「on the bias」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

By forming the shielding conductive layer on the transparent conductive layer, the contrast of the plasma display device is improved, the bias angle of the electromagnetic wave shielding film can be easily adjusted, and the manufacturing cost of the electromagnetic shielding film is reduced.例文帳に追加

本発明では、透明導電層上に遮蔽用導電層を形成することでプラズマディスプレイ装置のコントラストが向上して、易しく電磁波遮蔽膜のバイアスアングルを調節することができるし、電磁波遮蔽膜の製造原価が減少する。 - 特許庁

The gravure roller 24 is provided with numerous fine indentions on its surface, quantity restriction of the supplied liquid toner is carried out by the numerous fine indentions and the liquid toner is applied to the developing roller 22, bias potential is applied to the developing roller and the rate of transferring is raised for the supplied liquid toner.例文帳に追加

グラビアローラ２４は、表面に多数の微細なくぼみを有して、供給される液体トナーを該多数の微細なくぼみにより量規制して現像ローラ２２に塗布すると共に、現像ローラに対してバイアス電位を印加して、供給する液体トナーの転写率を上げる。 - 特許庁

Thereafter, the current source 15 is separated from the vertical signal line in order to cancel the source follower circuit, a bias voltage is applied to the vertical signal line so that the voltage of the FD is raised or lowered, and a read transistor 21 is turned on in this state for reading the signal charges stored in a PD to the FD.例文帳に追加

その後、垂直信号線から電流源１５を切り離し前記ソースフォロワ回路を解消させ、垂直信号線にバイアス電圧を印加してＦＤの電圧を降圧または昇圧し、この状態で読み出しトランジスタ２１をオンしてＰＤの蓄電信号電荷をＦＤに読み出す。 - 特許庁

In the transistor 1, the second base layer 14 is formed on the outer side of the emitter layer 13 in a three-layer structure of the conventional NPN-type transistor and a bias current flows in the section between the emitter layer 13 by using the second base layer 14.例文帳に追加

トランジスタ１は、在来のＮＰＮ型のトランジスタの３層構造におけるエミッタ層１３の外側に第２のベース層１４を形成し、この第２のベース層１４を用いてエミッタ層１３との間にバイアス電流を流す。 - 特許庁

The coil spring 3 has a projection 34 axially projecting from its end 30, and the end of the projection 34 abuts on the bottom surface 24 of the base end of the connector pin 2 at a bias position S radially biased from the center axis C of the connector pin 2.例文帳に追加

コイルばね３は、一端部３０において軸線方向に突出した突出部３４を有し、この突出部３４の先端が、コネクタピン２の基端部底面２４に対して、コネクタピン１の中心軸線Ｃから半径方向に偏倚した偏倚位置Ｓにおいて当接する。 - 特許庁

Permanent magnet films 14 are arranged at both sides of the magneto-resistance effect head element 11 which is provided in the magnetic head, and also the magnetizing direction of the permanent magnet films 4 is settled to be almost parallel with the magnetizing direction of the head element 11 at the time when a bias magnetic field is impressed on the head element 11.例文帳に追加

磁気ヘッドが有する磁気抵抗効果型のヘッド素子１１の両側に永久磁石膜１４を配置するとともに、その永久磁石膜１４の着磁方向を、ヘッド素子１１にバイアス磁界を加えた際のそのヘッド素子１１の磁化方向と略平行にする。 - 特許庁

The transfer roller is equipped with a shaft 21 to which bias voltage is applied and a conductive layer 22 extended in the longitudinal direction over the peripheral surface of the shaft, and insulating layers 23 and 24 are formed on the surface of the shaft 21 corresponding to the end of the conductive layer 22.例文帳に追加

転写ローラは、バイアス電圧が印加されるシャフト２１と、シャフトの周面に亘って長手方向に延びる導電層２２とを備えており、導電層２２の端部に対応するシャフト２１の表面に絶縁層２３及び２４が形成されている。 - 特許庁

On the other hand, interlocking currents, interlocked with bias currents I_x2, I_x3 for setting the oscillation frequency of the multi-vibrator circuit 10 are extracted by transistors Q17, Q18 to change the cut-off frequency of the filter circuits 20, 22 by the interlocking currents and eliminate the attenuation of the elementary wave.例文帳に追加

また、マルチバイブレータ回路１０の発振周波数設定用のバイアス電流Ｉ_ｘ２，Ｉ_ｘ３と連動する連動電流をトランジスタＱ17，Ｑ18にて抽出し、この連動電流によって、上記フィルタ回路２０，２２のカットオフ周波数を変化させ、基本波の減衰をなくす。 - 特許庁

As for the layer thickness control roller 5, the central part 5a in the axial direction and the end part 5b are electrically insulated from each other and a bias voltage for preventing the toner from sticking to the end part of the elastic developing roller 4 is applied on the end part 5b.例文帳に追加

層厚規制ローラ５は軸線方向中央側部分５ａと端部側部分５ｂとが相手部分に対して電気的に絶縁され、端部側部分５ｂに弾性現像ローラ４の端部側部分へのトナーの付着を防止するバイアス電圧を印加してなる。 - 特許庁

The micro valve further comprises a bias means in which a stress imparting film 28 laminated on the first diaphragm part 22 of the valve element forming substrate 20 and the peripheral part of the first diaphragm part 22 of a frame 21 increases the closing force when the valve element 23 is not displaced by the drive means.例文帳に追加

弁体形成基板２０における第１のダイヤフラム部２２とフレーム２１における第１のダイヤフラム部２２の周辺部とに跨って積層された応力付与膜２８が、駆動手段により弁体２３を変位させていない状態で閉止力を増大させるバイアス手段を構成している。 - 特許庁

In particular, the image forming apparatus includes: a detection unit for detecting the occurrence of tracking based on at least one of a bias voltage of the grid and a power-supply voltage of the power-supply member; and a reporting unit for reporting that the charger should be replaced, when the detection unit detects the occurrence of the tracking.例文帳に追加

とりわけ、画像形成装置は、グリッドのバイアス電圧及び給電部材の給電電圧の少なくとも一方に基づいてトラッキングの発生を検知する検知部と、検知部がトラッキングの発生を検知すると帯電器を交換すべきことを通知する通知部とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To make separable a transfer material while preventing the separating pawl trace and transfer omission of an image at the time of separating the transfer material during discharging the transfer material and a transfer material carrier by inserting the separating pawl between the transfer material on which the image has been transferred and the transfer material carrier and applying separating bias to a separating discharging means.例文帳に追加

画像が転写された転写材と転写材担持体との間に分離爪を挿入し、分離除電手段に分離バイアスを印加して転写材および転写材担持体の除電下に、転写材を分離するに際し、画像の分離爪跡や転写抜けを防止して転写材を分離することを可能とした - 特許庁

The projection means are arranged at an interval apart from one side of the supporting elements by an axial direction distance which is longer than the maximum acting interval in the predetermined axial direction that the supporting element can obtain after setting the energizing means on the face sealing device and shorter than the axial direction of a bias spring's loose condition.例文帳に追加

突起手段は、付勢手段を面シール装置に取り付けた後に支持要素がとり得る所定の軸方向の最大作動間隔より大きく、バイアスばねの弛んだ状態の軸方向の長さより小さい軸方向距離だけ、一方の支持要素から間隔を置いて配置される。 - 特許庁

According to this operation, the Vgs of a constant current supply MOS transistor for the amplifier circuit block 2 becomes minimum in the amplifier circuit 24 nearest to the bias generating circuit 1 whereby the speed of response of other amplifier circuits 21-23 will not become slow when the circuit is designed based on the reference of the amplifier circuit 24.例文帳に追加

このため、アンプ回路ブロック２の定電流源ＭＯＳトランジスタのＶｇｓもバイアス発生回路１に最も近いアンプ回路２４が最も小さくなり、このアンプ回路２４を基準に設計すると、他のアンプ回路２１乃至２３の応答速度が遅くなることはない。 - 特許庁

A potential difference is generated between the output voltage of the constant voltage circuit 12 and the voltage of the battery B, and a resistance R8 senses that the battery voltage is low, and from the base of a transistor Q4 a bias current is fed via the resistance R8 to keep the transistor Q4 in on condition.例文帳に追加

定電圧回路12の出力電圧とバッテリＢの電圧との間に電位差が生じて抵抗R8によりバッテリ電圧が低いことを検出し、抵抗R8を介してトランジスタQ4のベースからバイアス電流を流し、トランジスタQ4をオン状態に保持する。 - 特許庁

While the switching element is impressed with a bias voltage Vb and is initially held in an off state, a switching signal (Von) to an on is impressed thereto at the point of the time of the first scanning duty time A, as a result of which the current rises and the current is sustained during the time of the scanning period.例文帳に追加

上記スイッチング素子にはバイアス電圧Ｖｂが印加されており、当初オフ状態であったものが、最初の走査デューティ時間Ａの時点でオンへの切替信号（Ｖｏｎ）が印加されて電流が立ち上がり、走査周期の間その電流が維持される。 - 特許庁

The magnetic flux convergence permanent magnet 25 is magnetized in the axial direction so that both sides of the V shaped groove 26 have polarity same with the polarity on the outer peripheral surface of the bias permanent magnet 24, and a magnet flux concentration part is formed in the vicinity of the V shaped groove 26.例文帳に追加

磁束収束用永久磁石２５は、Ｖ溝２６の両側がバイアス用永久磁石２４の外周面に現れる極性と同一極性となるように軸方向に着磁されてＶ溝２６の近傍に磁束集中部を形成する。 - 特許庁

Then, while fixing the development bias to the optimum development condition, the patch image for a low density is formed at each energy value while changing and setting the energy density of the light beam in the multiple steps and an optimum exposure condition is obtained on the basis of the image density.例文帳に追加

そして、現像バイアスを最適現像条件に固定しながら、光ビームのエネルギー密度を多段階に変更設定しながら各エネルギー値で低濃度用パッチ画像を形成し、その画像濃度に基づいて最適露光条件を求める。 - 特許庁

The dimensional variation of the mask pattern by a bias amount of the mask pattern and the dimensional variation of the resist pattern are calculated on a computer by an expansion processing of the pattern or an optical intensity simulation so that the generation of the MEF is confirmed.例文帳に追加

マスクパターンのバイアス量によるマスクパターンの寸法変動およびレジストパターンの寸法変動をパターンの拡大処理、或いは光強度シミュレーションにより計算機上で算出しＭＥＦの発生を確認する。 - 特許庁

By including a step in which at the plasma On/Off time, source electric power and wafer bias power which are rather low are applied so as to control the plasma distribution into a higher state at the periphery, a thick sheath is formed in the vicinity of the center of the wafer and a thinner sheath is formed in the vicinity of the outer periphery thereof.例文帳に追加

プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 - 特許庁

Consequently, because of the absence of an epoxy resin layer of the upper layer, otherwise to be formed on the upper surface of the metallic material, the fastening force applied concentrically to the fiber-reinforced composite material 1 is directly received by the bias thread 7, and large stress is not generated in an epoxy resin 4 which is present in the fiber-reinforced composite material 1.例文帳に追加

従って、上面のエポキシ樹脂層がないため、繊維強化複合材１に集中的に加わる締結力はバイアス糸７によって直接受け止められ、繊維強化複合材１の内部に存在するエポキシ樹脂４に大きな応力が生じない。 - 特許庁

The substrate bias control circuit includes first and second control circuits for controlling the threshold voltages of MIS transistors constituting the logic circuit, and an oscillation circuit that includes the MIS transistors formed on the semiconductor substrate, and is configured to vary the frequency of the oscillation output.例文帳に追加

前記基板バイアス制御回路は、該論理回路を構成するMISトランジスタのしきい値電圧を制御する第一および第二の制御回路と、該半導体基体に形成されたMISトランジスタを有し発振出力の周波数を可変とできるよう構成された発振回路を含む。 - 特許庁

The heater 15 is controlled by the heater drive circuit based on the temperature of the alumina substrate 20 measured by the temperature sensor 22 to heat the heating element array 18 through the alumina substrate 20 thus generating a specified bias thermal energy for each recording color.例文帳に追加

ヒータ１５は温度センサ２２により測定されるアルミナ基板２０の温度に基づいてヒータ駆動回路により制御され、アルミナ基板２０を介して発熱素子アレイ１８を加熱し、記録する色毎に発熱素子アレイ１８が一定のバイアス熱エネルギーを発生する。 - 特許庁

To rapidly and surely carry out the re-determination of the integer bias of carrier phase difference in a device for sensing the azimuth and the attitude angle of an object by receiving radio waves from plural position measuring satellites with plural antennas mounted on the object and thereby finding the relative positions of the antennas.例文帳に追加

物体に設けた複数のアンテナで複数の測位用衛星からの電波を受信して、アンテナの相対位置を求めることによって物体の方位および姿勢角を検出する装置において、キャリア位相差の整数バイアスの再決定を短時間に且つ確実に行う。 - 特許庁

The method comprises depositing a film of the phosphor emitting light by the irradiation with electrons on a substrate, and the deposition of the film of the phosphor is performed while applying a bias power to the substrate by a sputtering method.例文帳に追加

電子を照射することにより発光する蛍光体を基板上に成膜する方法であって、前記蛍光体の成膜をスパッタリング法により前記基板にバイアス電力を印加しつつ行うことを特徴とする蛍光体の成膜方法である。 - 特許庁

Therefore, even when the time constant of the counter electrode is larger than that of the scanning line in the unselected state, a leak current due to a reverse bias voltage can be reduced without temporarily turning on respective TFTs connected to the scanning line in the unselected state and the quality of a display image can be improved.例文帳に追加

従って、対向電極の時定数が非選択状態の走査線の時定数より大きくても、非選択状態にある走査線に接続された各ＴＦＴを一時的にオンするこなく、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を低減することができ、表示画像の品質を向上させることができる。 - 特許庁

The developing roller with the formed thin layers is brought into contact with the surface of the photoreceptor in 1-10 mm nip width, and developing is carried out under developing bias set at a value lower by 100-500 V absolute value than the potential by electrification on the surface of the photoreceptor.例文帳に追加

この薄層を形成した現像ローラを１〜１０mmのニップ幅で感光体の表面に接触させ、感光体表面の帯電電位よりも絶対値で１００〜５００Ｖ低い値に設定された現像バイアスの下で現像を行う。 - 特許庁

The second bias current I_12 of the replica amplifier transistor Q_N12 is controlled on the basis of the detection current I_DIFF generated by the current detection unit 3 such that the detection current I_DIFF of the current detection unit 3 coincides with a reference current (I_REF, I_REF/n).例文帳に追加

電流検出部３の検出電流Ｉ_DIFFが参照電流(Ｉ_REF、Ｉ_REF／ｎ)と一致するように、レプリカ増幅トランジスタＱ_N12の第２バイアス電流Ｉ_12が電流検出部３から生成される検出電流Ｉ_DIFFに基づいて制御される。 - 特許庁

As this control means, a mechanism which adjusts the angle and position of incidence on the light guide member 1 according to the wavelength of the incident light and a mechanism which applies a bias signal to the refractive index varying substance 5 according to the wavelength of the incident light is used.例文帳に追加

この制御手段は、導光部材１への入射角及び入射位置を入射光の波長に応じて調節する機構や、入射光の波長に応じて屈折率可変物質５にバイアス信号を印加する機構が用いられる。 - 特許庁

Two amplification circuits 31, 32 of the level converting amplification section 30 are connected in parallel with respect to the transistors T3, T4 of the selector circuit section 20, and turn on one of the transistors T3, T4 and turn off the other simultaneously in response to an output of the differential circuit section 10 to switch the bias current Ib.例文帳に追加

レベル変換増幅部３０の２つの増幅回路３１，３２は、セレクタ回路部２０のトランジスタＴ３，Ｔ４に対して並列に接続されており、差動回路部１０の出力に応じてトランジスタＴ３，Ｔ４の一方をオンし同時に他方をオフすることでバイアス電流Ｉｂを切り換える。 - 特許庁

The power supply of the charging device (3) is cut off in timing that an area to which the toner is stuck on the surface of the image carrier (2) passes through the charging device (3), and it is switched to set bias to prevent toner from being developed from a developing roller (8) to the image carrier (2).例文帳に追加

像担持体（２）表面のトナーが付着した領域が帯電装置（３）を通過するタイミングにおいては帯電装置（３）の電源を切断し、且つ現像ローラ（８）から像担持体（２）にトナーが現像されないバイアスとなるように切り替える。 - 特許庁

In addition, the apparatus is provided with a restart means for restarting the test image forming means after the increase or decrease, and a determining means for determining an optimum value for the development bias based on that density and the density of the test image obtained by the restart.例文帳に追加

また、上記増減直後に試験画像形成手段を再起動する再起動手段を設けるとともに、上記濃度と上記再起動により得られた試験画像の濃度とに基づいて、上記現像バイアスの最適値を決定する決定手段を設ける。 - 特許庁

A CPU being a control means is constituted to execute the control of the voltage changing driver that the value of the developing bias Vbr is made larger on a positive side as a gap between a photoreceptor drum 20 and the developing sleeve is increased with the retreat of the developing device.例文帳に追加

そして、退避に伴って感光ドラム２０と現像スリーブとの間隙が増えるにしたがって、この現像バイアスＶｂｒの値をプラス側に大きくするような上記電圧変更ドライバの制御を実施させるように制御手段であるＣＰＵを構成した。 - 特許庁

Relating to this image forming device, a conductive member is used for the cleaning member 82 being in contact with the image carrier 1, a charge polarity of dammed toner is made to have the normal polarity by applying bias, and the above mentioned cleaning member is separated from the image carrier surface in the non-image area on the image carrier surface.例文帳に追加

像担持体１に接触の清掃部材８２を導電性の部材にし、バイアスを印加することによりせき止めたトナーの帯電極性を正規極性化し、像担持体面の非画像領域では該清掃部材を像担持体面から離間させる。 - 特許庁

The third transistor, the fourth transistor, the fifth transistor and the sixth transistor are turned on to thereby to suppress an increase in a threshold Vth caused by a back bias effect of the first transistor and the second transistor, so that a stable operation of the switching circuit is secured.例文帳に追加

上記第３トランジスタ、上記第４トランジスタ、上記第５トランジスタ、及び上記第６トランジスタがオンされることにより、上記第１トランジスタ及び上記第２トランジスタのバックバイアス効果によるしきい値Ｖｔｈの上昇が抑制され、スイッチ回路の安定動作が確保される。 - 特許庁

Thus the toner supply bias voltage Vsup, the potential V0 by uniform electrification of the photosensitive body, the toner supply potential, and the development potential are suppressed to 350 V or lower and are made lower than the voltage for discharge start based on the Paschen's curve.例文帳に追加

これによって、トナー供給バイアス電圧Ｖsup、感光体の一様帯電による帯電電位Ｖ_０、トナー供給ポテンシャル、現像ポテンシャル、のいずれも３５０Ｖ以下に抑え、パッシェン曲線に基づいた放電開始電圧より低くする。 - 特許庁

The TFT 12 for driving can be maintained at an on-state when the reverse bias voltage is applied to the element 14 by using the TFTs of the same channel both as the TFT 11 for control and the TFT 12 for driving.例文帳に追加

前記制御用ＴＦＴ１１および駆動用ＴＦＴ１２として共に同一チャンネルのＴＦＴを用いることにより、発光素子１４に逆バイアス電圧を印加させた場合、駆動用ＴＦＴ１２をオン状態に維持することができる。 - 特許庁

A signal detection circuit 3 sends a reset signal, on the basis of the output of the amplifier 17, and a shut-down control circuit 5 sets the bias circuit 6 to a shut-down state, in response to the input of the reset signal to the shut-down control circuit 5.例文帳に追加

アンプ１７の出力に基いてシグナルディテクト信号３がリセット信号を送出し、このリセット信号がシャットダウン制御回路５に入力されると、シャットダウン制御回路５がバイアス回路６をシャットダウン状態にする。 - 特許庁

As the completion of setting the bias current of the image forming apparatus is detected based on the light quantity input through the integrating circuit 95, the next operation can be immediately started, thereby reducing the FCOT (First Copy Output Time).例文帳に追加

積分回路９５を介して入力された光量に基づいて、画像形成装置のバイアス電流の設定完了を検知することにより、速やかに次の処理を開始することが可能となり、ＦＣＯＴ（First Copy Output Time）の短縮を果たすことが可能となる。 - 特許庁

The image forming device which uses fine-particle-size toner of 3 to 8 μm in number mean particle size is so controlled that the potential difference between the surface potential of the photosensitive body and the DC bias applied to a developing sleeve is held above a specific value in the image non-formation area on the photoreceptor.例文帳に追加

個数平均粒径が３〜８μｍの小粒径トナーを使用する画像形成装置において、感光体の非画像形成領域で、前記感光体の表面電位と、現像スリーブに印加される直流バイアスとの電位差が、所定値以上に保たれるよう制御する。 - 特許庁

Then, the developing roller 37 is made to abut on the surface of the photoconductive layer 13 again, and recovering bias is applied to the developing roller 37 so as to recover the adhesive matter adhering to the photoconductive layer 13 again by the developing roller 37 (S125 and S130).例文帳に追加

そして、現像ローラ３７を光導電層１３の表面に再度当接させ、現像ローラ３７に回収バイアスを印加し、光導電層１３に再度付着させた付着物を現像ローラ３７で回収する（Ｓ１２５，Ｓ１３０）。 - 特許庁

Thus, the p-type channel type MISFETs Qp1, Qp2 are respectively disposed on the separate n-wells, and hence the width of the separating part 5 between the p-channel type MISFETs Qp1 and Qp2 can be narrowed more than the case that separate well bias voltages are supplied to the respective n-wells.例文帳に追加

これにより、ｐチャネル型のＭＩＳ・ＦＥＴＱｐ１，Ｑｐ２を別々のｎウエルに配置してその各々のｎウエルに別々のウエルバイアス電圧を供給する場合よりもｐチャネル型のＭＩＳ・ＦＥＴＱｐ１，Ｑｐ２間の分離部５の幅を狭くすることができる。 - 特許庁

It is desirable to print a message for the user of the image forming device on the pre-cut paper or control only transfer bias, while the pre-cut paper is made to pass, to be reverse to the polarity in the case of a normal printing condition in the image forming apparatus.例文帳に追加

この画像形成装置では、プレカット紙上に、当該画像形成装置を使用する者へのメッセージを印字したり、プレカット紙を通紙中の転写バイアスのみを、通常の印字条件の場合と逆の極性に制御したりすることが望ましい。 - 特許庁

In the photomask design method, a transmissivity characteristic of the projection optical system 6 which changes depending on the difference of passways of diffracted rays L1-L3 passing through the projection optical system 6 in the projection optical system 6 is obtained and, by using the transmissivity characteristic, the mask bias of a photomask 5 is obtained.例文帳に追加

投影光学系６を通過する回折光Ｌ１〜Ｌ３の投影光学系６内の経路の違いに依存して変化する、投影光学系６の透過率特性を求め、この透過率特性を用いて、フォトマスク５のマスクバイアスを求める。 - 特許庁

Regarding a light pulse stream made incident in any arbitrary timing in each of time slots, the bias application timing is shifted sequentially within the range of the time slots to count the number of detected photons by a photon counter, and to measure the optical power of the light pulse stream based on the number of photons.例文帳に追加

各タイムスロット内の任意のタイミングで入射する光パルス列に対して、バイアス印加タイミングをタイムスロットの範囲で順次シフトさせることで光子カウンタ５により検出された光子数をカウントし、その光子数に基づいて光パルス列の光パワーを測定する。 - 特許庁