composed, an organic nitrogen material G4 is at least partially decomposed by heating the organic nitrogen material G4 for growing the group III-V compound semiconductor layer by using a heater 59.例文帳に追加
V族として窒素および他の元素を含むIII−V化合物半導体層を成長する方法では、III−V化合物半導体層を成長するための有機窒素原料G4をヒータ59を用いて加熱して、有機窒素原料G4の少なくとも一部分を分解させる。 - 特許庁
To provide ferromagnetic group III-V compounds in which ferromagnetism can be obtained by using the group III-V compounds (GaAs, InAs, GaP, InP) transmitting light, and a method for controlling the ferromagnetic properties of the ferromagnetic group III-V compounds.例文帳に追加
光を透過するIII-V族系化合物(GaAs, InAs, GaP, InP)を用いて強磁性が得られる強磁性III-V族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性III-V族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing method of a group III-V nitride semiconductor substrate which can manufacture a group III-V nitride semiconductor substrate exhibiting performance sufficient for use in a device only by polishing, and to provide the group III-V nitride semiconductor substrate obtained by the method.例文帳に追加
研磨処理だけで、デバイスに使用するために十分な性能を示すことができるIII−V族窒化物半導体基板を得ることができるIII−V族窒化物半導体基板の研磨方法及びそれにより得られたIII−V族窒化物半導体基板を提供すること。 - 特許庁
Tartialbutylarsene is used as a group V raw material in a manufacturing method of the group III family compound semiconductor epitaxial wafer for thermally decomposing a group V raw material and a group V raw material for performing the crystal growth of a p-type AlGAAs layer on a semiconductor substrate by an MOCVD method.例文帳に追加
MOCVD法により、 III族原料とV族原料とを熱分解させて半導体基板上にp型AlGaAs層を結晶成長させるIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、上記V族原料として、ターシャルブチルアルシンを用いる。 - 特許庁
Furthermore, as for the same signal input terminal, the voltage values are similarly detected in the state where the inspection capacitor 150 is set to 0 V, and when the respective detected voltage values are around 5 V or 0 V, the open circuit or the like of the signal input terminals is considered to be generated.例文帳に追加
さらに、同一の信号入力端子について、検査コンデンサ150が0Vに設定された状態で同様にして電圧値が検知され、検知された各電圧値が、5V付近,0V付近である場合に、信号入力端子のオープン等が生じたものとみなされる。 - 特許庁
The Ti-V alloy target material for vapor deposition is a Ti-V alloy target material used for dry process vapor deposition and having a part where Ti and V are allowed to enter into solid solution, in an amount of ≥5% by surface area ratio of a mirror polished specimen, and also having 95-100% relative density.例文帳に追加
ドライプロセス蒸着用として用いられるTi−V合金製ターゲット材であって、TiとVが固溶した部分を鏡面研磨試料の表面面積率で5%以上有し、且つ相対密度が95〜100%である蒸着用Ti−V合金製ターゲット材。 - 特許庁
In the circuit, a first stage circuit part 2 converts the input signal into a signal with +5 V at the high level and 0 V at the low level, a middle stage circuit part 3 shifts the level of the low level to -10, and a final stage circuit part 4 shifts the level of the high level to +10 V.例文帳に追加
入力信号を初段回路部2でHighレベルが+5V、Lowレベルが0Vの信号に変換し、中段回路部3で更にLowレベルを−10Vにレベルシフトさせ、終段回路部4で更にHighレベルを+10Vにレベルシフトさせるようにした。 - 特許庁
Then, the moving speed V of a walking user is discriminated (step SB4), and when it is V1>V and the moving speed V of the user is slower than a first reference speed V1, '3' is set to an address register M (step SB5) and a sound stored in a sound memory is reproduced at a low speed (step SB6).例文帳に追加
次に、散歩しているユーザの移動速度Vを判別し(ステップSB4)、V1>Vであって、ユーザの移動速度Vが第1基準速度V1よりも遅ければ、アドレスレジスタMに“3”をセットするとともに(ステップSB5)、鳴き声メモリに記憶されている鳴き声を低速で再生する(ステップSB6)。 - 特許庁
In synchronization with that, the control unit 200 also controls a recovery power supply 202 for applying a pre-recovery voltage to a pre-recovery roller 102 to change the pre-recovery voltage applied to the pre-recovery roller 102 from 2400 V to 2500 V, so that a potential difference between the pre-cleaning voltage and the pre-recovery voltage is Δ100 V.例文帳に追加
また、それに同期してプレ回収ローラ102にプレ回収電圧を印加する回収電源202を制御して、プレ回収ローラ102に印加するプレ回収電圧を2400Vから2500Vにし、プレクリーニング電圧とプレ回収電圧との電位差をΔ100Vとなる。 - 特許庁
Then, the pulling speed V of the ingot is determined from an experience value of the ratio C=V/G of the pulling speed V of a defect-free ingot to the temperature distribution G, obtained when ingots were pulled by using the same machine as the pulling machine 10 in past times, and from the temperature distribution G calculated by using the above mentioned programs.例文帳に追加
次いで引上げ機と同型機により過去に引上げた際に得られた、無欠陥となるインゴットの引上げ速度V及び温度分布Gの比C=V/Gの経験値と、上記プログラムを用いて算出した温度分布Gとからインゴットの引上げ速度Vを決定する。 - 特許庁
The hydride vapor-growth device 1 supplies a first reactive gas containing a group III element halide and a second reactive gas containing a group V element hydride to a substrate S in a reaction tube 11 for forming group III-V semiconductor crystals on the substrate S.例文帳に追加
ハイドライド気相成長装置1は、III族元素のハロゲン化物を含む第一の反応ガスと、V族元素の水素化物を含む第二の反応ガスとを、反応管11内の基板Sに対して供給し、前記基板S上にIII-V族半導体結晶を形成するものである。 - 特許庁
When the user gets off a vehicle V and turns off an ignition key of the vehicle V, the power supply of a navigation device NAV is temporarily maintained in an ON state, and the vehicle positional information indicating the present position of the vehicle V is previously transmitted to a portable terminal MS or a server NS.例文帳に追加
ユーザが車両Vから降車し、車両VのイグニッションキーをOFFにする際、一時的にナビゲーション装置NAVの電源をONの状態に維持し、車両Vの現在位置を示す車両位置情報を携帯端末MS、或いは、サーバNSに対して事前に送信しておく。 - 特許庁
In the effective period (V effective period) for detecting balls by a special ball detector 48, an information terminal base 60 having a V effective information terminal 63 for continuously outputting the V effective information from its start time to an end time is connected to a game control circuit board 50.例文帳に追加
特定玉検出器48による玉検出の有効期間(V有効期間)において、その開始時点から終了時点までの間でV有効情報を継続的に出力するV有効情報端子63を備えた情報端子基板60を遊技制御回路基板50に接続する。 - 特許庁
When the emulsified fragrance material composition contains gum ghatti and/or gum arabic and the average particle diameter of emulsified particles is 0.4 μm or less, the emulsified fragrance material composition can be stably and transparently dispersed in an alcohol-containing composition with the alcohol concentration of 30-60 v/v%.例文帳に追加
ガティガム及び/又はアラビアガムを含有し、乳化粒子の平均粒子径が0.4μm以下である乳化香料組成物とすることにより、アルコール濃度が30〜60v/v%のアルコール含有組成物中に、当該乳化香料組成物を安定的かつ透明に分散できる。 - 特許庁
To provide an electric double layer capacitor having a high capacitance per volume with a low deterioration in capacitance even for a long period continuous applying of high voltage of not less than 3 V, that is, the high withstand voltage characteristic of not less than 3 V, especially improved withstand voltage characteristic of not less than 3.3 V.例文帳に追加
電気二重層キャパシタの体積当り容量の高容量化と同時に、3V以上の高電圧の長期間連続印加に対しても容量劣化の小さい、即ち3V以上の耐電圧特性、特に3.3V以上の耐電圧特性を改善し、両立させること。 - 特許庁
A V groove for guiding the engaging member (pin) 62 to a prescribed position is provided in the member (block piece) 61 to be engaged, and at the same time the direction of the V groove of at least one member 61 to be engaged is directed toward a different direction relative to the V groove of the other members to be engaged.例文帳に追加
前記被係合部材(ブロック片)61にはそれぞれ前記係合部材(ピン)62を所定位置に案内するV溝を設けるとともに、少なくとも1つの被係合部材61のV溝の方向を、それ以外の被係合部材61のV溝に対して異なる方向に向けて配置する。 - 特許庁
To reduce adhesive stresses by reducing the volume of an adhesive in a V-groove and to enhance adhesive strength by reducing the opening width of the V-groove for enlarging the surfaces of adhesion between a V-grooved substrate and a fiber locking substrate serving as an upper substrate.例文帳に追加
V溝内の接着剤容量を低減することにより、接着剤応力を減少させ、V溝の開口幅を小さくしてV溝基板と上基板たるファイバー固定基板の接着面を広げ、接着強度を高めたV溝基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁
Thus, the game value of the big winning in the case that the game ball enters the V winning port 33b4 is suggested to the player before the game ball enters the V winning port 33b4.例文帳に追加
よって、V入賞口33b4へ遊技球が入賞した場合における大当たりの遊技価値をV入賞口3b4へ遊技球が入賞する以前に遊技者に示唆することができる。 - 特許庁
By a fixing means 16, an outer circumferential surface 2402 of the cylinder 24 of the one side cylinder unit 14 is fixed immovably in the extension direction of the V-groove 20 while being pushed against the V-groove 20.例文帳に追加
固定手段16により、一方の円筒体ユニット14の円筒体24の外周面2402をV溝20に当て付けた状態でV溝20の延在方向に移動不能に固定しておく。 - 特許庁
A die 1 provided with a V-groove 1a in a horizontal direction and punch 2 having a tip part 2a facing the V-groove 1a are provided, and the punch 2 is provided freely movably forward and backward to/from the die 1 by a servomotor 8.例文帳に追加
水平方向にV溝1aを配設したダイ1と、V溝1aに対向させた先端部2aを有するパンチ2を設け、パンチ2をダイ1に対してサーボモーター8により進退自在に設ける。 - 特許庁
A cross sectional shape of the subseal 42 when viewed from forward and backward directions of a vehicle body is V shape, and one piece like V shape is a mounting part 42A and the other piece is a seal part 42B in contact with a scuff plate 30.例文帳に追加
サブシール42の車体前後方向から見た断面形状はV字状となっており、V字状の一片は取付部42A、他方はスカッフプレート30と当接するシール部42Bとなっている。 - 特許庁
Approximately V-shaped sectional V-shaped grooves 16, in which the side end sections of left- right exterior wall boards at the outside angle section can be arranged, are formed by the side rears 14 and the inclined rears 15.例文帳に追加
側方背面14と傾斜背面15とによって,出隅部における左右の外壁板の側端部を配置することができる断面略V字状のV字溝16が形成されている。 - 特許庁
The oscillator 602 mounted on a charging cable outputs a signal of non-oscillation when a potential of a pilot signal CPLT is in the vicinity of V(1) and outputs an oscillating signal when the voltage drops of V(2).例文帳に追加
充電ケーブルに設けられる発振器602は、パイロット信号CPLTの電位がV(1)近傍のときは非発振の信号を出力し、V(2)に低下すると、発振する信号を出力する。 - 特許庁
A flow control valve V-4 for the nitrogen feeds the mixed gas having a predetermined oxygen content by controlling its opening in proportional to an opening of a flow control valve V-3 for the dry air.例文帳に追加
窒素の流量調整弁V−4は、乾燥空気の流量調整弁V−3の開度に比例して開度調整され、これにより所定の酸素濃度の混合ガスが供給される。 - 特許庁
The 36 V DC power is boosted to a DC 48 V required for charging by chopping-controlling FETs 40a-40f in a full-wave rectifier 40 using a drive signal from a driver 41.例文帳に追加
次に、ドライバ41の駆動信号によって全波整流器40のFET40a〜40fをチョッピング制御することで、前記36Vの直流電力を充電に必要な48Vまで昇圧する。 - 特許庁
To easily obtain element characteristics superior in high speed by forming an insulating nitride film, comprising an insulating nitride III-V compound semiconductor including a nitride III-V compound semiconductor with carbon doped with high concentration as impurities.例文帳に追加
窒化物III−V族化合物半導体装置の作製において、格子定数の不整合を抑制したまま、電気的に良好な分離を行うことにより、半導体装置の特性を向上する。 - 特許庁
The advancing/receding velocity control is performed in accordance with the screw position-velocity characteristics derived based on the previously measured V=(2.a.S)1/2 (where V is the screw velocity; a is the screw acceleration; and S is the screw position).例文帳に追加
前記前進、後退の速度制御を、あらかじめ計測されたV=(2・a・S)^1/2 (但し、Vはスクリュ速度、aはスクリュ加速度、Sはスクリュ位置)より導かれるスクリュ位置−速度特性に従って行う。 - 特許庁
The Ni plating steel wire for a spring may comprise either or both of V and Ni as well, and, in this case, regarding their contents, 0.05 to 0.25% V, and 0.05 to 1.5% Ni are satisfied.例文帳に追加
ばね用Niめっき鋼線は、さらにVおよびNiの一方もしくは両方を含んでもよく、その場合、これらの含有量はそれぞれ、V:0.05〜0.25%およびNi:0.05〜1.5%である。 - 特許庁
An operation part 21 calculates a motor torque target correction amount ΔTm, an observation part 22 monitors the ΔTm, a steering angle θ, a vehicle speed V, a wheel speed Vw, a lateral acceleration Gy and a yaw rate φ to store the observed values in a storage part 23.例文帳に追加
演算部21は、モータトルク目標補正量ΔTmを求め、観測部22は、このΔTm、操舵角θ、車速V、車輪速Vw、横加速度Gyおよびヨーレートφをモニタし、これら観測値を、記憶部23へ格納する。 - 特許庁
A lookup table 23BB is generated in accordance with image data Y, u, v, R, G, and B of a processing object, and color spaces of picture data Y, u, v, R, G, and B are converted by this lookup table 23BB.例文帳に追加
本発明は、処理対象の画像データY、u、v、R、G、Bに応じてルックアップテーブル23BBを生成し、このルックアップテーブル23BBにより画像データY、u、v、R、G、Bの色空間を変換する。 - 特許庁
A first resonance frequency f1 of a cylinder 110c in Fig. 27 which is formed by the uproll edge 110a and the V edge 110b is out of a reproduction frequency band of the dynamic type speaker 100.例文帳に追加
アップロールエッジ110aとVエッジ110bによって形成される図27の筒体110cの一次共鳴周波数f1が、ダイナミック型スピーカ100の再生周波数帯域から外れている。 - 特許庁
Since the voltage for driving the solenoid 6 is 36 V DC, even if 12 V DC is applied thereto as shown by a broken line in the figure, it cannot provide a sufficient current and consequently a desired driving force.例文帳に追加
ソレノイド6の駆動電圧はDC36ボルトであるので、図中の破線の如く不正にDC12ボルトを印加したとしても、十分な電流が流れず、所期の駆動力は得られない。 - 特許庁
A non-soluble wire electrode 6 is internally provided in a water feed piping facility, the reference voltage supplied from an external power source is 2.0 V, and the voltage is set to be around 2.5 V according to the condition of the piping facility.例文帳に追加
給水配管設備に不溶性線電極6を内設し、外部電源より供給する電圧値は2.0Vを基準とし、配管設備の状態に応じて2,5V程度までに設定する。 - 特許庁
On the shower plate 21, group III system gas buffer areas 23b and group V system gas buffer areas 24b respectively isolated from one another for filling a group III system gas and a group V system gas, are stacked in this order.例文帳に追加
シャワープレート21上に、III族系ガスとV族系ガスとのそれぞれを充満させる互いに隔離されたIII族系ガスバッファエリア23bとV族系ガスバッファエリア24bとがこの順に積層される。 - 特許庁
The hydraulic correction of the primary pressure and secondary pressure is performed to increase the oil pressure in a vehicle state with a weak nipping pressure of V-belt, thereby, the slip of the V-belt can be prevented.例文帳に追加
このようにVベルトの挟持圧力が弱い車両状態において、プライマリ圧およびセカンダリ圧の油圧補正を行い油圧を高めることにより、Vベルトのすべりを防止することができる。 - 特許庁
The V-engine is suspended on the diamond frame, and the V-engine and the intake system are disposed in a space S1 under a straight line L2 passing the head pipe and a final output shaft 138 of the transmission unit.例文帳に追加
ダイヤモンド型フレームにV型エンジンを懸架し、ヘッドパイプと変速機ユニットの最終出力軸138とを通る直線L2の下方のスペースS1に、V型エンジン及び吸気系を配置した。 - 特許庁
The V-shaped shield structure 20 includes a belt 30 extending in the shape of the letter V, a belt guiding member 24 into which the belt 30 is inserted, and an elastic cover 25 surrounding the belt guiding member 24.例文帳に追加
V字形状シールド構造体20は、V字状に延びるベルト30と、ベルト30を挿通させるベルト案内部材24と、ベルト案内部材24の周りを取り囲む弾性カバー25とを含む。 - 特許庁
Here, the outer side surface of at least one V-shaped groove 2 among a number of V-shaped grooves 2 is not parallel to the mold-release direction in molding by the mold and makes a fixed angle with respect to the mold-release direction.例文帳に追加
多数のV溝2における少なくとも一つのV溝2の外側の側面が、金型による成形時の離型方向と非平行であり、該離型方向に対して一定の角度をなす。 - 特許庁
The active energy ray curable resin composition excellent in all of, (i) active energy ray curing property, (ii) adhering property, (iii) heat peeling property, (iv) resistance to etching liquid and (v) preservation stability, by using the composition.例文帳に追加
これにより、(i)活性エネルギー線硬化性、(ii)接着性、(iii)熱剥離性、(iv)耐エッチング液性、及び(v)保存安定性の全てに優れる活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を製造することができる。 - 特許庁
If the detected voltage Vn is smaller than 3 V in the step 210, the processing proceeds to a step 230, and when the detected voltage Vn is higher than 1.5 V, the processing proceeds to a step 231 and the screen is scrolled downward by one line.例文帳に追加
ステップ210で、検出電圧Vnが3Vより小さいとき、ステップ230に進んで、検出電圧Vnが1.5Vより大きいとき、ステップ231に進んで、1行下側にスクロールさせる。 - 特許庁
The light intensity ratio of two laser beams made incident on a photosensitive medium in the medium is adjusted by using a light quantity adjusting means 30 so that the value of visibility V may be V≥0.8.例文帳に追加
感光性媒質へ入射した二つのレーザー光束の媒質内での光強度比を、ビジビリティVの値がV≧0.8となるように光量調整手段30を用いて光強度を調整する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having C-V characteristic which is equivalent to ideal C-V characteristic by controlling the metal concentration in a metal silicate film provided to the uppermost layer of a high dielectric constant film.例文帳に追加
高誘電率膜の最上層に備えた金属シリケート膜中の金属濃度を制御することにより、理想のC−V特性と同等のC−V特性を有する半導体装置を実現する。 - 特許庁
Therefore, clamping stress which has occurred in the case of attachment of the V-grooved substrate for optical fiber alignment to the jig for laser fusion is not directly applied to the V-grooved substrate for optical fiber alignment.例文帳に追加
これにより、レーザ融着用治具に光ファイバ整列用V溝基板を取り付ける際に発生していたねじの締め付け応力が、光ファイバ整列用V溝基板に直接加わらなくなる。 - 特許庁
Consequently, when the voltage command value V* is given to the motor driver 80 from the controller 70, a voltage corresponding to the voltage command value V* is applied to the steering actuator 50 and the reaction force actuator 40 in parallel.例文帳に追加
これにより、コントローラ70からモータドライバ80に電圧指令値V^*が与えられると、その電圧指令値V^*に応じた電圧が操舵アクチュエータ50および反力アクチュエータ40に並列に印加される。 - 特許庁
To provide a technique for preventing formation of a heavily-doped n-type region on an interface between a semiconductor base layer and a semiconductor layer, in a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加
III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なn型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。 - 特許庁
The engagement of the engaging portion 70A and the W pawl 60 is released as the engaging portion 70A is displaced toward the radial direction inside of the V gear 50 by rotation of the V gear 50 in the pulled-out direction.例文帳に追加
ここで、Vギヤ50の引出方向への回転により係合部70AがVギヤ50の径方向内側へ変位されて、係合部70AとWパウル60との係合が解除される。 - 特許庁
In this numerical range, the inner-surface shielded type FFS mode liquid crystal display panel is obtained wherein the transmittance T is high and the drive voltage V is not so high, and the efficiency value E(T^3/V) is high.例文帳に追加
この数値範囲では、透過率Tが大きく、駆動電圧Vがあまり高くならず、かつ効率値E(T^3/V)が大きい内面シールド型のFFSモードの液晶表示パネルが得られる。 - 特許庁
When there are few high-frequency components of color difference data U and V, the luminance and color difference data Y, U, and V are sampled in accordance with the first sampling processing circuit 38A at a sampling frequency ratio of 4:2:0.例文帳に追加
一方、色差データU,Vの高周波成分が少ない場合、輝度、色差データY、U、Vを、第1サンプリング処理回路38Aにおいて、4:2:0のサンプリング周波数比に従ってサンプリングする。 - 特許庁
A high voltage outputting part 21 outputs an alternating current signal wherein the effective value to be supplied to an electric appliance in a house is higher than 100 V alternating current signal, for example, an alternating current signal whose effective value is 102 V.例文帳に追加
高電圧出力部21は、家庭内の電化製品に供給される実行値が100ボルトの交流信号より高い、例えば、実行値が102ボルトの交流信号を出力する。 - 特許庁
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