「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an amplifier with standby function wherein the reduction of an operating current can be minimized by suppressing a variation of the gate bias of an FET for signal amplification even when the power supply voltage changes, and the degradation of high frequency characteristics can be prevented when the power supply voltage changes.例文帳に追加

電源電圧が変動した場合においても、信号増幅用ＦＥＴのゲートバイアスの変動を抑制することで動作電流の低下を抑えることができ、電源電圧変動時の高周波特性の劣化を抑制することができるスタンバイ機能付き増幅器を提供する。 - 特許庁

According to this constitution, it is possible to prevent a leakage current from flowing in a P-N junction by the second gate region 6 and the channel layer 4 by means of the high resistance layer 6b and to realize good operation of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

このような構成とすることで、高抵抗層６ｂによって第２ゲート領域６とチャネル層４とによるＰＮ接合部にリーク電流が流れることを防止することが可能となり、炭化珪素半導体装置の動作が良好に行えるようにすることが可能である。 - 特許庁

A level of a detection voltage Vin corresponding to magnitude of a drain current of a main MOSFET Mm that is a target of overcurrent detection is shifted by the level shift voltage Vls, and it is applied to a gate terminal of the FET M03 that is one input of the differential amplifier part.例文帳に追加

このレベルシフト電圧Ｖｌｓで、過電流検出の対象であるメインＭＯＳＦＥＴＭｍのドレイン電流の大きさに対応する検出電圧Ｖｉｎのレベルをシフトさせて、当該差動増幅部の一方の入力であるＦＥＴＭ０３のゲート端子に印加する。 - 特許庁

A flat-panel display having a structure in which the relative area of a semiconductor film with respect to the area of a facing channel region is made different from that of a gate electrode film with respect to the area of the facing channel region for at least some of a plurality of TFTs is provided so as to suppress light leakage current and capacitance increase.例文帳に追加

複数個あるＴＦＴの少なくとも一部について、半導体膜とゲート電極膜が対向する面積のチャネル領域に対する相対的な面積が異なることにより、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加を抑制する構造の平面ディスプレイを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose power consumption is reducible by reducing a through current flowing to an input gate of an input/output circuit for an oscillation stabilization wait time as a semicondouctor device, such as a microcomputer, equipped with an input/output and an oscillation stabilization wait circuit.例文帳に追加

マイコン等、半導体集積回路で入出力回路、発振安定待ち回路を備える半導体装置において、発振安定待ち時間の間、入出力回路の入力ゲートに流れる貫通電流を削減し、低消費電力化が図れる半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide an AGC circuit capable of enlarging the change quantity of a gain in respect to the variable quantity of an AGC voltage by preventing a source potential from being lowered even when the drain current of a dual gate type field effect transistor(FET) provided in the AGC circuit is changed.例文帳に追加

ＡＧＣ回路の有するデュアルゲート型電界効果トランジスタにおけるドレイン電流が変化しても、これに伴ってソース電位の低下が生じないようにすることによって、ＡＧＣ電圧の可変量に対する利得の変化量を大きくできるようにＡＧＣ回路を提供する。 - 特許庁

A thin insulating layer has a thickness less than 2 nm, so that a tunnel current flows through the dielectric thin film between the gate terminal doping region and the connection doping region of the storage MOSFET and can be adjusted by the doping of the terminal region and the connection doping region.例文帳に追加

薄い絶縁層が２ｎｍよりも薄い厚さを有しており、これにより記憶ＭＯＳＦＥＴのゲート端子ドーピング領域と、接続ドーピング領域との間で誘電性薄膜を通ってトンネル電流が流れ、端子領域と接続ドーピング領域とのドーピングによって調整可能である。 - 特許庁

A phase compensation characteristics control circuit 16 changes its multiplying factor, by varying the tail current of a voltage control power source constituting the multiplier 15, or changes it by varying a resistance value by its gate potential, when a resistor is constituted by an MOS-FET.例文帳に追加

位相補償特性制御回路１６は、キャパシタンスマルチプライヤ１５を構成する電圧制御電流源のテール電流を変化させることにより倍率を変更し、あるいは、抵抗がＭＯＳ−ＦＥＴで構成される場合、そのゲート電位により抵抗値を変化させることによって倍率を変更する。 - 特許庁

When the current station building was constructed, the construction of an underground passage connecting the east end of the platform for Osaka (underground) and Sai Station, as operated by the Keifuku Electric Railroad Co., Ltd., and a ticket gate had been planned and put to work; however, the construction was eventually halted due to opposition by the local people working in the local shopping areas. 例文帳に追加

現在の駅舎を建設する際、大阪方面行ホーム東端付近（地下）から京福電鉄西院駅前（地上）までの地下通路と改札口が新たに計画され整備されていたが、地元商店街の反対により、結局、使用中止となった過去がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A depletion layer is expanded from the floating-current blocking region 8 towards the n-type GaN layer 6 on turning off the semiconductor device, a potential is lowered in the n-type GaN layer 26 filled in the aperture 28, and the voltage is decreased across the front side and the back side of a gate-insulating film 20.例文帳に追加

半導体装置のオフ時に、浮遊電流ブロック領域８からｎ型のＧａＮ層６に向かって空乏層が広がり、アパーチャー２８を充填しているｎ型のＧａＮ層２６の電位が低下し、ゲート絶縁膜２０の表面と裏面の間にかかる電位差が減少する。 - 特許庁

Then while the switches SW1 and SW3 are turned OFF, the SW2 is turned ON and the voltage of a capacitor C1 on the side of a switch SW4 is varied according to a signal voltage and added to the gate of the driving transistor T1, thereby making a current corresponding to the signal voltage flow to the driving transistor T1.例文帳に追加

そして、スイッチＳＷ１，ＳＷ３をオフして、ＳＷ２をオンすると共に、容量Ｃ１のスイッチＳＷ４側の電圧を信号電圧に応じて変動させることで、その電圧を駆動トランジスタＴ１のゲートに加算し、信号電圧に応じた電流を駆動トランジスタＴ１に流す。 - 特許庁

When N-channel TRs are adopted for the load TRs, an output control circuit 62 applies a gate bias voltage in the moving picture image pickup mode lower than that in a still picture image pickup mode to the load TRs so as to reduce the current of the source follower circuit thereby reducing the power consumption of the output amplifier 46.例文帳に追加

そこで、負荷トランジスタがＮチャネルである場合には、出力制御回路６２は動画撮像モードにおいて静止画撮像モードよりも低いゲートバイアス電圧を供給して、ソースフォロワ回路の電流を低減し、出力アンプ４６の消費電力を低減する。 - 特許庁

To crosslink a large number of carbon nanotubes effectively between catalytic function metallic regions at the top of a set of protrusion patterns in order to attain high speed operation by increasing the amount of current per unit gate width of a field effect transistor employing a carbon nanotube as a channel portion.例文帳に追加

カーボンナノチューブをチャネル部とする電界効果型トランジスタの単位ゲート幅あたりの電流量を増加し高速動作を可能とするため、一組の突起パターンの頂部にある、触媒機能金属領域の間で、効果的の多数のカーボンナノチューブを架橋形成する。 - 特許庁

To suppress the leakage current of a semiconductor element by employing a film composed of a high melting point metal, an alloy of a high melting point metal, a high melting point metal silicide, and a nitride of Ti, Ta, W, and a Ti-W alloy, for a contacting barrier layer or a gate electrode, etc. in order to attain a highly reliable semiconductor element.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor storage element, a storage part 200 equipped with two transistors as one set by the standard CMOS process makes a hole and an electron generated when an inter-band tunnel current generated between a source and a semiconductor substrate flows trapped in a crystal defect in the vicinity of the boundary of the semiconductor substrate and a gate oxide film.例文帳に追加

標準的なＣＭＯＳプロセスによるトランジスタ二個を一組とし備える記憶部２００は、ソース・半導体基板間に発生するバンド間トンネル電流が流れる際に発生する正孔と電子を、半導体基板とゲート酸化膜の境界付近にある結晶欠陥にトラップさせる。 - 特許庁

The power switch unit is structured of one chip as a unit of a power transistor, which is formed of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) connected in series to the primary coil, and a current limiting circuit, which is inserted between a base electrode and an emitter electrode of the power transistor.例文帳に追加

前記パワースイッチユニットは、前記一次コイルと直列に接続されたインシュレイテッド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）からなるパワートランジスタと、前記パワートランジスタのベース電極とエミッタ電極間に挿入された電流制限回路とがユニットとして一つのチップで構成されている。 - 特許庁

Consequently, the drain-source voltage Vds rises to Vds1 (>0) during an interval when the gate terminal voltage Vg is lower than Vg1 and since a current flows into a capacitor C, the voltage Vc across the capacitor C rises from Vc1 to Vc2.例文帳に追加

これにより、ゲート端子電圧Ｖｇが電圧Ｖｇ１より小さい期間、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが電圧Ｖｄｓ１（＞０）に上昇し、その電圧によりコンデンサＣに電流が流れ、該コンデンサＣの両極間の電圧Ｖｃが電圧Ｖｃ２からＶｃ１に上昇する。 - 特許庁

In this field sequential liquid crystal display unit having thin-film transistors each serving as the element for driving a pixel, it is so set that VG×ID≥15E-6VA for a specified source voltage, wherein VG is the gate voltage and ID is the drain current of the thin-film transistor.例文帳に追加

各画素の駆動用素子として薄膜トランジスタを有するフィールドシーケンシャル方式液晶表示装置において、一定のソース電圧に対して、前記薄膜トランジスタのゲート電圧ＶＧとドレイン電流ＩＤの積ＶＧ×ＩＤが１５Ｅ−６ＶＡ以上となるようにする。 - 特許庁

To improve picture quality of a display device using bottom-gate TFTs, especially to control variation in a current amount flowing through an EL element against changes in an environmental temperature when using the device, to control a variation of brightness of the display, and to compensate for a frequency characteristics of a driving circuit.例文帳に追加

ボトムゲートＴＦＴを用いた表示装置の画質の向上を課題とし、特に、使用する際の環境温度の変化に対して、ＥＬ素子に流れる電流量の変化を抑え、輝度表示のバラつきを抑えること及び、駆動回路の周波数特性を補うことを課題とする。 - 特許庁

The prescribed voltage VTG is set so that bit line potential difference after amplification is assumed to VDL and voltage of the control signal when a current of 1 μm is made to flow in a transistor used in the transfer gate is assumed to VT and 1/5×VDL+VT≤VTG≤1/2×VDL+VT is satisfied.例文帳に追加

所定の電圧ＶＴＧは、増幅後のビット線電位差をＶＤＬ、トランスファーゲートに使用されるトランジスタに１μｍの電流が流れるときの制御信号の電圧をＶＴとして、１／５×ＶＤＬ＋ＶＴ≦ＶＴＧ≦１／２×ＶＤＬ＋ＶＴ、となるようにする。 - 特許庁

A depression type FET 2 to which a voltage lower than the constant voltage Vdd by a threshold voltage or more is supplied to the gate is connected between the second node P2 and a third node P3, and the control signal fc is guided to both terminals of a current path of the FET2 by using resistors R7, R3, R6.例文帳に追加

第２のノードＰ２と第３のノードＰ３の相互間に一定電圧Ｖｄｄより閾値電圧分以上低い電圧がゲートに供給されたデプレション型のＦＥＴ２を接続し、抵抗Ｒ７、Ｒ３、Ｒ６によりＦＥＴ２の電流通路の両端に制御信号ｆｃを導いている。 - 特許庁

While wiring patterns among solar cell modules M1 to M4 which are arrayed longitudinally and laterally are switched by gate units G1 to G12, an open-circuit voltage and a short-circuit current of the whole solar cell array are measured, and a characteristic calculating means calculates output characteristics of the individual solar cell modules based on the above measured voltage and circuit.例文帳に追加

縦横に配列された太陽電池モジュールＭ１〜Ｍ４間の配線パターンを、ゲートユニットＧ１〜Ｇ１２で切換えつつ太陽電池アレイ全体の開放電圧と短絡電流を測定し、これに基づいて特性算出手段で個々の太陽電池モジュールの出力特性を算出する。 - 特許庁

In an active drive multi-pixel indicating device which retains a driving current by a capacitor between gate sources of a transistor connected in series to a light emitting element, the control signal or the components for each pixels are reduced by the employment of an MIM (Metal Insulator Metal) element or a transistor with a high threshold voltage or the constitution of a circuit.例文帳に追加

発光素子に直列に接続するトランジスタのゲート・ソース間のコンデンサで駆動電流を保持するアクティブ駆動の多画素表示装置において、ＭＩＭ素子やスレッシュ電圧の高いトランジスタの使用や、回路構成により、画素毎の制御信号や部品を削減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit equipped with a protective circuit which meets flexibly a design specification and is high in reliability, by a method wherein the protective circuit is kept high in ESD resistance by keeping a gate electrode low in resistance, restraining an ESD current from concentrating locally on a certain point, and keeping high in thermal conductivity.例文帳に追加

ゲート電極の低抵抗化を損なわず、ＥＳＤ電流の局部集中回避と優れた熱伝導特性によって高ＥＳＤ耐性を確保することで、設計基準に柔軟で且つ高信頼性を有する保護回路を備えた半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To prevent leakage current of a semiconductor device by using a film which consists of a refractory metal, an alloy consisting of a refractory metal, silicide of a refractory metal, and a nitride of a Ti, Ta, W, and Ti-W alloy in a contact barrier layer, a gate electrode, or the like, for obtaining the semiconductor device with high reliability.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

The current controller 301 comprises proportional/integral controllers 303, 307, and transformation matrixes 304, 309, 310 and the modulating section 311 outputting a gate signal by modulating an input voltage by spatial vector pulse width modulation system comprises a limiter 311a or limiting the selecting range of voltage vector due to overmodulation.例文帳に追加

これにより、電動機の運転中の過度状態に対応するための対応電圧を選択する際、従来とは異なって電動機の動特性を考慮したベクトル過変調方法により選択するので、電動機の運転に必要な最適の電圧を選択しうる。 - 特許庁

A current Ids is passed in this state from driving potential wiring Vcr through a resistor R1 to the driving TFT: Q10 by a potential applied to an input terminal Pr and the gate-source voltage Vgs of the driving TFT: Q10 of this time is stored in the capacitor C3.例文帳に追加

この状態で入力端子Ｐｒに与えた電位により抵抗Ｒ１を介して駆動電位配線Ｖｃｒから駆動用ＴＦＴ：Ｑ１０に電流Ｉｄｓを流し、このときの駆動用ＴＦＴ：Ｑ１０のゲート・ソース間電圧ＶｇｓをコンデンサＣ３に記憶する。 - 特許庁

Since a feedback signal being outputted from the middle point of resistors R3 and R4 has an L level when the load 10 is short-circuited and the L level is inputted to the gate terminal of the FET 22, the FET 22 is turned off and the power MOSFET 21 is also turned off thus interrupting the driving current to the load 10.例文帳に追加

負荷１０が短絡した時、抵抗Ｒ３および抵抗Ｒ４の中点から出力されるフィードバック信号がＬレベルとなって、ＦＥＴ２２のゲート端子に入力されるので、ＦＥＴ２２がオフとなり、パワーＭＯＳＦＥＴ２１もオフとなり、負荷１０への駆動電流は遮断される。 - 特許庁

For a stack type nonvolatile memory 20 for storing electric charges in a floating gate and storing a logic state by a characteristic observation tool 31, voltage current characteristics when a stored electric charge amount is a prescribed value are observed and the characteristics are displayed at a graph display part 35 as a first graph [1].例文帳に追加

フローティングゲートに電荷を蓄積して論理状態の記憶を行うスタック型不揮発性メモリ２０について、特性実測ツール３１により、蓄積電荷量が所定値のときの電圧電流特性を実測し、この特性を第１グラフ[1]としてグラフ表示部３５に表示する。 - 特許庁

Following relation is set among cell well voltage Vsub, gate voltage Vg, source voltage Vs, and drain voltage Vd; Vsub≥Vg>Vs>Vd, so that Vg-Vd becomes larger than a potential difference generated by the tunnel current between bands, and Vsub-Vd becomes equal to or larger than the barrier potential of a tunnel insulating film.例文帳に追加

セルウェル電圧Ｖｓｕｂ、ゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓ、ドレイン電圧Ｖｄの関係をＶｓｕｂ≧Ｖｇ＞Ｖｓ＞Ｖｄとし、Ｖｇ−Ｖｄがバント間トンネル電流の発生電位差以上となり、且つ、Ｖｓｕｂ−Ｖｄがトンネル絶縁膜の障壁電位と比べてほぼ同等以上となるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a power source impedance of a switch circuit for use in control of a leak current reduction circuit can be reduced without increasing a gate width of the switch circuit, even when the switch circuit is always in the on state in the case that a transistor has been manufactured with a rather high threshold voltage.例文帳に追加

トランジスタのしきい電圧が高めに仕上がった場合に、リーク電流低減回路の制御に用いられるスイッチ回路を常にオン状態としても、当該スイッチ回路のゲート幅を大きくすることなく電源インピーダンスを低減することを可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

The application of the reverse direction bias is performed by only changing a counter electrode and the increase in the breakdown strength of a TFT caused by a voltage rise of a gate signal line driving circuit that is the problem while greatly changing current supply lines and an increase in power consumption are suppressed.例文帳に追加

また、逆方向バイアスの印加は、対向電極のみを変化させることで行い、電流供給線を大きく変化させる際に問題となるゲート信号線駆動回路の電圧上昇によるＴＦＴの耐圧、消費電力の増大を抑えることが出来る。 - 特許庁

Fluctuation of the voltage at the power source noise measuring point which is a power source noise generates fluctuation of the voltage between the gate and the source of the MOS transistor, and the ON/OFF state of the MOS transistor or fluctuation of a drain current value generated by the fluctuation is observed, to thereby measure the power source noise.例文帳に追加

電源ノイズである電源ノイズ測定点の電圧の変動が、ＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間電圧の変動となり、その変動が起こすＭＯＳトランジスタのＯＮ／ＯＦＦ状態もしくはドレイン電流値の変動を観測することで、電源ノイズを測定する。 - 特許庁

Then the occurrence of an overcurrent to the IC 1 is monitored by means of a current detecting resistor 4 and an overcurrent detecting circuit 5, and when an overcurrent occurs, the power switch 8 is turned off by means of a switch control section 6 and the gates 9 and 10 are set to the second state by means of a gate control section 11.例文帳に追加

そして、電流検出用抵抗４および過電流検出回路５によりＩＣ１への過電流の発生を監視し、過電流が発生した場合にスイッチ制御部６が電源スイッチ８をＯＦＦするとともに、ゲート制御部１１がゲート部９，１０を第２状態とする。 - 特許庁

The additional decrease of the off currents of the TFTs 10 for pixels, the additional increase of the on currents of the TFTs 20 and 30 for driving circuits, the assurance of the on current and gate capacity balances of the TFTs 20 and 30 for driving circuits, etc., are achieved in addition to the effects of the LDD structures.例文帳に追加

ＬＤＤ構造による効果に加えて、画素用ＴＦＴ１０のオフ電流の一層の低減と、駆動回路用ＴＦＴ２０，３０のオン電流の一層の増大、駆動回路用ＴＦＴ２０，３０のオン電流やゲート容量バランスの確保などを達成できる。 - 特許庁

The capacitance value of the hold capacitor is determined on the basis of the gate capacitance value of the correcting transistor and the amount of the charge flowing into the hold capacitor during the voltage variation of a pulse voltage line is appropriately set, whereby the effect of the variation in the threshold value of the driving TFT on the driving current can be effectively reduced.例文帳に追加

保持容量の容量値を補正トランジスタのゲート容量値に基づいて決定し、パルス電圧ラインの電圧変化の際に保持容量に流れ込む電荷量を適切に設定し、駆動ＴＦＴのしきい値変動の駆動電流への影響を効果的に減少できる。 - 特許庁

When the eccentric amount of the displacement sensor 33 differs from the eccentric amount of the pin 32, the displacement sensor 33 is determined as failure, an inhibiting signal 47a is outputted from a displacement sensor failure detecting part 47 to a gate driving circuit part 45 to stop current supply to the DC motor 27.例文帳に追加

そして、変位センサ３３の偏心量とピン３２の偏心量が異なるときに、変位センサ３３に故障が生じたと判断し、変位センサ故障検出部４７から禁止信号４７ａをゲート駆動回路部４５に出力し、直流モータ２７への電流の供給を停止する。 - 特許庁

Thus, the voltage of a node N21 is controlled (when the gate voltage of the NMOS 43 is increased, the voltage between the drain electrode and the source electrode is decreased, and the voltage of the node N21 is decreased), and when the NMOS 42 is turned off, the starting circuit 40 and the reference current source 30 are disconnected.例文帳に追加

これにより、ノードＮ２１の電圧が制御（ＮＭＯＳ４３のゲート電圧が高くなると、ドレイン電極・ソース電極間電圧が下がってノードＮ２１の電圧が下がる。）し、ＮＭＯＳ４２がオフすることで、起動回路４０と基準電流源３０を切り離す。 - 特許庁

A sensing resistor 3 for sensing an output current is provided to the source of the output MOSFET 2, a protection circuit IC 4 is activated to short-circuit between the gate and the source of the MOSFET 2 at the moment when the high potential side of the sensing resistor 3 reaches a prescribed potential.例文帳に追加

出力用のＭＯＳＦＥＴ２のソース側に出力電流を検出するための検出抵抗３を設け、検出抵抗３の高電位側が所定の電位に達した瞬間に、保護回路ＩＣ４を動作させてＭＯＳＦＥＴ２のゲート−ソース間を所定時間だけ短絡させる。 - 特許庁

If gate resistance 3 is made sufficiently low in such a state, the collector current of the switching element 9 decreases very quickly, so that a turn-off loss of the switching element 9 is made very small, and a rate of voltage rise is suppressed to be a certain value by an operation of the snubber circuit.例文帳に追加

そこでゲート抵抗３を十分小さくしておけば、スイッチング素子９のコレクタ電流は非常に急速に減少するので、スイッチング素子９のターンオフ損失は非常に小さくすることが可能になり、スナバ回路の作用によって電圧上昇率はある一定の値に抑えることができる。 - 特許庁

Therefore, silicon oxide is used, in place of a bulk of silicon dioxide, which is usually used as the material for the formation of a gate dielectric layer, and a semiconductor device capable of reducing leakage current is provided, while an input FET capacitance is made to increase.例文帳に追加

よって、ゲート誘電体層形成の材料として従来使用されていた二酸化シリコン製バルクの代替材料として酸化シリコンを用いることにより、入力ＦＥＴキャパシタンスを増加させながら、リーク電流を減らすことを可能とする半導体デバイスを提供することを特徴とする。 - 特許庁

There is provided a method of calculating a mobility of an inversion layer formed in a transistor, wherein the mobility in the inversion layer is calculated depending on a change in a measured value of a drain current when a gate voltage of the transistor is changed.例文帳に追加

トランジスタに形成される反転層の移動度を計算する方法であって、反転層内における移動度を、トランジスタのゲート電圧を変化させたときにおけるドレイン電流の測定値の変化に応じて計算することを特徴とする移動度の計算方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the voltage between the gate G and drain D of the field-effect transistor Q1 becomes the same AC potential, therefore no current is generated through the stray capacitance, and the input impedance of the field-effect transistor Q1 can be made high in the same way as the case that the feedback capacitor is used.例文帳に追加

これにより、電界効果トランジスタＱ１のゲートＧとドレインＤとの電位が交流的に同一になり、この間の浮遊容量を通じての電流が生じず、帰還コンデンサを用いていた場合と同様にして、電界効果トランジスタＱ１の入力インピーダンスが高められる。 - 特許庁

The photodetecting TFT 18 flows current from the power source to one end of storage capacitor 12 according to emitted light intensity of an EL element 16, changes an amount of charges to be accumulated in the storage capacitor 12 and performs correction control of gate potential of the drive transistor 14 from potential according to a data signal.例文帳に追加

受光ＴＦＴ１８は、ＥＬ素子１６の発光光強度に応じて電源から保持容量１２の一端に電流を流し、保持容量１２に蓄積する電荷量を変化させ、駆動トランジスタ１４のゲート電位をデータ信号に応じた電位から補正制御する。 - 特許庁