「layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(776ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal display device of the transflective type which reduces the occurrence of the alignment defect of the liquid crystal in the rubbing down section and has the satisfactory display grade is provided by improving the plane shape of the projection on a counter substrate side and by setting the boundary portion with the transmission region of the projection in a direction nearer the rubbing direction of the alignment layer.例文帳に追加

対極基板側の突起の平面形状を改善し、突起の透過領域との境界部分を配向膜のラビング方向に近い方向に設定することにより、ラビング擦り下げ部での液晶の配向不良発生を低減し、良好な表示品位を有する半透過型の液晶表示装置を提供することができる。 - 特許庁

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

When light from the backlight 32 is emitted to the lower surfaces of the black masks 23 used in common as reflection layers, reflected light thereof is transmitted through a counter substrate 22, a rear surface side polarizing plate 27 and a light guide plate 33 and reflected by a reflection layer 34, at least a portion of the reflected light contributes to display and light utilization efficiency can be improved.例文帳に追加

そして、バックライト３２からの光が反射層を兼ねたブラックマスク２３の下面に照射されると、その反射光が対向基板２２、裏面側偏光板２７および導光板３３を透過して反射層３４で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。 - 特許庁

When a wiring groove 8 and a contact hole 6 are formed on a substrate 1 with different depth using a dual damascene method, a first stopper film 9 is formed on the top layer of the film, and a second stopper film 4 is formed at such position as depth of the bottom part of the wiring groove 8, with formation of the wiring groove 8 performed in separate 2-stage processes.例文帳に追加

デュアルダマシン法を用いて、基板１上の膜に配線溝８及びコンタクトホール６をそれぞれ深さを異ならせて形成するにあたって、前記膜の最上層に第１のストッパー膜９を形成し、配線溝８の底部深さ位置に第２のストッパ膜４を形成し、配線溝８の形成を２段階の工程に分けて行う。 - 特許庁

An IC card 10 is provided with a polyester resin sheet 6 laminated on at least part of the surface of a card-form substrate provided with an IC module 4, and the polyester resin sheet 6 is provided at least on the surface side with a polyester resin-based polyester resin layer containing mold release agent of 0.01-5.0 wt.% with softening point of 50-140°C.例文帳に追加

ＩＣモジュール４を備えたカード状基体表面の少なくとも一部に、ポリエステル樹脂シート６を積層し、ポリエステル樹脂シート６が、少なくともその表面側に、軟化点が５０〜１４０℃であり、ポリエステル樹脂を主成分とし、離型剤を０．０１〜５．０質量％含有するポリエステル樹脂層を有するＩＣカード１０。 - 特許庁

The method for producing a color filter comprises: a stage where black matrixes are formed on a transparent substrate; a stage where a plurality of colored picture element layers having prescribed retardation are formed between the black matrixes by an ink jet process; and a stage where each phase difference control layer is formed on the plurality of colored picture element layers corresponding to the respective retardation by an ink jet process.例文帳に追加

透明基板上にブラックマトリックスを形成する工程、前記ブラックマトリックス間に、所定のリタデーションを有する複数の着色画素層を、インクジェット法により形成する工程、前記複数の着色画素層上にそれぞれのリタデーションに対応して、インクジェット法により、位相差制御層を形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

An ion exchanger has a monomolecular film or a bimolecular film as the outermost surface layer on its substrate, wherein the film is formed by arranging amphiphilic chain organic molecules, each of which has ion exchange groups at at least one end and hydrophobic parts other than the ion exchange group, by hydrophobic interaction between the hydrophobic parts.例文帳に追加

このイオン交換体は、その基体上に、その最表層として、少なくとも一端にイオン交換基を有し、且つ、該イオン交換基以外の部分に疎水部分を有する両親媒性鎖状有機分子が、該疎水部分同士による疎水性相互作用によって配列してなる単分子膜又は二分子膜を有するものである。 - 特許庁

In the non-contact type information recording medium formed by stacking an antenna coil and an IC connected to the antenna coil between a plurality of porous thermoplastic substrates, a thermoplastic adhesive layer which suppresses permeation of water and various kinds of ions is provided on an inside surface of a porous thermoplastic substrate in contact with the antenna.例文帳に追加

アンテナコイルとアンテナコイルに接続されたＩＣとが、複数の多孔質熱可塑性基材に挟まれて積層されてなる非接触情報記録体において、アンテナに接する多孔質熱可塑性基材の内側の面に水分および各種イオンの透過を抑制する熱可塑性接着剤層を設けることを特徴とするものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

(1) The organic thin film transistor has an organic semiconductor layer formed by an inkjet method configuring a source electrode, a drain electrode and a channel part between the source electrode and the drain electrode on a substrate.例文帳に追加

（１）基板上にソース電極、ドレイン電極、及びソース電極とドレイン電極の間のチャネル部を構成するインクジェット法で形成された有機半導体層を有し、前記チャネル部は、平面視において前記有機半導体層の輪郭の最大幅Ｒを与える線分の中点を含まず、チャネル長Ｌが、前記最大幅Ｒに対し「Ｌ＜Ｒ／２」を満たす有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The light absorption layer is heated by a laser beam which has passed through the openings of the mask, and the organic compound at a position overlapped with the heated region is vaporized, and accordingly, the organic compound is selectively deposited on the deposited substrate.例文帳に追加

光吸収層、及び有機化合物を含む材料層を形成した被照射基板と、第１の電極が設けられた被成膜基板とを向かい合わせて配置し、マスクの開口を通過したレーザビームが光吸収層を加熱することによって加熱された領域と重なる位置の有機化合物を蒸発させることで被成膜基板の面上に選択的に成膜を行う。 - 特許庁

In this case, the substrate is heated in a hydrogen-containing atmosphere, after the step of forming the interlayer insulating film and prior to the step of forming the metallic wiring in which the barrier metal layer contains titanium.例文帳に追加

シリコン基板上に、層間絶縁膜を形成する工程と、バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程有する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成する工程の後で、かつ前記バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程の前に、水素を含む雰囲気での熱処理を行うこととした。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device has processes of forming wiring 102 and 108 on the semiconductor device 100 formed a fixed circuit, forming a resin layer 112 whose surface is approximately flat, and processing the back surface of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置の製造方法であって，所定回路が形成された半導体基板１００表面上に配線１０２，１０８を形成する工程と，前記配線上に，その表面が略平坦な樹脂層１１２を形成する工程と，前記樹脂層１１２を形成した後，前記半導体基板１００の裏面を加工する工程と，を有する。 - 特許庁

The electrochromic display element is formed by laminating a plurality of structural units each having an electrochromic layer containing at least one or more electrochromic dyes and an electrolyte, at least one or more transparent thin film transistors, transparent pixel electrodes disposed in a matrix shape and a transparent counter electrode on a substrate.例文帳に追加

基板上に、少なくとも１種以上のエレクトロクロミック色素と電解質とを含むエレクトロクロミック層と、少なくとも１個以上の透明な薄膜トランジスタと、マトリクス状に配置された透明な画素電極と、透明な対向電極と、を有してなる構造単位を複数個積層してなることを特徴とするエレクトロクロミック表示素子。 - 特許庁

The optical compensation sheet has an optically anisotropic layer, formed from a liquid crystalline composition, comprising a rod-like liquid crystalline compound having polymerizable groups, a polymerizable compound and a photopolymerization initiator on a substrate, wherein the polymerizable compound has at least two polymerizable groups and at least two hydroxide groups per molecule.例文帳に追加

支持体上に、重合性基を有する棒状液晶性化合物、重合性化合物、および光重合開始剤を含む液晶性組成物から形成された光学異方性層を有する光学補償シートにおいて、該重合性化合物が１分子中に２個以上の重合性基および２個以上の水酸基を有する光学補償シート。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a nitride semiconductor formed on a hexagonal system SiC substrate, in which nitride semiconductor carrier depletion caused by spontaneous polarization and piezopolarization occurring on the interface between semiconductor layers is reduced to stabilize a drive voltage, and to allow a flat nitride semiconductor layer to grow.例文帳に追加

六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

In individual regions corresponding to pixels on a surface of an alignment layer constituting the substrate for aligning the liquid crystal used in a liquid crystal panel for display in the multidomain mode liquid crystal display device, a plurality of hydrophilic regions each with a two-dimensionally projected shape having at least an acute part are regularly formed.例文帳に追加

マルチドメイン方式の液晶表示装置の表示用液晶パネルに使用される液晶配向用基板を構成している配向膜の表面のうち、画素に対応する個々の領域内に、各々の平面視上の形状が少なくとも１つの尖鋭部を有する形状である複数の親水性領域を規則的に形成する。 - 特許庁

Insulation layers are formed among the patterned pixel electrodes on the substrate, and the hole transport layer is formed by printing hole transport ink prepared by dissolving or stably dispersing a hole transport material in a solvent on the pixel electrodes located among the insulation layers from projecting parts of a relief printing plate by a relief printing method.例文帳に追加

基板上のパターニングされた画素電極の間に絶縁層を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版の凸部から絶縁層の間にある画素電極に印刷し正孔輸送層を形成することにより、上記課題を解決することができた。 - 特許庁

In a first aspect, the method comprises: (a) applying a curable composition on a substrate; (b) applying a hard mask composition above the curable composition; (c) applying a photoresist composition layer above the hard mask composition wherein one or more of the compositions are removed in an ash-free process.例文帳に追加

第一の態様においては、（ａ）基体上に硬化性組成物を適用する工程、（ｂ）硬化性組成物上にハードマスク組成物を適用する工程、（ｃ）ハードマスク組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程を含む方法であって、アッシングを含まないプロセスにおいて一以上の組成物を除去する工程、を含む方法が提供される。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel capable of obtaining satisfactory reflection display characteristics and provided with a color filter substrate capable of adjusting reflectance of a reflection display region and chromaticity of reflection display light without changing a material of a colored layer and a photo mask, and to provide a liquid crystal display provided with the liquid crystal display panel.例文帳に追加

良好な反射表示特性を得ることができるとともに、着色層の材料やフォトマスクを変更することなく反射表示領域の反射率及び反射表示光の色度を調整することが可能なカラーフィルタ基板を備える液晶表示パネル、及び、上記液晶表示パネルを備える液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is a so called semi-transmission type liquid crystal display device comprising a pixel electrode constituting reflection electrodes 10, 11 reflecting external light and a transmissive electrode 9 transmitting light emitted from a rear light source in one pixel on one substrate of a pair of substrates arranged in an opposed manner and sandwiching a liquid crystal layer.例文帳に追加

本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極１０、１１と背面光源からの光を透過する透過電極９とを１画素内に構成する画素電極を備えた、いわゆる半透過型液晶表示装置に関する。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN single crystal substrate comprises an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 comprising a hexagonal GaN on a GaN single crystal being a seed crystal and a cutting step for cutting the formed ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which suppresses electric charging on an upper face of an embedded silicon oxide 2 acting as a capacitor dielectric between a substrate and a silicon layer configuring an element region when a high voltage is applied to a circuit element, decreases an on resistance of the element, and also dissipates heat generated in an element part efficiently.例文帳に追加

回路素子に高電圧を印加したときに、基板と素子領域を構成するシリコン層との間でコンデンサ誘電体の作用をする埋め込み酸化シリコン２の上面に電荷が蓄えられるのを抑制して、素子のオン抵抗を減少させると共に、素子部で発生した熱を効率よく放出することができる半導体デバイスを得る。 - 特許庁

The light diffraction structure transfer sheet 1 comprises a transfer layer 12 in which a light diffraction structure 12a with a first pattern is formed, laminated on a substrate sheet 10 and a pattern region 12b in which a second pattern different from the first pattern is formed, is built in the light diffraction structure 12a at a size as not visible with naked eyes.例文帳に追加

基材シート１０上に第１のパターンを有する光回折構造１２ａが形成された転写層１２が積層された光回折構造転写シート１であって、光回折構造１２ａには、前記第１のパターンと異なる第２のパターンが形成されたパターン領域１２ｂが肉眼では視認できない大きさで組込まれている。 - 特許庁

This electrophotographic photoreceptor is provided on a conductive substrate with a photosensitive layer formed by using the coating fluid prepared by dispersing the titanyloxyphthalocyanine having a maximum peak in Bragg angle (2θ±0.2°) of 27.2° to the X-rays of CuKα 1.541 Å, together with a styrene-butadiene copolymer resin into a solvent.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、ＣｕＫα１．５４１オングストロームのＸ線に対するブラッグ角（２θ±０．２°）が２７．２°に最大ピークを示すチタニルオキシフタロシアニンをスチレン−ブタジエン共重合樹脂とともに溶媒中で分散することにより作製された電子写真感光体製造用塗液を用いて感光層を形成する。 - 特許庁

The member is manufactured by attaching, as a bonding layer, a polyisocyanate polyaddition product composed of (1) a prepolymer constituted of an isocyanate and at least one phosphotriester, or (2) a mixture of the isocyanate and the phosphotriester (provided that among the three ester groups of the phosphotriester, at least one is a hydroxy-functional alkoxylate), to a thermoplastic polymer substrate.例文帳に追加

熱可塑性ポリマーの基材に、接着層として、（１）イソシアネートと少なくとも一つのリン酸トリエステルからなるプレポリマーあるいは、（２）イソシアネートとリン酸トリエステルとの混合物（但しリン酸トリエステルの三つのエステル基の少なくとも一つはヒドロキシ官能性アルコキシレートであるもの）からなるポリイソシアネート重付加生成物を付着させる。 - 特許庁

To reinforce adhesive force between organic polymer layers by performing cleaning and reforming of the surface of a lower side organic polymer layer without losing economical properties and productivity for the purpose of preventing a display defect caused by insufficient adhesive force between the organic polymer layers, in a method for manufacturing a color filter wherein the organic polymer layers are superposed on a substrate.例文帳に追加

基板上に有機高分子層を重ね合わせたカラーフィルタの製造方法において、有機高分子層間の密着力不足に起因する表示不良の発生を防止するために、下側有機高分子層表面の洗浄・改質を経済性・生産性を損なうことなく実施し、有機高分子層間の密着力を強化する。 - 特許庁

In this case, since formation of the capacitive element having the ferroelectric film on the lower electrode 8 is executed only by bonding the ferroelectric film 12 previously formed on the other substrate on the conductive adhesive layer 11, even if the processing temperature in forming the ferroelectric film 12 is comparatively high, the protective film 5 can be prevented from suffering thermal damage.例文帳に追加

この場合、下部電極８上への強誘電体膜を有する容量素子の形成は、導電性接着層１１の上面に予め別の基板に形成した強誘電体膜１２を接着するだけであるので、強誘電体膜１２を形成する際の処理温度が比較的高温であっても、保護膜５が熱的ダメージを受けることはない。 - 特許庁

To provide a water-dispersed pressure-sensitive adhesive composition having high adhesion to a glass substrate, and also having high thermal resistance and moisture resistance, a pressure-sensitive adhesive optical film provided with a pressure-sensitive adhesive layer comprising the water-dispersed pressure-sensitive adhesive composition, and a liquid crystal display to which the pressure-sensitive adhesive optical film is pasted.例文帳に追加

ガラス基板に対する高い接着性を有するとともに、高い耐熱性や耐湿性をも有する、水分散型粘着剤組成物、および、その水分散型粘着剤組成物からなる粘着剤層を備える粘着型光学フィルム、ならびに、その粘着型光学フィルムが貼着された液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium including at least the underlayer and the magnetic recording layer sequentially laminated on a nonmagnetic substrate, the underlayer is composed of crystal grains and an amorphous grain boundary and the crystal grain has a shape holding a relation (an area of a bottom region at an initial stage of growth)>(an area of a top region).例文帳に追加

非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.例文帳に追加

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第１工程と、前記プラズマチャンバーにＴｉを含んだソースガスを注入する第２工程と、前記プラズマチャンバーにＲＦプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第３工程とを備えることを特徴とするＰＣＶＤによるオーミック層形成方法。 - 特許庁

The gas-barrier film comprises at least one gas-barrier layer of an inorganic compound formed on a transparent, flexible support substrate, wherein the water vapor transmittance at 40°C and in relative humidity 90% of the film is 0.005 g/m^2/day or below, and the ultraviolet transmittance of wavelength 350 nm is 10% or below.例文帳に追加

透明な可撓性支持体基板上に少なくとも１層の無機化合物からなるガスバリア層が形成されたガスバリアフィルムであって、該フィルムの４０℃・相対湿度９０％における水蒸気透過率が０．００５ｇ／ｍ^2／ｄａｙ以下であり、且つ波長３５０ｎｍの紫外線の透過率が１０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the diagonal coordinate detection device, a single-layer face resistor and a resistive peripheral electrode surrounding the face resistor are arranged on the lower face of a rectangular glass substrate, and lead wires are arranged on the four vertexes of the resistive peripheral electrode to match the impedance of each of the lead wires along the lower face of the resistive peripheral electrode.例文帳に追加

長方形のガラス基板下面に一層の面抵抗体と該面抵抗体を取り囲む抵抗性周囲電極を配設し、該抵抗性周囲電極の４頂点に引き出し線を取り付け、該抵抗性周囲電極下面に沿って引き出し線の各々のインピーダンスを合わせたことを特徴とする対角方式座標検出装置。 - 特許庁

To provide an adhesive optical film with an adhesive layer arranged thereon to stick an optical film to a glass substrate of a liquid crystal panel, having excellent durability even under a condition such as heating and humidifying, bringing about little variation in dimensions of a base material forming the optical film and little failure caused by the adhesive.例文帳に追加

光学フィルムを液晶パネルのガラス基板に貼着するための粘着層が設けられた粘着型光学フィルムであって、加熱および加湿等の条件下においても耐久性が良好で、光学フィルムを形成する基材の寸法変化が少なく、粘着剤に起因する不具合が少ない粘着型光学フィルムを提供すること。 - 特許庁

The magnetization method of the servo pattern of a perpendicular recording discrete track medium using a master disk includes a step for transferring the servo signal composed of two magnetization groups whose directions are perpendicular to a substrate and opposed to each other to a servo region by using a magnetic field leaked from a soft magnetic layer provided on the master disk in a position corresponding to the servo pattern.例文帳に追加

マスターディスクを用いる垂直記録ディスクリートトラックメディアのサーボパターン磁化方法であって、マスターディスクにサーボパターンに対応する位置に設けられた軟磁性層からの漏れ磁界によって、サーボ領域に、基板に垂直で、かつ反対向きの２種の磁化の組からなるサーボ信号を転写する工程を含むことを特徴とするサーボパターン磁化方法。 - 特許庁

A method includes a step of depositing a layer of a semiconductor material on a substrate 56 by using vapor deposition in a first vapor deposition chamber 24, and a subsequent step of evacuating the first deposition chamber 24 to reduce vapor deposition source gases remaining in the first deposition chamber after the deposition growth and prior to opening the chamber 24.例文帳に追加

第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板５６上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。 - 特許庁

In the block copy sheet for lithography having an indented shape at least in one surface of the substrate of which the initial modulus is 350 kgf/mm2 or above, the indented shape is formed by an indented surface constituted of particles of particle diameters 1-100 μm and an integrated resin and by an overcoat layer provided thereon.例文帳に追加

初期弾性率が３５０ｋｇｆ／ｍｍ^2以上の支持体の少なくとも片面に凹凸形状を有する平版印刷用版下シートにおいて、該凹凸形状が、粒径１〜１００μｍの粒子と結着樹脂からなる凹凸面とその上に設けられたオーバーコート層からなることを特徴とする平版印刷用版下シート。 - 特許庁

In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域１において、この容量素子を被覆する第１層間絶縁膜８上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン２，２ａが形成される。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first wiring layer 20 disposed at a position closest to a semiconductor substrate 10 includes first source wiring 21 electrically connected to a source region 15 of a semiconductor element, first drain wiring 22 electrically connected to a drain region 12 of the semiconductor element, and a relay portion 23 electrically connected to a gate electrode 17.例文帳に追加

もっとも半導体基板１０側に位置する第１配線層２０は、半導体素子のソース領域１５に電気的に接続された第１ソース配線２１と、半導体素子のドレイン領域１２に電気的に接続された第１ドレイン配線２２と、ゲート電極１７に電気的に接続された中継部２３とを備えている。 - 特許庁

This packing material is characterized in that a substrate ink layer formed with ink containing titanium oxide pigment of 15 to 50 wt.%, resin binder of 5 to 50 wt.% and a solvent as a residual to whole 100 wt.% on an at least a part of the plastic film, and after that, a water-color ink receptor of hydrofilic polymer is provided on the surface.例文帳に追加

プラスチックフィルムの少なくとも一部に、酸化チタン顔料１５〜５０重量％、樹脂バインダー５〜５０重量％及び全体で１００重量％になる量の溶剤からなるインキにより下地インキ層を形成し、その表面に親水性ポリマーからなる水性インキ受容層を設けたことを特徴とするプラスチック包装材料。 - 特許庁

An input strip line 1 and an output strip line 2 are formed on a first conductor layer of a multilayer substrate, and an input open stab 9 and an output open stab 10 are formed which are disposed proximately while confronting their side surfaces and connected to another end of the input strip line 1 or the output strip line 2 each of which one end corresponds to each other.例文帳に追加

多層基板の第１導体層に入力ストリップライン１及び出力ストリップライン２を形成すると共に側面を対向させて近接配置され各々の一端が対応する入力ストリップライン１又は出力ストリップライン２の他端に接続された入力オープンスタブ９及び出力オープンスタブ１０を形成した。 - 特許庁

In a manufacturing method for the SOI high-voltage transistor 200, a control channel region 208 and an auxiliary channel region 210 adjacent to the control channel region 208 are formed in an Si upper layer 206 of an SOI substrate 201, and a control gate 220 is formed on the control channel region 208 and an auxiliary gate 222 on the auxiliary channel region 210.例文帳に追加

本発明に係るＳＯＩ高電圧トランジスタ２００の製造方法においては、ＳＯＩ基板２０１のＳｉ上部層２０６に、制御チャネル領域２０８及びこれに近接する補助チャネル領域２１０を形成し、制御チャネル領域２０８上に制御ゲート２２０と、補助チャネル領域２１０上に補助ゲート２２２とを形成する。 - 特許庁

The substrate 11 also comprises: on the other surface, a second electrode 15a as well as a second terminal 15d; second wiring 15b and 15c connecting the second electrode 15a and the second terminal 15d; a second insulation protection membrane 16 covering the second electrode 15a; and a second corrosion layer 17 arranged on the second insulation protection membrane 16.例文帳に追加

また、基板１１の他方の面上には、第２の電極１５ａ及び第２の端子１５ｄと、第２の電極１５ａと第２の端子１５ｄとの間を接続する第２の配線１５ｂ，１５ｃと、第２の電極１５ａを覆う第２の絶縁保護膜１６と、第２の絶縁保護膜１６上に配置された第２の腐食層１７とを有する。 - 特許庁