diffusedを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 3736件
By heat treatment, Sn, Mg, or Zr contained in the copper alloy film 106 is diffused into a copper film 107 for forming the copper alloy film where the Sn, Mg, or Zr is contained in Cu, the copper alloy film is subjected to the CMP method, and contact consisting of the copper alloy film where the Sn, Mg, or Zr is contained in the Cu and buried wiring are simultaneously formed.例文帳に追加
熱処理により銅合金膜106に含まれるSn、Mg又はZrを銅膜107に拡散させてCuにSn、Mg又はZrが含有されてなる銅合金膜を形成した後、該銅合金膜に対してCMP法を行なって、CuにSn、Mg又はZrが含有されてなる銅合金膜よりなるコンタクト及び埋め込み配線を同時に形成する。 - 特許庁
In this crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor, hydrogen as well as p-type dopant is doped or diffused in the p-type group III nitride semiconductor by controlling the partial pressure of hydrogen in an atmosphere, in at least one step during crystal growth of a group III nitride semiconductor doped with the p-type dopant, during cooling after the crystal growth, and during annealing after the crystal growth.例文帳に追加
本発明のp型III族窒化物半導体の結晶成長方法は、p型ドーパントをドープしたIII族窒化物半導体の結晶成長中、結晶成長後の冷却中、結晶成長後のアニール中の少なくとも1つの工程で、雰囲気中の水素分圧の制御により、p型III族窒化物半導体中にp型ドーパントの他に水素をドープもしくは拡散する。 - 特許庁
To effectively utilize diffused heat and to improve heating promotion effect of the water stored in a hot water supply tank by applying a constitution to recover the heat of a radiator radiating heat of a refrigerant compressed by a compressor of an air conditioner to heat the water stored in the hot water supply tank of a hot water supply device in home and other facilities provided with the air conditioner and the hot water supply device.例文帳に追加
空気調和装置と給湯装置が設置された一般家庭やその他の施設において、空気調和装置の圧縮機で圧縮した冷媒の熱を放熱する放熱器の熱を回収して、給湯装置の給湯タンクに溜めた水を加熱する構成によって、放散される熱の有効利用を図ると共に、給湯タンクに溜めた水の加熱促進効果も図るものである。 - 特許庁
Even if light enters a peripheral edge portion 70 due to a pattern variation pattern performance displayed on the display section 43, since the peripheral edge portion 70 (especially a rod member 82 on the right and left sides) is embossed, and reflection reaching the player is avoided by diffused reflection while retaining a metallic feel, the player can concentrate on displays on the display section 43.例文帳に追加
表示部43で表示される図柄変動パターン演出等に起因する周縁部70への光の入射があっても、当該周縁部70(特に、左右側面の棒状部材82)にシボ加工を施し、金属感を維持しつつ、乱反射によって遊技者に届く反射を回避するようにしたため、遊技者は、表示部43の表示に集中することができる。 - 特許庁
In an organic waste water treatment method where phosphorus-containing organic waste water 18 is sequentially passed through an anaerobic tank 12, an oxygen-free tank 14, and the aerobic tank 16 to separate treated water by the membrane unit 28 immersed in the aerobic tank 16, air is diffused intermittently from a fine bubble diffusion means 36 in the aerobic tank 16 during stopping the operation of the membrane unit 28.例文帳に追加
リンを含有する有機性の廃水18を嫌気槽12,無酸素槽14,好気槽16の順に通水し、好気槽16内に浸漬した膜ユニット28によって処理水を分離する有機性廃水の処理方法において、好気槽16では膜ユニット28の運転が停止している時間帯に微細気泡散気手段36から間欠的な散気を行う。 - 特許庁
An atomized liquid coolant A sprayed from spray nozzles 18, 48 is emitted or diffused almost uniformly in treating chambers 2, 42 made to flow down while meandering along a guide path 6 and brought into contact with the air B sucked into the chambers 2, 42 so that the moisture content contained in the coolant A is absorbed by the air B and separated to increase the concentration of ethylene glycol.例文帳に追加
噴射ノズル18,48により噴霧される霧状のクーラント液Aを、処理室2,42内部に略均一に放出又は拡散したり、誘導路6に沿って蛇行させながら降下させ、霧状のクーラント液Aを、処理室2,42内部に吸気されたエアーBに接触させて、霧状のクーラント液Aに含まれる水分をエアーBにより吸着分離して、エチレングリコールの濃度を高める。 - 特許庁
To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加
ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method includes a step for transmitting the light generated from a light source 10 through the sample 20, a step for collimating the light transmitted through the sample by using the null lens 50 or the liquid lens, and a step for measuring the haze after the collimated light transmitted through the null lens or the liquid lens is separated into the collimated light and a diffused light through the integrating sphere 30.例文帳に追加
光源10から発生した光を、試料20を介して透過させるステップと、前記試料を介して透過された光を、ナルレンズ50又は液体レンズを介して平行光にするステップと、前記ナルレンズ又は液体レンズを介して透過された平行光を、積分球30を介して平行光と拡散光とに分離した後、ヘイズを測定するステップとを含む。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit device includes a semiconductor substrate; a transistor including gate wiring 220 extending in one direction and formed on the semiconductor substrate, and a source/drain region formed in the semiconductor substrate so as to be aligned to the gate wiring 220; and a diffusion preventing metal pattern 432a extending in the same direction as that of the gate wiring and formed on the gate wiring, and shielding the ions diffused on the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体集積回路装置は、半導体基板、半導体基板上に一方向に延びて形成されたゲート配線220とゲート配線に整列して半導体基板内に形成されたソース/ドレーン領域を含むトランジスタ、ゲート配線上にゲート配線と同一方向に延びて形成され、半導体基板に拡散されるイオンを遮断する拡散防止メタルパターン432aを含む。 - 特許庁
In the super calender having a metal roll, the metal roll RM has a core body part 5 having a cylindrical circumferential surface, a hard circumferential surface layer 6 by the hydrostatic pressure hot press of alloy powder is diffused/bonded on/to the cylindrical circumferential surface of the core body part 5 in an area corresponding at least to the calender working surface of the cylindrical circumferentiaI surface 5p of the core body part 5.例文帳に追加
金属ロールを有するスーパーカレンダー装置であって、その金属ロールR_M が、円筒周面を有する芯体部5を有し、この芯体部5の円筒周面5pの少なくともカレンダー作業面に相当する領域に粉末合金の熱間静水圧プレスによる硬質周面層6が芯体部5の円筒周面に拡散接合された構成とする。 - 特許庁
A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加
SOI基板30を用いたMOS型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔13−1,13−2をソース・ドレイン拡散層10,11上から隣接する素子分離用の酸化膜7上に亘って、シリコン基板1に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してPN接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁
A semiconductor device is equipped with gate electrodes 22 and 23 formed on the semiconductor layer of a silicon substrate 11 through the intermediary of a gate insulating layer 21, impurity diffused layers 24, 25, and 26 which form a source region and a drain region provided in the semiconductor layer in an active region, and contacts 42 to 44 and contacts 47 to 49 formed on the gate electrodes 22 and 23 located in the active region.例文帳に追加
半導体装置は、シリコン基板11の半導体層上に、ゲート絶縁層21を介して形成されたゲート電極22,23、アクティブ領域の半導体層に形成された、ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物拡散層24,25,26、およびアクティブ領域に存在するゲート電極22,23上に形成された、複数のコンタクト部42〜44,47〜49、を有する。 - 特許庁
Flat additional reflective plates 13, 13 each having a reflection surface vertical to the extending direction of the ultraviolet lamp 11 are arranged on an opening part side of a light collecting reflector 12 for reflecting and collecting the ultraviolet ray from the ultraviolet lamp 11 to collect the direct light, which is diffused to the outside of an opening part from the ultraviolet lamp 11, to the inside of a conveyer belt 40.例文帳に追加
紫外線ランプ11からの紫外線を反射して集光する集光反射板12の開口部側に、上記紫外線ランプ11の延長方向に垂直な反射面を有する平板状の追加反射板13,13を配置して、上記紫外線ランプ11から上記開口部の外側に拡散する直接光をコンベヤベルト40の内側に集光するようにした。 - 特許庁
Thereby, the barrier film prevents that an underlying material having diffused the film emitting photoelectrons by photo-irradiation covers the film surface, and therefore, the photoelectron emission plate 1 in which the number of negative ions is not greatly reduced due to a negative particle generating time, that is, which has excellent durability for a long period of time is obtained, and the negative particle generating device using this is also obtained.例文帳に追加
これにより、光照射により光電子を放出する膜を拡散した下地材がこの膜表面を被覆することをバリア膜で防ぐことで、マイナス粒子発生時間により、マイナスイオン数が大きく減少することのない、すなわち長期にわたり耐久性に優れた光電子放出板1およびこれを用いたマイナス粒子発生装置が実現できる。 - 特許庁
In a horizontal bipolar transistor, containing thermally diffused impurities provided on the upper part of a base region, contains a semiconductor layer, and has a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer juxtaposed, and a semiconductor device that has such a transistor, the semiconductor layer is laid down to further implant impurities, and then, subjected to heat treatment, to make a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer.例文帳に追加
ベース領域の上部に設けた不純物を含有する半導体層の前記不純物を熱拡散させてコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを並設してなる横型バイポーラトランジスタ、およびそれを有する半導体装置において、半導体層を横断させて不純物をさらにイオン注入した後に熱処理することによってコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを設ける。 - 特許庁
According to the deodorization apparatus 10, the deodorizing liquid is sprayed by nozzles 18 and 18 and is collided at a central part of the right and left direction to be formed into mist, and the mist is diffused inside of each of deodorizing chambers 14-16, the contact area of the deodorizing liquid with exhaust gas is increased, to thereby enhance the deodorization efficiency by the deodorizing liquid D.例文帳に追加
脱臭装置10によれば、ノズル18、18により脱臭液を噴射して左右方向の中央付近で衝突させることによりミストにして、各脱臭室14〜16の内部に分散させることができるため、脱臭液と排ガスとの接触面積を増大させることができるので、脱臭液Dによる脱臭効率を向上させることができる。 - 特許庁
Air caused by the fan 41 is delivered into the pre-thermal transfer ribbon storage section 52 through the intake port 58, cools a pre-thermal transfer multicolor ink ribbon 60 stored there and air delivered through the interior of the pre-thermal-transfer ribbon storage section 52 is diffused toward a thermal head 7 arranged in the head arrangement section 54 from the diffuser 59 and cools the thermal head 7.例文帳に追加
ファン41によって生じた風が取込口58を介して熱転写前リボン収容部52の内部に送られてそこに収容されている熱転写前の多色インクリボン60を冷却し、また熱転写前リボン収容部52の内部を通って送られた風が吹出口59からヘッド配置部54に配置されたサーマルヘッド7に向けて吹き出してサーマルヘッド7を冷却する。 - 特許庁
In up-converting to an RF step, signals obtained by multiplying local signals corresponding to respective carrier frequency bands and the diffusion series are multiplied by the batch processing output and the multiplied output is integrated only by one symbol period and inversely diffused, so that the batch processing output of the IF block is up- converted to the RF step, signal power is amplified and then the amplified power is sent to the air.例文帳に追加
そして更に、RF段にアップコンバートする際に、各々搬送波周波数に対応する局発信号と拡散系列との乗ぜられた信号を前記一括処理出力に乗じて1シンボル期間だけ積分し逆拡散することによって、前記IFブロック一括処理出力をRF段にアップコンバートし、信号電力を増幅した後、空中に送出する。 - 特許庁
The throttle valve 5 is once opened when concentration of fuel remaining on the downstream side of the throttle valve is higher than a set value when starting the engine, vaporized fuel is diffused onto the upstream side to reduce fuel concentration, and cranking is performed while performing start fuel injection by the fuel injector 6 to ensure satisfactory starting property always irrespective of leak fuel.例文帳に追加
機関始動時にスロットルバルブ下流側に滞留する燃料の濃度が設定値よりも濃いときにいったんスロットルバルブ5を開き、上流側に蒸発燃料を拡散させて燃料濃度を薄めてから、燃料インジェクタ6による始動燃料噴射を行いつつクランキングすることにより、漏れ燃料のいかんにかかわらず、常に良好な始動性を確保する。 - 特許庁
In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加
本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁
An anode and a cathode consisting of gas diffused electrodes having a catalyst layer including fluorine-containing ion-exchange resin with a sulfonic acid group and catalyst, and a solid polymer electrolyte film arranged between the anode and the cathode are provided, of which, the fluorine- containing ion-exchange resin included in the catalyst layer of the cathode has a specific surface area of 3 m2/g or more.例文帳に追加
スルホン酸基を有する含フッ素イオン交換樹脂と触媒とを含有する触媒層を有するガス拡散電極からなるアノード及びカソードと、該アノードと該カソードとの間に配置される固体高分子電解質膜とを備え、前記カソードの触媒層に含有される前記含フッ素イオン交換樹脂は、比表面積が3m^2/g以上である固体高分子型燃料電池。 - 特許庁
To solve such a problem that, when Cu-plated solid lubricant is mixed with Cu-Sn alloy powder and sintered, the solid lubricant is firmly joined with a copper alloy matrix since Sn in the alloy powder is diffused into the Cu plated layer in a process where the ordinary sintering phenomena such vacancy elimination and grain boundary migration are developed however the conformability of the sintered copper alloy is deteriorated.例文帳に追加
Cuめっきを施した固体潤滑剤をCu−Sn合金粉末と混合して焼結すると、空孔の消滅、粒界移動などの通常の焼結現象が起こる過程で、被覆のCuめっき層に合金粉末中のSnが拡散する結果、固体潤滑剤は銅合金マトリックスに強固に接合されるが、焼結銅合金のなじみ性を劣化させる問題を解決する。 - 特許庁
The method for manufacturing a transparent laminate has at least a process obtaining the laminate by sticking continuously at least two strips, and the process of irradiating a continuously running laminate with a light and measuring a ratio of diffused light component to the whole transmitted light passing through the laminated body, and at least two processes are performed under the vacuum condition.例文帳に追加
透明な積層体を製造する方法であって、少なくとも2つの帯状体を連続的に貼合して積層体を得る工程と、連続走行する積層体に光を照射し該積層体を透過した全透過光に対する拡散光成分の比率を測定する工程とを少なくとも有し、少なくとも前記2つの工程が減圧下で行われる積層体の製造方法。 - 特許庁
To provide a semiconductor device equipped with a high-accuracy polycrystalline silicon resistor which is restrained from varying in resistance due to the fact that hydrogen is diffused from polycrystalline silicon in a thermal treatment or hydrogen contained in polycrystalline silicon is absorbed by Ti or the like which is used as a barrier metal of an Al wiring and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
Al系配線のバリアメタルとして用いられるTi等による多結晶シリコン中の水素の吸収や、熱処理の際の多結晶シリコンからの水素の拡散に起因する多結晶シリコン抵抗素子の抵抗値の変動が抑制された高精度の多結晶シリコン抵抗素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a highly reliable multilayer film by always enabling exhaust without suction of diffused gas element or the like while ensuring exhaust ability of water on some level, realizing reduction of maintenance frequency by ensuring exhaust ability for a long period while realizing reduction of an exhaust time by a large exhaust capacity and realizing stabilization of a treatment pressure and stable operation of installation.例文帳に追加
水分の排気能力はある程度確保しながら、拡散したガス成分等は吸着されずに常時排気するようにし、大排気容量による排気時間の低減を実現しつつ、排気能力の長期確保によるメンテナンス頻度の低減をはかり、処理圧力の安定化および設備の安定稼動を実現し、信頼性の高い多層膜を提供する。 - 特許庁
In an impurity concentration profile 10 in a silicon substrate after high concentration ions are injected, a region whose impurity concentration is higher than the specified value 12 is a passive region 14 where silicon crystals are made amorphous and are not diffused, and a region whose impurity concentration is lower than the specified value 12 is a crystal region or a diffusion region 16 where diffusion is occurred.例文帳に追加
高濃度イオン注入後のシリコン基板中の不純物濃度プロファイル10において、指定濃度12よりも高い不純物濃度からなる領域では、シリコン結晶がアモルファス化された拡散の行われない不動領域14とし、指定濃度12よりも低い濃度からなる領域が結晶領域として拡散の行われる拡散領域16とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
A fixing device 30 fixes a toner image transferred to recording material, a spectral colorimeter 41 measures a spectral reflectance factor Rf on a front surface of the fixed toner image, a spectral colorimeter 42 measures a spectral reflectance factor Rb on a back surface of the fixed toner image, and a calculation part 152 computes a difference value (Rf-Rb) to calculate the surface diffused light corresponding to the difference value.例文帳に追加
定着装置30は、記録材に転写されたトナー像を定着し、分光測色計41は定着後のトナー像の表面の分光反射率Rfを測定し、分光測色計42は定着後のトナー像の裏面の分光反射率Rbを測定し、算出部152は差分値(Rf−rb)を計算し、差分値に対応する表面拡散光を算出する。 - 特許庁
A reinforced concrete structure damaged by salt is chipped to a position where reinforcement 2 are not exposed, a permanent form 3 to shield salt and water is installed corresponding to the shape of a cross section to be repaired, and filler 4 in which chloride ions left in the existing reinforced concrete structure is diffused to penetrate is filled between the permanent form 3 and the existing reinforced concrete structure.例文帳に追加
塩害を受けた鉄筋コンクリート構造物を、鉄筋2を露出させない位置まではつり取り、塩分と水分を遮断する永久型枠3を復旧断面形状に合わせて設置し、既設鉄筋コンクリート構造物に残された塩化物イオンを拡散浸透させる充填物4を永久型枠3と既設鉄筋コンクリート構造物の間に充填する。 - 特許庁
In the obtained electronic material with the tin based plating, with the lapse of time or under reflowing at ≥210°C, the flash copper plating layer is mutually diffused with the nickel plating layer as a substrate, so as to be changed into a barrier layer composed of a copper-nickel alloy layer, and prevents the growth of acicular or columnar crystals caused by intermetallic compounds in the tin or tin alloy plating film.例文帳に追加
得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または210℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。 - 特許庁
To provide: a method of manufacturing a nitride-based semiconductor laser which replaces local impurity diffusion carried out so far for such materials that an impurity is not easily diffused like nitride-based semiconductor materials, for example, GaAlAs-based and AlGaInP-based materials, the manufacturing method being effective, good in precision, and suitable for mass production; and nitride-based semiconductor laser manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加
窒化物半導体材料のような不純物の拡散が容易で無い材料系において、GaAlAs系やAlGaInP系などで従来行われてきた局所的不純物拡散に代わる、効果的で、精度の良い、量産化に適した、窒化物系半導体レーザの製造方法およびその製造方法で製造される窒化物系半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁
In a semiconductor device including a thin film of a metal oxide used as a gate insulating film or the like, and a manufacturing method thereof; the semiconductor device is formed on a substrate made of a group IV semiconductor substance, and thermally treated using a metal oxide at a first temperature, so that it includes a thin film comprising the group IV semiconductor substance from the substrate that has thoroughly been diffused into the metal oxide.例文帳に追加
ゲート絶縁膜等に適用する金属酸化物の薄膜を含む半導体装置及びその製造方法において、前記半導体装置は、4族半導体物質の基板上に形成され、金属酸化物及び第1温度で熱処理を行って、前記基板から前記金属酸化物に充分に拡散させた前記4族半導体物質で構成される薄膜を含む。 - 特許庁
When an indoor unit is disposed in the vicinity of the center of a ceiling upon an air conditioner of bidirectional ceiling cassette type being installed on the ceiling, two flaps 8, 9 are changed over to a mode where they are brought into synchronization for swing operation, and an air direction is diffused to both sides at an angle θ and cold or warm air is blown out into a room (A).例文帳に追加
2方向天井カセットタイプの空気調和機を天井に設置するに際して、(1)室内ユニットを天井の中央付近に設置のときは、切換スイッチにより2つのフラップ8,9は同期してスイング動作を行なうモードに切換え、リモコンの風向ボタンを操作することにより、図4(A)のように、風向は両側に角度θで拡散されて冷気あるいは暖気が室内に吹き出される。 - 特許庁
Centrifugal force is applied only to particle powder of a substance B reactive with a substance A, the substance A is diffused between powder particles by injecting the molten substance A into it such that the molten substance A surrounds the substance B particles, and the substance A is caused to react with the substance B to produce the functionally gradient material with the compound AmBn gradient-dispersed.例文帳に追加
物質Aと反応可能な物質B粒子粉末のみに遠心力を印加し、さらにこれに溶融した物質Aを注入することにより粉末粒子間に物質Aを行き渡らせ、物質B粒子を溶融物質Aが取り巻くようにせしめ、かつ、物質Aと物質Bとの反応を生じせしめて化合物AmBnが傾斜分散した傾斜機能材料を製造する。 - 特許庁
Specifically, we will attempt to verify: (i) whether there are differences in productivity increase rate among industries between sectors that manufacture IT equipment and those that are predominant users of IT equipment (and whether productivity increase is concentrated in the former type of sectors); and (ii) the level to which IT use has diffused in various industrial sectors.例文帳に追加
具体的には、①当該部門がIT機器を製造する部門であるか、それらを利用している部門であるかによって、産業間での生産性の上昇率に格差が生じているのかどうか(生産性の上昇が前者に集中しているのかどうか)、また、②IT利用が多様な産業部門の中で、どの程度の広がりを持っているのかについて検証することとする。 - 経済産業省
The respective wiring circuits formed on both sides are electrically connected through a via hole 2a where a solder conductor 9 diffused with metallic power 3 is packed, and an alloy formed of metal configuring the wiring circuits and metal configuring the solder conductor 9 having a melting temperature higher than a component mounting temperature is formed in the via hole 2.例文帳に追加
前記両面にそれぞれ形成された各配線回路は、金属粉末3を分散した半田製導電体9が充填されたビアホール2aによって電気的に接続されており、ビアホール2a内には、前記配線回路を構成する金属と、半田製導電体9を構成する金属とからなり、部品実装温度よりも高い溶融温度を有する合金が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
After forming an insulated adhesive material resin on the resin circuit board, the projection electrode of the semiconductor device and the wiring pattern of the resin circuit board are abutted and thermally press-fixed, a diffused junction layer is formed and a mounting body is formed.例文帳に追加
半導体装置の突起電極の表面材料と、樹脂回路基板の配線パターンの表面材料を、前記樹脂回路基板の耐熱温度より低い温度で拡散接合ができる二つの金属により構成し、樹脂回路基板上に絶縁性接着剤樹脂を形成した後に、半導体装置の突起電極と樹脂回路基板の配線パターンを当接させて熱圧着して拡散接合層を形成して実装体を形成する。 - 特許庁
In the hologram reflector using a hologram holographically recoding reference light and object light which are mutually coherent on a photosensitive material, the object light is passed through a diffusion screen of horizontal size of 60 to 300 mm and vertical size of 100 to 300 mm as diffused light and holographically recorded under a condition of a distance of 100 to 500 mm from the photosensitive material up to the diffusion screen.例文帳に追加
互いにコヒーレントな参照光と物体光とを、感光材料にホログラフィック記録してなるホログラムを用いるホログラム反射板において、前記物体光が、水平方向が60mm〜300mm,垂直方向が100mm〜300mmのサイズの拡散スクリーンを通過した拡散光であり、感光材料から前記拡散スクリーンまでの距離が100mm〜500mmの条件でホログラフィック記録する。 - 特許庁
The infinity view display device includes a plurality of infinity view display units 3 which project pieces of diffused luminous flux from respective points on spatial optical modulators 1 as parallel luminous flux through convex lens optical systems 2; and those infinity view display units 3 are arrayed in parallel and the different spatial optical modulating elements 1 project the pieces of luminous flux from the mutually corresponding points in parallel.例文帳に追加
無限遠視表示装置は、空間光変調素子1上の各点からの拡散光束を凸レンズ光学系2を介して平行光束として出射する無限遠視表示部3を複数備え、これら各無限遠視表示部3を並列的に配列させ、異なる空間光変調素子1において互いに対応する箇所からの光束が互いに平行に出射されるようにする。 - 特許庁
This cooling block is fabricated by joining a first aluminum base material and a second aluminum base material in a heating environment containing oxygen with zinc between the base materials, while a concave for forming a coolant channel is machined on either or both of the base materials so that a diffusion bonding layer with zinc diffused in aluminum and an anti-corrosion layer made of zinc oxidized films can be formed simultaneously.例文帳に追加
各々アルミニウムからなり、少なくともそれらの一方に冷却液の流路形成用の凹部が加工されている第1の母材及び第2の母材を、両者の間に亜鉛を介在させた状態で酸素を含む加熱雰囲気下で接合することにより、亜鉛がアルミニウム中に拡散された拡散接合層と亜鉛酸化膜からなる防食層とが同時に形成されることにより冷却ブロックを形成する。 - 特許庁
The resistive element is formed by stacking a first plate made of Cu-Ni-based alloy and a second plate made of Ni-Cr-based alloy, and has a diffusion layer 11c, in which the metal materials thereof are diffused, formed between the first plate 11a and second plate 11b, and the diffusion layer occupies 10% or more of the overall thickness of the resistive element.例文帳に追加
Cu−Ni系合金からなる第1の板材と、Ni−Cr系合金からなる第2の板材とを積層することにより形成される抵抗体であって、第1の板材11aと第2の板材11bとの間に、それぞれの金属材料が拡散した拡散層11cが形成されており、前記拡散層は、前記抵抗体の全体厚みに占める割合が10%以上である。 - 特許庁
The organic light-emitting display device includes a thin film transistor and an organic light-emitting element fabricated on the thin film transistor and electrically connected to the thin film transistor, wherein a light-shielding part that blocks the light diffusing from the organic light-emitting element is disposed in at least one side of the thin film transistor to prevent the diffused light from the organic light-emitting element from directly entering the thin film transistor.例文帳に追加
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ上に形成され、薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子を備え、有機発光素子から発散される光が薄膜トランジスタに直接入射されないように、薄膜トランジスタの少なくとも一側には、有機発光素子から発散される光を遮断する光遮断部が配されることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置である。 - 特許庁
In mass spectrometry technique for introducing the sample gasified by a heating probe 2 into an ion source 4 and separating the ionized sample at each mass/charge ratio to detect the same, the heating probe 2 is covered with a cylindrical gas trap mechanism 3 and the gasified sample is efficiently guided to the ion source 4 by the gas trap mechanism 3 to allow even a sample component, which is conventionally diffused to be wasted, to contribute to spectrometry.例文帳に追加
加熱プローブ2によって気化した試料をイオン源4に導入し,イオン化された試料を質量/電荷比ごとに分離して検出する質量分析技術において,加熱プローブ2を筒型の気体捕集機構3で覆い,気化した試料を気体捕集機構3によって効率よくイオン源4へ導くことにより,従来は拡散して無駄になっていた試料成分も分析に寄与できるようにした。 - 特許庁
The reflection type projection screen 1 is equipped with a linear Fresnel member 4 whose shelf surface 8 turned upward is made a light absorbing surface and whose inclined surface 10 turned downward is made a reflection surface, and an anisotropic diffusion layer 12 arranged to cover the Fresnel surface of the linear Fresnel member and having anisotropic diffusion characteristic that incident light at a larger incidence angle than a predetermined angle is not diffused.例文帳に追加
本発明の反射型プロジェクションスクリーン1は、上方に向けられた棚面8が吸光面とされ、下方に向けられた傾斜面10が反射面とされたリニアフレネル部材4と、リニアフレネル部材のフレネル面を覆って配置され、所定角より大きな入射角の入射光は拡散させない異方性の拡散特性を有する異方性拡散層12とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁
The image processing apparatus performs error diffusion processing for diffusing errors of an output image signal in relation to an input image signal, and comprises a means containing an edge detector 1 for detecting the edge amount for the input image signal, and a means containing a factor computing unit 2 for controlling the amount of diffused errors, based on the detected edge amount and an error-computing unit 4.例文帳に追加
入力画像信号に対する出力画像信号の誤差を拡散するための誤差拡散処理を行う画像処理装置であって、入力画像信号に対してエッジ量の検出を行うエッジ検出器1を含む手段と、検出されたエッジ量に基づいて、拡散される誤差の量を制御する係数演算器2および誤差演算器4を含む手段とを備えた画像処理装置である。 - 特許庁
This powdery composition contains at least one of fat-soluble vitamins and is characterized by being diffused in a natural polysaccharide gum having emulsifying action, a mixture of the gum and/or a protein having emulsifying action or a mixture of the protein (wherein the fat-soluble vitamin exists in the powdery compound as liquid drops having about 70 nm to about 200 nm average diameter).例文帳に追加
少なくとも1種の脂溶性ビタミンを含む粉末組成物であって、該ビタミンが、乳化能を有する天然多糖ガム又は該ガムの混合物及び/又は乳化能を有するタンパク質又はタンパク質の混合物、の中に拡散している(ここで該脂溶性ビタミンは、該粉末組成物中に、平均直径が約70〜約200nmの範囲の液滴の形態で存在する)ことを特徴とする粉末組成物。 - 特許庁
When voltage impression from a DC power supply 37 is stopped by opening a selector switch 38, a combustible gas in the measured gas diffused within the diffusion layer 33 from the opening end 33A side in an arrow B direction is oxidatively reacted near the outside electrode 32, and a current detector 40 detects a pump current Ip1 flowing through the electrodes 32 and 30 to oxidate gaseous hydrogen.例文帳に追加
そして、直流電源37からの電圧印加を切換スイッチ38の開成により停止したときに、ガス拡散層33内を開口端33A側から矢示B方向に拡散してくる被測定ガス中の可燃性ガスを、外側電極32の近傍で酸化反応させ、このときに水素ガスを酸化するために電極32,30間を流れるポンプ電流Ip1を電流検出器40により検出する。 - 特許庁
A semiconductor device is the PMOS transistor formed on an active region 104 of a semiconductor substrate 101 isolated by an element isolation region 102, and the PMOS transistor has a gate insulating film 105b formed on the active region 104, a gate electrode 106b formed on the gate insulating film, a sidewall 108b, and a source/drain diffused layer region 107b.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板101における素子分離領域102によって分離された活性領域104上に形成されたPMOSトランジスタであって、このPMOSトランジスタは、活性領域104上に形成されたゲート絶縁膜105bと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極106bと、サイドウォール108bと、ソース・ドレイン拡散層領域107bとを備える。 - 特許庁
Because capacity of an indoor fan 2g is lowered below a set capacity when temperature Tr of an indoor heat exchanger 2a becomes lower than a predetermined set temperature Ts within a predetermined time after the start of an overload protection action during heating operation, temperature of warm wind diffused into a room is kept constant without being lowered so that uncomfortableness is not given to a user.例文帳に追加
暖房運転中における過負荷保護動作開始から所定時間内に、室内熱交換器2aの温度Trが予め設定された設定温度Tsを下回ると、室内ファン2gの風量を設定風量より下げるので、室内に吹き出す温風の温度が下がらず、一定に保ことができ、使用者に不快感を与えることのない空気調和機の制御方法を提供することができる。 - 特許庁
To provide a sodium sulfur cell having excellent mass productivity by performing only a mechanical joining work of components during production to reduce steps and working hours, strong bonding force of a sealing portion from an effect of diffused bonding reinforced by continuous operation at working temperatures, and excellent reliability and durability for surely sealing a negative electrode active material consisting of sodium and a positive electrode active material consisting of sulfur and sodium polysulfide.例文帳に追加
作製時には各部材の機械的な接合のみを行い工数や作業時間を低減して量産性に優れ、作動温度での継続運転により、拡散接合の効果でシール部の接合力を強化し、ナトリウムからなる負極活物質と、硫黄及び多硫化ナトリウムからなる正極活物質を確実にシールする信頼性、耐久性に優れたナトリウム硫黄電池を提供する。 - 特許庁
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