「diffused」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

The deodorizing filter in which a zeolite film is formed in a knitted netlike basic substance 1 obtained by turning water repellent resin and activated charcoal into fibers by impregnating, drying, and baking at least one or more hydrosol selected from a group of almina, silica, titania, and zirconia in which zeolite is diffused.例文帳に追加

撥水性の高い樹脂や活性炭等を繊維化し編み込み網目状基体１に、ゼオライトを分散させたアルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも1種以上のヒドロゾルを含浸、乾燥、焼成し、ゼオライト膜を形成した脱臭フィルターを得る。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a silicon substrate 21 in which gold, platinum or copper is diffused, a passive element formed on the first main surface of the substrate 21, and electrodes 27a formed on the first main surface of the substrate 21 to flip-chip mount a semiconductor chip 32 having an active element.例文帳に追加

金または白金または銅が拡散されたシリコン基板２１と、シリコン基板２１の第１主面上に形成された受動素子と、シリコン基板２１の第１主面上に形成され、能動素子を有する半導体チップ３２をフリップチップ実装するための電極２７ａとを形成する。 - 特許庁

To increase etching seeds contributing etching, in a method for making, on a semiconductor surface, a desired pattern having varying depth by using a first mask having a desired pattern and a second mask for controlling the amount of etching seeds diffused in an opening of the desired pattern.例文帳に追加

所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。 - 特許庁

Subsequently, the first cap film 1008 that did not diffuse into the high dielectric constant gate insulating film 1006 and remained on the high dielectric constant gate insulating film 1006 is removed, and a metal electrode 1010 is formed on the high dielectric constant gate insulating film 1006A with the first metal diffused.例文帳に追加

その後、高誘電体膜１００６に拡散せずに高誘電体膜１００６の上に残存した第１のキャップ膜１００８を除去して、第１の金属が拡散した高誘電率ゲート絶縁膜１００６Ａの上に金属電極１０１０を形成する。 - 特許庁

When respective LEDs 82a and 82b and LEDs 82e and 82f are lighted or blinked, the light is diffused by the lens covers 821 and 823, so that the whole lenses 821 and 823 look shining.例文帳に追加

打球供給皿（上皿）３の左側面および右側側面には、それぞれレンズカバー８２１，８２３が取り付けられており、それぞれＬＥＤ８２ａ，８２ｂおよびＬＥＤ８２ｅ，８２ｆが点灯または点滅すると、レンズカバー８２１，８２３で光が拡散されてレンズカバー８２１，８２３全体が光って見える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate for wiring boards comprises a carbonaceous substrate 10, an insulating electrolytic deposition layer 20 that is formed in the carbonaceous substrate 10 while an inorganic filler 201 is being diffused to polyimide 202 due to electrolytic deposition, and a metal layer 30 that is provided on the insulating electrolytic deposition layer 20.例文帳に追加

炭素質基板１０と、電着によって無機フィラー２０１がポリイミド２０２に分散した状態で前記炭素質基板１０に形成された絶縁性電着層２０と、前記絶縁性電着層２０に設けられた金属層３０とから構成したことを特徴とする。 - 特許庁

A first trench 13 is made vertically from the surface side of an n-type semiconductor layer 1 to serve as a collector region, and p-type impurities are diffused laterally (around the first trench 13) from the first trench 13, whereby a p-type base region 2 is made laterally.例文帳に追加

コレクタ領域とするｎ形半導体層１の表面側から縦方向に形成される第１の溝１３が形成され、その第１の溝１３からｐ形不純物が横方向に（第１の溝１３の周囲に）拡散されることによりｐ形ベース領域２が横方向に形成されている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which improves the transferability of toner for an image forming system using an intermediate transfer member, prevents image defects such as transfer omission and diffused letters, and can form a color image having good image density and sharpness, and to provide an image forming method.例文帳に追加

本発明の目的は、中間転写体を用いた画像形成方式のトナーの転写性を改善し、転写抜けや文字チリ等の画像欠陥を防止し、画像濃度、鮮鋭性が良好なカラー画像を形成できる画像形成装置、画像形成方法を提供することである。 - 特許庁

In the image processing method with which a multi-gradation image is divided into two regions and the regions are composed after error diffusion processing is executed, before dividing the source image into the two regions, an error of each pixel on a dividing line is diffused over the two regions.例文帳に追加

多階調画像を２つの領域に分割し、各領域に対して誤差拡散処理を実行してから合成するようにした画像処理方法であって、前記原画像を２つの領域に分割する前に、分割ライン上の各画素の誤差を２つの領域に拡散する。 - 特許庁

An organic film is formed on a negative type resist pattern using the resist pattern scaledown material comprising a resin, a base generating agent and a solvent and a base component is diffused from the organic film into the resist pattern by heat treatment or irradiation with light to form a solubilized layer on the surface of the resist pattern.例文帳に追加

ネガ型レジストパターン上に、樹脂と、塩基発生剤と、溶媒とからなるレジストパターン微細化材料を用い有機膜を形成し、熱処理又は光照射処理により、有機膜からレジストパターン中に塩基成分を拡散させ、レジストパタン表面に可溶化層を形成させる。 - 特許庁

In this way, since the mist generated by the discharge of the treatment liquid head is diffused in a space formed by the prescribed interval to be moved upward, the mist is prevented from reaching the discharge opening surface of the head 101Bk to cause defective discharge by the insolubilized substance.例文帳に追加

これにより、処理液ヘッドの吐出によって生じたミストは上記所定の間隔によって形成される空間内で拡散し、上方へ移動するので、ミストがヘッド１０１Ｂｋの吐出口面にいたりその不溶化物によって吐出不良を生じさせることを抑制できる。 - 特許庁

To prevent a variation in the threshold voltage of a p-channel MIS transistor by preventing p-type impurities in a p-type silicon layer employed in a gate electrode from being diffused into an underlying semiconductor substrate through a gate insulation film when a high dielectric film is employed as the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるｐ型シリコン層中のｐ型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、ｐチャネルＭＩＳトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。 - 特許庁

The diffusion plate 9 is provided to the position opposed to the flow pipe part 3a of the pipette 3 and the specimen liquid flowing out of the flow pipe part 3a of the pipette 3 is diffused in a peripheral direction to almost uniformly collect the visible specimen 12 in the specimen liquid by the filter 5.例文帳に追加

拡散プレート９はピペット３の流通管部３ａに対向する位置に設けられ、ピペット３の流通管部３ａから流出した試料液が周囲方向に拡散することによって、フィルター５に試料液中の有形試料１２をほぼ均一に捕集する。 - 特許庁

In this way, an n-type semiconductor whose electric conductivity is comparatively high, light absorptivity is comparatively low and impurities are hardly diffused, is used as the clad layers formed on and under the optical waveguide layer 103, further a semi-insulating layer is provided between the n-type clad layers 102 and 104.例文帳に追加

このように、光導波路層１０３の上下に形成するクラッド層として、導電率が比較的高く、光吸収が比較的小さく、不純物が比較的拡散しにくいｎ型の半導体を用い、更にｎ型クラッド層１０２及び１０４間に半絶縁性の層を設ける。 - 特許庁

To provide an information input device whose reliability can be improved by eliminating the influence of diffused external light (the illumination light of a display device and a room or the like) present in an environment to which the information input device is exposed at the time of coordinate detection.例文帳に追加

座標検出の際に情報入力装置がさらされている環境に存在する外乱光（表示装置や部屋の照明光など）の影響を極力排除することができ、装置の信頼性を向上させることができる情報入力装置を提供する。 - 特許庁

In another embodiment, a metal frame 90, preferably a Kovar (R) frame, is hermetically or semi-hermetically sealed to the cover 58 and the glass panel substrate 52, so as to reduce the moisture amount diffused through the semi-hermetic seal compared with that in the prior art.例文帳に追加

もう一つの実施形態では、金属フレーム９０、好ましくはKovar（商標）製フレームをカバー５８及びガラス基材パネル５２に気密式で又は半気密式で封止接着して、これにより、半気密性封止を透過する湿分の拡散量を従来技術よりも減少させる。 - 特許庁

The sample is treated with heat of a 1st temperature to diffuse the transition metals in the sample, the sample is treated with heat of a 2nd temperature to form metallic silicide from the transition metals diffused in the sample and then the sample is treated with heat of a 3rd temperature to solve the metallic silicide formed in the sample.例文帳に追加

サンプルを第１温度で熱処理して遷移金属をサンプル内に拡散させ、第２温度で熱処理してサンプル内に拡散した遷移金属から金属シリサイドを形成させ、第３温度で熱処理してサンプル内に形成された金属シリサイドを溶解させる。 - 特許庁

For impulse output unit 105a to impulse output unit 105d, modulated impulse sequences, in which the reference impulse sequences of a predetermined period are modulated in responses to the plurality of the diffused data sequences, are deviated at a timing by a predetermined time in the period, and output.例文帳に追加

インパルス出力部１０５ａ〜インパルス出力部１０５ｄにおいて、所定周期の基準インパルス列がこの複数の拡散データ列に応じてそれぞれ変調された変調インパルス列が、上記周期内でそれぞれ所定の時間だけタイミングをずらして出力される。 - 特許庁

A lower base 2 comprising metal is jointed with an upper base 3 similarly comprising metal by brazing, soldering, or diffused junction to be integrated with it, so that heat conductivity between both bases 2, 3 becomes favorable, and that the damage of a heater by local temperature rise can be prevented.例文帳に追加

金属からなる下側ベースと同じく金属からなる上側ベースとをろう付け、はんだ付け及び拡散接合のいずれかにより接合し、一体化する構造とすることにより、両ベース間の熱伝導性が良くなり、局部的な昇温によるヒータの損傷をも防止できる。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。 - 特許庁

A heavy metal is diffused into a semiconductor substrate, and thereafter, the inside of the semiconductor substrate is irradiated by charged particles, and further, heat treatment is applied at a temperature higher than 650°C, whereby the predetermined region of short lifetime is provided in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板内に重金属を拡散した後に、この半導体基板内に荷電粒子を照射し、さらに６５０℃以上の熱処理を加えることにより半導体基板内に低ライフタイムの所定の領域を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The vibrations are imparted to the automatic balancer 71 before the start of rotation or after the stop of rotation of the spindle motor 39 for rotationally driving the automatic balancer 71 which is assembled to a disk cable 40, by which the plural 73 in a hollow annular section 72 are previously diffused.例文帳に追加

ディスクテーブル４０に組み込んだオートバランサ７１を回転駆動するスピンドルモータ３９の回転開始前又は回転停止後に、そのオートバランサ７１に振動付与手段で振動を付与して、中空環状部７２内の複数のボール７３を予め拡散させるようにするもの。 - 特許庁

P-type impurity is diffused into a semiconductor substrate 100 with an n-type semiconductor region 1 and an n^--type semiconductor region 2a formed thereon through heat diffusion method, until a predetermined depth is obtained to form an n^--type semiconductor region 2 and a p-type semiconductor region 3a.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１及びｎ^−型半導体領域２ａが形成された半導体基板１００に、熱拡散法によってｐ型不純物を所定の深さまで拡散させ、ｎ^−型半導体領域２及びｐ型半導体領域３ａを形成する。 - 特許庁

Since the first member 41 is formed near the light source 2, light from the light source 2 is diffused effectively and a so-called lamp image in which the shape of the light source 2 is back-reflected hardly appears, thereby, uniformity of luminance of the light-emitting face of the molded body 4 for light source cover is improved.例文帳に追加

光源２の近くに第１の部材４１が形成されているので、光源２からの光が効果的に拡散され、光源２の形状が裏映りする、いわゆるランプイメージが現れ難くなって、光源カバー用の成形体４の発光面の輝度均斉度が向上する。 - 特許庁

A corrugated concave lens groove is formed on an inner surface; a lens 4 having an outer surface 7 formed flatly and smoothly is disposed ahead of LEDs 3...; and an irradiated area a, in which light generated by using the LEDs 3... as a light source is diffused in a line on a road surface by light refraction based on the Snell's law, is formed.例文帳に追加

内面に波形の凹曲レンズ溝を形成し、外面７を平滑に形成したレンズ４をＬＥＤ３・・・の前方に配置し、ＬＥＤ３・・・を光源として発生した光をスネルの法則に基づく光の屈折により路面にライン状に拡散した照射領域ａを形成する。 - 特許庁

The dielectric layer 11a contains a large number of the dielectric grains G1 having a non-core shell structure using a dielectric as a chief material, and each dielectric grain G1 is formed in a shape surrounded by a plurality of diffusion-phase grains G2 having the non-core shell structure in which one kind or more of metallic elements are diffused to the dielectric.例文帳に追加

誘電体層１１ａは、誘電体を主成分とする非コアシェル構造の多数の誘電体グレインＧ１を含み、各誘電体グレインＧ１は、誘電体に１種以上の金属元素が拡散した非コアシェル構造の複数の拡散相グレインＧ２によって囲まれた形態にある。 - 特許庁

Accordingly, as compared to the conventional light-emitting device, which has been set in a laterally shifted manner, and so has diffused light asymmetrically on either side of the optical axis at the reflecting surface, thus being difficult obtaining a uniform light distribution characteristic, having plural uniform and different light distribution characteristics become possible.例文帳に追加

これにより、従来の発光素子が横方向にずれて配置されたために反射面で光軸の左右で非対称に拡散し、一様な配光特性が得られにくいのに比べて、それぞれ一様で異なる光の配光特性を複数有することができる。 - 特許庁

Alternatively, the reactive agent in which the powder for thermit reaction is diffused in the volatile solvent is applied to an outer surface of the tube, the volatile solvent in this reactive solvent is evaporated, and the metallic ring is externally fitted to the applied portion, and the ring is welded to the outer circumference by the thermit reaction.例文帳に追加

あるいは、テルミット反応用の粉末を揮発性溶媒中に分散させた反応剤を管の外面に塗布し、この反応剤における揮発製溶媒を蒸発させるとともにその塗布部に金属製のリングを外ばめして、テルミット反応によりリングを管の外周に溶着させる。 - 特許庁

To provide a deodorizing device capable of eliminating locally generated malodor such as pet odor, garbage odor at its generating source before it is diffused in a room, and also removing both water soluble odor components and hydrophobic odor components to attain deodorization.例文帳に追加

ペット臭、生ゴミ臭などの局所的に発生する悪臭をその発生源において消臭して、室内に拡散する前に消臭を行うことができる、しかも水溶性の臭気成分と疎水性の臭気成分とを共に除去して脱臭を行うことができる消臭装置を提供する。 - 特許庁

The method for coating a nickel alloy in which zinc is diffused, comprises the step of forming a nickel or nickel-alloy layer 14 on a substrate 12, the step of applying a zinc layer 18 onto the nickel or nickel-alloy layer 14, and the step of thermally diffusing zinc into the layer 14.例文帳に追加

亜鉛が拡散されたニッケル合金コーティングの方法は、基材１２上にニッケルまたはニッケル合金の層１４を形成するステップ、ニッケルまたはニッケル合金の層１４の上に亜鉛層１８を施すステップ、および層１４内に亜鉛を熱拡散させるステップから構成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon nitride film exhibiting excellent reliability, and a method for forming a gate insulation film in which boron atoms can be prevented from being diffused from the gate electrode into a silicon semiconductor substrate, and a method for forming a gate insulation film.例文帳に追加

信頼性に優れた窒化シリコン膜の形成方法、ゲート電極からシリコン半導体基板へのホウ素原子の拡散防止が可能なゲート絶縁膜の形成方法、及びゲート電極からシリコン半導体基板へのホウ素原子の拡散防止が可能なゲート絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of simply measuring the amount of a nitrogen element diffused in a silicon substrate in a process of forming a gate electrode film by a plasma nitriding process, and to provide a method of forming a gate electrode film by a plasma nitriding process having less effect on device characteristics.例文帳に追加

プラズマ窒化処理によりゲート電極膜を形成するプロセスにおいてシリコン基板中に拡散した窒素元素量を簡便に測定する方法を提供し、さらにデバイス特性に与える影響の小さいプラズマ窒化プロセスによるゲート電極膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermosetting composition suitable for forming an antihalation film which can effectively inhibit diffused reflection from a base substrate and has high transmittance of visible light and a high heat resistance.例文帳に追加

固体撮像素子におけるカラーフィルターやマイクロレンズを形成する際の露光工程において、下地基板からの乱反射光を効果的に抑制できまた可視光線の透過率が高くかつ高度の耐熱性を有するハレーション防止膜を形成するのに適した熱硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein there is no possibility of shortcircuiting between source and drain because impurities of a cap insulation layer are diffused and a gate electrode layer and a cap insulation can made be surely and stably at a specified thickness, and to provide its manufatcuring method.例文帳に追加

本発明の課題は、キャップ絶縁層の不純物が拡散してチャネル領域まで達し、ソース−ドレイン間をショートさせるおそれがなく、所定厚さのゲート電極層およびキャップ絶縁層が確実に安定して得られる半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The apparatus is provided with a metal net-like gas lens, a homogenizing diffusion apparatus main body having a filling space and plural pieces of spherical bodies filled in the filling space, shield gas is homogeneously diffused by the gas lens as well as the spherical bodies of plural pieces.例文帳に追加

金網状のガスレンズを備えていると共に充填空間を有する均質拡散装置本体と、上記充填空間内に充填された複数個の球体と、を具備し、上記ガスレンズと共に上記複数個の球体によりシールドガスを均質に拡散させるようにしたものである。 - 特許庁

Laser beam is diffused and scattered to be directly applied to the blood of a patient, whereby damage is applied to an oncocyte in blood to be degenerated, and human killer lymphocyte is activated to improve injure force on the oncocyte.例文帳に追加

患者の血液に対しレーザー光を拡散または分散させて直接照射させ、それによって血液中の腫瘍細胞にダメージを与えて変質させ、ヒトキラーリンパ球を活性化させて腫瘍細胞に対する傷害力を向上させるレーザー光を利用した治療である。 - 特許庁

Since nitrogen gas flow introduced into the chamber 14 is diffused and nitrogen density is made uniform in the chamber 14, reactive substance removing effect is made constant in the chamber 14 and an element on a substrate 19 to be processed employing a film formed by laser anneal has uniform characteristics.例文帳に追加

チャンバ14内に導入される窒素流が拡散され、チャンバ14内における窒素密度を均一にすることにより、チャンバ14内での反応性物質の除去効果が一定になるので、レーザーアニールにより形成された膜を用いた被処理基板19上の素子の特性が均一にされる。 - 特許庁

The detecting light S diffused by the semicircular lens 17 is condensed by a cylindrical lens 63 which is arranged so that its longitudinal direction may be along the direction orthogonal to the conveying direction, and whose plane 63b is brought into tight-contact with a back surface 19 of the semicircular lens 17, and detected by a line sensor 64.例文帳に追加

半円柱状レンズ部１７により拡散された検出光Ｓは、搬送方向に直交する方向に長手方向が沿うように配置され、平面６３ｂが裏面部１９に密着されたシリンドリカルレンズ６３により集光され、ラインセンサ６４によって検出される。 - 特許庁

The light B1 emitted from LEDs 11 at both ends enters the inside of the photoconductor 30 from end parts 30a, are totally reflected by end slopes 30b to change advancing directions to the main-scanning direction A, and further, are reflected/diffused inside to irradiate the document as light B1'.例文帳に追加

両端のＬＥＤ１１から放射された光Ｂ１は、導光体３０の端部３０ａから内部に入射して端部斜面３０ｂで全反射し、主走査方向Ａに進行方向を変え、さらに、内部で反射／拡散され、光Ｂ１’として原稿を照射する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which adhesion of copper to a lower layer is improved without increasing a thickness of an adhesive layer so as to prevent copper from being diffused to the lower layer, and to provide metal wiring for a display panel, a thin film transistor display panel including the same, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The inspection method for inspecting the internal state of the optical material OM has a process for irradiating the optical material OM with diffused light from a light source 21, and inspecting the internal state of the optical material OM based on transmitted light transmitted through the optical material OM.例文帳に追加

本発明に係る光学材料ＯＭの内部状態を検査する検査方法は、光源２１からの拡散光を光学材料ＯＭに照射し、この光学材料ＯＭを透過した透過光に基づいて光学材料ＯＭの内部状態を検査する工程を有する。 - 特許庁

To provide a lighting device capable of attaining light-distribution characteristics with a wide angle required for a spot-type lamp and the like and guiding and emitting sufficiently-diffused light and enhancing design properties and making a name of a facility easily remain in a user's memory.例文帳に追加

本発明は、スポット型などに必要とされる広角の配光特性を得ることができ、且つ十分に拡散された拡散光を導出させることができ、さらにデザイン性を高めると共に、施設の名称等をユーザの記憶に残り易くすることができる照明装置の提供を目的とする。 - 特許庁

An opening part 6 whose part is exposed to the sensor outside is formed on an extension tip part of each groove 5, and an amine-based material remaining in the protection film 2 made of the resin and impeding the curing reaction of the film-shaped adhesive 4 is volatilized, diffused and discharged from the opening part 6 to the sensor outside.例文帳に追加

またこの溝５の延出先端部に、一部がセンサ外部に露出する開口部６を形成し、樹脂製保護膜２中に残留してフィルム状接着材４の硬化反応を阻害するアミン系物質をその開口部６からセンサ外部に揮発拡散して排出させる。 - 特許庁

Main spray E diffused by the first spray hole 41 only in the vertical direction and having a fixed thickness in the lateral direction is formed and diffusion spray F having a diffusion angle α only in the lateral direction by the pair of right and left second spray holes 43 and having a fixed thickness in the vertical direction is formed.例文帳に追加

第１噴口４１によって縦方向のみに拡散し、横方向に一定の厚みを有する主噴射Ｅが形成されるとともに、左右一対の第２噴口４３によって横方向のみに拡散角αを有し、縦方向に一定の厚みを有する拡散噴射Ｆが形成される。 - 特許庁