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f processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 268件
In this TFT (thin film transister) manufacturing process by using the thin film semiconductor, the high performance TFT is manufactured by carring out the high-pressure steam heat treatment after the formations of a gate insulating film, source and drain, and the transistor ((f), (h) and (j) of Fig. 2).例文帳に追加
この薄膜半導体を用いたトランジスタ作製工程において、ゲート絶縁膜成膜後やソース、ドレイン形成後やトランジスタの完成後に高圧水蒸気熱処理(図2(f)、同(h)、同(j))を行うことにより高性能TFTを作製する。 - 特許庁
In a process where the up-and-down motion of the base 4 and the back-and-forth motion of the slide base 6 are combined into a motion, a hemming flange part F is subjected to the preliminary bending work by the pre-hemming blade 9 and subsequently to the permanent bending work by the hemming blade 8.例文帳に追加
ベース4の上下動作とスライドベース6の前進後退動作とを合成した動きをさせる過程で、ヘミングフランジ部Fについてプリヘミング刃9による予備曲げ加工とそれに続くヘミング刃8による本曲げ加工とを行う。 - 特許庁
The Ti/Au film 36 and the Au layer 38 on an SiN film 32 is etched back over its entirety by means of ion milling process, and a gate electrode 40 is formed as shown in Fig. (f) only on the gateopening 34 except for the metal layers 36, 38.例文帳に追加
続いて、SiN膜32上のTi/Au積層膜36及びAu層38をイオンミリング法で全面エッチバッグし、図2(f)に示すように、ゲート開口34のみに金属層36/38を残してゲート電極40を形成する。 - 特許庁
The apparatus for applying the adhesive 8 is representatively, used in the manufacturing process of a honeycomb core and a streak line of the adhesive A ia formed on the mother material sheet 4 of the object to be coated in parallel with the line of the gathered dots F in the transfer line direction B.例文帳に追加
そして塗布装置8は、代表的にはハニカムコアの製造工程で使用され、塗布対象の母材シート4に搬送ライン方向Bに沿って、ドットFが集合したラインの平行列にて、接着剤Aの条線が形成される。 - 特許庁
Stacked containers K are placed on a support rail 3, and transferred downstream by a pushing member 4a, and a band film F to one end of which an adhesive is applied is fed to the highest level of the stacked containers K in the transferring process.例文帳に追加
段積み容器Kを支持レール3上に載置した状態で押部材4aによって下流方向へ移送し、その移送過程において、段積み容器Kの最上面位置に、一端に接着材が塗布された帯フィルムFを供給する。 - 特許庁
A process for the resolution of a racemic mixture of nucleoside enantiomers of formula 1 (Y is H or F; R is an acyl) that includes the step of exposing the racemic mixture to an enzyme selected from the group consisting of swine hepatic esterase, swine pancreatic lipase and subtilisin.例文帳に追加
式:(式中、Yは水素又はフッ素であり、Rはアシル基である)のヌクレオシドエナンチオマーの分割方法であって、ブタ肝臓エステラーゼ、ブタ膵臓リパーゼおよびズブチリシンからなる群から選択した酵素を用いてヌクレオシドを処理することを含む方法。 - 特許庁
A method of forming a multilayer conductive film comprising this polysilicon film 108 comprises a process, wherein the surface of the film 108 is etched back using etching gas containing C and S components and an F component to remove a recessed region generated in the film 108, and a process, wherein a conductive film having a resistance lower relatively than that of the film 108 is formed on the film 108.例文帳に追加
本発明のポリシリコン膜108を含む多層導電膜の形成方法は、C、S、そしてF成分を含むエッチングガスを使用してポリシリコン膜108の表面をエッチバックして除去する工程と、ポリシリコン膜上にポリシリコン膜108より抵抗が相対的に小さい導電膜形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
For first image data output from the imaging device 20, a signal processing section 40 performs such a recovering process F as creating second image data G2 equivalent to the first image data output from an imaging device 20 when the resolution of the imaging lens 10 is high.例文帳に追加
信号処理部40が、撮像素子20から出力される第1の画像データに対し、撮像レンズ10の解像力が高いときに撮像素子20から出力される第1の画像データと同等の第2の画像データを生成するような復元処理を施す。 - 特許庁
Since the evaporation operation with high efficiency can be achieved within the microchip 1, the synthetic process of a fluorine F-18 labeled compound including an evaporation operation such as evaporation to dryness or solvent distilling-away operation can be integrated on the microchip 1 with high efficiency.例文帳に追加
マイクロチップ1内での高効率での蒸発操作が実現できるので、蒸発乾固あるいは溶媒留去操作などの蒸発操作を含むフッ素F−18標識化合物の合成プロセスを高効率にマイクロチップ1上に集積化することが可能になる。 - 特許庁
The processing system in the adjustment process includes a horizontal parallax correction function (a), a vertical parallax correction function (b), a left/right field inverse correction function (c), an image size adjustment function (d), an image angle adjustment (distortion correction) function (e), and a stereoscopic image reproduction position calculating function (f).例文帳に追加
調整プロセスにおける処理システム中に(a)水平視差補正機能、(b)垂直視差補正機能、(c)左右フィールドの逆転補正機能、(d)画像サイズの調節機能、(e)画像アングル調整(歪補正)機能、(f)立体像再生位置計算機能が含まる。 - 特許庁
A wire M is installed in a forging die 14, followed by a forging process so that a ball 6' as a work for rolling element having a curvature at the periphery 6a to serve as the rolling surface and having at least one plane 6b is formed, and after the die releasing, surplus material F is removed.例文帳に追加
鍛造型14内に線材Mを組み込んで鍛造成形することで、転動面となる外径6aに曲率を有すると共に、少なくとも一平面6b以上を有する転動体素球6′が成形され、離型後予肉Fを除去する。 - 特許庁
After a plurality of holes (D) deployed in a grid pattern are prepared and a filling material (F) is blended by mixing soluble polymer with light-emitting material powder to fill those holes (D), the scintillator layer for X-ray detectors is manufactured through a treating process to cure the polymer.例文帳に追加
格子状に配列した多数の孔(D)を用意し、可溶性ポリマを発光物質粉末と混合することにより充填材(F)を調合して、それらの孔(D)を満たし、ポリマを硬化させる処理工程により、X線検出器用シンチレータ層を製造する。 - 特許庁
When a specified time passes after the end of the execution of the figure generation process, under the standby for soliciting visitors, a figure control means works to execute the display of images 30 for soliciting visitors with at least game history information on a display screen F of an image display device 6.例文帳に追加
図柄制御手段が、図柄生成行程の実行終了後、所定時間経過した客待ち状態において、少なくとも遊技履歴情報を備える客呼び込み画像30を図柄表示装置6の表示画面Fに表示実行するようにした。 - 特許庁
A buffer logic block 73 logically processes data inputted from a demultiplexer 72 and outputs such output data based on the PCI standard to a multiplexer 71 that a PCI I/F 6 is in an idle state waiting for logic process results by an FPGA 1.例文帳に追加
バッファ論理ブロック73は、デマルチプレクサー72から入力されたデータを論理処理し、PCII/F6がFPGA1による論理処理結果を待機するアイドル状態となるようなPCI規格に従った出力データをマルチプレクサー71に出力する。 - 特許庁
After the consumables management information table 331 is updated by an information management module 330, display of the residual quantity of consumables is requested for each display module 100 which is the external process of a printer management module 300 through a UII/F 200.例文帳に追加
情報管理モジュール330によって消耗品管理情報テーブル331の更新処理が行われた後、UII/F200を介してプリンタ管理モジュール300の外部プロセスである各表示モジュール100に対して消耗品残量の表示要求が行われる。 - 特許庁
In a signal processing section 40, using the restoration coefficient K, a restoring process F is performed for the first image data G1 so as to generate second image data G2 equivalent to the first image data output from the imaging element 20 when the resolution of the imaging lens 10 is higher.例文帳に追加
信号処理部40において、第1の画像データG1に対し、撮像レンズ10の解像力が高いときに撮像素子20から出力される第1の画像データと同等の第2の画像データG2を生成するような復元処理Fを、復元係数Kを用いて実施する。 - 特許庁
To provide a method for forming an element isolation film in a semiconductor device capable of dissolving the problem that F ions are diffused in a boundary between the element isolation film and the element in an element isolation film formation process and cause the characteristic degradation of the element.例文帳に追加
本発明は、素子分離膜の形成工程時にFイオンが素子分離膜及び素子間の界面に拡散して素子の特性劣化を引き起こすという問題点を解決することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
The such-converted data signal and clock are performed data process by a main circuit 4, whereby when operations of the main circuit 4 are tested by a tester, a various-purpose logic tester operating in synchronism with the clock of a frequency f/N is directly connected to the main circuit 4, thereby inspecting it.例文帳に追加
このように変換されたデータ信号とクロックを主回路4でデータ処理を行うようにすることで、該主回路4の動作をテスタで検査するとき、周波数f/Nのクロックに同期して動作する汎用のロジックテスタを主回路4に直接接続して検査することができる。 - 特許庁
Moreover, when a specified pattern is detected from image data input by an IPP 4, the image data and detection information are transmitted to a process controller 9, and an output I/F 42 changes to destroy the image data when the image data are again input to the IPP 4, and to transmit the image data to a VDC 5.例文帳に追加
さらに、IPP4に入力された画像データから特定パターンが検知されると、当該画像データと検知情報とがプロセスコントローラ9へと送られ、再度IPP4に入力された際に出力I/F42bにて画像データを破壊するよう変更制御してVDC5へと送信する。 - 特許庁
To easily and efficiently make pure water by RO membrane separation treatment from raw water consisting of Ca ion-containing water such as industrial water and F ion-containing water such as waste water from an electronic part producing process without requiring complicated pretreatment while preventing the formation of CaF2 scale.例文帳に追加
工業用水等のCaイオン含有水と電子部品製造排水等のFイオン含有水とを原水として、煩雑な前処理を必要とすることなくCaF_2スケールの生成を防止して、RO膜分離処理により容易かつ効率的に純水を製造する。 - 特許庁
To provide a means of simplifying a manufacturing method of zinc carbonate according to decrease in concentration of F in a raw material containing Zn, making capable of separating and recovering substances generated in the manufacturing process such as residue, etc., and carrying out its recycle and disposal easily and appropriately.例文帳に追加
Zn含有原料中のF濃度の低下に対応して炭酸亜鉛の製造工程を簡略化し、さらに、製造工程における残渣等の発生物の分別回収を可能とし、そのリサイクルや廃棄処分を容易かつ的確に行うことができる手段を提供すること。 - 特許庁
To suppress the occurrence of a bonding peel-off defect caused by the reason that components such as C and F in etching gas such as CF_4 and CHF_3 to be used in an etching process for forming the aperture of a passivation film consisting of a silicon nitride film is left on the Al surface of a bonding pad.例文帳に追加
本発明は、シリコン窒化膜から成るパッシベーション膜に開口部を形成するためのエッチング工程において用いられる、例えばCF_4やCHF_3等のエッチングガス内のCやFの成分などがボンディングパッドのAl表面に残ることに起因するボンディング剥がれ不良を抑止する。 - 特許庁
When selection of a button 302 of a chapter 1 is received on a chapter menu (c), rear-skip-reproduced video of the selected chapter 1 is displayed in a window 303 for sub-reproduction process set so as to overlapped on the button 302 of the selected chapter 1 (e, f, g).例文帳に追加
チャプタメニュー(c)上でチャプタ1のボタン302の選択を受け付けると、選択されたチャプタ1のボタン302の上に重なるように設定したサブ再生プロセス用ウインドウ303中に、選択されたチャプタ1を後方スキップ再生した映像を表示する(e、f、g)。 - 特許庁
Namely, the audio microcomputer 21 transfers the instruction information inputted from the operational part 20 to the personal computer 3 through a USB I/F (universal serial bus interface) 13 or the like, and controls the process control part 23, the MD control module 14, or the like, according to the equivalent control data transmitted, in response, from the personal computer 3.例文帳に追加
すなわち、オーディオマイコン21は、操作部20から入力された指示情報をUSB I/F13等を介してパソコン3に転送し、応答してパソコン3から送られる同等の制御データに従って、処理制御部23やMD制御モジュール14等を制御する。 - 特許庁
This invention relates to a method of refining hafnium halide comprising a process for refining hafnium halide, HfX_4 (wherein X is at least one selected from the group consisting of F, Cl, Br and I) by using a solvent comprising the compounds having ether bonds and another solvent containing the compound having ether bonds.例文帳に追加
ハロゲン化ハフニウム(HfX_4(但し、XはF,Cl,Br及びIの群の中から選ばれる少なくとも一つ)を、エーテル結合を持つ化合物からなる溶媒およびエーテル結合を持つ化合物を含有する溶媒を用いて精製する工程を具備するハロゲン化ハフニウムの精製方法。 - 特許庁
The module E receiving change timing informed of from the module F based on the time table applies a command for acquiring an access attribute to be set up from a structure corresponding to a specified process and setting up the attribute in a storage protection table to a storage protection module C.例文帳に追加
このタイムテーブルに従い時間管理モジュールFから通知される変更タイミングを受けたテーブル管理モジュールEは、指定のプロセスと対応する構造体から設定すべきアクセス属性を取得し、これを記憶保護テーブルに設定する指令を記憶保護モジュールCへ与える。 - 特許庁
The method for manufacturing the wire material for steel cord is characterized in that tension as much as 40-90% of breaking load of the wire material is applied to the wire material f after the final wire drawing process, in the manufacturing method of a high tensile-strength wire material to be used for the steel cord such as a hard steel wire and a piano wire.例文帳に追加
硬鋼線やピアノ線等のスチールコードに用いられる高抗張力線材の製造方法において、最終伸線加工後の線材fに当該線材の破断荷重の40乃至90%の張力を掛けることを特徴とするスチールコード用線材の製造方法。 - 特許庁
To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.例文帳に追加
エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばFを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁
A necessary material amount calculating process part 21 inputs material information (a), constitution information (b), calendar information (c), stock quantity information (d), necessary information (e), and order information (f) and generates a new order when a deficiency of materials is present from high-order materials of component table level.例文帳に追加
資材所要量計算処理部21では、資材情報a、構成情報b、カレンダ情報c、在庫数量情報d、所要情報e、注文情報fを取り込み、部品表レベルの上位資材から資材不足が存在する場合は、新規注文の生成を行う。 - 特許庁
The wafers of one lot are successively supplied to the transfer route by a transfer robot connected to a coater/developer device (not shown in Figure) as shown in Figure 8 (a) to 8 (f), and the wafers are circulated in the transfer route, by which a light exposure operation is carried out as many times as required in a multi-exposure process.例文帳に追加
そしてこのウエハ1ロットは、図8(a)から図8(f)に示すように、コータ/ディベロッパ装置(不図示)に接続する搬送ロボットから順次搬送経路内に供給され、これらが搬送経路内を循環することによって、多重露光等の複数回の露光作業を完了する。 - 特許庁
This method for capturing particles into a liquid droplet includes a process of discharging a first liquid droplet D1 composed of a first liquid S from a nozzle 12 by an inkjet technique; and a process of passing the first liquid droplet D1 through a liquid membrane F composed of a second liquid mixed with particles C to make the first droplet into a second liquid droplet D2 in which the particles C are captured into the first liquid droplet D1.例文帳に追加
第一液体Sからなる第一液滴D1をインクジェット法によりノズル12から吐出する工程と、第一液滴D1を粒子Cが混入されている第二液体からなる液膜Fに通過させて、第一液滴中D1に粒子Cを取り込まれた第二液滴D2にする工程と、を含むことを特徴とする液滴中に粒子を取り込む方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加
本発明は、トレンチの底面に流動性の第1の絶縁膜を満たし、第2の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第2の絶縁膜に含まれるフッ素(F;fluorine;フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁
In addition, a manufacturing method of a display device includes a process to use the adhesive layer 4 as a color filter layer by applying patterning by carrying out exposure and development after transferring the phosphor layer 3 and the adhesive layer 4 to the inner surface of a display panel by using the thermally-sensitive transfer film F.例文帳に追加
また、この感熱性転写フィルムFを用いて表示パネルの内面へ蛍光体層3および接着剤層4を転写した後、露光、現像を行ってパターニングを施すことにより接着剤層4をカラーフィルタ層として用いるようにする工程を含む表示装置の製造方法でもある。 - 特許庁
In a preparation process of an epoxy resin foam, an epoxy resin main agent composition prepared by mixing the following components (A)-(F) and a phosphorus hardener composition prepared by mixing the following components (G)-(I) are separately prepared, and these two compositions are subsequently mixed to yield a mixture foaming liquid.例文帳に追加
以下の(A)〜(F)の各成分を混合してなるエポキシ樹脂系主剤組成物と、以下の(G)〜(I)の各成分を混合してなるリン酸系硬化剤組成物とをそれぞれを別に製造した後、これら二つの組成物を混合して前記混合発泡液とすることを特徴とするエポキシ樹脂発泡体の製造方法である。 - 特許庁
To perform accurate investigation with efficiency by making use of past investigation knowledge in supporting the process of creating a logic operation search formula where search keys such as technical terms, IPC, FI, F-terms, an applicant and the like are combined as necessary, etc.例文帳に追加
本発明の目的は、調査を行なう場合に、技術用語、IPC、FI、Fターム、出願人等の検索キーを適宜組み合わせた論理演算検索式を作成する工程等を、過去の調査ナレッジを活用して支援することにより、精度の高い調査が効率良く行なうことができるようにすることにある。 - 特許庁
When a plurality of data are multiplexed in time division and the resulting data are transmitted, an identification information addition means 12 adds identification information ID to each f a plurality of data, and a transmitter side switcher 13 decides any of transmission signal processing sections 14-1-14-n of a succeeding stage to process each of a plurality of the data, based on the identification information ID.例文帳に追加
複数のデータを時分割多重して送信する場合に、識別情報付加手段12で複数のデータにそれぞれ識別情報(ID)を付加し、送信側スイッチャ13で、前記識別情報(ID)によって、複数のデータのそれぞれについて次段の処理すべき送信信号処理部14-1〜14-nを決定する。 - 特許庁
Also, when a request for the NAPTR record of the IP telephone apparatus 101 is regularly received from an IP telephone apparatus 102 via a network I/F 405 and when the deletion process of the NAPTR record is completed, the CPU 401 returns a response indicating that the NAPTR record of the IP telephone apparatus 101 is deleted, to the IP telephone apparatus 102.例文帳に追加
また、CPU401は、IP電話102からIP電話101のNAPTRレコードの問い合わせをネットワークI/F405を介して定期的に受け付けると、そのNAPTRレコードの削除処理が完了している場合は、IP電話101のNAPTR削除応答をIP電話102に返送する。 - 特許庁
Then, the supply of warmed sludge S is stopped and while a warmed fluid F being supplied to the fluid chamber 2D by pressure as to keep the inner pressure of the fluid chamber 2D at a prescribed pressure, the warmed liquid in the fluid chamber 2D is discharged to carry out the pressing process by the diaphragm by the inner pressure of the fluid chamber 2D.例文帳に追加
次に、加温スラッジSの供給を停止し、加温流体Fを流体室2D内へ加圧供給するとともに、流体室2D内の内圧を所定圧に維持しつつ流体室2D内の加温流体を排出させて、その流体室2Dの内圧によりダイアフラムによる圧搾を行う。 - 特許庁
In addition, data communication equipment is connected with a communication I/F 25 (such connection is unnecessary if the copying device is provided with a function of the data communication equipment) and when the state detection sensor 22c or 22c' is connected with the general purpose connector 26, a management device 4 can be informed of the process control state as the detection result.例文帳に追加
また、通信I/F25にデータ通信装置が接続され(複写装置がデータ通信装置の機能を備えていればその接続は不要)、且つ汎用コネクタ26に状態検知センサ22c又は22c′が接続されている場合に、その検知結果であるプロセス制御状態を管理装置4へ通知できる。 - 特許庁
The method is provided with a process of introducing gas containing fluorinated silicon-based gas whose F/Si ratio is larger than 0 and smaller than 4 to a vacuum container with gas containing HBr, gas containing O_2 and gas containing NF_3 and/or SF_6 for etching a single crystal silicon film 1 with an insulation film 8 of a prescribed pattern as a mask.例文帳に追加
真空容器中に、HBrを含有するガス、O_2を含有するガス、NF3及び/又はSF_6を含有するガスとともに、F/Si比が0を超えて4未満であるフッ化シリコン系ガスを含有するガスを導入し、所定パターンの絶縁膜8をマスクとして、単結晶シリコン膜1をエッチングする工程を備える。 - 特許庁
A plurality of figure display segments are presented in a figure display area F while the figure display segments are displayed being enlarged as a specified game situation is given in the process of generating figures as shown on the figure display segments thereby further improving announcing effects for the figure display segments.例文帳に追加
本発明は、図柄表示領域Fに複数の図柄表示部を表出すると共に、図柄表示部に表示される図柄生成行程Fにより特定の遊技状況となると、この図柄表示部が拡大表示されるようにしたものであるから、この図柄表示部の報知効果を一層向上させることができる。 - 特許庁
When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加
GaN系半導体デバイスの製造工程において、n^+ −GaN層6をn^+ −AlGaN層5に対して選択的にエッチングを行う際に、Cl原子を含むガスとF原子を含むガスを用い、そのCl原子を含むガスの濃度を60〜90%としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁
The printing method includes: the printing step of performing printing process by conveying the recording medium (P) in a conveyance direction (F); and the holding step of holding the recording medium between a first roller (136) and a second roller (135) while conveying the recording medium in the conveyance direction, by bringing near the first roller moving in the conveyance direction and the second roller conveying the recording medium.例文帳に追加
記録媒体(P)を搬送方向(F)に搬送して印刷処理を行う印刷工程と、搬送方向に移動する第1ローラー(136)と記録媒体を搬送する第2ローラー(135)とを近接させ、記録媒体を搬送方向に搬送しつつ第1ローラーと第2ローラーとの間に挟持する挟持工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
The process for producing an olefin polymer comprises polymerizing an olefin using a gas-phase fluidized bed polymerization reactor whose inner wall surface has been coated with at least one compound selected from among (A) a polyalkylene oxide alkyl ether, (B) a polyalkylene oxide block, (C) a higher aliphatic amide, (D) an alkyldiethanolamine, (E) a polyalkylene oxide, and (F) a polyoxyalkylenealkylamine.例文帳に追加
予め内壁面に、(A)ポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル、(B)ポリアルキレンオキサイドブロック、(C)高級脂肪族アミド、(D)アルキルジエタノールアミン、(E)ポリアルキレンオキサイド、および(F)ポリオキシアルキレンアルキルアミンから選ばれる少なくとも一種の化合物を塗布した気相流動床式重合反応器を用いてオレフィン類を重合するオレフィン重合体の製造方法。 - 特許庁
A method for producing a barium titanate crystal includes removing an organic component from a solution in which Ba alkoxide, Ti alkoxide, and KF are mixed, by a sol gel process at a temperature below 1,000°C, thereby obtaining a crystal powder in which a part of Ba in a BaTiO_3 crystal is replaced by K and a part of O is replaced by the same amount of F.例文帳に追加
BaアルコキシドとTiアルコキシドとKFとが混合された溶液を、ゾルゲル法によって、1000℃未満の温度で有機分を除去することにより、BaTiO_3結晶のBaの一部がKにOの一部がKと同量のFに置換された結晶粉末を得ることを特徴とするチタン酸バリウム系結晶の製造方法である。 - 特許庁
In this leached water treatment method for separating and recovering a very small amount of a pollutant, which is contained in treated water obtained after the leached water of a controlled final disposal plant F is treated to a dischargeable degree, as solid matter, a process (apparatuses 21 and 22) for heating treated water under a vacuum atmosphere to evaporate water is provided.例文帳に追加
管理型最終処分場Fの浸出水を放流可能な程度まで処理した後の処理水中に含まれる微量汚染物質を固形物として分離回収する浸出水処理するものであって、処理水を真空雰囲気下で加熱して水分を蒸発させる工程(装置21、22)を備えた構成になっている。 - 特許庁
The guide roller for guiding the multilayer film F of required thickness consisting of plurality of layered films in the winding process of the film during coating and processing comprises a plurality of protruded bars 11 arranged on the surface of a cored cylindrical roller 10 in the cross direction in spaced relation, as required, in the circumferential direction.例文帳に追加
フィルム等の製膜及び加工時における巻取り工程において、複数のフィルムの重ねられた所要厚みの多層フィルムFをガイドするガイドローラにおいて、該ガイドローラを、円筒状の芯筒ローラ10の表面に円周方向所要間隔を配してローラ巾方向に複数の突起バー11を配設することにより構成せしめた。 - 特許庁
Consequently, the partially fabricated item for the CIS group thin film solar battery is stored under an environment where humidity is uniformly managed at ≤30% relative humidity by a gas supply means of dry air or the like and a circulation means such as a fan in storing processes (a) to (f) or a carrying process to prevent the partially fabricated item from reacting with humidity in atmosphere.例文帳に追加
そこで、CIS系薄膜太陽電池用半製品を、保管工程a〜f又は搬送工程において、ドライエア等のガス供給手段及びファン等の循環手段を設け、相対湿度30%以下に均一に湿度管理された環境下で保管することにより、前記半製品と雰囲気中の湿分との反応を防止する。 - 特許庁
To make bias setting easily executable without being influenced by a variation in the manufacturing process of a MOSFET nor the fluctuation of a p-n junction temperature at the time of changing p-n junction between a body and a source of the MOSFET to a shallow forward bias, by applying a certain voltage to the back gate of the MOSFET for reducing 1/f noise generated in the MOSFET.例文帳に追加
MOSFETで発生する1/fノイズを低減するために、そのバックゲートにある電圧を与え、該MOSFETのBodyーsourceのPN接合を浅い順バイアスにする際、MOSFETの製造プロセスにおけるバラツキやPN接合温度の変動に影響されず、容易にバイアス設定を行うため。 - 特許庁
By performing previously the longitudinal cutting process in this way, the semi-manufactured materials to be supplied from a wood-seller company F to precut companies E1 and E2 are subjected to precut treatment at a precut treatment facility to be complete precut products according to the data of the 2nd executed tag T2, and transported in a package from respective construction fields and assembled there.例文帳に追加
このように予め長さ切断加工を施すことにより、木材販売会社Fからプレカット会社E1,E2へ納入する半製品は、第2の認証タグT2のデータによりプレカット加工設備12にてプレカット加工を施して完全なプレカット製品とし、建築現場毎に梱包されて現場に搬送され組立てられる。 - 特許庁
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