「growing region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The carbon-containing region, while not limited, includes a step of injecting carbon or carbon-containing species, or a step of growing an epitaxial carbon-containing layer on a semiconductor substrate, with or without an epitaxial cap layer thereon.例文帳に追加

炭素含有領域は、ウエハにおける炭素又は炭素含有種を注入するステップ又は上にあるエピタキシャルキャップ層を有する、又は有しない半導体基体上にエピタキシャル炭素含有層を成長するステップを含むがこれに限定されない。 - 特許庁

In the next process, an epitaxial growth layer 22 is formed by epitaxial-growing the Si layer on the surface of the Si layer 11a that has been exposed, and a source-drain region 23 is formed at an epitaxial growth layer 22.例文帳に追加

次いで、露出されたＳｉ層１１ａの表面上に、Ｓｉ層をエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層２２を形成するとともに、エピタキシャル成長層２２にソース・ドレイン領域２３を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same, capable of growing a GaN-based semiconductor region with excellent reproducibility for filling a trench, in a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device utilizing the GaN-based semiconductor material having a trench structure.例文帳に追加

トレンチ構造を有するＧａＮ系の半導体材料を利用する半導体装置とその製造方法であって、トレンチを充填するＧａＮ系の半導体領域を再現性よく成長させることができる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first energy beam LSR is irradiated only to a region where a TFT constituting a high performance circuit is placed on a precursor semiconductor film PCF on the insulator substrate GLS having an undercoat insulation layer UCL formed to turn crystal grains polycrystalline while laterally growing.例文帳に追加

アンダーコート用絶縁層ＵＣＬを形成した絶縁体基板ＧＬＳ上の前駆半導体膜ＰＣＦに対し、高性能な回路を構成するＴＦＴが配置される領域のみに第一のエネルギービームＬＳＲを照射して結晶粒を横方向成長させながら多結晶化する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning substrate by which an edge cut width can be freely set, native oxide in a circuit forming region on the surface of the substrate can be prevented from growing and wiring materials of copper or the like adhered on the back side of the substrate can be surely removed.例文帳に追加

基板表面の回路形成部における自然酸化膜の成長を防止しつつ、基板の周縁部、更には裏面側に付着した銅等の配線材料を確実に除去でき、しかもエッジカット幅を自由に設定できるようにした基板洗浄方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of depositing an antireflection film 17 made of a silicon nitride film on an overall surface of the substrate 1 by a vapor phase growing method, and coating an upper surface of the gate of the transistor, on both side faces and a polycrystal silicon film 10 on a second active region 5.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜からなる反射防止膜１７を気相成長法によりＰ型シリコン基板１全面に堆積し、メモリトランジスタのゲートの上面および両側面と第２活性領域５上の多結晶シリコン膜１０上を覆う。 - 特許庁

To enable reduction of crystal defect of a conventional strain- relaxation buffer layer and a burden on a growing device in III-V compound semiconductor epitaxial wafer having an operative region where a substrate crystal and a grating constant are different equal to or greater than 0.15%.例文帳に追加

基板結晶と格子定数が０．１５％以上異なる動作領域を持つIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、従来の歪緩和バッファ層の結晶の欠点と、成長装置の負担を低減することを可能とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the polygonal semiconductor ring laser comprises steps of growing an n-type AlGaAs clad layer 11, an active layer region 12, an AlAs-current constriction layer 13, and a p-type AlGaAs clad layer 14 on an n-type GaAs substrate in Fig. (a); and patterning a first resist 1 thereon, in a shape of an optical waveguide.例文帳に追加

（ａ）において、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、活性層領域１２、ＡｌＡｓ電流狭窄層１３と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を成長させ、その上に第一のレジスト１を光導波路の形状にパターニングする。 - 特許庁

In this regard, an opening 14a is made in the region of the mask pattern 25 and the wall face of the opening 14a is inclining about 60° of angle β with respect to the substrate surface because of face orientation dependency of GaN growing speed.例文帳に追加

このとき、電流狭窄層１４には、マスクパターン２５の領域に開口部１４ａが形成され、該開口部１４ａの壁面の基板面はＧａＮの成長速度の面方位依存性により、基板面に対する傾斜角βの値はほぼ６０°となる。 - 特許庁

The method for growing a fruit tree 1 producing fruits (mangos 4) comprises setting up a plurality of stages of flat first nets having meshes each smaller than a matured fruit in a height direction of the mango tree 1 so as to range from the periphery of the trunk of the mango tree 1 to the crosswise region of the mango tree 1.例文帳に追加

果実（マンゴー４）が生る果樹（マンゴーの木１）の育成方法において、マンゴーの木１の高さ方向に、マンゴーの木１の幹の周囲からマンゴーの木１の幅方向の範囲に渡り、完熟状態の果実よりも網目が小さい平面状の第１のネットを複数段配置する。 - 特許庁

To present a method for growing a light emitting element structure in a selective region on a substrate, and variously changing the shape of a nitride semiconductor layer selectively grown in this manner, and to provide a vertical type light emitting device which realizes an optical high extraction efficiency by using such a structure, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上の選択的な領域で発光素子構造を成長させ、このように選択的に成長された窒化物半導体層の形状を多様に変化させる方法を提示し、かかるな構造を用いて高い光抽出効率を実現できる垂直型発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a depilation device equipped with a plurality of depilation units having a rotating plucking means and configured to revolve around a rotation shaft, capable of being retained in such a state as giving little sense of stimulation and capable of improving the depilation efficiency as compared with a conventional device in a region where hairs growing in different directions are present.例文帳に追加

自転を行う引き抜き手段を備えた複数の脱毛ユニットが回転軸を中心に公転するよう設けられた脱毛装置において、刺激感は少ない状態に維持するとともに、生える方向が異なる毛が存在する部位において従来に比較して脱毛効率を上げる。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises a step for cutting away or grooving a part of the peripheral region 15 of an SiC substrate 1, and a step for growing the SiC single crystal on the surface of the substrate which has been cut away or grooved as the seed substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の周縁領域１５の一部を切除または溝切りする工程と、切除または溝切り後の基板を種基板としてこの種基板の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させる工程とを含むＳｉＣ単結晶の製造方法である。 - 特許庁

Further, a buffer layer 21 made of AlN is formed in a region where the protective film 14 is not formed, on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal, and a semiconductor layer 22 comprising a GaN crystal having a film thickness of 3 μm is formed on the buffer layer 21.例文帳に追加

また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a second conductivity type semiconductor region 12 in a part of the surface layer of a first conductivity type semiconductor 11 and growing an epitaxial growth layer 13 of a first conductivity type, second conductivity type or intrinsic semiconductor thereon.例文帳に追加

第１導電型半導体１１の表層の一部に第２導電型の半導体領域１２を形成し、それらの上に、第１，第２導電型または真性の半導体からなる結晶成長層１３を結晶成長させる工程を含む。 - 特許庁

With the growing East Asian economy becoming mainly a battlefield for competition among global corporations, it will be necessary for Japanese corporations to create an optimum management structure that will facilitate the maximum benefit being derived from the merits inherent in East Asia, including those from the standpoint of the greater East Asian market, while diversifying their view to make the most of the East Asian region.例文帳に追加

成長する東アジア経済が世界企業競争の主戦場となる中、今後、日本企業は東アジアの活用の視点を一層多様化し、東アジア大の市場としての観点も含め、メリットを最大限享受し得る最適な経営体制の構築が必要である。 - 経済産業省

However, with the growing East Asian economy becoming the main battlefield for competition among global corporations,it is necessary for Japanese companies to create an optimum management structure that will facilitate the maximum benefit being derived from the merits inherent in East Asia, including those from the standpoint of looking at the East Asian market as a whole, while diversifying their view to make the most of the East Asian region.例文帳に追加

しかしながら、成長する東アジアが世界企業競争の主戦場となる中、今後、日本企業は東アジアの活用の視点を一層多様化し、東アジア大の市場としての観点も含め、メリットを最大限享受し得る最適な経営体制の構築が必要である。 - 経済産業省

Cleaner and more energy efficient transportation can help to reduce energy use, oil imports and carbon emissions in our transport networks, in our rapidly growing urban areas, in the movement of goods and people both within and between our economies, and in air travel across the region. 例文帳に追加

よりクリーンでエネルギー効率的な輸送は、交通ネットワーク、急速に成長する APEC の都市地域、エコノミー内とエコノミー間のモノとヒトの移動、及び地域をまたぐ航空輸送におけるエネルギー使用、石油輸入、及び炭素排出の削減に貢献しうる。 - 経済産業省

Cleaner and more energy efficient transportation can help to reduce energy use, oil imports and carbon emissions in our transport networks, in our rapidly growing urban areas, in the movement of goods and people both within and between our economies, and in air travel across the region. 例文帳に追加

よりクリーンでエネルギー効率的な輸送は、交通ネットワーク、急速に成長するAPEC の都市地域、エコノミー内とエコノミー間のモノとヒトの移動、及び地域をまたぐ航空輸送におけるエネルギー使用、石油輸入、及び炭素排出の削減に貢献しうる。 - 経済産業省

We endorsed the launch of the APEC Travel Facilitation Initiative to work over the long-term towards expediting the flow of growing numbers of travelers in the Asia-Pacific region and facilitating departures and arrivals for international passengers, while ensuring the security of the overall travel system. 例文帳に追加

我々は，あらゆる旅行システムの安全を確保しつつ，アジア太平洋地域における旅行者増大の流れを促進し，国際的な旅客の出発及び到着を円滑化することにむけ，長期にわたる作業を行うための旅行円滑化イニシアティブの立ち上げを承認した。 - 経済産業省

It is important that clusters’ functions be effectively utilized as a part of each region’s armory of regional resources, and the benefits of clustering that can still contribute to SME growth need to be identified through analysis of the activities of enterprises located in clusters that are achieving growing profits. 例文帳に追加

その「地域資源」の1つとして集積機能の有効活用は重要であり、集積内において業績を伸ばしている企業の取組の分析を通じ、今なお中小企業の成長のために活用できる集積のメリットを明らかにしていくことが求められる。 - 経済産業省

To reduce a working time at the dicing step of dividing a semiconductor device by growing cracks along a planned dividing line starting from a reformed region after inducing multiple photon absorption by setting a laser light-condensing point within the semiconductor device to form the reformed region within the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の内部にレーザ光の集光点を合わせることで多光子吸収を引き起こし、半導体装置の内部に改質領域を形成した後、改質領域を起点として分割予定ラインに沿って亀裂を成長させて半導体装置を分割するダイシング工程において、加工時間を短縮すること。 - 特許庁

To provide a silicon semiconductor substrate exhibiting excellent electric characteristics and having high gettering power by reducing not only grown-in defect in crystal but also oxygen deposit remaining in the OSF region and becoming the nucleus of OSF growth while growing the crystal under growth conditions becoming the OSF region, and to provide its production process.例文帳に追加

結晶をＯＳＦ領域となる育成条件で育成したうえで、結晶中のグロウンイン欠陥を低減するのみならず、ＯＳＦ領域に残存していたＯＳＦ成長の核となる酸素析出物をも低下させ、電気特性に優れ、かつ高いゲッタリング能を持つシリコン半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step for growing a silicon containing film of Si, SiGe or the like, not only immediately above a region where a semiconductor material of Si, SiGe or the like is exposed but also above a region where SiO_2, SiN or the like is exposed while extruding Si laterally.例文帳に追加

ＳｉまたはＳｉＧｅ等の半導体材料が露出している領域直上のみにＳｉやＳｉＧｅ等のシリコン含有膜を選択成長させるのではなく、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等が露出している領域上にもＳｉを横方向にせり出させて成長させる成膜工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

(1) The dislocation concentrated region 24 has a V-shape by forming an inclined plane composed of facet planes 23 on both sides of a bottom which is a dense dislocation region of a stripe-state, becomes a stripe-state by growing the nitride while the inclined plane of the facet planes 23 is maintained so as to concentrate crystal defects, and further becomes various states.例文帳に追加

（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセット面２３から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面２３の斜面を維持させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させることで、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域２４。 - 特許庁

The photomask 1 for transferring a mask pattern on a substrate, by having a mask pattern forming region 4 irradiated with ultraviolet rays 10, is provided with an evaluation pattern 12 having recesses 15-17 forming the same kind of growth substance as the contamination growing by the ultraviolet rays in the mask pattern formation region 4, on at least any one face from among a mask pattern formation surface 8 and its backside 9.例文帳に追加

マスクパターン形成領域４に紫外線１０を照射して、当該マスクパターンを基板に転写するフォトマスク１において、マスクパターン形成面８及びその裏面９のうち、少なくともいずれか１つの面に、マスクパターン形成領域４で紫外線により成長する異物と同種の成長性物質が形成された窪み１５〜１７を有する評価パターン１２を設ける。 - 特許庁

A method for manufacturing the coil for a charged particle beam apparatus is characterized by forming a metal layer on a substrate for an electrode, then applying resist of 0.1 mm or thicker, removing the resist of the region on which the coil should be formed, by lithography, and growing metal on the region in which the resist has been removed, by electrocasting.例文帳に追加

荷電粒子線装置用のコイルの製造方法であり、基板上に電極用の金属層を形成し、その後、厚さが0.1mm以上のレジストを塗布し、コイルを形成すべき領域のレジストをリソグラフィーにより除去し、レジストが除去された領域に電鋳によって金属を成長させることを特徴とするコイルの製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of laser beam machining of a workpiece in a short time and with a high resolution, by generating ablation plasma on the surface of the workpiece, producing a stress deformation region inside the workpiece, and thereby growing a crack in that region using a shock wave from the plasma.例文帳に追加

加工対象物の表面にアブレーション・プラズマを、加工対象物内部に応力ひずみ領域を発生させ、プラズマから発生する衝撃波を利用して、応力ひずみ領域内にクラックを成長させることで、短時間かつ高い分解能で加工対象物をレーザ加工する方法を提供すること。 - 特許庁

The APEC region recognizes the importance of the safe and secure uses of peaceful nuclear energy, and its potential in diversifying our energy mix, meeting the growing energy demand, and in reducing greenhouse gas emissions in the region despite the tragic accident at the Fukushima Daiichi Nuclear Power Station in March 2011.例文帳に追加

2011 年 3 月の福島第一原子力発電所の悲劇的な事故にもかかわらず、ＡＰＥＣ地域は平和的原子力エネルギーの安全かつ確実な利用の重要性と、地域におけるエネルギーミックスを多様化し、増大するエネルギー需要を満たし、温室効果ガスの排出を削減する可能性を認識している。 - 経済産業省

The characteristics of East Asia’s ratio of intra-regional trade by class of product probably reflect the fact that since the latter half of the 1980s, a mutual supply system for intermediate goods has rapidly developed in East Asia. It also reflects the fact that although a mutual supply system for finished goods has been developing in East Asia, exports to countries outside the region are larger. And for raw materials, amid a healthy economy, there is a growing dependency on procurement from outside the region.例文帳に追加

東アジアのこうした財別域内貿易比率の特徴は、1980 年代後半以降東アジアで中間財の相互供給体制が急速に発展したこと、最終財の相互供給体制は発展しつつあるものの、それ以上に域外輸出が大きいこと、素材については好調な経済の下で域外からの調達への依存を高めていることを反映しているものと考えられる。 - 経済産業省

Amid the growing presence of China and other emerging economies, there are increasing capital flows especially between the United States and the Asia-Pacific region. Inflows from the region to the United States are greater than they were before the crisis (2007Q2), while flows from the latter to the former increased more than twofold and threefold in the third and fourth quarter of 2010, respectively. Flows between the United States and other regions also recovered, except in the case of the Middle East and Africa.例文帳に追加

特に、中国はじめ新興国の存在感が高まる中、アジア・太平洋地域との資金の流れが強まっており、同地域から米国への資金流入が危機発生前（2007年第2四半期）を上回る一方、米国から同地域への資金の流れも、2010年第3四半期には危機発生前の2倍強、他の地域についても、中東アフリカを除いて回復した。 - 経済産業省

Quota reform is a strategically important issue with global implications to improve the governance structure of the IMF, enabling it to play an effective role in the global economy.At the same time, in Asia, where so many emerging market economies are growing rapidly, quota reform has its own meaning in regaining and strengthening the IMF’s relevance and credibility in this region during the post-crisis years. 例文帳に追加

クォータ配分の見直しは、IMFが国際社会に有効な役割を果たし続け得るガバナンス構造を目指すというグローバルな戦略的重要性のある課題ですが、高い成長を続ける新興市場国の多いここアジアにおいては、アジア通貨危機をきっかけに生じたアジア諸国とIMFとの心理的距離の克服というもう一つの意義があります。 - 財務省

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a protective fence having a simple structure, excellent in handleability, when installed or removed, and capable of protecting a submarine organism growing in a protecting region from a submarine inhabitant preying on the submarine organism at a low cost more effectively than ever, and to provide a method for protecting the submarine organism using the protective fence.例文帳に追加

構造が簡単で設置時や撤去時等における取扱い性にも優れていて、保護領域内で成育する海底生物を、該海底生物を捕食する海底棲息動物から、低コストにてより効果的に防護することが可能な防護フェンス、および、その防護フェンスを用いた海底生物の防護方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device having a silicon carbide (SiC) film includes: a step of growing the silicon carbide film on a substrate; and a step of forming a groove on the silicon carbide film around a region where crystal defects are congregated so as to prevent spread of the crystal defects formed on the silicon carbide film.例文帳に追加

本発明は、炭化珪素(ＳｉＣ)膜を有する半導体装置の製造方法において、基板上に炭化珪素膜を成長させる工程と；前記炭化珪素膜に形成された結晶欠陥が広がらないように、結晶欠陥が集約された領域の周囲の前記炭化珪素膜上に溝を形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a nonmagnetic garnet single crystal having a large lattice constant and excellent crystallinity, transparent in the wavelength region used by an optical communication, and suitable as the substrate for growing a magnetooptic crystal by an LPE method, and further to obtain a magnetic garnet LPE single crystal film by using the nonmagnetic garnet single crystal, capable of enlarging a Faraday rotational capacity by substituting a large amount of Bi.例文帳に追加

格子定数が大きく、結晶性が良好で、光通信で使用される波長域で透明であり、ＬＰＥ法による磁気光学結晶の育成用の基板として好適な非磁性ガーネット単結晶、及びそれを用いて、Ｂｉを多量置換してファラデー回転能を大きくできる磁性ガーネットＬＰＥ単結晶膜を得る。 - 特許庁

A raw material 2 for sublimation is arranged adjacent to a silicon carbide substrate 4 to form a region for growing a silicon carbide single crystal between the raw material 2 for sublimation and the silicon carbide substrate 4, and then a silicon carbide single crystal is grown on the silicon carbide substrate 4 by forming a sublimation atmosphere by electron-bombardment heating a crucible 10 from the side where the raw material 2 for sublimation is stored.例文帳に追加

昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。 - 特許庁

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

This single crystal pulling-up method is characterized in that the time required for passing the temperature region of 1,150-1,050°C is regulated to more than 50 min and/or that of 1,050-950°C is regulated to less than 40 min in a process for pulling up the single crystal while growing from a nitrogen- doped silicon raw material melted liquid.例文帳に追加

(1) 窒素がドープされたシリコン原料融液から単結晶を成長させながら引上げる方法であって、前記単結晶の引上げ過程で1150〜1050℃の温度領域の通過時間を50分以上、または／および1050〜 950℃の温度領域の通過時間を40分以下とすることを特徴とする単結晶の引上げ方法である。 - 特許庁

According to the semiconductor laser manufacturing method, by forming a first film-forming step of selectively growing semiconductor layers to form a ridge 110 of the semiconductor laser on a ridge forming region A, formed by a first mask layer forming step, the ridge 110 can be formed with high accuracy.例文帳に追加

本発明による半導体レーザの製造法によれば、第１マスク層形成工程において形成されたリッジ形成領域Ａに、第１成膜工程において各半導体層を選択成長することで半導体レーザのリッジ部１１０を形成するため、リッジ部１１０を高い寸法精度で形成することができる。 - 特許庁

The Asia-Pacific Partnership on Clean Development and Climate (APP) is a regional partnership among the following 6 countries: Japan, Australia, China, India, Republic of Korea, and the U.S. It was established in July 2005 with aim of addressing the issues of a growing energy demand and energy security and climate change in the Asia Pacific region; further, it was intended to complement the Kyoto Protocol.例文帳に追加

「クリーン開発と気候に関するアジア太平洋パートナーシップ」（以下、「APP」）は、2005年7月、日本、豪州、中国、インド、韓国、米国の6か国が、アジア太平洋地域において、増大するエネルギー需要、エネルギー安全保障、気候変動問題へ対処することを目的として立ち上げられた、京都議定書を補完する地域協力のパートナーシップである。 - 経済産業省

The purpose of this chapter is twofold: 1) to examine the functions performed by industrial clusters to date and how they have changed amid the growing international division of labor and market globalization; and 2) to analyze what are the present functions of industrial clusters and how they can be used in the future to secure enterprises’ competitive advantage in each region. 例文帳に追加

本章では、〔1〕産業集積がこれまで果たしてきた機能と、国際分業の進展、市場のグローバル化が進行する中で産業集積の持つ機能がどのように変容してきたのかを確認し、〔2〕各地域における企業の競争優位を獲得するために産業集積が現在も持つ機能は何か、それをどのように活用していくかについて分析していくことにする。 - 経済産業省

Japanese companies expanding into the East Asian region, which is growing remarkably as a production base and consumer market, are expected to acquire new products, services and business models by adapting to diverse markets unlike Japan’s and utilize new production processes developed by adapting to different production environments.例文帳に追加

特に、生産基地・消費市場として成長著しい東アジア地域に展開している我が国企業が、我が国とは異なる市場、多様なマーケットへの対応を通じた新たな商品・サービス、ビジネスモデルの獲得や、異なる生産環境への対応を通じた新たな生産プロセスの活用など様々なイノベーションが期待される。 - 経済産業省

In the northern region of Vietnam, there is currently a shortage of fundamental generating capacity and there are concerns about power shortages occurring over the next several years. Despite improvement measures, such as strengthening the capacity of thermoelectric power stations and expanding transmission line networks, no basic solution exists yet to meet rapidly growing electric power demand.例文帳に追加

北部ベトナムでは、電力不足が今後数年間にわたり懸念されているなど絶対的な発電能力については現在も不足しており、火力発電所の能力増強や送電線網の拡充など改善策はみられるものの、今後も大幅に拡大すると見込まれる電力需要に対する根本的な解決には至っていない。 - 経済産業省