「on the bias」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a developing bias power source and an image forming apparatus, wherein breakage of a photoreceptor drum caused by the variance in distance between the photoreceptor drum and a developing carrier and extreme reduction in density of a toner image formed on the photoreceptor drum can be prevented.例文帳に追加

感光体ドラム及び現像担持体間の距離の変動に起因して生じる感光体ドラムの破損、及び感光体ドラムに形成されるトナー像の濃度が極端に低くなることを防止しうる現像バイアス電源及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A gate selection control circuit 60, based on the temperature data received from thermistors 31, 32 to 3n, detects a FET of low temperature, and allows a gate bias voltage of the FET to be controlled so that more power source current flows the FET through a gate selection circuit 50.例文帳に追加

ゲート選択制御回路60は、サーミスタ31,32,〜,3nから受け取った温度データに基づき、温度の低いＦＥＴを検出し、ゲート選択回路50を介してそのＦＥＴにより多くの電源電流が流れるように、そのＦＥＴのゲートバイアス電圧を調節させる。 - 特許庁

The actuator includes a swing arm rotatably installed on a base member, a head gimbal assembly for supporting a read/write head to bias it towards the surface of a disk, and a voice coil motor for rotating the swing arm.例文帳に追加

ベース部材に回転自在に設置されたスイングアームと、読み取り／書き取りヘッドをディスクの表面側に付勢されるように支持するヘッドジンバル組立体と、スイングアームを回転させるためのボイスコイルモータと、を備えるアクチュエータ。 - 特許庁

The device for removing the short circuit section of a solar cell by applying the reverse bias voltage includes one or a plurality of solar cells in which a first electrode, a photoelectric conversion layer and a second electrode are formed sequentially on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板上に第１の電極と、光電変換層と、第２の電極とが順次形成された１又は複数の太陽電池セルを含む太陽電池の短絡部を、逆バイアス電圧を印加することによって除去する装置に関する。 - 特許庁

By providing a feeling electrode on the pressurizing lever, even if the secondary transfer unit rocks, an abutting state between the feeding electrode 61 and a power receiving electrode 65 can be kept, and an alternating current bias can be stably fed to a separating discharger 32.例文帳に追加

よって、加圧レバーに給電電極を設けることで、２次転写ユニットが揺動しても、給電電極６１と受電電極６５との当接状態を維持することができ、安定的に分離用放電器３２に交流バイアスを給電することができる。 - 特許庁

The photon detection system includes: an avalanche photodiode 51; applying means to apply bias on both ends of a photodiode so that an avalanche signal generated by illumination becomes smaller than a saturation value of the system; and measuring means to measure a size of the avalanche signal.例文帳に追加

検出システムは、アバランシェフォトダイオード５１と、照明においてアバランシェによる信号がシステムの飽和値よりも小さいようにフォトダイオードの両端にバイアスを印加する手段と、アバランシェ信号の大きさを測定する手段と、を具備するようにしている。 - 特許庁

A silicon nitride layer is deposited on a base film at a ratio P/Q of less than 10 [W/sccm], with Q being the silane gas flow rate and P being the plasma-generating electric power, a deposition pressure of 20 to 200 Pa, and at a base film temperature of not more than 70°C, under a bias potential of not more than -100V applied to the base film.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

These ring-shaped members 27 are so provided as to have a diameter substantially equal to that of the plate cylinder 15 in a state wherein a press plate 26 is mounted thereon, and they prevent a phenomenon of bounding on the impression cylinder 16 due to a relief bias or others of the press plate 26.例文帳に追加

これらのリング状部材２７は、刷版２６を装着した状態における版胴１５の直径と略等しい直径に設けられており、刷版２６のレリーフ偏り等に起因して圧胴１６に対するバウンド現象を防止する。 - 特許庁

To provide a countermeasure technique for safely and reliably transmitting supporting reaction to upper structures during work for the base isolation of a structure when installing a temporarily supporting jack or a base isolation device on a position of bias from a column to support the vertical load of the upper structures.例文帳に追加

構造物の免震化工事において、柱から偏倚した位置に仮受けジャッキ又は免震装置を設置して上部構造の鉛直荷重を支持させる場合に、その支持反力を上部構造へ安全、確実に伝達させる対策工法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor detection unit 20 comprises a layered body layered with the plurality of detecting substrates 22 on a support block 21, and the each detecting substrate 22 is constituted of a wiring board 24, two semiconductor detecting elements 25, a connector 26, a spacer 28, a bias voltage impressing wiring part 29, and the like.例文帳に追加

半導体検出ユニット２０は、支持台２１上に、複数の検出基板２２が積層された積層体からなり、検出基板２２は、配線基板２４、２つの半導体検出素子２５、コネクタ２６、スペーサ２８、およびバイアス電圧印加用配線部２９等から構成されている。 - 特許庁

Charge of reverse polarity to regular charge polarity of toner remaining on an intermediate transfer belt 4 after transfer by an electrostatic eliminating brush 40 is eliminated, a bias of the same polarity as the regular charge polarity of toner is applied to the intermediate transfer belt 4 by a non-contact electric field impressing plate 111.例文帳に追加

除電ブレード４０によって転写後に中間転写ベルト４に残留したトナーの正規帯電極性とは逆極性の電荷を除電した後に、非接触電界印加板１１１によってトナーの正規帯電極性と同極性のバイアス中間転写ベルト４に印加する。 - 特許庁

As a relay 11 is inserted into the relay mounting section 12 formed on a relay block 10, the bias section 21 of a lock arm 16 that is reciprocable in a seesaw fashion presses against the relay body 11a.例文帳に追加

リレーブロック１０に形成されたリレー装着部１２にリレー１１が挿入されていくと、リレー装着部１２に設けられているシーソー状に揺動可能なロックアーム１６のうちの付勢部２１がリレー本体１１ａに押圧される。 - 特許庁

In the housing 1 of the cleaner a brush roller 2, a bias roller 3, a cleaning blade 4, and a carrying screw 5 are provided so a to form a unit, and residual toner sticking on the surface of an intermediate transfer belt 6 is scraped and recovered.例文帳に追加

クリーニング装置のハウジング１にブラシローラ２、バイアスローラ３、クリーニングブレード４、搬送スクリュウ５を設けてユニット化し、中間転写ベルト６の表面に付着している残留トナーを掻き取って回収する。 - 特許庁

Also, an electrode plate 46 for applying a prescribed bias to the corresponding developer charge application member 40 abutting on the developer carrier 20YS is disposed so as to be noncontacted with and raised perpendicular to the surface of a support plate metal 48 supporting a developer-layer formation member 20YB.例文帳に追加

また、現像剤担持体２０ＹＳ上に当接する現像剤電荷付与部材４０へ所定のバイアスを印加する電極板４６を現像剤層形成部材２０ＹＢを支持する支持板金４８の表面に対し、非接触で、かつ垂直に立てた状態に配置する構成とする。 - 特許庁

In a read-out circuit 11, when a transistor is in a off-state in the consequence of that read-out is performed for memory transistors T11-T13 in a memory block cell book Y, a switch S1 is turned on, and substrate bias voltage is applied to the memory transistors T01-T03 of the memory cell block X.例文帳に追加

読み出し回路１１は、メモリセルブックＹのメモリトランジスタＴ１１〜Ｔ１３に対する読み出しを行った結果、トランジスタ・オフであったならば、スイッチＳ１をオンし、メモリセルブロックＸのメモリトランジスタＴ０１〜Ｔ０３に基板バイアスを印加する。 - 特許庁

To semiconductor lasers 110', 110'' and 110''', the same sine wave from a sine wave power supply 122 is applied to an SA region in such a superimposed way on a reverse bias that the respective optical pulses are generated selectively to differ in the wavelengths (λ_1, λ_2 and λ_3) in respective external resonators 130', 130'' and 130'''.例文帳に追加

半導体レーザ１１０’，１１０’’，１１０’’’に対して、正弦波電源１２２からの同じ正弦波をＳＡ領域に、逆バイアスに重畳して印加し、外部共振器１３０’，１３０’’，１３０’’’で別々の波長（λ_１，λ_２，λ_３）の光パルスとなるように選択的に発生させている。 - 特許庁

To realize the securement of a contrast for image formation only by the adjustment of an optical unit by decreasing luminous energy of a laser by a bias emission and increasing an extinction ratio while securing minimum luminous energy necessary for a latent image on the surface of a drum even if a laser element of whatever FFP characteristics.例文帳に追加

如何なるＦＦＰ特性のレーザ素子が使われても、ドラム面での潜像のために必要な最低光量を確保しつつ、バイアス発光によるレーザ光量を小さくし消光比を上げることで、画像形成のためのコントラストの確保を光学ユニットの調整のみで実現すること。 - 特許庁

When a pattern of recesses and projections for information recording is formed by irradiating a specified region (2) on the surface of the thin film of a polymer compound containing an azobenzene structure with addressing light (1), a region (4) including the specified region (2) and larger than that is simultaneously irradiated with bias light (3).例文帳に追加

アゾベンゼン構造を含む高分子化合物の薄膜表面の特定領域（２）に書き込み光（１）を照射して情報記録用凹凸パターンを形成させるに当り、前記特定領域（２）を含むより広い領域（４）にバイアス光（３）を同時に照射する。 - 特許庁

To reduce an unnecessary wave in power and to absorb it effectively without an unfavorable influence on a necessary DC bias voltage and transmission characteristics of a control signal and the like, while the leakage of an unnecessary wave factor to the outside can be prevented in a high frequency package.例文帳に追加

外部への不要波成分の漏洩を高周波パッケージ内で抑止することができるとともに、必要なＤＣバイアス電圧、制御信号などの伝送特性に悪影響を与えることなく、不要波を効率よく電力減衰、吸収すること。 - 特許庁

A focus ring 12 has a focus ring body 12A, formed out of a dielectric in the form of a ring and has a conductive member 12B provided with bias on the radially inner side of the focus ring body 12A so as to be brought into contact with plasma.例文帳に追加

本発明のフォーカスリング１２は、誘電体によってリング状に形成されたフォーカスリング本体１２Ａと、このフォーカスリング本体１２Ａの径方向内側の方に偏倚させてプラズマと接するように配置された導電性部材１２Ｂとを有する。 - 特許庁

To prevent the increase in DC drift of an optical waveguide element in which opening part formed by etching a buffer layer and exposing the primary face of a substrate is located at least between electrodes on which a DC bias is applied for the purpose of controlling an operating point.例文帳に追加

バッファ層をエッチングして基板の主面を露出することにより形成される開口部が、少なくとも動作点制御のためにＤＣバイアスが印加される電極を構成する電極間に位置する構造を有する光導波路素子の、ＤＣドリフトの増大を防止する。 - 特許庁

A vibrator element 33 including a beam 47 electrostatically driven is formed opposite to lower electrodes 43, 44 on a board of the minute vibrator, and a width W1 of a DC bias feeder line 45 connected to the beam 47 is formed narrower than a width W2 of the beam 47.例文帳に追加

基板上に、下部電極４３、４４に対向して静電駆動する梁４７を有した振動子素子３３が形成され、梁４７に接続された直流バイアス給電線４５の線幅Ｗ１が、梁４７の幅Ｗ２よりも狭い幅で形成されている - 特許庁

After that, when writing control signals SWAi, SWBi are output instead of the reset signal Ri, switches 31, 32 are turned on, current with the same magnitude as that of display current SNK flows to NMOSs 33, 35 and the capacitor 34 is charged to corresponding bias voltage.例文帳に追加

その後、リセット信号Ｒｉに代わって書込制御信号ＳＷＡｉ，ＳＷＢｉが出力されると、スイッチ３１，３２がオンとなってＮＭＯＳ３３，３５に表示電流ＳＮＫと同じ大きさの電流が流れ、キャパシタ３４は対応するバイアス電圧に充電される。 - 特許庁

To provide a method for forming a diamond like carbon film capable of forming a diamond like carbon film on the body to be treated at a high film forming rate regardless electric properties and thickness of the body to be treated and also without specially applying a bias to the body to be treated.例文帳に追加

被処理体の電気的特性並びに厚さに関係なく、また、被処理体にバイアスを特別に印加することがなく、被処理体処理体上にダイヤモンド様炭素膜を高い成膜レートで形成することができるダイヤモンド様炭素膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A power source 21 controlled by a CPU is connected to the box-shaped electrode 18a and the rotating brush body 18b, and an oscillating bias potential on which a DC component and an AC component having potentials approximately equal to a surface potential of the photoreceptor 11 after toner image transfer to a recording medium are superposed is applied.例文帳に追加

箱型電極１８ａと回転ブラシ本体１８ｂにはＣＰＵで制御される電源２１が接続され、トナー像が記録媒体に転写された後の感光体１１の表面電位と略同一電位であるＤＣ成分とＡＣ成分を重畳した振動バイアス電位が印加される。 - 特許庁

The DC component is stabilized, by making variable a resister 332 for deciding the DC component of a charged bias, and altering this resister, based on an output of a cartridge load detection circuit 203 for detecting combined static capacitance of the photoreceptor drum 101 and a charging roller 102.例文帳に追加

帯電バイアスの直流成分を決定する抵抗３３２を可変とし、この抵抗値を、感光ドラム１０１と帯電ローラ１０２との合成静電容量を検知する、カートリッジ負荷検知回路２０３の出力に基づいて変更することにより、直流成分が変動することがなくなる。 - 特許庁

On the other hand, when a light emission command signal LDON is '0', an inter-terminal potential across a resistor RE used for detecting a current that flows through the semiconductor laser 41 is inputted into a second error amplifier 45, which is controlled through the intermediary of a second hold capacitor C2 so as to serve as a bias current.例文帳に追加

一方、発光指令信号LDONが“０”の場合には、半導体レーザ４１に流れる電流検出用抵抗ＲＥの端子間電圧が第２の誤差増幅器４５に入力され、バイアス電流になるように第２のホールドコンデンサＣ２を介して制御される。 - 特許庁

One of the terminals is connected with gate electrodes of respective FETs 111-118 and 121 to 128, and the other terminal is provided with a plurality of gate bias resistances 131 to 138, and 141 to 148 in which control voltages 171 and 172 for switching an on-state and an off-state of the switching unit are impressed.例文帳に追加

また、一方の端子が各ＦＥＴ１１１〜１１８及び１２１〜１２８のゲート電極に接続され、他方の端子にスイッチ部をオン状態とオフ状態とに切り替える制御電圧１７１及び１７２が印加される複数のゲートバイアス抵抗１３１〜１３８、１４１〜１４８を設ける。 - 特許庁

At this time, the control system 100 regulates each power output of high-frequency power sources 17, 19 (bias output and ICP output) on the basis of pre-recorded information or the like, so that a formed p-i-n photodiode 1 shows current leakage of an allowable value or less.例文帳に追加

このとき、制御系１００は、予め記憶された情報等に基づいて、形成されるＰＩＮフォトダイオード１のリーク電流が許容値以下となるように、高周波電源１７及び１９の出力（バイアス出力及びＩＣＰ出力）をそれぞれ調整する。 - 特許庁

Stretchable artificial leather comprising a fibrous substrate comprising tricot knitted fabric, and a polyurethane resin layer laminated on the surface of the fibrous substrate, the stretchable artificial leather having fixed load elongation of from 30 to 60% in each of a longitudinal direction, a lateral direction and a bias direction.例文帳に追加

トリコット編地からなる繊維質基材表面にポリウレタン樹脂層を積層してなる合成皮革であって、該合成皮革の経方向、緯方向及びバイアス方向の定荷重伸び率が各々３０〜６０％である伸縮性合成皮革である。 - 特許庁

When power is supplied to the circuit on the power receiving side, a voltage is induced across an antenna coil L2 for receiving power and a current flows into a variable capacity diode D1 through a diode D2, and thereby a bias voltage of the variable capacity diode D1 increases.例文帳に追加

受電側回路に電力が供給されると、受電用アンテナコイルＬ２の両端に誘起電圧が発生し、ダイオードＤ２を通して可変容量ダイオードＤ１に電流が流れ込むために、可変容量ダイオードＤ１のバイアス電圧が上昇する。 - 特許庁

A bypass pipe 10 for connecting a water supply pipe 2 to a hot water supply pipe 5 is provided with a bypass throttle valve 12 capable of adjusting the water flow amount of the bypass pipe 10 based on the balance between a shape memory alloy spring 14 and a bias spring 16.例文帳に追加

給水管２と出湯管５との間に接続されるバイパス管１０には、形状記憶合金バネ１４とバイアスバネ１６とのバランスによりバイパス管１０の通水量を調整可能なバイパス絞り弁１２が設けられる。 - 特許庁

Quantum dots 11 on the upper layer have a tunnel coupling shape showing a nonlinear current-voltage characteristic with the adjoining quantum dots, and receive inputs of initial data/bias currents 3, and are coupled with the lower layer quantum dots 12 to have a gate function having a time constant.例文帳に追加

上の層の量子ドット１１は隣接する量子ドットと非線形の電流−電圧特性を示すトンネル結合で、初期データ／バイアス電流３の入力を受け、下の層の量子ドット１２とは時定数を持ったゲート機能を持つ結合をしている。 - 特許庁

In the device, a cleaning roll having bias voltage applied to separate electrified toner from a photoreceptor is provided on the upstream side of a cleaning blade, and the photoreceptor having a surface roughness Rz of 0.1 μm to 2.5 μm in an average of ten points is utilized.例文帳に追加

帯電トナーを感光体から引き離すバイアス電圧を印加したクリーニングローラをクリーニングブレードの上流側に設けるとともに、感光体として表面粗さＲｚが十点平均で０．１μｍ〜２．５μｍのものを用いる。 - 特許庁

The device is provided with a bias mechanism which exerts force against one side torque working on a control shaft from the valve spring 10 through the rocker arm and a control cam by pressing a projecting part 41 with force of spring of a valve spring 45 through a plunger 44.例文帳に追加

バルブスプリングからロッカアーム，制御カムを介して制御軸に掛かる一方の回転力に対抗する力を、プランジャ４４を介してバルブスプリング４５のばね力により突出部４１を押圧して付与するバイアス機構４０を設けた。 - 特許庁

The image forming method uses the image carrier, configured by sequentially stacking at least a hole transport layer containing a hole transport material and a charge generating layer on a conductive support, and includes latent image formation by a positive bias application to the image carrier under photoirradiation.例文帳に追加

導電性支持体上に、少なくとも正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、電荷発生層を順次積層した構成を有する像担持体を用いて、光照射と同時にプラスバイアス印加により潜像形成を行なうことを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁

The manufacturing method for the fuel cell separator includes a first process preparing a substrate for a separator (10), and a second process forming a film of Ti film (11) or TiN film (20) by a dry coat method while applying bias voltage which is a specified value or less on a surface of the separator substrate.例文帳に追加

燃料電池セパレータの製造方法は、セパレータ用基材（１０）を準備する第１工程と、セパレータ基材表面に所定値以下のバイアス電圧を印加しつつドライコート法によってＴｉ膜（１１）またはＴｉＮ膜（２０）を成膜する第２工程とを含む。 - 特許庁

Satisfactory flexibility is acquired since a radiation detection circuit 10 is formed on a substrate 40, the detection circuit 10 including an array of TFTs 68 forming picture elements 50, a capacitor 67 for a bias of the picture elements 50, and a connector 120 for driving the TFTs 68.例文帳に追加

基板４０上に、画素５０が形成されたＴＦＴ６８のアレイと、画素５０のバイアス用コンデンサ６７と、ＴＦＴ６８駆動のためのコネクタ１２０を備えて放射線検出回路部１０が構成されるので、良好な可撓性が得られる。 - 特許庁

The method for producing a film comprises: a stage where a substrate having first and second regions in which at least either is made of oxide, and also, which are made of mutually different materials is prepared; and a stage where a film is selectively deposited on either the first region or the second region by a bias sputtering process.例文帳に追加

少なくとも一方が酸化物であり、且つ互いに異なる材料からなる第１及び第２の領域を有する基板を用意する工程、及びバイアススパッタリング法により、該第１及び第２の領域のいずれか一方に選択的に成膜する工程を有する膜の製造方法。 - 特許庁

At the switching timing of one frame of an image signal, FETs Q2, Q3, Q5 are controlled so as to be turned on, so that the output voltage VH from the DC/DC converter 6 is applied to respective light-emitting elements E1 to En as reverse bias voltage.例文帳に追加

画像信号の１フレームの切り換えタイミングにおいて、ＦＥＴＱ２，Ｑ３，Ｑ５がオン状態に制御され、これによりＤＣ−ＤＣコンバータ６による出力電圧ＶＨは、各発光素子Ｅ１〜Ｅｎに対して逆バイアス電圧として印加される。 - 特許庁

In an equipment for magnetron plasma treatment that raises throughput by moving and turning magnetic field using magnet 5, distribution of gas introduction is controlled corresponding to the distribution of plasma density in the reaction vessel, or distribution of bias voltage impressed to a wafer 10 on the lower electrode 8 is controlled.例文帳に追加

マグネット５による磁界の移動、回転により処理能力を高めたマグネトロンプラズマ処理装置において、プラズマ密度の反応容器内部における分布に対応して、ガスの導入分布を制御し、又は下部電極８上のウェハ１０に印加されるバイアス分布を制御する。 - 特許庁

Then, by providing a bias power source 563 for biasing the image carrier member in the toner image separating/ developing nip to satisfactory potential for breaking air dielectric breakdown for selectively re-charging the background area on the toner layer, the image area on toner layer is separated and developed as the color resolution toner image on the movable image carrier member and the background area remains on the photoreceptor.例文帳に追加

又、トナー画像分離・現像ニップにおいて画像担持部材を、トナー層の背景領域を選択的に再帯電する空気絶縁破壊を生じさせるのに十分な電位にバイアスするためのバイアス電源５６３を備えることにより、トナー層の画像領域が可動の画像担持部材上で色分解トナー画像として分離され現像されるとともに背景領域が受光体上に残るようにする。 - 特許庁

In the on-vehicle communication equipment 1, a control circuit 72 inputs voltage for a reverse bias as a modulation signal to the Schottky diode 32 and power consumption needed when a down signal 114 is modulated is reduced.例文帳に追加

この車載通信装置１では、制御回路７２からショットキーダイオード３２に対しては変調信号として逆バイアスの電圧が入力されるよう構成されており、下り信号１１４の変調時に要する電力消費が低減されている。 - 特許庁

The transistor Tr1 of an amplifier circuit 10 and diodes D1 and D2 of a bias circuit 20 are all arranged on one and the same semiconductor substrate, and covered with heat conduction wiring 30 formed of a metal material, etc. having good heat conduction.例文帳に追加

同一の半導体基板上に配置されている、アンプ回路１０のトランジスタＴｒ１とバイアス回路２０のダイオードＤ１及びダイオードＤ２とを、熱伝導の良好な金属材料等によって形成される熱伝導配線３０で覆う。 - 特許庁

The electrophotographic equipment is provided with a P sensor 11 for detecting toner concentration on a photoreceptor, and a control board determined in response to detection output, and timing of output starting of the electrification or developing bias is changed.例文帳に追加

感光体上のトナー濃度を検出するＰセンサー１１と、該検出出力に応じて判断するコントロールボードとを具備し、コントロールボードの判断に基づいて、帯電または現像バイアスの出力開始タイミングを変化させる。 - 特許庁