「diffusion constant」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

At a logic part A2 and an I/O part A3, a high dielectric-constant film 7 on a diffusion area 12b of the MIS transistor is removed and a silicide layer 14 with low resistance is formed on its surface.例文帳に追加

論理部Ａ２およびＩ／Ｏ部Ａ３では、ＭＩＳトランジスタの拡散領域１２ｂ上の高誘電率絶縁膜７を除去して、その表面に低抵抗のシリサイド層１４を形成する。 - 特許庁

The mixing zone (9) has a high speed area (16) with a constant cross section, and a diffusion area (17) with a flared cross section downstream of the high speed area (16) in the flow direction of hot gas (G).例文帳に追加

混合ゾーン（９）は、断面が一定である高速領域（１６）と、高温ガス（Ｇ）の流れる方向に対して、高速領域（１６）の下流に有る、断面が拡がって行く発散領域（１７）とを有する。 - 特許庁

To provide a measuring method of a thermal constant using an optical heating method, for measuring a thermal diffusivity, a Biot number, and a diathermancy coefficient of a material in which a heat transfer is generated by diffusion heat transfer and radiation heat transfer.例文帳に追加

熱移動が拡散伝熱と輻射伝熱により生じる材料の熱拡散率、ビオ数、及び透熱係数を測定する光加熱法を用いた熱定数の測定方法を提供する。 - 特許庁

Reflecting members 30 are aligned in the vicinity of the rear face of the light guide 20 at a constant interval 28, and are provided with second diffusion steps 31 reflecting the irradiation light α1 toward the first diffusion steps 24 of the light guide 20 at the front face, as well as second step faces 32 as reflecting surfaces for reflecting the irradiation light α1.例文帳に追加

反射部材３０は、導光体２０の後面近傍で一定の間隔２８を保って配置され、出射光α１を導光体２０の第１拡散ステップ２４へ向けて反射する第２拡散ステップ３１を前面に有し、出射光α１を反射する反射面である第２ステップ面３２を有している。 - 特許庁

A frequency diffusion control section 24 repeatedly switches a carrier frequency fc to five stages to disperse a frequency component of switching noise accompanied with PWM control; however, during a period with a low duty ratio, such as a start period and a period before stop, stops frequency diffusion control and controls the carrier frequency fc to be constant.例文帳に追加

周波数拡散制御部２４は、キャリア周波数ｆｃを５段階に繰り返し切り替えて、ＰＷＭ制御に伴うスイッチングノイズの周波数成分を分散化するが、起動期間および停止前期間のようにデューティ比が小さい期間で周波数拡散制御を停止し、キャリア周波数ｆｃを一定に制御する。 - 特許庁

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an insulating film-forming composition capable of giving a coating having a low relative dielectric constant as an interlaminar electrical film material in a semiconductor device, or the like, and excellent in adhesion to a barrier metal which is copper diffusion-preventing film.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

A protective film 16 preventing the diffusion of the Cu of Cu wiring, functioning as an etching stopper at the time of forming a via hole 23, and exhibiting a low dielectric constant is proposed as a protective film corresponding to the Cu wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線に対応した保護膜として、当該Ｃｕの拡散防止及びビア孔２３形成時のエッチングストッパーとしての機能を有し、しかも低誘電率を示す構造の保護膜１６を提案する。 - 特許庁

The protection for the copper structure 40 allows a high-conductivity copper to be used, combined with a known low-dielectric constant (low-k) material resistive to diffusion of oxygen and water.例文帳に追加

銅構造４０に対する保護は、高導電率の銅を、酸素および水の拡散に耐えることが知られている低誘電率（ｌｏｗ ｋ）材料と組み合わせて使用することを可能とし、高い信号伝搬速度をもたらす。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加

Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

With this constitution, a negative current can be made to flow in the respective cells and the detection of an enriched gas becomes possible, and the gas concentration in the porous diffusion layer 101 can be kept constant with respect to the enriched gas.例文帳に追加

これにより、各セルにおいて負電流を流すことが可能となり、リッチガスの検出が可能になると共に、リッチガスに対して多孔質拡散層１０１内のガス濃度を一定に保つことができる。 - 特許庁

The density of the catalyst layer on the gas diffusion layer side is made lower than that of the catalyst layer on the proton conductive electrolyte membrane side, and the ratio of the amount of the polymer electrolyte in the catalyst layer to the amount of the catalyst is made almost constant.例文帳に追加

ガス拡散層側の触媒層の密度がプロトン伝導性電解質膜側の触媒層の密度より小さくし、かつ触媒層中の高分子電解質の量と触媒の量との比をほぼ一定にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure using a film having a high dielectric constant as a gate insulation film which can suppress the deterioration of characteristics and reliability due to the formation of defects and trap sites, by suppressing the reaction between the gate insulation film consisting of the film having a high dielectric constant and a gate electrode and the diffusion of dopants into the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電率膜を用いる構造において、高誘電率膜からなるゲート絶縁膜とゲート電極との反応やゲート絶縁膜への不純物の拡散を抑制し欠陥やトラップサイトの形成に起因する特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の提供。 - 特許庁

To improve hygroscopicity while raising a mechanical strength in a barrier insulating film or a main insulating film on it, and to further reduce a dielectric constant, and particularly to provide a film depositing method and a semiconductor device which can further reduce a specific dielectric constant while especially maintaining a copper diffusion preventing function in the barrier insulating film.例文帳に追加

バリア絶縁膜やその上の主絶縁膜において機械的強度を高めるとともに、吸湿性を改善し、かつ、更なる低誘電率化を図ること、特にバリア絶縁膜では銅拡散防止機能を維持しつつ、比誘電率を更に低減させることができる成膜方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The low temperature co-fired ceramic substrate includes: a first ceramic layer formed of a material having a first dielectric constant; a second ceramic layer formed of a material having a second dielectric constant lower than the first dielectric constant; and a diffusion barrier layer interposed between the first ceramic layer and the second ceramic layer and formed of the first ceramic layer material, the second ceramic layer material, and a barium (Ba) compound.例文帳に追加

本発明による低温同時焼成セラミック基板は、第１誘電率を有する物質からなる第１セラミック層と、上記第１誘電率より低い第２誘電率を有する物質からなる第２セラミック層と、上記第１セラミック層と第２セラミック層の間に介在し、上記第１セラミック層物質、上記第２セラミック層物質及びバリウム（Ｂａ）化合物からなる拡散防止層を含む。 - 特許庁

To provide a multilayer interconnection structure excellent in a Cu diffusion, a heat resistance, an electrical performance, especially, a dielectric constant, and an adhesion; and to provide a semiconductor device having the structure and excellent in the electrical performance.例文帳に追加

Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。 - 特許庁

The magnetic objective lens is designed to have a temporally constant energy diffusion in respective portions composing the lens when a focal point is changed, so that the system does not need time to stabilize when the magnetic field is changed.例文帳に追加

磁気対物レンズは、焦点を変化させたときに、レンズを構成する各部におけるエネルギー放散が時間的に略一定となるように設計されるので、磁界を変化させたとき装置を安定化させる時間を必要としない。 - 特許庁

Further, the circuit quality is monitored at an inverse diffusion section 107 and filter coefficients of an adaptive filter 15 provided in a feedback loop are updated at all times, to automatically control an AGC time constant to be at the optimum value for each reception environment.例文帳に追加

また、逆拡散部１０７において回線品質を監視し、フィードバックループ内に具備した適応フィルタ１１５のフィルタ係数を随時更新することで、受信環境毎にＡＧＣ時定数を最適値に自動制御する。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric material having a low dielectric constant and exhibiting excellent heat resistance, thermal conductivity and mechanical strength in which diffusion of the metal in a wiring material into an insulating film can be controlled, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

誘電率が低く、さらに耐熱性、熱伝導性、機械強度に優れ、熱膨張係数と配線材料の金属の絶縁膜中への拡散を抑制することのできる層間絶縁膜材料および半導体装置の提供。 - 特許庁

To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ拡散防止のためのメチル基含有窒化珪素膜上に形成される、メチル基を含む低誘電率層の機械的強度や界面密着性を向上できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To provide a film-forming composition affording a film that is uniform, causes no deposition of impurities, achieves a low dielectric constant and high metal diffusion barrier property and is therefore suitably used for producing an interlayer insulation film in an electronic device or the like.例文帳に追加

形成された膜が均一であり、不純物の析出がなく、低い誘電率や高い金属拡散バリア性が得られるため、電子デバイスなとにおける層間絶縁膜として適する膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

Moreover, a soft magnetism layer 4b of a free magnetism layer 4 is made of an NiFe alloy, and a diffusion preventing layer 4a is made of an CoFe alloy, thereby enabling the absolute value of magnetostrictive constant λ of the free magnetism layer 4 can be set to 1.3 ppm or smaller.例文帳に追加

また、フリー磁性層４の軟磁性層４ｂをＮｉＦｅ合金、拡散防止層４ａをＣｏＦｅ合金を用いて形成することにより、フリー磁性層４の磁歪定数λの絶対値を１．３ｐｐｍ以下にすることができる。 - 特許庁

To prevent diffusion of components of a contact metal layer to a ceramic substrate and prevent deviation of impedance which is caused by variation of a dielectric constant at a diffusing portion and thereby prevent increase of transmission loss of high frequency signals, in the case where solder is heated to mount a wiring board.例文帳に追加

配線基板を実装するために半田を加熱した際に、密着金属層成分がセラミック基板へ拡散せず、拡散部で比誘電率が変化してインピーダンスがずれ高周波信号の伝送損失が増大するのを防ぐこと。 - 特許庁

A linear lower light source 4 with a structure where a diffusion plate 7 for diffusing light beams from an LED element only in the plate width direction is arranged on the upper side of the LED elements arranged at a constant interval over the whole width under the travelling steel strip 1.例文帳に追加

一定間隔で配置されたＬＥＤ素子の上側に、ＬＥＤ素子からの光線を板幅方向にのみ拡散させる拡散板７を配置した構造の線状下部光源４を、走行する鋼帯１の下方に全幅にわたり配置する。 - 特許庁

To provide a micro countercurrent liquid feeder which can perform a mixing of fluids utilizing a molecular diffusion and shear with the ratio of each effect held constant, and at the same time, can control the reaction time of the mixing, and a micro countercurrent liquid-feeding method.例文帳に追加

分子拡散とせん断を利用した流体の混合をそれぞれ効果の比率を一定に行うことができるとともに、混合の反応時間を制御することができるマイクロ向流送液装置及びマイクロ向流送液方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, since the internal diffusion barrier layer 511 inhibits a material which constitutes oxygen adsorbing layer 512 from diffusing to the free layer 50, magnetostrictive constant is decreased, and proper magnetization curve (R-H curve) without kinks or vortices is assured.例文帳に追加

また内部拡散バリア層５１１によって、酸素吸着層５１２を構成する材料の、フリー層５０への拡散が抑制されるので、磁歪定数が減少し、ねじれ（kink）や渦（vortex）のない良好な磁化曲線（Ｒ−Ｈ曲線）が確保される。 - 特許庁

The aging device includes a semiconductor substrate 11, first and second diffusion layers 11A, 11B formed in a first element region AA1, a floating gate 14 formed on a channel region between the first and second diffusion layers 11A, 11B, and control gate electrodes 16 formed to be arranged at intervals of a constant spacing horizontally relative to the floating gate 14.例文帳に追加

本発明の例に係わるエージングデバイスは、半導体基板１１と、第１素子領域ＡＡ１内に形成される第１及び第２拡散層１１Ａ，１１Ｂと、第１及び第２拡散層１１Ａ，１１Ｂ間のチャネル領域上に形成されるフローティングゲート１４と、フローティングゲート１４に対して横方向に一定間隔をおいて並んで形成されるコントロールゲート電極１６とを備える。 - 特許庁

To provide an insulating film material whose dielectric constant is low, whose heat resistance is high and which is superior in barrier property against the diffusion of CU on an organic insulating film material, the manufacturing method, the forming method of an organic insulating film, and a semiconductor device where the organic insulating film is installed.例文帳に追加

有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置に関し、低誘電率で耐熱性が高く、且つ、Ｃｕの拡散に対するバリア性に優れた絶縁膜材料を提供する。 - 特許庁

The optical fibers 1 are separated from each other by partition walls 6, which facilitates understanding of condition of disinfection/sterilization action in each separated zone, and prevents occurrence of turbulence by making flow of the air bubbles generated by the air diffusion have a constant rising speed to perform more smooth disinfection/sterilization action.例文帳に追加

仕切板６により、各光ファイバ１を区画すれば、各区画内の消毒・殺菌作用の状態も把握し易いうえに、散気による気泡の流れも上昇速度が一定となるなどの乱れが生じ難く、より円滑な消毒・殺菌作用が行われる。 - 特許庁

A delay determined by a time constant depending on an output resistance and a diffusion layer capacitance of a MOS transistor(TR) single body connected to each input terminal and being a component of the multi-input logic gate circuit is used for a minimum unit of the variable delay time.例文帳に追加

多入力論理ゲート回路を構成するＭＯＳトランジスタであって、各入力端子に接続されるＭＯＳトランジスタ単体の拡散層容量と出力抵抗で決まる時定数による遅延を、可変遅延時間の最小単位として用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a copper oxide is sufficiently removed from copper wiring and an insulating film for preventing the diffusion of a water content and Cu can be made of a low-dielectric-constant insulating material, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、銅配線上の酸化銅を十分に除去しつつ、水分及びＣｕ拡散防止用の絶縁膜を低誘電率絶縁材料により形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By forming the layer 5 of impurity, having a larger diffusion constant than for the layer 3, the layer 5 can be formed on the layer 3 formed, in common with another element region without special mask alignment.例文帳に追加

埋め込みＮ＋層３よりも拡散定数の大きな不純物によってコレクタ層５を形成することにより、特別なマスク合わせを行うことなく、他の素子領域と共通に形成された埋め込みＮ＋層３上にコレクタ層５を形成することができる。 - 特許庁

To keep the amount of water of 0°C or more supplied to an inner wall surface of a connection pipe functioned as a diffusion preventer, constant even when brine pressure is fluctuated by pulsation of a pump and the like when a gasket-type plate heat exchanger is applied as a supercooler.例文帳に追加

過冷却器としてガスケットタイプのプレート熱交換器を採用した場合にポンプの脈動等によってブライン圧力が変動しても、伝播防止器として機能する連結管の内壁面に対して供給する０℃以上の水の量を一定に維持する。 - 特許庁

To provide semiconductor device or the like which is allocated within the front surface of an insulating film between low dielectric constant layers placed in contact with the lower surface of a copper diffusion preventing film having a film stress in the compressing direction, and is capable of preventing generation of leak current between wires.例文帳に追加

この発明は、圧縮方向の膜ストレスを有する銅拡散防止膜の下面と接触している低誘電率層間絶縁膜の表面内に配設されている、配線間のリーク電流の発生を防止することができる半導体装置等を提供する。 - 特許庁

At a memory part A1, on the other hand, the silicide layer 14 is not formed on the diffusion area 12b, which is covered with the high dielectric-constant insulating film 7 to prevent the semiconductor substrate 1 from being damaged when a spacer 13, the silicide layer 14, and a contact hole 17 are formed.例文帳に追加

一方、メモリ部Ａ１では、ＭＩＳトランジスタの拡散領域１２ｂ上にシリサイド層１４を形成せず、それを高誘電率絶縁膜７で覆い、スペーサ１３、シリサイド層１４およびコンタクトホール１７を形成する際の半導体基板１へ及ぼすダメージを防止する。 - 特許庁

Then, the sloped faces of the resist layers in the low-temperature-held sample and the heated sample are component-analyzed by a micro-area quantitative determination means to determine distributions of an acid component, two obtained component distributions are compared each other to determine the acid diffusion constant of an acid existing in the resist.例文帳に追加

次いで低温保持サンプルと加熱サンプルのレジスト層の傾斜面を、微少領域定量分析手段によって成分分析して酸成分の分布を決定し、得られる２つの成分分布を比較することにより、レジスト中に存在する酸の酸拡散定数を決定する。 - 特許庁

The light diffusion sheet 1 comprises the substrate 2; grooves 3 formed on the substrate 2 substantially with a constant pitch such that long axial directions become parallel to one another; and the transparent resin layer 4, having a refractive index different from that of the substrate 2 embedded in the grooves 3.例文帳に追加

本発明に係る光拡散シート１は、基材２と、基材２上に形成され、長軸方向が互いに平行になるように、略一定のピッチで形成された溝３と、溝３中に埋め込まれた基材２と屈折率の異なる透明樹脂層４とを有するものである。 - 特許庁

To retain the quality of an article to be treated at a constant by preventing an influence relating to plasma treatment on the article to be treated before plasma treatment or on the article to be treated after plasma treatment by preventing diffusion of the plasma produced by the plasma treatment, a charged particle and dust in a plasma treatment device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理によって生成されるプラズマ、荷電粒子、およびダストなどの拡散を防止することで、プラズマ処理前の被処理物あるいはプラズマ処理後の被処理物へのプラズマ処理に係る影響を防止し、被処理物の品質を一定に保つようにする。 - 特許庁

Splash of the water diffuses the airflow from a large airflow volume portion to a small volume portion and makes a passing wind speed of the evaporator 20 constant by installing the airflow diffusion means 34 to the passage enlarging part K, focusing attention on that it occurs due to inconstant distribution of the wind speed at the passage enlarging part K.例文帳に追加

水飛びは、通路拡大部Ｋでの風速分布の不均一が原因で発生する点に着目し、通路拡大部Ｋに空気流拡散手段３４を設けて通風量の多い部分から少ない部分へ空気流を拡散させ、エバポレータ２０の通過風速を均一にするものである。 - 特許庁

Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.例文帳に追加

ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁

Further, since the channel width can be widened near the outlet port 16 as compared with that in a conventional case that the channel height is constant, an increase in the bond width concentration of the fine particles can be suppressed and fine particles having a wide range of diffusion coefficient can be separated at a high separation capability.例文帳に追加

また従来のようにチャンネル高さが一定である場合に比較して出口ポート１６付近でのチャンネル幅も広めにできるため、微粒子のバンド幅濃度の増加も抑制でき、広い範囲の拡散係数を有する微粒子に対して高い分解能での分離が行える。 - 特許庁

To provide a barrier layer material which is suitable for preventing the diffusion of oxygen in Ta_2O_5 by heat treatment while the dielectric constant of the Ta_2O_5 is maintained at a high level in a MIM capacitor using a Ta_2O_5 dielectric layer on Cu wiring, and to provide a method of manufacturing the MIM capacitor.例文帳に追加

Ｃｕ配線上に誘電体層Ｔａ_２Ｏ_５を用いたＭＩＭキャパシタにおいて、Ｔａ_２Ｏ_５の誘電率を高く保ったままで、熱処理によるＴａ_２Ｏ_５中の酸素の拡散防止に適したバリア層材料とそれを用いたＭＩＭキャパシタの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁