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layer substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 39496



例文

In the semiconductor device comprising a semiconductor element, wiring for inputting/outputting signals, and a heat dissipating plate, the heat dissipating plate is made of a composite material of Cu and at least one kind of particles of Cu2O, Al2O3 and SiO2 and a metal layer bonded to an insulating substrate or the semiconductor element is bonded directly to the heat dissipating plate.例文帳に追加

半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はCuとCu_2O,Al_2O_3及びSiO_2の少なくとも1種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。 - 特許庁

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.例文帳に追加

オリエンターチャンバ55にエリプソメータが配設され、成膜,アニール,エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域(アモルファス層)の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁

The record eraser 14 comprises a heater 32 disposed at position Xo for discoloring the reversible thermal recording layer 3, and a heater substrate 33 disposed on the upstream side in the carrying direction of the heater 32 with respect to the carrying direction of the recording medium 1 and preheating the recording medium 1 using the heater 32 as a heat source.例文帳に追加

そして、前記記録消去装置14を、可逆性感熱記録層3を消色する記録消去位置Xoに設けられた加熱ヒータ32と、記録媒体1の搬送方向に対し加熱ヒータ32の搬送方向上流側に配設されると共に、この加熱ヒータ32を熱源として記録媒体1に予備加熱を行なうヒータ基板33とを設ける。 - 特許庁

Also, a high frequency circuit element 2 is mounted on one grounding conductor on the outermost side of a multilayer substrate 1, a power source/control circuit element 3 is mounted on a position facing the high frequency circuit element on the other grounding conductor, and the power source/control circuits are intensively arranged inside the layer of the dielectric at a part held between the two elements.例文帳に追加

また、多層基板1の最も外側にある一方の接地導体上に高周波回路素子2を実装し、他方の接地導体上には高周波回路素子と対向した位置に電源・制御回路素子3を実装し、これら2つの素子に挟まれた部位の誘電体の層内に、電源・制御回路を集中して配置する。 - 特許庁

例文

The flame-retardant adhesive tape is obtained by providing at least one side of a substrate with an adhesive layer composed of a flame-retardant adhesive composition prepared by adding 20-300 parts by mass of a phosphoric acid ester-based flame retardant and a nitrogen-containing phosphate compound-based flame retardant to 100 parts by mass of an adhesive base polymer without intentionally adding a halogen compound and an antimony compound.例文帳に追加

基材の少なくとも片面に、粘着剤ベースポリマー100質量部に対して、ハロゲン化合物及びアンチモン化合物いずれをも意図的に添加せず、リン酸エステル系難燃剤と窒素含有リン酸塩化合物系難燃剤20〜300質量部を添加した難燃性粘着剤組成物からなる粘着剤層を設けてなる難燃性粘着テープ。 - 特許庁


例文

In a counter substrate 20 of the transflective liquid crystal device 100, a color filter 241 for transmissive display which is thin and has a wide chromaticity region is formed on a transmissive display region 100c of the lower layer side of a counter electrode 21, and a color filter 242 for reflective display which is thick and has a narrow chromaticity region is formed on a reflective display region 100b.例文帳に追加

半透過反射型液晶装置100の対向基板10では、対向電極21の下層側のうち、透過表示領域100cには薄くて色度域の広い透過表示用カラーフィルタ241を形成し、反射表示領域100bには厚くて色度域の狭い反射表示用カラーフィルタ242を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a glazed substrate in which a glazed layer 2 is formed on a ceramic base 1 and in addition, a resist film 3 with a specified pattern is formed thereon and after an etching treatment, the resist film 3 is removed, by spraying sodium bicarbonate particles with a particle diameter of at most 250 μm with at least a pressurized liquid from a nozzle 5.例文帳に追加

セラミック基板1上にグレーズ層2を形成し、さらにその上に所定パターンのレジスト膜3を形成して、エッチング処理後にレジスト膜3を除去するグレーズ基板の製造方法において、ノズル5から粒子径が250μm以下の炭酸水素ナトリウム粒子を少なくとも加圧液体と共に吹付けてレジスト膜3を除去する。 - 特許庁

The adhesive tape for protecting an electrode plate, which includes an adhesive layer at least one side of a substrate, has a piercing resistance of 300 gf mm or more and a heat shrinkage ratio of 1.0% or less in both of TD (width) direction and MD (length) direction when heat is applied at 260 °C for 1 hour.例文帳に追加

本発明の極板保護用粘着テープは、基材の少なくとも一方の面に粘着剤層を有する極板保護用粘着テープであって、突き刺し耐性が300gf・mm以上であり、且つ、260℃、1時間加熱した際の収縮率が、TD(巾)方向収縮率、MD(長さ)方向収縮率共に、1.0%以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a curable composition excellent in coating properties and capable of forming on the surface of various substrates a coating film having a high hardness and a high refractive index and excellent in scratch resistance as well as in adhesion to a substrate and a low-refractive-index layer, a cured product thereof and a laminate having a low reflectance and excellent in chemical resistance.例文帳に追加

優れた塗工性を有し、かつ各種基材の表面に、高硬度及び高屈折率を有するとともに耐擦傷性並びに基材及び低屈折率層との密着性に優れた塗膜(被膜)を形成し得る硬化性組成物、その硬化物、並びに低反射率を有するとともに耐薬品性に優れた積層体を提供する。 - 特許庁

例文

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜3は、半導体基板1から離隔しつつソース層6側の端からチャネル領域2上方まで区画された第1領域3aとこの第1領域3a以外の第2領域3bとを有し、第1領域3a内の金属元素の原子濃度が、第2領域3b内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

例文

A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加

素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板5裏面の少なくともリッジ形状のストライプ201の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜202が形成されてなる。 - 特許庁

The thickness of a film material for use in a recording layer oriented to BCA data or close to the inner periphery of the storage medium in the vicinity thereof is formed in uniform thickness by using a substrate of the storage medium formed by being sucked by means of sucking mechanisms 71 and 72 formed in an arc shape so as to integrate two of the sucking mechanisms adjacent to each other.例文帳に追加

この発明は、BCAデータ向けあるいはその近傍の記憶媒体の内周寄りの記録層に用いられる膜材料の厚みが、互いに隣接する2つを一体化するように、円弧状とした吸着機構71,72により吸引されて形成された記憶媒体の基材を用いることにより均一な厚みに形成される。 - 特許庁

In the thermal recording body provided with a thermal recording layer comprising a colorless or light-colored leuco dye, a coloring agent and a conservation stabilizer on a substrate, the conservation stabilizer is characterized by comprising 4-benzyloxy-4'-(2-methyl-glyciloxy)diphenyl sulfone and 1,1,3-tris(2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl)butane.例文帳に追加

支持体上に、無色ないしは淡色のロイコ染料、呈色剤および保存安定剤を含有する感熱記録層を設けた感熱記録体において、保存安定剤が4−ベンジルオキシ−4’−(2−メチル−グリシジルオキシ)ジフェニルスルホン及び1,1,3−トリス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)ブタンであることを特徴とする。 - 特許庁

To enable properly adjusting front luminance of colored light each emitted from each luminescent layer provided in a surface luminescent element, in a surface emitter equipped with a surface luminescent element in which the light emitting surface of a translucent substrate to emit light is provided and luminescent layers to emit light having a plurality of different wavelengths are provided on the opposite side surface.例文帳に追加

光を出射する透光性基板の出射面と反対側の面に異なった複数の波長の発光を行う発光層が設けられた面発光素子を備えた面発光体において、面発光素子に設けられた各発光層から発光される各色彩の光の正面輝度を適切に調整できるようにする。 - 特許庁

This display device including a display area 90c which has a reflection area 90a and a transmission area 90b, has a projecting insulating film 11 formed on an area of a glass substrate 1 corresponding to the reflection area 90a and the alignment layer 15 formed covering the projecting insulating film 11.例文帳に追加

この表示装置は、反射領域90aと透過領域90bとを有する表示領域90cを含む表示装置であって、ガラス基板1の反射領域90aに対応する領域上に形成された凸状の絶縁膜11と、凸状の絶縁膜11を覆うように形成された配向膜15とを備えている。 - 特許庁

On a substrate whose normal direction of a principal surface is inclined by 15° toward a crystal orientation [111]A direction with respect to a crystal orientation [100] direction, a plurality of semiconductor layers including a resonator structural body including an active layer, and a lower semiconductor DBR and an upper semiconductor DBR sandwiching the resonator structural body are stacked.例文帳に追加

主面の法線方向が、結晶方位[1 0 0]方向に対して、結晶方位[1 1 1]A方向に向かって15度傾斜している基板上に、活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体DBR及び上部半導体DBRを含む複数の半導体層が積層されている。 - 特許庁

To provide a photo-curing sheet which can be favorably used for manufacturing a formed article excellent in designing performance and is excellent in an abrasion resistance, weather resistance and chemical resistance while having a good adhesiveness between a photo-curing composition layer and a substrate sheet, a non-sticky surface and an excellent processability and storage stability, and a formed article using the sheet.例文帳に追加

意匠性の良好な成形品の製造に有利に用いることのできる、耐磨耗性、耐候性および耐薬品性に優れ、かつ、光硬化性樹脂組成物の層と基材シートとの密着性が良好であり、表面粘着性がなく、加工性および保存安定性に優れた光硬化性シートおよびそのシートを用いた成形品を提供すること。 - 特許庁

In the heat-sensitive recording material provided with a heat- sensitive color developing layer ordinarily containing a colorless or light-colored color developing compound and a developing compound which can develop the color of the color developing compound under heating as main ingredients on a substrate, the heat-sensitive recording material is characterized by incorporating 2,5-dimethyl resorcinol as the developing compound.例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を主要成分として含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、該顕色性化合物として2,5−ジメチルレゾルシンを含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

To provide a cylindrical core body capable of easily extracting a resin film formed on a surface of the core body, a method for regenerating it and a manufacturing method of an endless belt made by using the cylindrical core body, in manufacturing the endless belt using a cylindrical core body provided with a heat-resistant resin layer formed on the surface of a metallic substrate.例文帳に追加

金属製基体の表面に耐熱性樹脂層を設けた円筒状芯体を用いた無端ベルトの製造にあたり、芯体の表面に形成する樹脂皮膜の抜き取りを容易に行うことができる円筒状芯体及びその再生方法、並びに該円筒状芯体を用いた無端ベルトの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermally resistant sliding member for a thrust bearing which can be inexpensively manufactured by forming an intermediate layer with a chemical conversion treatment method to reduce the coat, forms a chemical conversion treatment film, and a resin film containing a thermoplastic resin and a solid lubricant on an iron substrate, and can withstand a high temperature of 200°C or higher.例文帳に追加

コスト低減のために中間層を化成処理方法により形成せしめて、低コストで製造することができる、鉄基材上に、化成処理皮膜、並びに熱硬化性樹脂及び固体潤滑剤を含む樹脂皮膜を形成してなり、200℃以上の高温に耐え得る高耐熱性のスラスト軸受用摺動部材を提供すること - 特許庁

In a ceramic multilayer substrate consisting of a laminate 33 having a surface electrode 30 on the main surface thereof, constraint layers 26 are formed inside the laminate 33 one on top of another as viewed from a laminated direction of the laminate 33, the area of the main surface of each constraint layer 26 being twice or less that of the surface electrode 30.例文帳に追加

表面電極30を主面に備えた積層体33からなるセラミック多層基板において、表面電極30に対して、積層体33の積層方向から見て重なるように積層体33の内部に拘束層26が形成されており、拘束層26の主面の面積は、表面電極30の主面の面積の2倍以下である。 - 特許庁

To provide an ultraviolet-curing composition excellent in adherence to a polymer including an alicyclic structure, preservation stability and capable of coating to an optical disk free from arching and a molded article having a coating layer comprising a hardened material of the composition and a method for coating an optical disk substrate comprising a polymer including the alicyclic structure using the composition.例文帳に追加

脂環構造含有重合体との密着性、及び保存安定性に優れ、光ディスク基板を被覆しても反りを生じさせない紫外線硬化性組成物、該硬化性組成物の硬化物からなるコート層を有する成形体、及び該組成物を用いて脂環構造含有重合体からなる光ディスク基板をコートする方法を提供すること。 - 特許庁

This method has a process in which an insulating film 4 containing an organic siloxane as a main component and an organic component having no chemical bonding with the organic siloxane is formed on a semiconductor substrate 1; and a process in which plasma treatment is applied to the insulation film 4 to remove the organic component, and to form a modified layer 5 on the surface of the insulating film 4.例文帳に追加

半導体基材1上に有機シロキサンを主成分としこの有機シロキサンと化学結合のない有機成分を含む絶縁膜4を形成する工程と、この絶縁膜4にプラズマ処理を行うことによって有機成分を除去するとともに絶縁膜4の表面に改質層5を形成する工程とを有する。 - 特許庁

When a hydrogen radical is discharged from a nozzle 25e at a stage where all via holes are formed at necessary places on a substrate W by a laser drill main body 13, the hydrogen radical reduces the bottoms of the respective via holes, so the top surface of a metal conductive layer of Cu, etc., oxidized by desmearing in drill machining is reduced and purified to form a metal surface.例文帳に追加

レーザドリル本体13によって基板W上の必要箇所にすべてのビアホールを形成した段階で、ノズル25eから水素ラジカルを吐出させると、水素ラジカルが各ビアホールの底部を還元するので、ドリル加工中のデスミヤに際して酸化されたCu等の金属導電層の表面を還元・純化して、金属表面とすることができる。 - 特許庁

A mark for controlling a manufacturing process is given to a region where no laser beams for laser scribing for each layer are applied of a peripheral region of a surface opposite to a surface where a light transmission substrate is formed, or a side surface, the mark is read in succeeding manufacturing processes, the read mark is utilized, and each manufacturing process is controlled.例文帳に追加

透光性基板の成膜される面とは反対側の面の周縁領域または側面の、各層に対するレーザースクライブのためのレーザー光が照射されない領域に、製造工程の管理のためのマークを付し、以後の各製造工程において、前記マークを読取り、読取られたマークを利用して各製造工程の管理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The film having the cured hard coated layer is obtained by preparing the photosensitive resin composition for the hard-coating agent and coating and curing the composition on a plastic film substrate, wherein the composition includes (A) a compound having at least two ethylenically unsaturated groups in a molecule, (B) a polymer having10,000 weight-average molecular weight and (C) a photopolymerization initiator.例文帳に追加

分子中に少なくとも2つ以上のエチレン性不飽和基を有する化合物(A)と重量平均分子量1万以上の高分子化合物(B)と光重合開始剤(C)を含有するハードコート剤用感光性樹脂組成物を調製し、これをプラスチックフィルム基材上に塗布、硬化しハ−ドコ−ト層つきのフイルムを得る。 - 特許庁

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources.例文帳に追加

Ga原子、As原子及びEr原子を分子線源とし、(001)面方位GaAs基板2上、または(001)面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Er原子をGaAs結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。 - 特許庁

The above problem is solved by heat sink equipment for providing electrical insulating properties to an integrally shielded electronic circuit, comprising a substrate having a first hole extending between first and second surfaces, a conductive layer attached to the second surface, an electrically and thermally conductive heat sink attached to the first surface and having a protrusion.例文帳に追加

上記課題は、第一及び第二の面間に延びる第一の穴を有する基板と、第二の面に取り付けられた導電層と、第一の面に取り付けられた、突起を有する電気的及び熱的に伝導性のヒートシンクとを含む、一体的にシールドされた電子回路に電気絶縁性を提供するヒートシンク装置により解決される。 - 特許庁

This surface protecting sheet, used in grinding the rear surface of the semiconductor wafer, has on one surface of a substrate sheet an opening portion having a diameter smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer to be pasted and having no thermoplastic adhesive formed thereon, and a pasting portion including a thermoplastic adhesive layer surrounding the opening portion.例文帳に追加

本発明の表面保護用シートは、半導体ウエハの裏面研削を行う際に用いる表面保護用シートであって、基材シートの片面に、貼付する半導体ウエハの外径よりも小径の熱可塑性接着剤が形成されていない開口部と、該開口部を囲繞する熱可塑性接着剤層を含む貼着部とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The thin-film transistor 100 includes, as indicated in Fig.1, a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114, an etching stopper film 115, heavily doped amorphous silicon layers 116 and 117, a drain electrode 118, a source electrode 119, and lightly doped semiconductor layers 120 and 121.例文帳に追加

薄膜トランジスタ100は、図1に示すように、基板11と、ゲート電極112と、ゲート絶縁膜113と、半導体層(チャンネル領域)114と、エッチングストッパ膜115と、高濃度不純物含有アモルファスシリコン層116,117と、ドレイン電極118と、ソース電極119と、低濃度不純物含有半導体層120,121を備える。 - 特許庁

To provide a coating apparatus for forming a thick film which can remarkably decrease the mixing of bubbles at the time of applying a thick film paste to a substrate and can form a prescribed shape on the surface without cost increase or increasing the number of processes if necessary and is suitable for applying the thick film paste for forming a dielectric layer and an electrode of a plasma display panel.例文帳に追加

基板上に厚膜ペーストを塗布する際、気泡の混入を大幅に低減し、必要に応じて、コストアップ、工程増加を伴わずに表面に所定の形状を形成することが可能であり、プラズマディスプレイパネルの誘電体層や電極を形成する厚膜ペーストの塗布を実現できる厚膜塗布装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic part excellent in connection reliability, its manufacturing method, and electronic part package by, when an electronic part is mounted on a wiring board by soldering, solving such problem that a crack occurs at a solder layer, etc., under the stress caused by difference in thermal expansion factor between an interposer substrate and wiring board for degraded connection reliability.例文帳に追加

電子部品を配線基板にはんだ付けにより実装する場合、インターポーザー基板と配線基板との熱膨張係数の差による応力によってはんだ層等にクラックが発生し、接続信頼性が低下するという課題を解決し、接続信頼性に優れた電子部品とその製造方法および電子部品実装体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The heat sensitive recording body, prominent in resistance to light and provided on a substrate with a heat sensitive recording layer, containing a no-color or light-color basic inorganic dye and an organic developer as the principal constituents of the same, comprises titanium dioxide whose surface is treated by at least one kind of substance selected from silica, alumina and zirconia.例文帳に追加

支持体上に無色ないし淡色の塩基性無色染料と有機顕色剤とを主成分として含有する感熱記録層を設けた感熱記録体において、シリカ、アルミナ及びジルコニアから選ばれる少なくとも一種で表面処理した二酸化チタンを含有することを特徴とする、耐光性に優れた感熱記録体。 - 特許庁

The electropgptpgraphic photoreceptor is provided on a conducitve substrate with a charge generating layer containing the bisazo compound represented by formula I as the charge generating material and compound represented by formula II in an amount of 100 nmol-40 mmol, preferably, 500 nmol-20 mmol per 1 mol of the bisazo compound.例文帳に追加

導電性基体上に電荷発生物質として下記構造式(1)に示すビスアゾ化合物を含む感光層を有する電子写真用感光体において、感光層が前記ビスアゾ化合物1molに対して100nmol以上40mmol以下,好ましくは500nmol以上20mmol以下の量で下記構造式(2)に示す化合物を含有している感光体とする。 - 特許庁

At the time of laminating a plurality of layers on a semi- insulation substrate and forming a mesa region and the other regions by mesa etching, by selectively stopping the regions other than the mesa region to be etched at the layer of a slow etching speed, a level difference between a mesa step upper part and a mesa step lower part is suppressed and disconnection and narrowing of the gate electrode are prevented.例文帳に追加

半絶縁性基板上に複数の層を積層して、メサエッチングによってメサ領域とメサ領域以外の領域とを形成するときに、エッチングされるメサ領域以外の領域がエッチング速度の遅い層で選択停止することにより、メサ段差上部とメサ段差下部との段差を抑えてゲート電極の断線と狭小化を防止する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層41,42と素子分離領域12との境界が内部に露出する接続孔(コンタクトホール47)を備えた半導体装置において、コンタクトホール47の内面に露出するシリコン基板11表面を被覆する高融点金属層(チタン膜48)が5nm以上11nm以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

Pulse-laser beams containing at least two laser pulses are projected to a region in which impurities are injected, under conditions in which the surface layer of the semiconductor substrate is not melted, and conditions in which a delay time goes down to 1,000 ns or less until second laser pulses are projected after first laser pulses are projected, thus activating injected impurities.例文帳に追加

不純物の注入された領域に、半導体基板の表層部が溶融しない条件で、かつ、1番目のレーザパルスの入射から2番目のレーザパルスの入射までの遅延時間が1000ns以下となる条件で、少なくとも2つのレーザパルスを含むパルスレーザビームを入射させ、注入されている不純物を活性化させる。 - 特許庁

To balance adhesion strength between disks to be laminated and a pressure- sensitive adhesive and stability against shock and vibration by controlling the thickness of the inner circumference part of a substrate and outer circumference part including a recording part and thickness of an adhesive layer to each specified range.例文帳に追加

リング形状のスタンパを用いて射出成形法により、ディスク形状の透明プラスチックからなる一対の基板を成形し、少なくとも一方の基板上には記録層を設けた上で、記録層を内側にして一対の基板を貼り合わせて構成する光記録媒体の製造方法において、貼り合わせた媒体の平面性向上を目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device according to this embodiment has a first wiring 5 formed on a substrate 1; a second wiring 16 formed on an upper layer of the first wiring 5 and disposed with an air gap 20 interposed between itself and the first wiring 5; and a carbon nano-tube 11 formed in the air gap 20 and used to connect the first wiring 5 to the second wiring 16.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体装置は、基板1上に形成された第1配線5と、第1配線5の上層に形成され、第1配線5との間にエアギャップ20を介在させて配置された第2配線16と、エアギャップ20内に形成され、第1配線5と第2配線16とを接続するカーボンナノチューブ11とを有する。 - 特許庁

To improve the performance of metal foil with a resin having a resin layer on one side surface of the foil (e.g. copper foil) to be used to manufacture a build-up multilayer circuit substrate by using a thermosetting resin having excellent dielectric characteristics (low relative permittivity, low dielectric loss), high heat resistance, a low thermal expansion coefficient, and excellent processability in a B-stage state.例文帳に追加

ビルドアップ多層配線板の製造に用いる、金属箔 (例、銅箔) の片面に樹脂層を有する樹脂付き金属箔の性能を、誘電体特性に優れ(低比誘電率、低誘電損失)、高い耐熱性、低い熱膨張係数を有するとともに、Bステージ状態での加工性にも優れた、熱硬化性樹脂を用いることにより改善する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) for forming a semiconductor element on a semiconductor substrate, a step (b) for depositing an SiC:H film by repeating growth and stopping growth two times or more under a low pressure atmosphere, and a step (c) for forming an insulating cap layer on the SiC film or the SiC:H film.例文帳に追加

(a)半導体基板に半導体素子を形成する工程と、(b)SiC:H膜の成膜方法は、成長、成長停止を繰り返して、減圧雰囲気下で2回以上に分割してSiC:H膜を成膜する工程と、(c)前記SiC膜またはSiC:H膜上に絶縁キャップ層を成膜する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

On a vibrating plate 4 arranged to cover a pressure generation chamber 2 formed in a channel substrate 1, a lower electrode 5, a piezoelectric layer 6 and an upper electrode 7 are laid in layers sequentially to form a piezolectric actuator section 8, and the upper electrode 7 and the lower electrode 5 are led out to a wiring joint 9 and connected with a wiring board supplying a drive signal.例文帳に追加

流路基板1に形成された圧力発生室2を覆うように配設された振動板4上に、下電極5、圧電層6、上電極7を順次積層して圧電アクチュエータ部8を形成し、上電極7および下電極5を配線接続部9まで引き出して、駆動信号を供給する配線基板に接続する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring substrate which is electromagnetically superior and also superior in heat dissipation and has via holes with high connection reliability, by controlling the thickness of a second insulating layer on the wiring patterns, while taking into account the area ratio of the second insulating layers for buring wiring patterns and all the wiring patterns having a signal pattern and a dummy pattern, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

配線パターンを埋め込むための第2の絶縁層と、シグナルパターンとダミーパターンとを有する配線パターン全ての面積率を考慮し、配線パターン上の第2の絶縁層の厚みを制御することで電磁気的・放熱的に優れ、かつ高い接続信頼性を有するビアホールを備えた多層配線基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A substrate 1 is provided with pixels 300 arranged in a two-dimensional shape, a first connection electrode 10 formed at the periphery of the pixels 300, and lead-out wirings Lsig1001 to Lsig1200, Lg1001 to Lg1200 which are formed below the first connection electrode 10 via an insulating layer 3 and connect the first connection electrode 10 with the respective pixels 300.例文帳に追加

基板1に、二次元状に配列された画素300と、画素300の周辺に形成された第1の接続電極10と、第1の接続電極10の下に絶縁層3を介して形成された第1の接続電極10と各画素300とを接続する引き出し配線Lsig1001〜Lsig1200,Lg1001〜Lg1200とを備える。 - 特許庁

The acoustic reflection layers 21 to 26 each comprise an (a) epitaxial conductive material formed alternately on the substrate 12, at least one of first layers 21, 23, 25 whose acoustic impedance is relatively high; and (b) the other epitaxial conductive material, and besides including an at least one of second layer 22, 24, 26 whose acoustic impedance is relatively low.例文帳に追加

音響反射層21〜26は、基板12の上に交互に形成された、(a)エピタキシャルの導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に高い、少なくとも一つの第1層21,23,25と、(b)エピタキシャルの他の導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に低い、少なくとも一つの第2層22,24,26とを含む。 - 特許庁

The method for forming a metal oxide film on the substrate in the reactor of atomic layer depositing equipment, using the plasma includes a step of feeding metal material compound into the reactor, a step of feeding oxygen gas into the reactor, and a step of producing oxygen plasma during a prescribed time inside the reactor.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

To configure a metal electrode from an inexpensive aluminum alloy rich in corrosion resistance, particularly in a dye-sensitized solar cell in which a photoelectric conversion layer is formed on a metal electrode to configure a negative electrode structure, and the negative electrode structure faces a transparent substrate and a positive electrode including a transparent electrode via an iodine-containing electrolyte solution.例文帳に追加

特に、金属電極上に光電変換層が形成されて負極構造体を構成し、この負極構造体が、ヨウ素を含む電解質溶液を介して透明基板及び透明電極を含む正極と対向してなる色素増感太陽電池において、金属電極を耐食性に富み、安価なアルミニウム合金から構成する。 - 特許庁

To provide a multilayered laminated body in which substrate internal stress is relaxed, thereby alleviating the warp after circuit forming and improving the product yield by suppressing a resin from releasing its stress through contraction after removing a copper foil of an outermost layer etching or the like, in a circuit forming process, and a resin which has lost the support of the copper foil.例文帳に追加

回路形成工程において、最外層の銅箔がエッチング等により除去され、銅箔の支えを失った樹脂が収縮することにより応力を開放しようとするのを抑制する、すなわち基板内部応力を緩和することで、回路成形後の反りを軽減し、製品歩留まりを向上できる多層積層体を提供する。 - 特許庁

例文

The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加

位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする1層以上の位相シフト膜と、1層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁




  
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