| 意味 | 例文 |
gap-junctionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 102件
To provide a switching circuit employing a wideband gap Schottky barrier diode which can reduce turn on loss of a switching element while controlling ringing caused by junction capacitance of a diode and stray inductance even if a feedback diode consisting of a wideband gap semiconductor is used.例文帳に追加
帰還ダイオードにワイドバンドギャップ半導体によるものを使用しても、該ダイオードの接合容量と浮遊インダクタンスによるリンギングを抑制しつつ、スイッチング素子のターンオン損失も低減できるワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路を提供する。 - 特許庁
As a result, even when the both cores 25 and 28 vary in their length dimensions or in the insertion depths of the cores, there will occur no variations in the junction area of the both cores 25 and 28 magnetically coupled and in the gap dimension between junction faces, whereby power supply can be carried out with a stable efficiency.例文帳に追加
これにより、両コア25,28の長さ寸法やコア同士の挿入深さがばらついても、両コア25,28の磁気結合される接合面積及び接合面同士の隙間寸法にはばらつきが生じることがなくなり、安定した効率でもって給電を行える。 - 特許庁
To provide a vacuum lead-free soldering method of a wide-gap semiconductor chip which so makes the junction state generated when performing a soldering by using a lead-free solder good as to be able to suppress the generation of voids effectively, in the electrode structure of the wide-gap semiconductor chip.例文帳に追加
ワイドギャップ半導体チップの電極構造において、鉛フリー半田を用いた半田付けを行った場合の接合状態を良好なものとし、ボイドの発生を効果的に抑制することのできる、ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法を提供する。 - 特許庁
A thermal via 3 is provided at a junction part (land section 6) to the electronic circuit chip on the base substrate 2 for thermally conducting to the back side, and a thermal conductivity member 5 is provided at a gap between the electronic circuit chip and the base substrate.例文帳に追加
ベース基板2には電子回路チップとの接合部位(ランド部6)にサーマルビア3を設けて裏面側へ熱伝導させ、電子回路チップとベース基板との隙間に熱伝導部材5を設ける。 - 特許庁
To obtain an excellent surface facing a magnetic recording medium, in a structure wherein a magnetic tunnel junction element is interposed between a pair of magnetic shielding layers through conductive gap layers.例文帳に追加
一対の磁気シールド層の間に導電性ギャップ層を介して磁気トンネル接合素子が挟み込まれてなる構造において、磁気記録媒体に対する良好な媒体対向面を得ることを可能とする。 - 特許庁
Then, as shown in (c), the gap between the semiconductor chip 1 and the board 4 is sealed with liquid-form sealing resin 8b, whereby the periphery of the junction between the gold bump 5 and the conductor pattern 6 is protected.例文帳に追加
その後、図1(c)に示すように、半導体チップ1と基板4との隙間を液状の封止樹脂8bにより封止することで、金バンプ5と導電体パターン6との接合部の周囲を保護する。 - 特許庁
This can prevent a gap from occurring between the separator 4 and the cap 5, so this can prevent the brazing property of the junction between the separator 4 and the cap 5, so the heat exchanger high in airtightness can be prevented.例文帳に追加
これにより、セパレータ4とキャップ5との間に隙間が生じることを防止できるので、セパレータ4とキャップ5との接合部のろう付け性を改善でき、気密性の高い熱交換器を提供できる。 - 特許庁
A junction 30 between the display section 1 and a console section 11 is formed with a gap having a certain distance T between edging 12a on the console section 11 side and a picture frame section 7a on the display section 1 side.例文帳に追加
表示部1とコンソール部11との接合部30において、コンソール部11側の縁取り12aと、表示部1側の額縁部7aとの間にある距離Tを有する間隙を形成する。 - 特許庁
The normal function of gap junction is inhibited by depleting a part of connexin gene, preparing a plasmid vector integrated with the connexin-function depleted gene and introducing the vector into a rat to prepare a transgenic rat.例文帳に追加
ギャップジャンクションにおける正常機能の阻害には、コネクシンの遺伝子の一部を欠失し、コネクシン機能の欠失した遺伝子を組み込んだプラスミドベクターをラットに導入してトランスジェニックラットを作製する。 - 特許庁
In a GaP based light emitting diode, a first III-V compound layer containing boron is provided in the projection area of a surface electrode in junction with one compositional layer of light emitting part, and a second III-V compound layer containing boron is provided in junction with the first III-V compound layer containing boron.例文帳に追加
GaP系発光ダイオードに於いて、表面電極の射影領域に、発光部の一構成層に接合して、第1の含硼素III−V族化合物半導体層が設けられ、第1の含硼素III−V族化合物半導体層に接合して、第2の含硼素III−V族化合物半導体層が備えられている。 - 特許庁
A spacer layer (105) and a Schottky junction forming layer (107) for forming a portion of a barrier layer are formed of an undoped compound semiconductor layer (InP, GaP, AlP, etc.) including P as a component element, and the carbon planar doped layer (106) is formed in the surface of the spacer layer (105) which has contact with the Schottky junction forming layer (107).例文帳に追加
バリヤ層の一部を構成するスペーサ層(105)およびショットキー接合形成層(107)を、Pを一成分元素ととして含むアンドープの化合物半導体層(InP、GaP、AlPなど)から形成し、スペーサ層(105)のショットキー接合形成層(107)に接する面に、炭素のプレーナドープ層(106)を形成する。 - 特許庁
When a magnetic tunnel effect type magnetic head 20 having a magnetic tunnel junction element 33 disposed between a pair of magnetic shield layers 25 and 27 via a gap layer is manufactured, a surface to be the medium-facing surface of the magnetic tunnel junction element is subjected to etching machining after polishing machining.例文帳に追加
一対の磁気シールド層25,27の間にギャップ層を介して磁気トンネル接合素子33が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッド20を製造する際に、磁気トンネル接合素子の媒体対向面となる面に対して研磨加工を施した後に、当該媒体対向面となる面に対してエッチング加工を施す。 - 特許庁
To prevent the formation of a gap on hole end faces of second passage holes joined with each other at their peripheral edge parts and to improve the working efficiency by reducing the frequency of works in cleaning and sterilizing processing, in a junction-type plate heat exchanger.例文帳に追加
接合型プレート式熱交換器において、周縁部が接合された第2通路孔の孔端面に隙間が生じるのを防止し、洗浄や殺菌処理の作業頻度を抑え、作業効率を上げること - 特許庁
To enable a multi-junction solar cell, which allow users to efficiently utilize solar energy by making combinations of band gap energy more flexible, to be formed at lower cost by using high quality silicon solar cells.例文帳に追加
バンドギャップエネルギーの組み合わせを柔軟にすることで太陽光エネルギーを効率的に利用できる多接合型太陽電池を、高品質なシリコン太陽電池を用いることでより安価に形成できるようにする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a circuit board, which can adjust the height of solder bumps formed on electrode pads in accordance with a junction gap between a mounting substrate and a semiconductor element, and to provide the circuit board applying the method.例文帳に追加
実装基板と半導体素子との接合ギャップに応じて電極パッド上のはんだバンプの高さを調節することができる回路基板の製造方法、及びその方法を適用した回路基板を提供する。 - 特許庁
The junction 1 is formed by jointing the terminals of a pair of members 10 and 20 to be jointed having a plurality of terminals each other wherein the gap 41 of at least a part of terminals is filled with an insulating sealing material 40 for sealing the gap between the pair of members 10 and 20.例文帳に追加
本発明の接合体1は、複数の端子を具備する一対の被接合部材10、20の端子同士が接合されたもので、少なくとも一部の端子間隙41に、一対の被接合部材10、20間を封止する絶縁性の封止材40が充填されていることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a heat radiation structure of a heating element that is reduced in contact resistance at a junction portion of a heat radiating substrate and a heat radiator by reducing a gap of the junction portion to enhance adhesion, increased in reliability by greatly improving heat dissipation, easy to manufacture, and kept low in manufacturing cost; and to provide a semiconductor device using the heat radiation structure.例文帳に追加
放熱基板と放熱体の接合部の空隙を減少して密着性を高めることにより、接合部における接触抵抗を低下させ、放熱性を大幅に向上して信頼性を高めるとともに、組み立てが容易で製造コストを抑えた発熱体の放熱構造、および該放熱構造を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁
In this simplified electromagnetic shielding method for closing a gap in a metal panel 1 by using an electromagnetic shielding tape 2, variation is reduced in electromagnetic shielding performance relative to the electromagnetic wave frequency, even when the metal panel 1 contains angular sections, by adjusting the distance (d) between a junction 3 and the angular section parallel with and the nearest to the junction 3.例文帳に追加
電磁シールドテープ2を用いて金属パネル1の隙間を塞ぐ簡易な電磁シールド方法において、角が存在する金属パネル1を使用したとしても、接合部3と、接合部3と平行でかつ該接合部3に最も近い角との距離dを調整することにより、電磁シールド性能値の遮蔽する電磁波周波数に対する変動を小さくする。 - 特許庁
To improve junction reliability for a bonding wire or a bump by shifting the bonding position from a probe mark, with test pads provided in a surplus gap between bonding pads formed by making the bonding pads in a staggered arrangement.例文帳に追加
ボンディング用パッドを千鳥状に配列することによって生じたボンディング用パッド間の余剰な間隙にテスト用パッドを設け、ボンディング位置とプローブ痕をずらすことにより、ボンディングワイヤまたはバンプの接合信頼性の向上を図ること。 - 特許庁
The toner discharge part is manufactured with a high precision so that a gap between the toner discharge part and an inner peripheral surface of the junction part, and relative displacement of the attachment base part and the toner storage part is reduced to maintain compressive deformation of the elastic material ring.例文帳に追加
また、トナー排出部は、接合部の内周面との間隙が小さくなるように高精度で製作され、取付基部とトナー貯蔵部との相対変位を小さく抑え、弾性体リングの圧縮変形を維持する。 - 特許庁
To prevent leakage of gas at the periphery of the junction between a support member and a susceptor and at the same time to reduce the gap between the susceptor and a chamber by relaxing tensile stress at the end of the ceramics susceptor of the support member.例文帳に追加
支持部材のセラミックスサセプター側の端部における引張応力を緩和することで、支持部材とサセプターとの接合部分の周辺における気体の漏れを防止できるようにし、同時にサセプターとチャンバーとの間隔を小さくする。 - 特許庁
The bobbin 3 includes the middle section 2a and a cylindrical section 3a, to which the coil 4 is fitted and includes a junction section 3b that is engaged with the gap 7c and is jointed to the divided middle leg section 2a in the inside of the cylindrical section 3a.例文帳に追加
ボビン3は、中脚部2aを内包すると共にコイル4が装着される筒部3aを含み、筒部3aの内側には、ギャップ7cに嵌り、分割された中脚部2aに接合される接合部3bを含む。 - 特許庁
To provide a method for site specific down regulation of expression of connexin which is a protein composing a gap junction channel of a cell membrane structure making cell-cell communication easy, for therapy and/or for cosmetic surgery.例文帳に追加
細胞−細胞連絡を容易にする細胞膜構造であるギャップ結合チャンネルを構成するタンパク質であるコネキシンの発現を、治療目的および/または整形目的のため、部位特異的にダウンレギュレーションする方法の提供。 - 特許庁
A chip 120 has a plurality of bumps 121, and by flip-chip junction onto the substrate 110, a bump group 121 is joined to a pad group 113, and a mold flow gap S is formed between the chip 120 and the substrate 110.例文帳に追加
チップ120は複数個のバンプ121を有し、かつ基板110上にフリップチップ接合されることで、バンプ群121をパッド群113に接合させ、チップ120と基板110との間にモールド流れ間隙Sを形成する。 - 特許庁
As the junction metal fitting 4 has a smooth surface and no vertical gap and is retained with a through-hole of the grommet 1 by tight fit, penetration of water is blocked by this part S and high water-tightness can be realized at a lead wire introducing part.例文帳に追加
中継金具4は表面が平滑であって縦走する隙間がなく、グロメット1の貫通孔にしまり嵌めで保持されているので、この部分Sで水の浸入はくい止められ、リード線10の導入部で高い水密性が発揮される。 - 特許庁
To provide a semiconductor package capable of joining a semiconductor element to a lead frame or a circuit board firmly and enhancing adhesiveness between the junction part and a sealing resin to prevent generation of gap at an interface between both sides.例文帳に追加
半導体素子をリードフレーム又は回路基板に強固に接合することができると共に、この接合部と封止樹脂との密着性を高め、この両者の界面に空隙が生じるのを防止することができる半導体パッケージを提供する。 - 特許庁
This gap 50 is formed so as to extend toward the tip 56 of the peripheral rim part 42 from a base end 54 formed as a triple junction A where the surface of the emitter part 14 is brought into contact with the lower surface 51 of the peripheral rim part 42.例文帳に追加
この隙間50は、エミッタ部14の表面と外周縁部42の下面51とが接触してトリプルジャンクションAとして構成される基端54から、外周縁部42の先端56に向かって拡開するようにして形成されている。 - 特許庁
By hooking windings A and B on the engagement parts 7a and 7b, the slack of the windings due to the stretch of a conductor at the time of conductor junction is suppressed, and the generation of a gap between a pair of conductors in one turn of winding start or winding end is prevented.例文帳に追加
巻線A、Bを係止部7a、7bに引っ掛けることにより、導線接合時の導線の伸びに起因する巻線の弛みを抑えて、巻始めまたは巻終わりの1ターンの一対の導線の間に隙間が生じるのを防ぐ。 - 特許庁
An electrical junction box 1 includes the current detector 10 that has: a magnetoelectric conversion element 14; and the magnetic core 11 provided with a gap 12 in which the magnetoelectric conversion element 14 is arranged, and detects the magnetic flux induced in the magnetic core 11 as a current.例文帳に追加
本発明の電気接続箱1は、磁電変換素子14と磁電変換素子14を配置するギャップ部12が設けられた磁性体コア11とを有し、磁性体コア11に生じる磁束を電流として検出する電流検出装置10を備える。 - 特許庁
In the method for performing the soldering of the electrode junction of a wide-gap semiconductor chip by a lead-free solder in a vacuum environment, a pressure reducing state is so created in the case of the melting state of the lead-free solder by heating it as to combine this pressure reducing state with the ordinary-pressure state.例文帳に追加
ワイドギャップ半導体チップの電極接合を鉛フリー半田で真空環境にて半田付けする方法であって、加熱による鉛フリー半田の溶融状態時に減圧状態を作り、この減圧状態を常圧状態と組み合わせる。 - 特許庁
A discharge route prolonging means (collar 21) is provided for lengthening a discharge path 23, which reaches the pressure tight box 2 after passing through the gap between the junction surfaces of a first insulator 8 and a second insulator 17 from a first metal sleeve 7 and/or a second metal sleeve 16.例文帳に追加
第1の金属スリーブ7および/または第2の金属スリーブ16から第1の絶縁体8と第2の絶縁体17との接合面間を通って耐圧筐体2に至る放電経路23を長くするための放電経路延長手段(カラー21)を設けた。 - 特許庁
The high-energy electron emitted from the projection 2 is converted into many paired electron-positive hole of low energy nearly equal to band gap energy of a semiconductor in the pn junction element 4, so the high-voltage and small-current electric energy is converted into the low-voltage and large-current electric energy.例文帳に追加
突起物2から放射された高エネルギーの電子は、pn接合素子4内で、半導体のバンドギャップエネルギー程度の低エネルギーの多数の電子正孔対に変換されるので、高電圧、小電流の電気エネルギーが、低電圧、大電流の電気エネルギーに変換される。 - 特許庁
In the block fitting type electrical junction box 1, 31 for inserting blocks 3, 33 into frames 2, 32 and locking the blocks by locking parts 8, 9, respectively, locking members 21, 34 are provided on the frames and locked members 7, 36 to engage with the locking members without space in a gap S direction of the locking parts are provided on the blocks.例文帳に追加
フレーム2,32内にブロック3,33を挿入して相互のロック部8,9で係止させるブロック嵌合式電気接続箱1,31で、フレームにロック部材21,34を設け、ブロックに、ロック部相互間の隙間S方向の隙間なくロック部材に係合する被ロック部材7,36を設けた。 - 特許庁
The photoelectric conversion device is almost spherical, a pn junction is constituted by coating a p-type amorphous SiC (abbreviated name a-SiC) plies or layers 8 with large optical band gap rather than a-Si on the periphery of an n-type amorphous silicon (abbreviated name a-Si) plies or layers 7 by the side of centrum.例文帳に追加
光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のn形アモルファスSi(略称a−Si)層7の外周面上に、a−Siよりも光学的バンドギャップが広いp形アモルファスSiC(略称a−SiC)層8を被覆し、pn接合を構成する。 - 特許庁
A solder ball 26 is fixed onto the upper face of the coaxial body so that the solder ball 26 contacts the upper end of the wire 23, the gap between the solder ball 26 and the coaxial body is filled with resin 25, and junction to the wire 23 of the solder ball 26 is reinforced by the resin 25.例文帳に追加
この同軸体の上端面には、ワイヤ23の上端に接触するようにしてはんだボール26が固定されており、はんだボール26と前記同軸体との間の隙間は、樹脂25により埋められて、はんだボール26のワイヤ23に対する接合力が樹脂25により補強されている。 - 特許庁
To provide the junction structure of a sandwich lamination board that is not deformed or released and is suited for the outer wall, the inner wall, the partition, or the like of a building even if it is thermally affected or an adhesive deteriorates while constantly maintaining the gap between composite boards for composing the sandwich lamination board.例文帳に追加
サンドイッチ積層板を構成する複合板の間隔を一定に保ち,熱的影響を受けても、また接着剤が劣化しても,変形したり,剥離することはなく,建築物の外壁や内壁および間仕切り等に好適するサンドイッチ積層板の接合構造を提供することにある。 - 特許庁
In the MEMS sensor for joining a sensor chip substrate, where the movable section that is operated mechanically and a sensor element for electrically detecting the displacement of the movable section are formed, to a base substrate with a gap from the movable section, a recess is provided along a portion of the outer periphery of the movable section on a substrate junction surface.例文帳に追加
機械的に動作可能な可動部とこの可動部の変位を電気的に検出するセンサ素子を形成したセンサチップ基板を、可動部との間に空隙を設けてベース基板に接合してなるMEMSセンサにおいて、基板接合面に、可動部の外周の一部に沿って凹部を設ける。 - 特許庁
Hereby, even if the yoke part 11 and the teeth part 13 are joined with each other at the junction, compressive stress is not added to them by the dimensional tolerance 15 with contact or a gap, and the space 16, thus this stator core prevents the increase of the iron loss by preventing the deterioration of the magnetic properties of the electromagnetic steel plates.例文帳に追加
これにより、ヨーク部11とティース部13とを接合部で接合しても接触または隙間を有する寸法公差15および空間16によって圧縮応力が加わらず、電磁鋼板の磁気特性の悪化を防止して鉄損の増大を防止できるようにしている。 - 特許庁
A tread board 1 to form the floor face of a scaffold board for junction is sized so as to nearly fill up the gap of prefabricated scaffolds butted against each other in three directions, and locking metal fittings 4 to be locked on horizontal members E of a building frames D of the prefabricated scaffold in two directions are attached to the tread board 1.例文帳に追加
中継用足場板の床面を成す踏板材1は三方向から突き合わせた枠組足場の隙間をほぼ埋める大きさとし、該踏板材1には二方向の枠組足場の建枠Dの横架材Eに係止する係止金具4を取り付ける。 - 特許庁
To suppress an overflow carrier being leaked, as a minor carrier, from a first semiconductor layer to a second semiconductor layer over a junction barrier having lower impurity doping concentration in a semiconductor device, where a first semiconductor layer with a prescribed band gap and a second semiconductor layer having a band gap that is the same or larger than the first semiconductor layer are joined with each other.例文帳に追加
本発明は、所定のバンドギャップを有する第1の半導体層と、これと同一又はこれより大きなバンドギャップを有する第2の半導体層とを互いに接合してなる半導体素子において、第1の半導体層から第2の半導体層へ、接合障壁を越えて少数キャリアとして漏れて行くオーバーフローキャリアを、少ない不純物添加濃度において抑圧することが可能な半導体素子および半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
To provide a liquid crystal panel in which a junction between a spacer and a substrate is never destroyed by temperature variation and further a significant variation of a distance between the substrates (a cell gap) caused by external pressure is avoided and the occurrence of interference fringes, variation of color tone and variation of driving voltage characteristics are avoided and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
温度変化によってスペーサと基板との接合が破壊されることなく、且つ、外圧に対する基板間隔(セルギャップ)の大きな変動が回避され、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避できる液晶パネル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a low-cost and light-weight junction structure capable of tightly closing curtains without gap and smoothly opened, and preventing a free movement of the opened curtains due to vibration of vehicles or inertia in operation.例文帳に追加
カーテンを隙間なく完全に閉じることができ、かつ、開く時には楽に開くことができると共に、コストの低減化が可能であり、さらに、軽量化が可能で、カーテンの解放時に車両の振動や操舵に基づく慣性力によってカーテンが勝手に動くことを防止できる車両用カーテンの閉鎖時接合部構造の提供。 - 特許庁
After arranging the adhesive agent 8 in the junction part 2, an adhesion process joints the glass substrate 2 and the sealing cap 7, while making gas, which intervenes between the glass substrate 2 and the sealing cap 7, discharge outside from the gap part by piling up the glass substrate 2 and the sealing cap 7 in a state that predetermined pressure is applied.例文帳に追加
接着工程は、接着剤8を接合部2に配設した後、所定圧力を付与した状態にてガラス基板2と封止キャップ7とを重ね合わせることで、ガラス基板2と封止キャップ7との間に介在する気体を間隙部から外部に排出させながらガラス基板2と封止キャップ7とを接合する。 - 特許庁
Since the conductive patterns 11b, 11b that become component junction electrodes provided at the component packaging surface of the circuit component 20 are buried to the component packaging surface of the conductive layer at the inner-layer side, the circuit component 20 is packaged on the component packaging surface with nearly no gap between the lower surface of the component and the component packaging surface.例文帳に追加
回路部品20の部品実装面部に設けられた部品接合電極となる導電パターン11b,11bが内層側導電層の部品実装面に埋設された構造であることから、回路部品20は、部品下面と部品実装面部との間に殆ど隙間ができない状態で部品実装面に実装される。 - 特許庁
By joining a terminal connecting part formed on the back surface of nearly central part of the gyroscope vibrating reed 10 with the top surface of each apical part of each electrode lead 6a to 6f, the structure supported can be achieved, while forming a gap T to avoid contact of the gyroscope vibrating reed 10 with the TAB substrate except junction.例文帳に追加
この各電極リード6a〜6fの各先端部上面に、ジャイロ振動片10の略中央部裏面に形成された端子接続部を接合して、ジャイロ振動片10が接合部以外の部位においてTAB基板と接触しないように空隙Tを形成しながら支持される構造とした。 - 特許庁
Since the FPC junction is supported to the electric board 24 with a gap G1 in relation to the electric board 24, displacement (a flange back L) of the image-taking element due to thermal deformation of the electric board 24 due to soldering, shrinkage in cooling of the solder or a secular change of the electric board 24 can be prevented.例文帳に追加
そのFPC接続部は、電気基板24に対して空隙G1 のある状態で支持されていることから半田付けによる電気基板24の熱変形、半田の冷却時の収縮の作用、あるいは、電気基板24の経年変化による撮像素子の位置(フランジバックL)ずれ発生が防止できる。 - 特許庁
The method of regulating the temperature dependence of the junction barrier Schottky diode of a semiconductor material, having an energy band gap exceeding 2eV between a valence band and a conductive band includes a step of regulating an on-state resistance of the grid of a diode so as to obtain the temperature dependence of the diode characteristics that are suitable for the intended use, during the manufacturing of the diode.例文帳に追加
価電子帯と伝導帯との間に2eVを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。 - 特許庁
A method is constituted to detect the state that a signal transfer substance 5 is transferred from the stimulated cell 4 through a gap junction 6 to a different cell by adding a stimulus 3 to a differentiated cell 2 derived from the epithelial cell differentiated from a human skin epithelial cell 1 with a translation product 8 yielded by transferring and translating a nucleic acid 7.例文帳に追加
ヒト皮膚上皮細胞1から分化させた上皮細胞由来分化細胞2に刺激3を添加し、刺激を受け取った細胞4から信号伝達物質5がギャップジャンクション6を経て異なる細胞へ伝達された状態を核酸7の転写や翻訳によって産生された翻訳産物8をもって検出する方法である。 - 特許庁
Consequently, the solder bridges, etc., between the adjacent Cu patterns 2 and 4 can be prevented, because, even when excessive solder moves on the patterns 2 and 4 when a pressure is applied to the junction between the wiring boards 1 and 3 by means of a thermocompression bonding tool 9, the gap becomes the relieving space of the excessive solder.例文帳に追加
このため、フレキシブル配線基板1とリジッド配線基板3との接続箇所に熱圧着ツール9によって圧力が加えられたとき、余剰はんだがCuパターン2,4上に沿って移動しても、この間隙がその余剰はんだの逃げスペースとなるので、隣接するCuパターン間においてはんだブリッジ等が発生することを防止できる。 - 特許庁
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