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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > on the biasの意味・解説 > on the biasに関連した英語例文

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on the biasの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1895



例文

In the fixing device, a fixing roll 1 and a press roll 2 are brought into a pressurized contact and the separating claw 3 is provided on a downstream side of a nip part N of both rolls, facing the fixing roll 1, a bias roll 4 facing the fixing roll 1 is provided in between the nip part N and the separating claw 3.例文帳に追加

定着ローラ1と加圧ローラ2を圧接させ、両ローラのニップ部N下流側に定着ローラ1に対向する分離爪3を設けた定着装置において、ニップ部Nと分離爪3の間に定着ローラ1と対向するバイアスローラ4を設けた。 - 特許庁

The radio transmitter includes a power amplifier and further includes a circuit for determining a relative distortion level in an output signal, comparing the relative distortion level with a reference distortion level and controlling a bias input of the power amplifier on the basis of the comparison.例文帳に追加

本無線送信機は電力増幅器を含み、更に、出力信号中の相対歪レベルを決定するための、この相対歪レベルを基準歪レベルと比較するための、そしてその比較に基づいて電力増幅器のバイアス入力を制御するための回路を含む。 - 特許庁

The section 21 generates pulse signals corresponding to the timing of laser light emission of a light power interval, an off-power interval, a bias power interval and a space power interval based on the signals from the section 20 and the clock signals.例文帳に追加

ストラテジ発生部21は、コントロール部20からの信号とクロック信号に基づいてライトパワー期間,オフパワー期間,バイアスパワー期間,スペースパワー期間のレーザ光発光のタイミングに応じたパルス信号を生成する。 - 特許庁

The shape memory coil spring 141 used is provided with characteristics that the coil spring is elongated when an ambient temperature is increased to a value exceeding a given temperature and torque higher than torque generated by the spring force of the bias spring 143 is exerted on the oscillation link 139.例文帳に追加

形状記憶コイルバネ141として、周囲温度が所定の温度以上になると伸長して、バイアスバネ143のバネ力によって与えられるトルクよりも大きなトルクを揺動リンク139に与える特性を有するものを用いる。 - 特許庁

例文

The DLTS measurement is performed, by grounding the rear surface side of the substrate 22 and applying a reverse bias voltage which changes in pulse to the Schottky electrode 23, to detect a signal based on a transit phenomenon occurring in a depletion layer 24 within the substrate 22.例文帳に追加

DLTS測定は、基板22の裏面側をグランドに接地して、ショットキー電極23にパルス状に変化する逆バイアス電圧を印加し、基板22中の空乏層24内に生じる過渡現象に基づく信号を検出することにより行われる。 - 特許庁


例文

If the light output level based on image signals exceeds the threshold value TH, the laser projector switches drive mode for laser light emission from emission of light having pulses to DC light emission to supply the current exceeding the bias current Ib into each of laser light sources.例文帳に追加

映像信号に基づく光出力レベルが閾値THを超えると、レーザプロジェクタは、レーザ発光の駆動モードをパルス発光からDC発光に切り換えて、バイアス電流値Ib以上の電流を各レーザ光源に供給するように構成されている。 - 特許庁

The diodes 31 and 32, are connected together through capacitors 12 and 13 that have impedance small enough for the operating frequencies to shut off a DC voltage, so as not to enable the reverse bias voltage given to each of the diodes 31 and 32 to have an influence on the other diode.例文帳に追加

またそれぞれのダイオードに加えられる逆バイアス電圧が他のダイオードに影響を与えないように、ダイオード31と32の間は、動作周波数に対し十分小さなインピーダンスのコンデンサ12、13で接続して直流電圧を遮断する。 - 特許庁

When a voltage is applied to be a reverse bias, the second semiconductor layer 4 is thin enough for a depletion layer 7 formed on an interface between a Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 to extend in the thickness of the second semiconductor layer 4 to reach the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層5と第2の半導体層4との界面で生じる空乏層7が第2の半導体層4の厚み方向に延びて第1の半導体層3に達する程度に第2の半導体層4は薄い厚みを有している。 - 特許庁

The image forming apparatus includes a toner adherence amount detection sensor SE1 for detecting an each color toner adherence amount on the intermediate transfer belt 31, a toner concentration detection sensor SE2 detecting the toner concentration in developer in an each color developing device 13, and a control part 50 controlling the developing bias voltage and the toner concentration.例文帳に追加

中間転写ベルト31上における各色のトナー付着量を検出するトナー付着量検出センサSE1と、各色の現像器13内での現像剤中のトナー濃度を検出するトナー濃度検出センサSE2と、現像バイアス電圧及びトナー濃度を制御する制御部50を備えている。 - 特許庁

例文

Further, an output terminal 20 of the amplifier circuit 11 is connected to an RF output terminal 16 provided on the surface of the package, and a bias input terminal 30 of the output detecting circuit 12 is also connected to the RF output terminal 16 via a second AC cut resistor 31.例文帳に追加

また、増幅回路11の出力端子20はパッケージ側面に設けられたRF出力端子16に接続されるとともに、出力検波回路12のバイアス入力端子30も、第2のACカット抵抗31を介してRF出力端子16に接続される。 - 特許庁

例文

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のRF電圧(バイアス)を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁

To solve a problem of possible bias in a composition where, for example, a subject is imaged as a small figure on the edge of a picture in the majority of images except for a few images in which he/she is in the center position, even if the number of images taken is the same among subjects in creating an album by using photographed images.例文帳に追加

撮影画像を用いてアルバムを構成する際、撮影枚数は同じでも、被写体によっては、中心位置における写真が数枚あるほかは画面の端ばかりで小さく写る画像のみばかりである等の構図上の偏りが起き得る。 - 特許庁

To efficiently and suitably restructure a meter reading job without bias in job amounts and work burdens among meter reading personnel on the basis of the geographical conditions and work burdens, etc., of meter reading locations when it is needed to restructure the meter reading job accompanying the increase or decrease of customers or the like.例文帳に追加

顧客の増減などに伴って、検針業務を再編する必要が生じた際に、検針場所の地理的条件や作業負担などに基づいて、検針員間の業務量や作業負担に偏りのない再編を、効率的かつ好適に行う。 - 特許庁

The magnetic brush is constituted by magnetically constraining magnetic particles on an electrifying sleeve surface including a magnet roller, and the magnetic brush is brought into contact with the surface of a photoreceptive drum 1, and voltage from an electrifying bias applying power source 2a is applied to an electrifying sleeve, so that the surface of the photoreceptive drum 1 is electrified.例文帳に追加

マグネットローラを内包する帯電スリーブ表面に、磁性粒子を磁気的に拘束して磁気ブラシを構成し、この磁気ブラシを感光ドラム1表面に接触させるとともに、帯電スリーブに帯電バイアス印加電源2aから電圧を印加して感光ドラム1表面を帯電する。 - 特許庁

An image forming apparatus allows a peripheral surface of a drive roller 3 to be subjected to alumite treatment, and increases bias voltage to be applied at the start-up of an intermediate transfer belt so as to improve electrostatic adsorption between the intermediate transfer belt 2 and the drive roller 3, and thereby prevents the intermediate transfer belt 2 from slipping on the driver roller 3.例文帳に追加

駆動ローラ3の周面をアルマイト処理すると共に、中間転写ベルトの起動時に印加するバイアス電圧を大きくして中間転写ベルト2及び駆動ローラ3間の静電吸着力を高め、これにより中間転写ベルト2及び駆動ローラ3間のスリップを防止する。 - 特許庁

At least a heater layer 2 and the protective coating layer 4 formed so as to protect and cover a part of the electrode layer 3 in the periphery of the heater layer 2 to form a laminated structure and one layer among those layers is formed on the support substrate 1 by a bias sputtering method (or a CVD method).例文帳に追加

支持基板1上において、少なくともヒータ層2とその周辺の電極層3の一部を保護被覆するように形成される保護被覆層4を積層構造とし、かつ、そのうちの一層をバイアススパッタ法(又はCVD法)で形成する。 - 特許庁

To provide an air conditioner which reduces the number of parts and wind loss by providing a vertical wind direction plate at either of air outlets divided into fore and aft on the lower face or in the middle of the air outlets so as to bias the wind direction.例文帳に追加

下面の前後に区画された吹出口の一方にのみ、もしくは同吹出口同志の中間位置に上下風向板を設けて風向を偏向することにより、部品点数を削減すると共に風損を低減できるようにした空気調和機を提供する。 - 特許庁

When a pulse bias voltage in the range of -1.5 V to -40 V having pulse width in the range of 15 ns to 6 μs is applied to the negative electrodes 18, formation of a gelatinous deposit and a low density blur on the surface of the negative electrodes 18 can be suppressed.例文帳に追加

パルス幅が15ナノ秒から6マイクロ秒のパルス幅であって、その電圧が−1.5ボルト〜−40ボルトのパルス状バイアス電圧を陰電極18に印加すると、更に、陰電極18の表面上のゼラチン状堆積物及び低濃度のにじみの形成を抑制することができる。 - 特許庁

The LVDS circuit is formed by providing a current-voltage converter circuit 3 converting a current outputted from the driver circuit 2 into a voltage and a bias circuit 5 controlling a current value outputted from the driver circuit 2 on the same chip and/or with the same process.例文帳に追加

ドライバ回路2から出力された電流を電圧に変換する電流−電圧変換回路3と、ドライバ回路2から出力される電流値の制御を行うバイアス回路5を同一チップ上に設けた及び/又は同一プロセスで形成されるようにした。 - 特許庁

To attain the highly accurate display of the remaining developer quantity which is desirable for a user by applying the partial voltage of a developing bias voltage on a remaining developer quantity detecting means provided with a pair of electrodes and detecting the remaining quantity of the developer over a wide range.例文帳に追加

現像バイアス電圧の分圧を電極対を有する現像剤残量検知手段に印加し、広範囲の現像剤残量を検出し、精度の高い、ユーザーにとってより好ましい現像剤残量の表示を行うことのできる現像装置、プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device capable of preventing the unevenness of image density caused by potential contrast on an intermediate transfer belt because of the direct application of separation bias without transfer-paper even in the case of using the intermediate transfer belt having a high resistance layer advantageous in terms of the prevention of transfer scattering.例文帳に追加

転写チリ防止の点で有利な高抵抗層を有する中間転写ベルトを用いた場合でも、転写紙を介さない分離バイアスの直接印加による中間転写ベルト上の電位コントラストに起因した画像濃度ムラを防止することができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

An auxiliary electrifying device is arranged between a transfer device and an electrifying device, so that toner remaining after transfer on a photoreceptive drum surface is easily taken by the magnetic brush of the electrifying device by applying bias having a positive polarity to the auxiliary electrifying device at the image forming area(area 1) of the photoreceptive drum surface.例文帳に追加

転写装置と帯電装置との間に補助帯電装置を配置し、感光ドラム表面の画像形成領域(領域1)に対しては補助帯電装置に正極性のバイアスを印加して感光ドラム表面の転写残トナーを帯電装置の磁気ブラシにとり込みやすくする。 - 特許庁

For instance, the waveform of the drive clock (N-gate1) is reshaped by a lowpass filter 170 to superimpose it on a D.C. bias of a duty setting terminal T2 of an oscillation circuit 90, whereby the balance of the duties of drive signals of the respective bridges 110 and 120 are intentionally broken down.例文帳に追加

例えば、駆動クロック(N−gate1)をローパスフィルタ170によって波形整形し、発振回路90のデューティ設定端子T2の直流バイアスに重畳することによって、各ブリッジ(110,120)の駆動信号のデューティのバランスを意図的に崩す。 - 特許庁

By varying a bias resistor 62d of the amplifier 62, the amplification factor of the amplifier 62 is adjusted, and thus an amplitude ratio is adjusted between two drive signals with phases 180° different from each other outputted from the two amplifiers 61, 62 and impressed on drive electrode parts 12, 13, thereby minimizing a leak voltage of the drive signals.例文帳に追加

演算増幅器62のバイアス抵抗62dを可変して演算増幅器62の増幅率を調整し、2つの演算増幅器61,62から駆動電極部12,13に印加する180度位相の異なる2つの駆動信号の振幅比を調整し、駆動信号の漏洩電圧を最小にする。 - 特許庁

To provide a bias voltage control circuit and a light receiving method of an APD whereby monitor light of a signal light with less temperature dependence is acquired without the need for using another light receiving element than the APD and an amplification factor of the APD can be kept constant on the basis of the monitor light.例文帳に追加

APDの他に別個に受光素子を用いることなく温度依存性の少ない信号光のモニタ光を取得し、このモニタ光を基準として、APDの増倍係数を一定に保持することができるAPDのバイアス電圧制御回路及び受光方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming the Ru film includes a step of giving a predetermined bias potential to a substrate 20 when a non-magnetic Ru film interposed between a pair of ferromagnetic films is formed by a sputtering method, in the case that the tunnel magnetoresistance effect layer is formed on the substrate 20.例文帳に追加

本発明は、基板20上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ru膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板20に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。 - 特許庁

The reverse bias safe operation area measuring device 1 comprises: a power MOSFET 7; and a control voltage generation circuit 8 that generates a control voltage on the basis of a collector voltage of the measured IGBT 2 and applies the generated control voltage to a gate of the power MOSFET 7.例文帳に追加

逆バイアス安全動作領域測定装置1は、パワーMOSFET7と、被測定IGBT2のコレクタ電圧に基づいて制御電圧を生成してパワーMOSFET7のゲートに印加する制御電圧生成回路8とを備える。 - 特許庁

In a procedure, a diffusion layer voltage Vs on a memory transistor side is changed and the gate voltage Vmg of the memory transistor is changed after the Vs exceeds the specified value Vsx of an intermediate stage regarding the rise and fall of a wordline bias.例文帳に追加

ワード線バイアスの立ち上げおよび立ち下げに関して、メモリトランジスタ側の拡散層電圧Vsを変化させ、Vsがある中間段階の値Vsxを過ぎた後にメモリトランジスタのゲート電圧Vmgを変化させる手順とする。 - 特許庁

A printer CPU changes the changeover timing of developing bias so as to reduce a toner deposition amount (width) in the case that a toner sticking width on a photoreceptive drum is larger than a reference value previously set by detecting the toner sticking width by a reflectance sensor and comparing it with the reference value at the startup and stopping.例文帳に追加

プリンタCPUは、起動または停止時において、感光体ドラム上のトナー付着幅を反射率センサで検知して予め設けられた基準値と比較し、基準値よりトナー付着幅が大きい場合、現像バイアスの切り換えタイミングをトナー付着量(幅)が少なくなるように変える。 - 特許庁

This plasma treatment device is provided with chuck pads 72 in a first chuck section 7A which places the film substrate 2 on the electrostatic chuck stage 8b and biasing members 73 which bias the facing end section areas of the substrate 2 toward the stage 8b.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、フィルム基板2を静電吸着式のステージ8b上に載置する第1吸着部7Aに吸着パッド72と、フィルム基板2の互いに対向する端部領域をステージ8bに向けて付勢する付勢部材73とを設ける。 - 特許庁

By using the intermediate transfer belt 501 having the high resistance layer whose volume resistivity is ≥1010 Ωcm, primary transfer from a photoreceptor drum 200 to the belt 501 is controlled so as not to primarily transfer the toner image on the drum 200 to a separation bias directly applying area S.例文帳に追加

体積抵抗率が10^10Ωcm以上の高抵抗層を有する中間転写ベルト501を用い、分離バイアス直接印加領域Sに感光体ドラム200上のトナー像を1次転写しないように、感光体ドラム200から中間転写ベルト501への1次転写を制御する。 - 特許庁

In the magnetic reproducing head for reproducing the information recorded on a disk medium by the perpendicular magnetic recording method, a magneto-resistive element having a free layer 1, the resistance value of which is varied in response to a change of an external magnetization, and hard bias layers 9, 10 for making the free layer 1 to form a single magnetic domain are provided.例文帳に追加

垂直磁気記録方式によりディスク媒体に記録された情報を再生する磁気再生ヘッドにおいて、外部磁化の変化に感応して抵抗値の変化するフリー層1を備える磁気抵抗効果素子と、フリー層1を単磁区化するハードバイアス層9,10とを具備する。 - 特許庁

Relating to a processing cartridge, processing cartridge presence/ absence detecting means are connected to both a drum ground contact part 219 and a developing bias contact part 218 on the side of the image forming device main body, and the image forming device main body is made operable only when both detecting means detect the presence of the processing cartridge.例文帳に追加

画像形成装置本体側のドラムアース接点219部と現像バイアス接点218部の双方にプロセスカートリッジ有無検知手段を接続し、双方の検知手段が有検知をした時のみ画像形成装置本体が作動可能となる。 - 特許庁

By bringing the reference image detecting roller 25 into contact with an intermediate transfer belt 8 while rotating it and applying transfer bias to the reference image detecting roller 25, the reference image on the intermediate transfer belt 8 is transferred onto the reference image detecting roller 25.例文帳に追加

基準画像検知用ローラ25を回転しながら中間転写ベルト8に接触させるとともに転写バイアスを印加することにより、中間転写ベルト8上の基準画像が基準画像検知用ローラ25上に転写される。 - 特許庁

When the transistor Q2 is controlled to be switched based on a constant voltage output of a constant voltage power supply 11, a bias resistor connected to the base of the transistor of the constant voltage power supply 11 for outputting a constant voltage has the resistance value which changes in accordance with temperature to shorten a build up time in low temperature.例文帳に追加

トランジスタQ2を定電圧電源11の定電圧出力に基づきスイッチング制御するとき低温度時の立ち上がり時間を短くするため定電圧を出力する定電圧電源11のトランジスタのベースに接続されるバイアス抵抗値が温度により変更するものとした。 - 特許庁

If an electrode plate 17 and a substrate 15 are disposed in parallel at a prescribed spacing on the rear side of the substrate 15, a uniform high frequency bias can be applied, in noncontact, to the nonconducting substrate 15 and excellent film deposition by CVD can be performed without damaging the backside of the substrate 15.例文帳に追加

基板15の裏面側において、電極板17と基板15とを所定間隔で平行に配置すると、非導電性の基板15に対して非接触で均一な高周波バイアスを印加することができ、基板15の裏面を傷つけることがなく、良好なCVD成膜を行なえる。 - 特許庁

By executing low bias treatment using a halogen-based gas when etching the polysilicon film, a metal electrode having an independent work function is formed on the N-ch transistor and the P-ch transistor while improving the film quality of the High-k film which is a base.例文帳に追加

該ポリシリコン膜をエッチングする際にハロゲン系ガスを用いた低バイアス処理を施すことにより、下地のHigh−k膜の膜質を改善しながら、N−chトランジスタ及びP−chトランジスタに独立した仕事関数を持つ金属電極を形成する。 - 特許庁

A straight line waveguide 2 is placed on the plate surface of a substrate 1 and optical axis deflective elements 3 (30, 31) for equivalently changing the optical path length by diffraction to bias a light traveling path toward one side in the traveling direction are placed within the plane of the waveguide 2.例文帳に追加

直線状の導波路2を基板1の板面に設けると共に、光路長を回折作用により等価的に変化させて光の進路を進行方向片側に偏せる光軸偏向要素3(30,31)を導波路2の面内に設ける。 - 特許庁

Because the surface potential of the intermediate transfer belt 6a can be kept high after primary transfer but until the time before secondary transfer and on the other hand, it can be made low immediately before the secondary-transfer-residual toner recovery member 8, toner scattering is prevented and bias cleaning can also be performed.例文帳に追加

中間転写ベルト6aの表面電位を、一次転写後で二次転写前までは高く、一方、二次転写残トナー回収部材8の直前では低くすることができるので、トナーの飛び散りを防止し、かつ、バイアスクリーニングを行なうことができる。 - 特許庁

When a maximum luminance and a minimum luminance of a subject are computed by an arithmetic circuit 103, based on the digital data outputted from an A/D converter 101, the luminance range of the subject is computed by the arithmetic circuit 103, and a reset bias supply circuit 104 is controlled according to the luminance range.例文帳に追加

A/Dコンバータ101より出力されるデジタルデータより、被写体の最高輝度と最低輝度が演算回路102で求められると、演算回路103によって、被写体の輝度範囲が求められ、この輝度範囲に応じてリセットバイアス供給回路104が制御される。 - 特許庁

In the pixel circuit 20, the switching transistor Q24 is turned on when the organic EL element 21 does not emit light, and a pixel electrode of the organic EL element 21 is electrically connected to a scanning line Y2 of a trailing stage to apply a reverse bias to the organic EL element 21.例文帳に追加

画素回路20において、有機EL素子21の非発光時に、スイッチングトランジスタQ24をオン状態にし、有機EL素子21の画素電極を次段の走査線Y2に導通させて該有機EL素子21に逆バイアスを印加する。 - 特許庁

Consequently, when the liquid crystal display panel using VA type liquid crystal is passively driven, and when the number of simultaneously selected lines is set to 4 and a bias ratio maximizing the on/off ratio is used, the power consumption can be reduced while the high contrast is maintained.例文帳に追加

よって、VA型液晶を用いる液晶表示パネルをパッシブ駆動する場合には、同時選択ライン数を4にして、オン/オフ比を最大にするバイアス比を用いると、高コントラストを維持しつつ消費電力を低減することができる。 - 特許庁

In the pixel circuit 20, the switching transistor Q24 is turned on when the organic EL element 21 does not illuminate, and a pixel electrode of the organic EL element 21 is electrically connected to a scanning line Y2 of a trailing stage to apply a reverse bias to the organic EL element 21.例文帳に追加

画素回路20において、有機EL素子21の非発光時に、スイッチングトランジスタQ24をオン状態にし、有機EL素子21の画素電極を次段の走査線Y2に導通させて該有機EL素子21に逆バイアスを印加する。 - 特許庁

In the process cartridge having an electrode shaft extending from the housing of the process cartridge into a development sleeve, a development bias voltage contact arrangement comprises a fixed contact, formed from a metal plate, which fits on the electrode shaft, and a spring member which fits in the internal diameter of a sleeve flange.例文帳に追加

プロセスカートリッジの筐体から現像スリーブ内部へ延びる電極軸を持つタイプのカートリッジにおいて、電極軸に嵌合する金属板でなる固定接点と、スリーブフランジ内径に嵌合するバネ部材とで、現像バイアス電圧接点装置を構成する。 - 特許庁

A circuit configuration based on the emitter follower connection of a transistor is adopted to the gate bias voltage generating circuit of the FET, emitter resistance is divided, a dividing ratio is controlled, the temperature coefficient is made variable and the transistor can be switched at high speed in push-pull configuration.例文帳に追加

FETのゲートバイアス電圧発生回路にトランジスタのエミッタホロワ接続による回路構成を採用してエミッタ抵抗を分割し、分割比を調整して温度係数を可変とし、トランジスタをプッシュプル構成として高速にスイッチングできるよう構成した。 - 特許庁

The second optical modulator includes: optical waveguides 21a, 21b; a signal electrode 22 which gives a data signal to the optical waveguide 21b; and a DC electrode 23 which is disposed on the input side of the signal electrode 22 and gives a DC bias voltage to the optical waveguide 21b.例文帳に追加

第2の光変調器は、光導波路21a、21bと、光導波路21bにデータ信号を与える信号電極22と、信号電極22の入力側に設けられ光導波路21bにDCバイアス電圧を与えるDC電極23を備える。 - 特許庁

The first optical modulator includes: optical waveguides 11a, 11b; a signal electrode 12 which gives a data signal to the optical waveguide 11b; and a DC electrode 13 which is disposed on the output side of the signal electrode 12 and gives a DC bias voltage to the optical waveguide 11b.例文帳に追加

第1の光変調器は、光導波路11a、11bと、光導波路11bにデータ信号を与える信号電極12と、信号電極12の出力側に設けられ光導波路11bにDCバイアス電圧を与えるDC電極13を備える。 - 特許庁

In the straight type mobile communication terminal, a case 10 contains first and second circuit boards 20, 30, a power supply circuit 31 and the high frequency power amplifier 32 are mounted on the second circuit board 30, and the power supply bias generating circuit 21 comprising a DC-DC converter to generate a bias voltage V2 of the high frequency power amplifier 32 is mounted on the first circuit board 20.例文帳に追加

ストレートタイプの移動通信端末にあって、筐体10内に第1及び第2の回路基板20,30を収容して、このうちの第2の回路基板30に電源回路31と高周波電力増幅器32を実装し、一方第1の回路基板20に上記高周波電力増幅器32のバイアス電圧V2を発生するためのDC−DC変換器からなる電源バイアス発生回路21を実装するようにしたものである。 - 特許庁

To provide a laser controller capable of setting a suitable upper limit value of bias current according to the ambient temperature of a laser diode without depending on the individual laser diode even in the presence of manufacturing variations and time-related deterioration of the laser diodes.例文帳に追加

レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な上限値が設定できるレーザ制御装置を提供する。 - 特許庁

例文

Thus, the adjacent interval of the practical p-type semiconductor regions 13 is made to become wide on a main surface and narrow at a certain depth, the Schottky junction part is widened, and the Schottky junction part is easily pinched off at reverse bias.例文帳に追加

それによって、実質的なp半導体領域13の隣り合う間隔が、主面において広くなり、かつある深さにおいて狭くなるようにし、ショットキー接合部を広くするとともに、逆バイアス時にショットキー接合部が容易にピンチオフされるようにする。 - 特許庁

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