「diffused」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

At least one passage 51 and/or a through opening connected to an inner chamber 55 of an at least one turning drum 23 are provided at a sheath of the drum 23 so that the air can be sucked from and/or diffused in a negative pressure range 35 through the opening.例文帳に追加

変向ドラム２３の外套において、少なくとも１つの通路５１および／または少なくとも１つの変向ドラム２３の内室５５と接続された貫通開口が設けられていて、該貫通開口を介して、空気が負圧範囲３５内へ吸い込み可能および／または吹込み可能であることによる。 - 特許庁

In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加

また、消去時にＰウエル９をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路１０を設けるとともに、消去時にＮウエル８の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層７と同じにする電位切り替え回路１１を設ける。 - 特許庁

A DMOS (double diffused metal oxide semiconductor) transistor 23 and the pn junction diode 22a are formed on one SOI layer 13b surrounded by trench separation 15 in a shape that they are insulated electrically by a p-type diffusion layer 20 formed in a state of being levitated electrically on the SOI layer 13b surrounded by the trench separation 15.例文帳に追加

トレンチ分離１５で囲まれた１つのＳＯＩ層１３ｂには、ＤＭＯＳトランジスタ２３と温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａとが、電気的に浮いた状態で形成されるＰ型拡散層２０によって電気的に絶縁される形で形成されている。 - 特許庁

The holding members 10 and 20 and the impeller 30 are laid in predetermined positions at predetermined angles so that the impeller 30 can rotate on its axis by the air from one outlet port of the air conditioner 100, and the air blown out of the outlet can be continuously diffused by the rotating impeller 30 itself.例文帳に追加

羽根車３０が空気調和機１００の一の送風口からの風を受けて自転するとともに、自転する羽根車３０自身によって送風口から吹き出す風を継続的に拡散できるよう、保持部材１０、２０と羽根車３０が所定の位置・角度でレイアウトされる。 - 特許庁

A third thin film 14 of semiconductor or insulator formed on a semiconductor substrate 11 through the intermediary of a first insulating thin film 12 and, a second oxidation-resistant insulating film 13 where oxidizing seeds are hardly diffused is patterned for the formation of a stepped part 14a.例文帳に追加

半導体基板１１上に、絶縁体からなる第１薄膜１２と酸化種の拡散性が低い耐酸化性絶縁体からなる第２薄膜１３を介して形成された半導体または絶縁体からなる第３薄膜１４をパターニングし、段差部１４aを形成する。 - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

Since light is transmitted through the parting line parts 19 of the element 8 and diffused by the diffusing plate 12 when the light emitting element 9 is made to emit light in a dark place, it is possible to provide a satisfactory illumination above the diffusing plate 12 even when the light emitting element 9 is provided below the element 8.例文帳に追加

また、暗い所で発光素子９を発光させると、その光が太陽電池素子８の分割線部１９を透過して拡散板１２で拡散されるので、太陽電池素子８の下側に発光素子９を設けても、拡散板１２の上方を良好に照明できる。 - 特許庁

The surface of the object to be inspected is irradiated with a diffused and parallel light, having directionality while changing over both the lights, and the reflected lights of them are photographed to respective illuminations and the obtained images are outputed via an image processing part to be displayed on the monitor, and the developed irregulality of the object to be inspected is detected visually from the image.例文帳に追加

被検査物表面に、拡散光と指向性のある平行光を切り換えて照射し、それぞれの照明に応じてその反射光を撮像し、その画像は画像処理部を介してモニタ出力表示し、その画像から顕在化されたむらを目視検出する。 - 特許庁

A paper container heater comprises a heater nozzle (402) inserted into a paper container (401) in a box shape and having many jet ports formed at a sidewall of the nozzle (402) and recovery ports (409) connected to an air supply side (412) of the nozzle to recover hot airs (405, 406, and 407) diffused from the jet ports.例文帳に追加

紙容器（４０１）内部に挿入されるヒーターノズル（４０２）が箱型形状で、ヒーターノズル（４０２）の側壁には多数の噴射口を有し、該噴射口から吹き出した熱風（４０５、４０６、４０７）を回収するめの回収口（４０９）がヒーターノズルのエア供給側（４１２）に接続されている。 - 特許庁

The substrate for the inkjet recording head uses a transistor of the same element structure, that is an LDMOS (lateral double diffused MOS) structure, as a driver transistor for driving a heater for ejecting ink, for a sub-heat driver transistor for driving the sub-heater for carrying out heating and temperature regulation control of the recording head.例文帳に追加

インクを吐出するためのヒータを駆動するドライバートランジスタと記録ヘッドを加熱・温調制御するためのサブヒータを駆動するサブヒートドライバートランジスタを同一の素子構造を持つトランジスタとし、ＬＤＭＯＳ（Ｌａｔｅｒａｌ Ｄｏｕｂｌｅ Ｄｉｆｆｕｓｅｄ ＭＯＳ）構造を持つトランジスタとする。 - 特許庁

Each unit electrostatic capacity 21 is equipped with a first electrode layer of impurity diffused layer formed inside the silicon substrate, a second electrode layer of conductive polysilicon layer, and a dielectric layer of silicon oxide interposed between the first and second electrode layer.例文帳に追加

各単位静電容量部２１は、シリコン基板１０内に形成された不純物拡散層からなる第１の電極層と、導電性ポリシリコン層からなる第２の電極層と、第１の電極層および第２の電極層の間に配置された酸化シリコン層からなる誘電体層とを有する。 - 特許庁

A low-temperature long-time heat treatment which is the first heat treatment for activating the impurity implanted into gate electrodes 20, 21 is performed so that boron diffusion occurs along crystal grain boundaries though boron is scarcely diffused into polysilicon crystal grains.例文帳に追加

ゲート電極２０，２１に注入された不純物の活性化のための第１の熱処理として、ポリシリコンの各結晶粒内へのボロンの拡散はほとんど生じることがなく、かつ、結晶粒界におけるボロンの拡散が生じるような低温長時間の熱処理を行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein first and second control electrodes having different silicide phases are formed and metal such as Ni in different silicide phases of respective gates is not diffused between gate electrodes by thermal processes after gate formation in the case that a CMOS includes FUSI gates.例文帳に追加

ＣＭＯＳがＦＵＳＩゲートを含む場合、異なるシリサイド相を有する第１および第２の制御電極が形成され、ゲート形成後の熱工程等により各ゲートの異なったシリサイド相中のＮｉ等の金属はゲート電極間を拡散しない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the quantity of an Si impurity diffused in the second compound semiconductor layer of a compound semiconductor device having an AlInAs buffer layer on a substrate as a first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer on the first compound semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、第１の化合物半導体層としてＡｌＩｎＡｓバッファ層を有し、前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を有する化合物半導体素子において、第２の化合物半導体層に拡散するＳｉ不純物量の低減を目的とする。 - 特許庁

Hence, in the internal region of the laser resonator, a void atom which is one of crystal defects and is generated above and near the semiconductor interface including the oxygen atoms is captured on the semiconductor interface including oxygen atoms, thereby preventing the void atom from being diffused to the active layer.例文帳に追加

これにより、レーザ共振器の内部領域では、酸素原子を含む半導体界面の上方および近傍に生成された、結晶欠陥の一つである空孔原子が、酸素原子を含む半導体界面にて捕獲され、上記空孔原子が活性層へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

To provide a cleaning agent and a method for cleaning ammonia-containing exhaust gas, by each of which the ammonia-containing exhaust gas diffused from waste water to the atmosphere or harmful ammonia gas such as ammonia gas used at a semiconductor manufacturing step is detoxified at low temperature.例文帳に追加

廃水中から大気中に放散されたアンモニア含有排ガス又は半導体製造工程等で使用されたアンモニアガス等の有害アンモニアガスを低温において無害化するためのアンモニア含有排ガス浄化剤又はアンモニア含有排ガスを浄化する方法の提供。 - 特許庁

Since the termite prevention agent is not diffused uniformly in the underfloor heat insulating material 1, but is applied so as to cover its surface, the concentration of the termite prevention agent is high on its surface to prevent the invasion of termites securely.例文帳に追加

この床下用断熱材１では、シロアリ防除剤が床下用断熱材１内に均一に分散されているのではなく、その表面を覆うようにして施工されているので、その表面におけるシロアリ防除剤の濃度が高く、シロアリの侵入を確実に阻止することができる。 - 特許庁

A first additive such as yttrium is diffused in the surface layer of the composition powder such as barium titanate, then a second additive such as barium, magnesium, manganese and silicon effective to control the temperature characteristics is added to obtain the dielectric ceramic powder.例文帳に追加

チタン酸バリウム等の基本組成物からなる基本組成物粉末の表面層に、イットリウム等の第１の添加成分をまず拡散させ、その後、温度特性の調整に効果のあるバリウム、マグネシウム、マンガンおよびケイ素等の第２の添加成分を加えて、誘電体セラミック原料粉末を得る。 - 特許庁

During the Muromachi period, this custom was even diffused among adults amongst the common people, moreover, during the Sengoku period (period of Warring States) of Japan, it was done as a symbol of being an adult for bushos' (Japanese military commanders) daughters at the age around 8 to 10, at that time, the wife of a guardian relative was called kaneoya (godmother of kanetsuke). 例文帳に追加

室町時代には一般の大人にも浸透したが、戦国時代(日本)に入ると政略結婚に備えて8～10歳前後の戦国武将の息女へ成年の印として鉄漿付けを行ない、このとき鉄漿付けする後見の親族の夫人を鉄漿親(かねおや)といった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The light diffusive film is a film of 15 to 60% in total light beam transmissivity T(%) and ≥80% in total value of diffused light reflectivity R(%) and total light beam transmissivity T(%), and the right-under type surface light source is mounted with the light diffusive film on its projection surface.例文帳に追加

全光線透過率Ｔ（％）が１５％以上６０％以下であり、かつ拡散光反射率Ｒ（％）と全光線透過率Ｔ（％）の合計値が８０％以上である光拡散性フィルムとし、またこれを出射面に装着した直下型面光源とする。 - 特許庁

Then, impurities of first and second conductivity types are implanted into the surface of the substrate in respective regions by using the first sidewall and the gate electrode as masks to form a first impurity diffused layer, and impurities of second and first conductivity types are implanted to form an impurity diffusion preventing layer.例文帳に追加

そして、第１側壁及びゲート電極をマスクとして、各領域の基板表面にそれぞれ、第１、第２導電型の不純物を注入し、第１不純物拡散層を形成し、それぞれ、第２、第１導電型の不純物を注入して、不純物拡散防止層を形成する。 - 特許庁

To provide a lens sheet in which diffused light to be emitted from a light diffusion plate is collected efficiently to improve the luminance on the side of an observer, which hardly generates a side lobe and the luminance distribution of which is changed smoothly and to provide a backlight unit using the lens sheet, and a display apparatus.例文帳に追加

光拡散板から出射される拡散光を効率的に集光することで、観察者側の輝度を向上させ、かつ、サイドローブがほとんど生じなく、輝度分布の変化が滑らかなレンズシート及びこれを用いたバックライトユニット、ディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy powder brazing material which not only has excellent brazing properties but also can obtain a uniform Zn-diffused layer by brazing and to provide a material for brazing, a method for brazing using the powder brazing material and a method for manufacturing a heat exchanger.例文帳に追加

ろう付性に優れるのはもとより、ろう付により均一なＺｎ拡散層を得ることができるアルミニウム合金粉末ろう材及びろう付用材料を提供し、さらには該粉末ろう材を用いたろう付方法及び熱交換器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The top surface of the upper electrode 33 and the sides of the upper electrode 33, a capacitor insulating film 32, and a buried insulating film 16 are made of aluminum oxide of about 5 to 100 nm in film thickness, and covered with a 2nd insulating barrier layer 17 which prevents hydrogen from being diffused.例文帳に追加

また、上部電極３３の上面並びに該上部電極３３、容量絶縁膜３２及び埋込み絶縁膜１６の各側面は、膜厚が５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の酸化アルミニウムからなり、水素の拡散を防ぐ第２の絶縁性バリア層１７により覆われている。 - 特許庁

The yarn Y which is running is irradiated with light L and a photodetecting means 5 photodetects diffused light from the traveling yarn Y within a range of 45 to 135° to the irradiation angle L; and shape characteristics corresponding to shape variation of the yarn are detected to perform the quality control.例文帳に追加

走行している糸条Yに対して、光Lを照射し、走行糸条Yからの拡散光を照射角Lに対して４５度から１３５度の範囲の中で受光手段５において受光し、糸条の形状変化に応じた形状特性を検出し、品質管理を行う。 - 特許庁

The diffused light of a light source 11 is collimated to parallel beams by a convex lens 12, and the parallel beams are transmitted through a half mirror 13, condensed to the light (incident angle i=0) going toward the center axis O of a cylinder by a convex type cylindrical lens 14, and made incident on and reflected and diffracted by a hologram surface.例文帳に追加

光源１１の拡散光は凸レンズ１２により平行化され、この平行光はハーフミラー１３を透過した後、凸型シリンドリカルレンズ１４により円筒形の中心軸Ｏに向かう光（入射角ｉ＝０）に集光され、この光がホログラム面に入射して反射、回折される。 - 特許庁

In the method for detecting the phase separation point in the case a plurality of liquids are blended, a first liquid is prepared, and a second liquid whose specific gravity is smaller than that of the first liquid, is dropped thereon; and after making the liquids diffused enough through an agitating process, a steady-state swirl is generated, thereby detecting the phase separation point.例文帳に追加

複数の液体を混合した場合の相分離点を検出する方法であって、 第一の液体に前記第一の液体よりも比重の小さい第二の液体を滴下し、撹拌して十分拡散させた後、定常状態の渦巻きを発生させ、相分離点を検出する。 - 特許庁

The nonvolatile memory transistor has a p-type silicon substrate 11, a floating gate 13 formed on the substrate 11 via a first gate insulating film 12, a control gate 16 formed on the gate 13 via a second gate insulating film 14, and source drain diffused layers 16, 17.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタは、ｐ型シリコン基板１１と、この上に第１のゲート絶縁膜１２を介して形成された浮遊ゲート１３、更にこの上に第２のゲート絶縁膜１４を介して形成された制御ゲート１５を有し、ソース、ドレイン拡散層１６，１７を有する。 - 特許庁

Hereby, as hydrogen diffused from the interlayer dielectric 7 is trapped in the film 14 and moreover, the effect of the hydrogen trapped in the film 14 is stopped by the film 13 inserted between the film 14 and the element 12, a variation of the characteristics of the element can be inhibited.例文帳に追加

層間絶縁膜から拡散した水素を水素侵入防止膜中にトラップし、さらに、水素侵入防止膜と素子の間に挿入したシリコン酸化膜により、水素侵入防止膜にトラップされた水素の影響を遮断するため、素子の特性変動を抑制することができる。 - 特許庁

Since a light from the light emitting element 3 after being reflected by the reflecting surface 41 is refracted or transmitted by the transmitting surface 42, and reaches the diffusing reflecting surface 21 so as to be diffused and reflected by high efficiency, the diffusing reflecting surface 21 can be presented to a viewer as if it has uniform surface light emission.例文帳に追加

発光素子３からの光は反射面４１により反射された後、透過面４２により屈折・透過して、拡散反射面２１に到達して高効率で拡散反射されるので、看者に対して拡散反射面２１全体が均一に面発光しているように見せることができる。 - 特許庁

A tubular mirror 23 whose both ends are opened and the inner surface is a reflection surface is disposed on a light emission port of a light irradiation part 20, and diffused light emitted from the light irradiation part 20 is made incident on the wire-grid polarizing element 10 directly or after being reflected by the tubular mirror 23.例文帳に追加

光照射部２０の光出射口には、両端が開放された内面が反射面の筒型ミラー２３が設けられ、光照射部２０から出射する拡散光は、直接もしくは筒型ミラー２３で反射してワイヤーグリッド偏光素子１０に入射する。 - 特許庁

To significantly lower the fraction defective of the withstand voltage of a semiconductor device using a power MOS transistor by manufacturing a diffused wafer containing Fe at a concentration of ≤100×10^12 atoms/cm^3 by using a heat-treating member containing Fe at a concentration of ≤0.5 ppm.例文帳に追加

この発明は、Ｆｅ濃度が１００×１０^１２ ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の拡散ウェーハを、Ｆｅ濃度の上限値が０．５ｐｐｍ 以下の熱処理部材を用いて製造することによって、パワーＭＯＳトランジスタの半導体デバイスの耐圧不良率を大きく低下しようとするものである。 - 特許庁

While the light irradiated from the LEDs 17 is guided toward the irradiation direction after repeatedly reflected by the light diffusion film and the reflecting plate 21, and by the diffusion effect of the light diffusion film 22, it is diffused toward a direction crossing at right angles, perpendicular to the light irradiation direction, then surface light-emission from the lens 13 is made.例文帳に追加

ＬＥＤ１７の照射光は、光拡散フィルム及び反射板２１とで反射し合いながら照射方向に導かれるとともに、光拡散フィルム２２の拡散効果により、光の照射方向と垂直に交わる直交方向に拡散されて、レンズ１３から面発光する。 - 特許庁

In such a constitution, the aspect ratio of the first insulating film 22 is reduced to make feasible formation of a sufficiently diffused layer on the sidewall part of a trench for setting a source line SL so that a continuos N+type source region 19 may be formed.例文帳に追加

こうして、第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２のアスペクト比を下げ、トレンチ溝の側壁部分に対しても十分に拡散層を形成できるようにすることで、ソース線ＳＬとなる、連続したＮ^+ 型ソース領域１９の形成を可能とする構成となっている。 - 特許庁

A prescribed section 3a of the floating gates 3 is provided in extended form in the prescribed width, the ions implanted on both sides in the width direction of the prescribed section 3a are diffused, they are coupled under the prescribed section 3a, and a tunnel region is formed.例文帳に追加

そして、フローティングゲート３の所定部位３ａが所定幅で延設されるようにし、イオン注入後の拡散工程において、所定部位３ａの幅方向両側に注入されたイオンが拡散し、所定部位３ａ下において連結され、トンネル領域が形成されるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing a carbon component diffused from an inside of a metal film to a gate insulating film, when a metal electrode is formed as a pMOS elecrode material on the gate insulating film to reduce the cause of a fixed charge.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上にｐＭＯＳ電極材料として金属電極を形成する際に金属膜中からゲート絶縁膜へ拡散する炭素成分を抑制し、固定電荷要因を下げることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

With the lighting tool 1 for the vehicle with two reflectors 12, 18 each separately equipped with a light source 16, 21 arranged at top and bottom, the lower-side reflector 18 set in free turning, a surface treatment such as a reflective surface treatment and a diffused reflection surface treatment are applied to the underside 12c' of the top-side reflector 12 .例文帳に追加

各別に光源１６、２１を備えた２つのリフレクタ１２、１８が上下に配設され、下側のリフレクタ１８が回動可能にされた車輌用灯具１であって、上側のリフレクタ１２の下面１２ｃ′に反射面処理、拡散反射面処理等の表面処理が施された。 - 特許庁

This image reader automatically decides a threshold for original detection on the basis of the brightness of diffused external light, also confirms the addresses of clients, i.e., personal computers 2 and 3 on a network, confirms that the operators of the clients are legitimate receivers of the image and subsequently transfers the image.例文帳に追加

外乱光の明るさに基づいて自動的に原稿検知用しきい値を決定し、また、クライアントすなわちパソコン２、３のネットワーク上のアドレスの確認、および、クライアントの操作者が画像の正当な受け手であることの確認を行ってから画像を転送するようにした。 - 特許庁

The hologram screen 11 is obtained by irradiating a recording medium 100 with reference light LR in hologram screen recording, that is, non-diffused light, as the light emitted from a zoom lens (combination lens) 90 comprising a plurality of lenses, used in a video projection device.例文帳に追加

本発明に係るホログラムスクリーン１１は、ホログラムスクリーン記録における参照光ＬＲ、すなわち非拡散光を、映像投影装置に使用される複数枚のレンズからなるズームレンズ（組合せレンズ）９０からの出射光として記録媒体１００に照射することで得られる。 - 特許庁

To provide a band distribution inspection device and a band distribution inspection method for inspecting quickly, simply and inexpensively whether a diffused oscillation signal oscillated, including frequency fluctuation from a fundamental frequency based on the fundamental frequency, has a prescribed band distribution.例文帳に追加

基本周波数を基本として基本周波数からの周波数変動を含んで発振する拡散発振信号が、所定の帯域分布を有するか否かの検査を、迅速、簡略、かつ安価に行うことが可能な帯域分布検査装置、および帯域分布検査方法を提供すること - 特許庁

In the method by which gaseous CO_2 in flue gas is dissolved and diffused in a large volume of alkali waste water to neutralize the alkali waste water, two or more tanks 1, 2 are used for neutralization, neutralization to pH 9-8.0 is carried out in the first tank and neutralization to ≤pH 8 is carried out in the second and subsequent tanks.例文帳に追加

燃焼排ガス中の炭酸ガスを大容量のアルカリ排水中へ溶解、拡散して中和する方法において、中和に使用する槽１、２を２槽以上となし、１槽目でｐＨ９〜８．０まで中和し、２槽目以降においてｐＨ８以下まで中和する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device together with its manufacturing method, wherein a bump electrode whose formation is easy with high reliability is realized by comprising a mutually diffused layer between a main metal (for example, gold) which constitutes a bump electrode and copper which constitutes a copper electrode, for a semiconductor device comprising a copper electrode.例文帳に追加

銅電極を有する半導体装置において、バンプ電極を構成する主金属（例えば金）と銅電極を構成する銅との相互拡散層を有することにより、形成が容易で信頼性の高いバンプ電極を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By irradiating the core region 3 and clad region 2, 4 with UV laser beam, gratings having periodical distribution of refractive indices are formed in both of the core region 3 and the clad region 2, 4 where the optical signals are diffused, and the excess loss due to the clad mode can be suppressed.例文帳に追加

コア領域３及びクラッド領域２、４に紫外レーザ光を照射することによって、コア領域３及び光信号が拡散するクラッド領域２、４共に周期的な屈折率分布を有するグレーティングが形成され、クラッドモードによる過剰損失を抑制することができる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a light-emitting element in which Zn in a p-type cap layer, consisting of GaAs, is prevented from being diffused into a cladding layer and an active layer, and thereby to provide a light-emitting element by which stable high output operation and high temperature operation can be performed and high reliability LED and LD can be obtained.例文帳に追加

ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層のＺｎをクラッド層や活性層に拡散させないようにした発光素子用エピタキシャルウェハ、従って、安定な高出力動作及び高温動作が可能で、且つ高信頼なＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。 - 特許庁

In this heating process, (1) water in the plating 38 is vaporized and coefficient of friction of the connector female screw 27 and the main body side male screw 29 is increased, (2) the plating 38 creeps to increase contact area of the connector female screw 27 and the main body side male screw 29, and (3) the plating 38 is diffused and adheres.例文帳に追加

この加熱工程により、（１）メッキ３８中の水分が蒸発してコネクタ雌ネジ２７と本体側雄ネジ２９の摩擦係数がアップし、（２）メッキ３８がクリープしてコネクタ雌ネジ２７と本体側雄ネジ２９の接触面積が増大し、（３）メッキ３８が拡散して凝着する。 - 特許庁