「diffusion length」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The diffusion angle θ, at which the gain of diffused light passing through the diffusing layer 5-2, becomes half the peak gain, pitch fp of the Fresnel lens 5-1, and length L of a light path between the diffusing layer 5-2 and the lenticular lens 5-4 are set to satisfy the relation θ≥tan^-1(fp/2L).例文帳に追加

拡散層５−２を通過する散乱光のゲインがピークゲインの２分の１になる散乱角度θと、フレネルレンズ５−１のピッチｆｐと、拡散層５−２・レンチキュラーレンズ５−４間の光路長Ｌとを、θ≧ｔａｎ^−１（ｆｐ／２Ｌ）の関係にする。 - 特許庁

An on-train device 6 receives the train detection signal transmitted to the rail 2, detects that the train reaches the territory boundary by the diffusion signal for train detection and detects a travelling position of the train 1 by corresponding it to a change of length of the territory by the pulse number output from a tachometer generator 8 in detecting the kilo distance and the territory boundary included in the diffusion signal for information transmission.例文帳に追加

車上装置６はレール２に送信された列車検知信号を受信し、列車検知用拡散信号により区間境界に達したことを検出し、情報送信用拡散信号に含まれる区間境界のキロ程と区間境界を検出したとき速度発電機８から出力するパルス数により列車１の走行位置を区間長の変化に対応させて検出する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas sensor element, constituted so as to suppress the occurrence of irregularity in the length dimension in the passing direction of a measuring target gas in a diffusion rate-determining part, even when the shift of a cutting position at the cutting of the end part of a laminate is varied for each gas sensor element.例文帳に追加

積層体の端部を切断する際の切断位置のズレがガスセンサ素子毎にばらついた場合においても、拡散律速部のうち測定対象ガスの通過方向における長さ寸法にバラツキが生じるのを抑制するガスセンサ素子製造方法を提供する。 - 特許庁

The angular distribution of the reflection intensity on the reflection layer 30 shows that the reflection intensity at the position of ±((arctan(A/20)×180/π)×1/2)° angle shifted from the glare angle, wherein A is the longitudinal length of the liquid crystal cell, is ≥1000% when the reflection intensity of the complete diffusion reflection plate is 100%.例文帳に追加

この液晶セルの縦の長さをＡとした時、反射層３０による反射強度角度分布において、グレア角から±（（arctan(A/20)×180/π）×１／２）°ずれた位置における反射強度は、完全拡散反射板の反射強度を１００％とした時に１０００％以上となっている。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b and zinc diffusion source layers 17a, 17b are formed in the vicinity of a laser output side end surface 15 and a reflection side end surface 16, respectively, which are both end surfaces of an element in the length direction.例文帳に追加

上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、素子の長さ方向の両端面であるレーザ出射側端面１５および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂおよび亜鉛拡散源層１７ａ，１７ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The microchannel 15 is designed to satisfy an inequality of 0.25≤d_cha^2_V/L_chaD_m≤2, wherein the mean flow rate of the gaseous mixture is v, the length of the microchannel 15 is d_cha, and the effective diffusion coefficient of the carbon monoxide gas in the microchannel 15 is D_m.例文帳に追加

ここで、混合気の平均流速をｖとし、マイクロ流路１５の長さをＬ_chaとし、マイクロ流路１５の深さをｄ_chaとし、マイクロ流路１５における一酸化炭素ガスの有効拡散係数をＤ_mとした場合、０．２５≦ｄ_cha^2ｖ／Ｌ_chaＤ_m≦２を満たすように、マイクロ流路１５が設計されている。 - 特許庁

To provide a clamp for fixing a sheet for a single pipe, which enables the sheet for covering a scaffold or a structure assembled with the single pipe so as to prevent the diffusion of noises in a construction site, etc., an accident caused by the fall of a tool and equipment to be flatly fixed without distortion by compensating for unevenness in length and width of the single pipe structure.例文帳に追加

工事現場等での騒音拡散防止、工具、機材の落下による事故防止などのために単管で組んだ足場や構造体に覆いとなるシートを、単管構造体の縦と横の段差を補って平坦にゆがみ無く固定可能な単管用シート固定クランプを提供する。 - 特許庁

A plurality of linear prisms of cross-sectionally polygonal shape are arranged in a row in nearly parallel along the linear light sources on at least one face of the light diffusion plate, and a row of prism line with an arithmetical mean deviation of profile Ra of 3 to 1,000 μm is formed along the short-length direction of the linear prisms.例文帳に追加

光拡散板の少なくとも一方の面には、断面多角形状の線状プリズムが線状光源に沿って略平行に複数並び、線状プリズムの短手方向に沿った中心線平均粗さＲａが３μｍ〜１，０００μｍのプリズム条列が形成されている。 - 特許庁

To provide an apparatus for measuring semiconductor electrical characteristics that not only computes the lifetime and diffusion length of carriers but also measures electrical characteristics of semiconductors, such as the mobility of carriers, directly without requiring high time resolution and advanced arithmetic functions.例文帳に追加

本発明は、単にキャリアの寿命や拡散長を求めるのではなく、直接的に半導体のキャリアの移動度等の電気特性を測定するものであって、高度な時間分解能や高度な演算機能を必要としない半導体電気特性の測定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The raw material, diffusion-mixed with the additive for denitration, is directly charged from the raw-material supplying unit 20 into the kiln and reaches the suitable temperature area, positioned near the middle of the length direction of the rotary kiln 10 and high in NO_x reduction effect, so that the amount of NO_x produced is reduced.例文帳に追加

脱硝用添加剤が拡散混合された原料は、原料供給装置２０から窯内へ直接投入され、ロータリキルン１０の長さ方向の中間近傍位置にあるＮＯｘ低減効果の高い適性温度域まで到達しＮＯｘの発生量を低減する。 - 特許庁

To control a size of a gate electrode layer in processing and to control a regions of impurity diffusion layers (= a source region, a drain region) in a heat treatment step in particular when having a LDD structure as a gate length shortens with a MOS transistor made fine.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの微細化に伴い、ゲート長が短くなり、特にＬＤＤ構造を有する場合には、加工時におけるゲート電極層の寸法制御性、また、熱処理工程時の不純物拡散層（＝ソース領域、ドレイン領域）の領域を制御することが重要となる。 - 特許庁

To provide an improved optical analysis system for enhancing the response speed and sensitivity by increasing a surface area of a solid phase, reducing the diffusion length and reinforcing optical coupling to an excitation light source between the solid phases and coupling between the solid phase and a detected object.例文帳に追加

固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The image forming body has a plurality of anisotropic diffusion reflectors arrayed adjacently on a substrate, wherein the anisotropic diffusion reflectors have a reflection layer laminated at least on a resin layer, the resin layer has a plurality of projection parts formed on its surface, the projection parts have a different length in its orthogonally crossing long side and short side, and the plurality of projection parts are arranged in parallel and with an equal pitch.例文帳に追加

基材上に、複数の異方性拡散反射体が隣接して配列された画像形成体であって、前記異方性拡散反射体は、少なくとも樹脂層の上に反射層が積層されており、前記樹脂層は、表面に凸部が複数形成されており、前記凸部は、直行する長辺と短辺の長さが異なっており、前記凸部は、平行かつ等ピッチで複数配置されていることを特徴とする画像形成体。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for obtaining a primary composite for manufacturing a Nb_3Al superconductive wire rod wherein wire disconnection is hardly generated until the diameter is reduced by surface reduction working, consequently, diffusion length of aluminum in Nb can be shortened in manufacturing the Nb_3Al superconductive wire rod by the jelly roll process.例文帳に追加

Ｎｂ_３Ａｌ系超電導線材をジェリーロール法によって製造するにあたり、減面加工により細径化するまで断線が生じ難く、結果としてＮｂ中へのＡｌの拡散距離を短くすることのできるＮｂ_３Ａｌ系超電導線材製造用一次複合材を得るための製造方法を提供する。 - 特許庁

An area size where existence of surrounding patterns is to be considered, based on an internal diffusion length of incident electron beam is decided, three-dimensional information of patterns in the area size is formed using design layout data, and a library correlating a cross-sectional shape of a SEM signal waveform and a cross-sectional shape is formed using the three-dimensional information.例文帳に追加

入射電子線の内部拡散長に基づいて周囲パターンの有無を考慮すべき領域のサイズを決定し，設計レイアウトデータを用いて，前記領域サイズ内のパターンの三次元情報を作成，この三次元情報を用いて，ＳＥＭ信号波形と断面形状とを関連づけるライブラリを作成する。 - 特許庁

To provide a silicon-substrate evaluating method for evaluating rapidly and surely the diffusion length of the minority carriers of a semiconductor silicon substrate by using an SPV method, in order to attempt rapid adjustment of the manufacturing condition of a semiconductor device, to improve thereby its yield and its productivity efficiency, and to increase the rate of its research and its development.例文帳に追加

半導体装置の製造条件の迅速な調整とそれによる歩留まり、生産能率の向上、また研究開発のスピードアップを図るために、ＳＰＶ法を用いた半導体のシリコン基板の少数キャリア拡散長評価を迅速かつ確実に行うためのシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

It can be seen that the film thickness of the offset spacer layer 4 has a correlation with the leak current level, and the film thickness of the offset spacer layer 4 is equal to the length from a part of the semiconductor layer 1 touching the outer end of the offset spacer layer 4 to the forward end of an impurity diffusion layer when the leak current level is 0.例文帳に追加

これにより、オフセットスペーサ層４の膜厚値とリーク電流値には相関関係があり、また、リーク電流値が０になるときのオフセットスペーサ層４の膜厚値は、半導体層１のうちオフセットスペーサ層４の外端と接する部分から不純物拡散層の先端までの長さであることがわかる。 - 特許庁

In this mechanical charge battery, the activated carbon fiber-like structure 3 originally having a large surface area is brought into a condition very rich in conductivity by carbon black (particle diameter of several μm, for example) and carbon nano fiber (diameter of 150 nm and length of 10-20 μm, for example) adhering to it by the high temperature diffusion treatment.例文帳に追加

このメカニカルチャージバッテリーは、高温拡散処理により付着したカーボンブラック（例えば粒径数μｍ）やカーボンナノファイバー（例えば直径１５０ｎｍで長さ１０〜２０μｍ）によって、もともと表面積が大きい活性炭素繊維状構造体が非常に導電性に富む状態となっている。 - 特許庁

In this case, the organic electron donor layer is made two to five times in thickness the exciton diffusion length of the organic electron donor forming the organic electron donor layer.例文帳に追加

少なくとも、有機電子供与体層と電子受容体層とから形成されるヘテロ接合を有する光電変換層と、この光電変換層を挟持する一対の電極とを備える有機太陽電池において、前記有機電子供与体層の厚さを、これを構成する有機電子供与体の励起子拡散長の２〜５倍とする。 - 特許庁

In the optical diffusion plate, which is a nearly rectangular shape produced by injection molding of a thermoplastic resin and has ≥400mm diagonal line length, thickness unevenness is ≤200μm, warpage is ≤2mm, transmissivity unevenness is ≤8% and variation in y value of reflection light is ≤0.004.例文帳に追加

熱可塑性樹脂を射出成形してなる略長方形でその対角線の長さが４００ｍｍ以上である光拡散板において、厚さむらが２００μｍ以下であり、反りが２ｍｍ以下であり、透過率むらが８％以下であり、反射光のｙ値のばらつきが０.００４以下であることを特徴とする光拡散板。 - 特許庁

To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁

The length of the gate electrode (1) is more elongated than the minimum working size whereby the concentration of the semiconductor substrate (10) for regulating a threshold voltage Vth can be reduced than that of a conventional substrate, thereby permitting the reduction of a connecting electric field in a boundary surface between the semiconductor substrate (10) and diffusion layers (11, 11', 12) than that in a conventional device.例文帳に追加

本発明では、ゲート電極（１）のゲート長を最小加工寸法よりも長くしたことにより、閾値電圧Ｖｔｈ調整用の半導体基板（１０）の濃度を従来のそれよりも低減することができ、半導体基板（１０）と拡散層（１１、１１’、１２）との境界面の接合電界を従来のそれよりも低減することができる。 - 特許庁

This liquid physical property measurement chip is made up of a tabular member having a liquid drip part 11 and a plurality of linear liquid passages 12 radially extending from the drip part, and is structured so that a measuring object liquid dripped onto the drip part substantially unidimensionally diffuses in the plurality of liquid passages and that the length of its diffusion area can be optically or electrically measured.例文帳に追加

液滴下部位（１１）と該液滴下部位から放射状に伸びる複数の線状液流路（１２）を有する平板状部材からなり、該液滴下部位に滴下された測定対象液が該複数の線状液流路内を実質一次元的に拡散し、その拡散領域の長さを光学的または電気的に計測することができるように構成された液物性測定チップ。 - 特許庁

A pipe 2 of a chemicals blow-diffusion apparatus 1 is continuously placed around the objective treating area A and air containing chemicals is blasted from nearly the whole length of the pipe 2 to diffuse the chemicals-containing air to the objective treating area and achieve sufficient effect of chemicals even on a wide treating area A.例文帳に追加

効力目的範囲Ａの周囲に、送風式薬剤放散装置１の管体２を連続して配設し、この管体２の長手方向ほぼ全長から薬剤を含む空気を放出することで、前記効力目的範囲Ａの範囲から薬剤を含む空気を放散するようにして、効力目的範囲Ａが広くとも充分な薬剤効果が得られるようにした薬剤の送風放散方法とする。 - 特許庁

The apparatus also includes a dead layer (86) coupled to the light-illumination side of the bulk semiconductor material, the dead layer having a thickness configured to substantially match a predetermined thickness value and wherein an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the minority carrier diffusion length property of the bulk semiconductor material is configured to substantially match an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the thickness of the dead layer (86).例文帳に追加

装置はまた、バルク半導体材料の光照射面に結合されており予め決められた厚み値に実質的に一致するように構成されている厚みを有する不感層（８６）を含んでおり、バルク半導体材料の少数担体拡散距離特性による熱利得係数の絶対値が、不感層（８６）の厚みによる熱利得係数の絶対値に実質的に一致するように構成されている。 - 特許庁

The film thickness t1 of a first free magnetic layer 53 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure is set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept identical.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁

A pseudo halftoning section performing pseudo halftoning of input image data and generating output image data employs a pseudo halftoning method having no specified periodic structure, e.g. an error diffusion method, wherein a relation D<Lp is satisfied assuming Lp is the length of one pixel being calculated based on the resolution and D is the beam diameter of irradiating light on a photosensitive drum.例文帳に追加

入力画像データに擬似中間調処理を施して出力用画像データを生成する擬似中間調処理部が、特定の周期構造を持たない誤差拡散法などの擬似中間調処理方法によって擬似中間調処理を行なうものであり、解像度に基づいて算出される１画素の長さをＬｐとし、感光体ドラム１上での照射光のビーム径をＤとしたとき、Ｄ＜Ｌｐを満たす。 - 特許庁

The film thicknesses t1 and t2 of a first free magnetic layer 53 and a second free magnetic layer 55 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure are set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept unchanged.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及び第２フリー磁性層５５の膜厚ｔ２をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁