diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18240件
The plane emission cell unit has side frames 102 and 103 having light reflection planes 102a and 103a facing a base frame 101 storing LEDs 111Aa-111Ac, or the light sources, at a prescribed angle, and two light guide plates 104a and 104b clamping a light diffusion sheet 105 therebetween is mounted in a space surrounded thereby.例文帳に追加
面発光セルユニットは、光源であるLED(111Aa〜111Ac)を格納するベースフレーム(101)に対し所定角度で対向する光反射面(102a、103a)を有するサイドフレーム(102、103)を備え、これらで囲まれる空間内に光拡散シート(105)を挟持する2枚の導光板(104a、104b)が装着される。 - 特許庁
To provide a method which can clean the heat treatment tube of a semiconductor substrate heat treatment device, which is used in the heat treatment process such as the oxidation and diffusion process, etc., of a semiconductor substrate, reducing the quantity of metallic contamination efficiently without raising its cost, and a metal contamination getter substrate and a regenerative metal contamination getter substrate used in that cleaning method.例文帳に追加
半導体基板の酸化、拡散工程等の熱処理工程で用いられる半導体基板熱処理装置の熱処理チューブをコストアップすることなく効率よく金属汚染量を減少させ清浄できる方法及びその清浄化方法に用いられる金属汚染ゲッター基板及び再生金属汚染ゲッター基板を提供する。 - 特許庁
A precious metal tip 16 is welded on a center electrode 3 of the spark plug for an internal combustion engine, and on a surface 21 of the precious metal tip 16 contacting with the center electrode 3, a diffusion preventing layer 19 made of either metal of Ag, Au, Mg, Ti, and Zr (a simple metal or a compound of that metal) is formed.例文帳に追加
内燃機関用スパークプラグの中心電極3上に貴金属チップ16が溶接されるが、その貴金属チップ16と中心電極3とが接する貴金属チップ16の面21にAg、Au、Mg、Ti、Zrの何れか1種類の金属(単体金属又はその金属の化合物)による拡散防止層19を形成する。 - 特許庁
Since diffusion of ions bearing charge/discharge of a solid state battery into an integrated circuit can be prevented by forming a protective film of the solid state battery into a multilayer structure and by providing a positive potential to one metal layer out of them, this system-in-package of the integrated circuit and the battery without causing characteristic deterioration or malfunction and this multilayer wiring board can be provided.例文帳に追加
固体電池の保護膜を多層構造として、その内の一層の金属層が正の電位を有することにより、固体電池の充放電を担うイオンの集積回路への拡散防止を行うことができるので、特性劣化や誤動作のない集積回路と電池のシステムインパッケージや多層配線基板を提供することができる。 - 特許庁
Since rare earth oxide particles and a tungsten carbide are finely dispersed into a tungsten cathode material used as the discharge cathode material in TIG, plasma spray coating, plasma cutting, discharge processing, an electric discharge lamp, and the like, reduction and diffusion of the rare earth oxide are accelerated, and discharge characteristics are enhanced by ensuring supply of the rare earth element to the cathode surface.例文帳に追加
TIG、プラズマ溶射、プラズマ切断、放電加工、放電灯等に使用される放電陰極材料として用いられるタングステン陰極材料に希土類酸化物粒子とタングステン炭化物を微細分散させることで、希土類酸化物の還元と拡散を促進し、陰極表面への希土類元素の供給を確保し放電特性を向上させる。 - 特許庁
A thick via 51 is formed on the upper face of an upper electrode 35 of a capacitor formed in a predetermined wiring layer, and a via 60a thinner than the thick via 51 and copper wiring 61a arranged in a wiring layer formed at the upper part of the predetermined wiring layer are successively formed through the diffusion stopper film of copper at the upper part of the via 51.例文帳に追加
所定の配線層中に形成されたキャパシタの上部電極35上面に太いビア51が形成され、このビア51上方には銅の拡散ストッパ膜を介し、前記所定の配線層の上部に形成された配線層に配置され太いビア51より細いビア60aおよび銅配線61aが順次形成される。 - 特許庁
The carbon monoxide removing machine includes the reactor body having an inner space and a catalyst provided in the inner space of the reactor body to react with the reforming gas and a diffusion unit installed at an inlet portion of the reactor body for introducing the reforming gas to diffuse a reforming gas over the entire area of the catalyst.例文帳に追加
一酸化炭素除去機は、内部空間を有する反応器本体と、改質ガスとの反応のために前記内部空間に設けられる触媒と、前記改質ガスが前記反応器本体内部に提供される前記反応器本体の流入部側に設けられ、前記改質ガスを前記触媒全体に拡散させる拡散ユニットとを備えている。 - 特許庁
This combustor of the gas turbine engine includes: a fuel spray portion 3 creating a diffusion combustion region 50 in a combustion chamber 12; and a pre-mixture supply portion 4 disposed in the state of surrounding the fuel supply portion 3, and of creating a pre-mixture combustion region 51 in the combustion chamber 12.例文帳に追加
燃焼室12内に拡散燃焼領域50を形成させる燃料噴霧部3と、燃料噴霧部3を囲むように設けられ、燃焼室12内に予混合燃焼領域51を形成させる予混合気供給部4とを備え、始動時および低負荷時は予混合気供給部4から空気CAのみが予混合燃焼領域51に供給される。 - 特許庁
In a switching element using the photonic crystal resonator, electrode regions are formed in regions opposed to each other through a resonator portion in a photonic crystal substrate and two-photon absorbing carriers generated in the resonator are extracted by applying an electric field to the electrode regions to remove the carriers of the resonator faster than the dispersion of carriers due to diffusion.例文帳に追加
本発明は、フォトニック結晶共振器を用いたスイッチ素子において、フォトニック結晶基板中に、共振器部位を挟んで対向する領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。 - 特許庁
This fuel battery cell is provided with: a membrane-electrode assembly 3 having a fuel electrode, an air electrode and an electrolyte membrane 27; a fuel supply part 8 having a fuel supply opening 64 for supplying a fuel therethrough; and a fuel diffusion part 10 diffusing the fuel supplied from the fuel supply opening to supply it to the fuel electrode.例文帳に追加
燃料電池セルは、燃料極と、空気極と、電解質膜27と、を有した膜電極接合体3と、燃料を供給する燃料供給口64を有した燃料供給部8と、燃料供給口から供給される燃料を拡散して燃料極に供給する燃料拡散部10と、を備えている。 - 特許庁
The semiconductor device of one embodiment comprises a substrate having an element isolation region, a plurality of quadrangle active regions on the substrate, which are isolated by the element isolation region and each having an impurity diffusion region, and a large active region which is an assembly of the plurality of active regions having a contour shape including stepped portions.例文帳に追加
一実施の形態による半導体装置は、素子分離領域を有する基板と、前記素子分離領域に分離された、不純物拡散領域を有する前記基板上の複数の四角形の活性領域と、前記複数の活性領域の集合からなり、段差を含む輪郭形状を有する大活性領域とを有する。 - 特許庁
The light diffusion sheet 10 includes: a high refractive index region 12 formed by a substance having a refractive index N1_650 in light with a wavelength of 650 nm; and low refractive index regions 14 formed by a substance having a refractive index N2_650 in light with a wavelength of 650 nm and forming light reflection faces S3.例文帳に追加
光拡散シート10は、650nmの波長の光における屈折率N1_650を有する物質によって形成されている高屈折率領域12と、650nmの波長の光における屈折率N2_650を有する物質によって形成されており光反射面S3を形成する低屈折率領域14とを含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加
ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Vds)に対するドレイン電流(Ids)の特性で定義されるしきい値電圧(Vth)を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a planographic printing plate applying a silver complex salt diffusion transfer process, having satisfactory printing performance and achieving easy discrimination between printing and non-printing areas because the optical reflection density of the silver printing area deposited on a physical developing nucleus layer falls.例文帳に追加
本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、平版印刷版としての十分な印刷性能を有し、物理現像核層上に析出した銀画線部の光学反射濃度が低下し、画線部と非画線部の識別が容易な銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の製造方法を提供することである。 - 特許庁
In a process to form a polysilicon resistor 10 formed on a semiconductor substrate 1, the concentration of an impurity into polysilicon is set at 1×1020 cm-3 or more, and a film or an aluminum wiring 9 is arranged at least on a part of the polysilicon resistor 10 to prevent diffusion of hydrogen when the concentration is treated in an FG gas atmosphere.例文帳に追加
半導体基板1上に形成されたポリシリコン抵抗10を形成する工程において、ポリシリコン中のに注入する不純物濃度を1×10^20cm^-3以上としFGガス雰囲気で処理する際にポリシリコン抵抗10の少なくとも一部の上に水素の拡散を阻害する膜あるいはアルミニウム配線9を配置する。 - 特許庁
An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32.例文帳に追加
LCDドライバIC14(半導体装置)は、トランジスタ素子31と、トランジスタ素子31を電気的に分離するためのSTI分離層32と、STI分離層32及び拡散領域43上に跨って形成されたゲート配線34と、ゲート配線34とSTI分離層32との間に形成された絶縁膜41とを有する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加
本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加
STI構造の埋め込み酸化膜34とSi基板31との界面近傍のSi基板31中に、窒素(N)のイオン注入によって形成され、MOSFETの基板不純物がSTI領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン(SiN)領域40を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁
To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved.例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したP型不純物のMg(マグネシウム)の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To enable to manufacture a paste for an electrode of a fuel cell in which catalyst-carrying carbon and polymer solid electrolyte hardly make up a large agglomerate, a proton exchange group of the polymer electrolyte is strongly oriented toward a side of a hydrophilic layer, the catalyst layer is excellent in gas diffusion properties and proton conductivity, and capable of obtaining a high output despite its being low-humidified or non-humidified.例文帳に追加
触媒担持カーボンと高分子固体電解質とが大きな凝集塊(アグロメレート)となり難く、高分子電解質のプロトン交換基が親水層側へ強く配向しており、触媒層のガス拡散性及びプロトン伝導性に優れ、軽加湿又は無加湿でありながら高出力が得られる燃料電池の電極用ペーストを製造可能にする - 特許庁
An adsorbing material 13 is arranged in an intake passage 7, to adsorb fuel vapor generated therein during stopping of an engine, and prevent diffusion of the fuel vapor to the atmosphere, and a hot air supplier supplying air of high temperature in the vicinity of an exhaust manifold 19 to the intake passage in the upstream of the adsorbing material during operation of the engine is provided.例文帳に追加
吸気通路7に吸着材13を配置して、機関停止中に吸気通路に発生する燃料蒸気を吸着し、燃料蒸気の大気への放散を防止するとともに、機関運転中に排気マニホルド19近傍の高温の空気を吸着材の上流側の吸気通路に供給するホットエア供給装置を設ける。 - 特許庁
In the lighting fixture for the vehicle including a lamp unit formed by disposing a bezel integrally molded with a resin on the periphery of a lens, a non-reflection part 6B formed of the base material of the resin, a reflection part 6C subjected to reflection treatment and a light diffusion part 6A subjected to emboss forming treatment and reflection treatment are formed on the outer surface of the bezel 6.例文帳に追加
レンズの周囲に樹脂にて一体成形されたベゼル6を配置して成るランプユニットを備える車両用灯具において、前記ベゼル6の外表面に、前記樹脂の素地から成る非反射部6Bと、反射処理がなされた反射部6C及びシボ形成処理と反射処理がなされた光拡散部6Aを形成する。 - 特許庁
The air in the attic K is sucked by an omnidirectional diffusion blower B and diffused and blown down horizontally obliquely to all directions within the attic, whereby the air in the attic is forcedly stirred while moving the air along the ceiling plate reverse side, and the air in the attic is forcedly discharged to the outside by an exhaust device A while performing the forced stirring.例文帳に追加
全方向拡散送風機Bにより小屋裏K内の空気を吸引して小屋裏内で横斜め下向き全方向に拡散送風することにより、天井板裏面に沿って空気を流動させながら小屋裏内の空気を強制攪拌させ、この強制攪拌を行いながら、小屋裏内の空気を排気装置Aによって屋外に強制排出する。 - 特許庁
By disposing a high-permeability substance 33 on the paths of targeted magnetic flux over the members of a readout head 220 and a scale 210, the loss due to leakage flux caused by the diffusion of magnetic flux occurring in a conventional winding structure is suppressed, signal intensity of magnetic flux is enhanced, and an effect of magnetic flux coming from the exterior is reduced.例文帳に追加
読み出しヘッド220とスケール210の部材上の目標とする磁束の経路上に高透磁率物質33を配置することによって、従来の巻線構成で発生していた磁束の拡散から生ずる漏れ磁束による損失を抑え、磁束の信号強度を向上させると同時に外部からの磁束の影響を低減させる。 - 特許庁
When the silicone gel pressure- sensitive adhesive sheet is held between the periphery of the liquid crystal cell of a liquid crystal display device and the periphery and/or the pressing frame of a diffusion plate (provided that the silicone gel layer comes in contact with the liquid crystal cell), the force that causes a strain in the liquid crystal cell is reduced so that the visibility of the liquid crystal display can be improved.例文帳に追加
このシリコーンゲル粘着シートを、液晶表示装置の液晶セルの周辺部と拡散板の周辺部及び/又は押え枠との間に挟み込むと(但し、シリコーンゲル層が液晶セルと接触する様にする)、液晶セルに歪みを生じさせる力が小さくなり、液晶ディスプレイの視認性を向上させることができる。 - 特許庁
The diffusion preventing member is disposed by facing the back surface of the substrate, while being kept from coming into contact with the substrate in the thin film formation region, and has a protrusion that is protruded from each end in a width direction of the substrate in viewing from the raw material container and configured to be movable in a direction non-parallel to a conveying direction of the substrate.例文帳に追加
拡散防止部材は、薄膜形成領域において、基板の裏面と対向して、基板とは接触しないように配置され、かつ、原料容器から見て、基板の幅方向両端から突出する突出部を有し、当該突出部が、基板を搬送する方向に対し平行ではない方向に移動可能に構成されている。 - 特許庁
The optical element is formed by aligning a refractive lens face 4 and a lens unit 10 having a nonaxisymmetric total reflection lens face 5 with a focus F in the vicinity of the lens surface center of the refractive lens face, wherein in the alignment, a plurality of kinds of lens units with mutually different main light beam directions 32 of the diffusion pencil of light beams 7 are mixed with one another.例文帳に追加
屈折型レンズ面4と該屈折型レンズ面のレンズ表面中心付近に焦点Fをもつ非軸全反射型レンズ面5を有するレンズユニット10を基板2の主面に配列してなる光学素子であって、前記配列を、拡散光線束7の主光線方向32の相異なる複数の種類のレンズユニットが混在する配列とした。 - 特許庁
In a reaction layer or/and a gas supply layer, constituted of at least carbon black and fluororesin fine particles, of a gas diffusion electrode, thin film-shaped metal bodies penetrate from the front side to the back side of the electrode nearly vertically to the electrode surface and the average area ratio of the metal bodies in the cross section of the electrode is ≤10% of the electrode surface area.例文帳に追加
少なくともカーボンブラックとフッ素樹脂微粒子から構成されたガス拡散電極の反応層又は/及びガス供給層において、電極面とおおよそ垂直に薄膜状金属体が電極の表裏を貫通し、電極断面における該金属体の平均面積率が電極面面積の10パーセント以下であるガス拡散電極。 - 特許庁
Silicide layers 47a and 47b of the MOS transistor of a fuse element 11 are formed on impurity diffusion layers 46a and 46b at a predetermined distance from sidewalls 49a and 49b, respectively, and a silicide layer 47d is formed on the contact area of a gate electrode 44 so as to avoid the area of the gate electrode 44 on the a gate oxide film 43.例文帳に追加
ヒューズ素子11のMOSトランジスタのシリサイド層47a、47bは、サイドウォール49a、49bからそれぞれ所定の間隔を隔てて不純物拡散層46a、46b上に形成するとともに、シリサイド層47dは、ゲート酸化膜43上のゲート電極44上を避けるようにしてゲート電極44上のコンタクト領域に形成する。 - 特許庁
Because an N+-type diffusion area 103 is absent on the incident surface side in the detector 100, the electron beam (or the reflected electron) accelerated by the high acceleration voltage (about 100 keV) is incident from the rear face side (the incident surface side) of the N--type semiconductor substrate 101 and reaches the vicinity of the PN junction on the front face side to generate electrons.例文帳に追加
PN型電子線検出器100では、N^+型拡散領域103が入射面側にないので、高い加速電圧(100KeV程度)で加速された電子線(又は反射電子)は、N^-型半導体基板101の裏面側(入射面側)から入射し、表面側のPN接合近傍に達して電子を生じさせる。 - 特許庁
The cutting blade chip used for the cutting blade of the drilling tool has a structure comprising a cutting blade body part 11 made of the cemented carbide (the cemented carbide member), the member 12 made of diamond supported by the cutting blade body part 11, and a metal layer 13 that is arranged between the cutting blade body part 11 and the diamond member 12 and diffusion-bonded with them respectively.例文帳に追加
掘削工具において切刃として用いられる切刃片を、超硬合金製の切刃基体11(超硬合金製部材)と、切刃基体11に支持されるダイヤモンド製部材12と、これらの間に設けられて切刃基体11及びダイヤモンド製部材12とそれぞれ拡散接合される金属層13とを有する構成とする。 - 特許庁
This sensor comprises a pretreatment chamber 3 comprising a diffusion rate-determining part 2 for introducing a measuring gas 1 containing NOx and for limiting an introducing volume of the gas 1, and a an oxidation- treatment part for oxidation-treating the measuring gas 1 with active oxygen gas, and comprises a sensing part 22 for sensing and/or measuring the NOx in the gas oxidation-treated in the pretreatment chamber 3.例文帳に追加
NO_x を含む測定ガスを導入し且つ前記測定ガスの導入量を制限する拡散律速部と、前記測定ガスを活性酸素ガスで酸化処理する酸化処理部とからなる前処理室、並びに前記前処理室で酸化処理したガス中のNO_x を検知及び/又は測定する検知部からなる窒素酸化物センサ。 - 特許庁
In the target of an X-ray tube where a graphite base material and a Mo base material or a Mo alloy base material are jointed with each other via a connection layer, when a composition ratio of the connection layer by an EPMA is detected, the connection layer has a diffusion phase of MoTaTi, a TaTi alloy phase, a Ta-rich phase, and a ZrTa alloy phase.例文帳に追加
グラファイト基材と、Mo基材もしくはMo合金基材とを接合層を介して接合したX線管用ターゲットにおいて、前記接合層についてEPMAにより組成比を検出したとき、前記接合層はMoTaTiの拡散相、TaTi合金相、Taリッチ相、ZrTa合金相を具備することを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加
半導体装置は、第2主面側にp型のコレクタ層2が形成されたn型の半導体基板1を有し、その周縁部に内部を取囲むように第1主面よりコレクタ層2に到達するようにトレンチ13が形成され、その側壁より拡散にて形成されたp型分離領域14がコレクタ層2と連結して設けられている。 - 特許庁
In a decorative material having minute indentations formed on the surface of a base, the indentations are formed of a set of minute projections 1 arranged with prescribed pitches and having light diffusion properties, and shape parameters of the projections 1, such as a rate of flatness, are changed continuously in the horizontal direction so that they correspond to a surface pattern to be expressed.例文帳に追加
基材表面に微小な凹凸形状が形成された化粧材であって、該凹凸形状を、所定のピッチをもって配列してなる光拡散性を有する微小な凸部の集合によって形成し、前記凸部の偏平率等の形状パラメータを水平方向において、表現すべき表面パターンに対応させて連続的に変化させる。 - 特許庁
The luminaire equipped with a straight-tube light source 2 and a case 1 housing the straight-tube light source 2, is provided with a diffusion means to diffuse light from the straight-tube light source 2 along a longitudinal direction of that 2, the light can be extended along the longitudinal direction of the straight-tube light source so as to be able to achieve a batwing light distribution.例文帳に追加
直管状光源2と、直管状光源2を収納する筐体1とを具備した照明器具であって、直管状光源2の長手方向に沿って、直管状光源2からの光を拡散する拡散手段を具備しており、直管状光源の長手方向に沿って光を延ばすことができ、バットウイング配光を実現することができる。 - 特許庁
The membrane separation apparatus is characterized in that hollow fiber membrane elements 10 plurally arranged are covered by a casing 20, and in that the upper part of a side wall 33 corresponding to a side face part in the arrangement direction of the hollow fiber membrane elements 10 of this casing 20 is provided with an opening part 35 for letting air generated from a diffusion generator 15 to the outside of the casing 20.例文帳に追加
複数配列された中空糸膜エレメント10はケーシング20に覆われ、このケーシング20の中空糸膜エレメント10の配列方向の側面部に対応する側壁33の上部に、散気発生装置15から発生するエアをケーシング20外へ逃がすための開口部35が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁
To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加
Ta_2 O_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ta_2 O_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ta_2 O_5 膜とSi基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁
This method for hybridization of a biopolymer carrier (chip) obtained by binding biopolymer probes on a carrier is a method for detecting biopolymer chip characterized by transferring specimens into the chip by a method other than natural diffusion and fleetly removing the specimens forming no hybrid with the biopolymer.例文帳に追加
担体に生体高分子プローブが結合している生体高分子支持体(チップ)のハイブリダイゼーション法において、自然拡散以外の方法により検体を該チップ中に移動させてハイブリットを形成させ、かつ生体高分子チップとハイブリット形成しなかった検体を該チップ中からすみやかに除去することを特徴とする生体高分子チップ検出法を提供する。 - 特許庁
In order for countries to advance the move towards sustainable low-carbon economies, international co-operation will be crucial in areas such as the development and diffusion of clean technologies, for example carbon capture and storage, renewable energy technologies, and application of green ICT for raising energy efficiency, and the development of an international market for environmental goods and services. 例文帳に追加
各国が持続可能な低炭素経済に向けて進むため、例えば、炭素回収・貯留、再生可能なエネルギー技術、エネルギー効率向上のためのグリーンICT利用といったクリーン技術の開発及び普及と、環境物品とサービスの国際的市場の発展といった分野における国際協力が極めて重要となるであろう。 - 経済産業省
An efflux diffusion preventing fence for river 1 expanded between riversides containing the slope of a river comprises a flexible fence main body 12 having a buoyancy material 3 or a bag body capable of being sealed with gas and a protective film 4 covering the external surface of the fence main body 2.例文帳に追加
河川の法面を含む川岸間に展張される流出物拡散防止フェンスにおいて、浮力材または気体を封入可能な袋体を有してなる可撓性のフェンス本体と、フェンス本体の外面を被覆する保護膜とからなり、保護膜が、フェンス本体長手方向のうち河川の法面に相当する両端部にのみ取り付けられている河川用流出物拡散防止フェンス。 - 特許庁
Related to a magnetic paint comprising ferromagnetic powder, abrasive, and binder, an abrasive paint comprising an abrasive and polyurethane containing polar group is prepared in advance, and when the gloss of the abrasive paint comes to be 50% or above, the abrasive paint and the magnetic paint containing ferromagnetic powder are processed for mixing/diffusion, and the resulting magnetic paint is used to provide a magnetic layer.例文帳に追加
強磁性粉末、研磨材および結合剤を含む磁性塗料であって、研磨材と極性基を有するポリウレタンとを含む研磨材塗料を予め調整し、前記研磨材塗料の光沢が50%以上になった後、該研磨材塗料と強磁性粉末を含む磁性塗料とを混合分散処理して得られた磁性塗料を用いて磁性層を設けてなる磁気記録媒体。 - 特許庁
To obtain a method by which contact holes 36 and 38 respectively reaching a lower diffusion layer 24, having a lower surface height and a lower wiring layer 26 having a higher surface height can be formed in the same etching step, without making the wiring layer 26 etch excessively, when the wiring layers 24 and 26 are coated with an interlayer insulating film 38 having a flat surface.例文帳に追加
表面高さが低い下部拡散層24と表面高さが高い下部配線層26が、表面が平坦な層間絶縁膜38に被覆されている場合に、それぞれが下部拡散層24と下部配線層26に達するコンタクトホール36と38を、表面高さが高い下部配線層26を過剰にエッチングせず、しかも、同一のエッチング工程で形成できる方法を開発する。 - 特許庁
To provide an optical diffusing sheet which has high optical transmissivity and emits diffused light with less variations in luminance and is superior in concealing the dots on the light guide plate, while suppressing wrinkles due to heat expansion and contraction, and to also provide an optical diffusion sheet which is able to improve its concealing capability and to further suppress the wrinkles due to heat expansion and contraction.例文帳に追加
光線透過率が高く、輝度のバラツキが少ない均一な拡散光を放出し、導光板のドットを隠す隠蔽性が良好で、熱伸縮による皺の発生を抑制できる光拡散シートを提供すること、並びに、隠蔽性の更なる向上と熱伸縮による皺の更なる抑制を達成できる光拡散シートを提供することを課題とする。 - 特許庁
While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加
ロジック領域Rlogcにおける導体膜15を残したままで、メモリ領域Rmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極17,電極間絶縁膜18及び浮遊ゲート電極19を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜22を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁
To provide an electrode for a fuel cell enhancing adhesion of a gas diffusion layer comprising carbon paper or a carbon cloth with an electrode catalyst layer containing catalyst particles and a polymer electrolyte and generating no peeling off or no cracks of the electrode catalyst layer; to provide a membrane-electrode assembly (MEA) equipped with the electrode for the fuel cell; and to provide a polymer electrolyte fuel cell equipped with the membrane-electrode assembly.例文帳に追加
カーボンペーパーやカーボンクロスからなるガス拡散層と触媒粒子及び高分子電解質を含む電極触媒層との接着性を高め、電極触媒層の剥離やクラックを生じさせない燃料電池用電極、該燃料電池用電極を備えた膜−電極接合体(MEA)、該膜−電極接合体を備えた固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁
Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.例文帳に追加
加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に180°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、MeV領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁
The ceramic multilayer substrate 10 comprises a laminate 11 constituted of a plurality of ceramic layers 11A including a glass layer A; a thick film resistor 12 which is provided between the upper and lower ceramic layers 11A and includes glass B; and diffusion preventing layers 13, 14 which are provided between the thick film resistor 12 and the upper and lower ceramic layers 11A, and have glass C as the main ingredient.例文帳に追加
本発明のセラミック多層基板10は、ガラスAを含む複数のセラミック層11Aからなる積層体11と、上下のセラミック層11Aの層間に設けられ且つガラスBを含む厚膜抵抗体12と、厚膜抵抗体12と上下のセラミック層11Aとの間に設けられ且つガラスCを主成分とする拡散防止層13、14と、を有する。 - 特許庁
After a gate electrode and an impurity diffusion layer are formed, a metal film is formed and 1st metal silicide is formed through a 1st heat treatment in an inert gas atmosphere and the 1st metal silicide is varied in phase into 2nd metal silicide through a 2nd heat treatment; and then a 3rd heat treatment is carried out in an inert gas atmosphere to suppress the cohesion of the silicide.例文帳に追加
ゲート電極と不純物拡散層を形成後金属膜を成膜し、不活性ガス雰囲気中で第1の熱処理によって第1の金属シリサイドを形成し、次に活性雰囲気で第2の熱処理を施し第1の金属シリサイドを相変化させて第2の金属シリサイドとし、次に不活性ガス雰囲気中で第3の熱処理を施すことによって、シリサイドの凝集を抑制する。 - 特許庁
The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.例文帳に追加
本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2O-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁
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