「process defect」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

When a short circuit occurs between the contactors 42, 43, a positioning error or a defect is assumed on the insulating sheet 8 in the semi-fabricated product 4, and so the semi-fabricated product 4 is removed from the fabrication process.例文帳に追加

コンタクタ71，72間が短絡している場合は、半製品４の絶縁シート８の位置のずれあるいは欠品があるため、半製品４を製造工程から排除する。 - 特許庁

To obtain a high-quality semiconductor substrate free from an interwiring short circuit, disconnection and the defect of a switching element due to static electricity generated during a manufacturing process and an electrooptical device.例文帳に追加

製造工程中に発生する静電気による配線間短絡、断線及びスイッチング素子欠陥のない高品質の半導体基板及び電気光学装置を得る。 - 特許庁

To provide an electronic mail transfer system that can efficiently process an electronic mail depending on described contents of a main text and transfer the electronic mail to a mobile phone without any defect.例文帳に追加

本文の記載内容によって電子メールを効率的に処理できるようにするとともに、電子メールを不具合なく携帯電話に転送できるようにする。 - 特許庁

To substantially overcome or at least improve one defect and more in a conventional process, with regard to embedding or detecting watermark information into an image.例文帳に追加

画像中への透かし情報の埋め込み又は検出に関する従来の処理における１つ以上の欠点を実質的に克服、或いは少なくとも改善する。 - 特許庁

To provide a technique where, in the case a casting is produced by a precise casting process, occurrence of casting defect owing to mold reaction caused by substances at the inside of the mold can be made minimum.例文帳に追加

精密鋳造法で鋳物を製作する際に、鋳型内部の物質に起因する鋳型反応による鋳造欠陥の発生を極小化できる技術を提供する。 - 特許庁

To grow a rutile single crystal free from crystal defect by changing the size of a seed crystal in the EGF process as one of the processes for growing rutile single crystals.例文帳に追加

ルチル単結晶の育成方法の一つであるＥＦＧ法において、種結晶の大きさを変えることによって、結晶欠陥の無いルチル単結晶を育成する。 - 特許庁

The monthly fatal defect density of a reference product that is different in wiring pattern from, but identical in manufacturing process with the prediction subject product is calculated from measured data.例文帳に追加

予測対象製品とは配線パターンが異なるが製造プロセスが同じであるリファレンス製品について、実測データから月別致命欠陥密度を算出する。 - 特許庁

To provide a circuit board which hardly causes a defect such as a short circuit due to a wire flow, whose wiring process is easy, and which copes with a multilayer wire.例文帳に追加

ワイヤ流れによる短絡等の不良が発生しにくく且つワイヤリング工程が容易であり、さらに多層ワイヤにも対応可能な回路基板を実現できるようにする。 - 特許庁

To efficiently manufacture a high-quality single crystal with a large diameter and no defect in the process of manufacturing a nitride single crystal by a sublimation method.例文帳に追加

昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥がなく、良質で、大口径の単結晶が効率よく製造できるようにすることにある。 - 特許庁

To avoid complication of manufacturing process, to more surely repair a pixel defect and to improve manufacturing yield in an active matrix type display device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置において、製造工程が煩雑にならず、絵素欠陥の修復をより確実に行うことができて、製造歩留まりの向上を図ることができる。 - 特許庁

To prevent the generation of an image defect without depending on the lifetime determination of a developer by the number of printed sheets in an electrophotography process using the developer which is composed of two components.例文帳に追加

２成分からなる現像剤を用いる電子写真プロセスにおいて、プリント枚数による現像剤の寿命判定に頼らず、画像ディフェクトの発生を防止する。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a small sized surface acoustic wave element where defect of an interdigital transducer is suppressed due to a discharge caused by a pyroelectric effect in the manufacture process.例文帳に追加

製造過程で焦電効果に起因して発生する放電によるインタディジタルトランスデューサーの破損を抑制する弾性表面波素子の電極構造を提供する。 - 特許庁

To provide a detecting method for a crystalline defect with high measurement sensitivity in which even a microdefect such as a small BMD formed nearby a wafer surface after a low-temperature process as an advanced device process can be measured.例文帳に追加

先端デバイスプロセスである低温プロセス後のウェーハ表面近傍に形成される小さなＢＭＤなど微小な欠陥であっても測定することができる測定感度の高い結晶欠陥の検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic capacitor which improves the defect rate of short-circuiting without giving any bad effect to an ESR and which is capable of improving the an yield and productivity in an element winding process and an impregnated element assembling process.例文帳に追加

ＥＳＲに悪影響を与えることなくショート不良率を改善し、素子巻取り工程及び含浸素子組立工程での歩留まりと生産性の向上をはかることができる電解コンデンサを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor device including a polishing step for preventing generation of a defect of insulating film after the polishing process, controlling the polishing of a stopper film and readily detecting the final point of the polishing process.例文帳に追加

研磨後の絶縁膜の欠陥の発生を防止し、ストッパー膜に対する研磨を抑制し、研磨の終点の検出を容易に行なうことを可能とする研磨工程を備える半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method is provided with a first process in which an optical waveguide 8 having a core made of quartz is prepared and the core is irradiated with an electromagnetic wave 12 to form a glass defect and a second process in which hydrogen is added to the core.例文帳に追加

本発明は、石英ガラス製のコアを有する光導波路８を用意し、コアに欠陥生成用の電磁波１２を照射してガラス欠陥を生成する第１工程と、コアに水素を添加する第２工程とを備えている。 - 特許庁

In a process 16, while using the defect distribution which is determined as a function of film thinning quantities in the process 15, TDDB at an arbitrary voltage and an arbitrary temperature are predicted concerning the insulating film of an arbitrary area.例文帳に追加

過程１６は、過程１５で薄膜化量の関数として確定された欠陥分布を用いて、任意の面積の絶縁膜について任意の印加電圧及び任意の温度における経時絶縁破壊特性を予測する。 - 特許庁

The method for inspecting a mask defect includes a process of generating referential data from the corrected mask design data D2 obtained by correcting (S10) data according to the exposure transfer pattern, and a process of measuring the actual pattern of the mask based on the corrected mask design data D2 to generate sensor data.例文帳に追加

露光転写パタンに基づき補正した（Ｓ１０）補正後マスク設計データＤ２から、参照データを作成し、補正後マスク設計データＤ２に基づくマスクの形状を実測してセンサデータを作成するマスク欠陥検査方法。 - 特許庁

The defect is introduced in the surface oxide film by allowing the aluminium foil which is useful in etching to be subjected to a bending process or a repetitive bending process suitably at the curvature of 0.5 mm-7 mm by use of bending rollers 2, 2a, and 2b.例文帳に追加

エッチングに供されるアルミニウム箔に、曲げローラ２、２ａ、２ｂなどにより好適には曲率０．５ｍｍ〜７ｍｍで曲げ加工あるいは繰り返し曲げ加工を施してその表面酸化皮膜に欠陥を導入する。 - 特許庁

When the granular foreign substances (x) of transparent or translucent synthetic resins are mixed into the liquid crystal layer 19 in a manufacturing process, a number of pieces of the granular foreign substances (x) aggregate and generates an aggregation defect X, and there is the possibility that this defect is a bright point defect to transmit light at all times, regardless of the orientation state of the liquid crystal.例文帳に追加

製造工程にて液晶層１９中に透明または半透明な合成樹脂の粒状異物ｘが混入すると、その粒状異物ｘが多数個凝集して異物凝集欠陥Ｘが生じ、そこが液晶の配向状態とは無関係に光を常時透過する輝点欠陥となる可能性がある。 - 特許庁

To provide a defect inspection apparatus and a defect inspection method, which enable potential failures and signs of abnormality to be discovered in order to prevent any defect from occurring in its market, by referring to history information in the inspection process, even in the case of an object to be inspected whose apparent operation is normal or whose characteristic meets a specification.例文帳に追加

検査時に履歴情報も参照することにより、見かけ上正常動作しているまたは規格値に入っている検査対象であっても、潜在的な故障や異常の兆候を発見できるようにして市場での不良発生を未然に防止することができる不良検査装置および不良検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a system for defect classification capable of shortening the work time of the visual examination of a product determined to be defective by an automatic inspection machine in a manufacturing process of a color filter or the like and capable of efficiently performing the input work of defect classification data.例文帳に追加

カラーフィルタ等の製造工程において、自動検査機で不良と判定された製品についての目視検査の作業時間を短縮するとともに、不良区分情報の入力作業を効率良く行うことができる不良分類システムを提供する。 - 特許庁

Also, a high speed defect inspection can be performed by configuring the system of these image processing parts with a task control part for performing the partition of an image and the task generation so as to perform the defect determination process in parallel or sequentially in accordance to the task.例文帳に追加

また、これらの画像処理部のシステム構成を、画像の分割，タスクの生成を行うタスク管理部とからなり、タスクに応じて並列もしくは時系列に欠陥判定処理を行う構成とすることにより，高速な欠陥検査を行えるようにした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring board, wherein an outer shape machining accuracy can be inspected without adding a special device and process and furthermore the factor of defect in outer shape machining can be specified and the degree of the defect can be investigated, and to provide a printed wiring board.例文帳に追加

特別な装置や工程を追加することなく外形加工精度を検査することができ、更に、外形加工の不具合要因を特定し、その不具合の程度を調査することができるプリント配線板の製造方法及びプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To provide a deciding method with which the variation of a joining condition which causes a joining defect is always detected so that the part of joining defect in a joining process is identified by the joining condition and a normal/defective condition is decided for a joint of a friction stir joining.例文帳に追加

摩擦撹拌接合継ぎ手について、接合工程において接合不良部が接合条件から特定されるように、接合不良を発生する接合条件の変化を常時検知し、かつその良否を判別する判別法を工夫すること。 - 特許庁

To provide an electrooptical device in which occurrence of a spot defect and a line defect caused by disconnection in an upper electrode material is prevented by preventing distortion of an element portion and a storage capacitor portion during a heat treatment process, and also to provide an electronic appliance.例文帳に追加

熱処理工程による素子部分および保持容量部分の変形を防止することにより、上電極材料の断線に起因する点欠陥や線欠陥が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for controlling a microorganism in a papermaking process capable of simply and surely decreasing generation of a defect of paper products by simply and surely specifying a generation site of the microorganism causing the defect of the paper products.例文帳に追加

紙製品の欠点の原因となっている微生物の発生場所を簡単に、かつ確実に特定し、これに基いて紙製品の欠点の発生を簡単に、かつ確実に低減させることができる製紙工程における微生物制御方法を提案する。 - 特許庁

A ZnO film 2 of a prescribed thickness is deposited on the surface of the primary seed crystal 21 by a vapor phase growth process (VPE) for the purpose of preventing the influence of the crystal defect regions, by which the arrival of the crystal defect regions at the surface of the ZnO film 2 is prevented.例文帳に追加

この結晶欠陥領域の影響を防止するために気相成長法（ＶＰＥ）によって、１次種結晶２１の表面に所定厚さのＺｎＯ膜２を成膜し、結晶欠陥領域がＺｎＯ膜２の表面まで到達しないようにする。 - 特許庁

To facilitate the selection of an image in which the feature of a defect is best reflected, in a defective image selecting device, a defective image selecting method and a defective image selecting system which are employed upon analyzing a defect generated in the manufacturing process of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの製造工程において生じる欠陥を解析する際に用いられる欠陥画像選択装置、欠陥画像選択方法及び欠陥画像選択システムにおいて、最も欠陥の特徴がよく映っている画像を選び出すことを容易とする。 - 特許庁

To provide an electrooptical device capable of preventing the occurrence of a point defect and line defect due to the disconnection of an upper electrode material by preventing the deformation of an element portion and a holding capacitor portion due to a heat treatment process, and to provide electronic equipment.例文帳に追加

熱処理工程による素子部分および保持容量部分の変形を防止することにより、上電極材料の断線に起因する点欠陥や線欠陥が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide an image forming method where the sticking of wax to a contact charging member is suppressed, further, the generation of an image defect caused by a charging defect is prevented, and image stability can be maintained, to provide a toner composition for electrostatic image developing, to provide an image forming apparatus, and to provide a process cartridge.例文帳に追加

接触帯電部材へのワックスの付着を抑制するとともに、帯電不良による画像不良の発生を防止し、画像安定性が維持できる画像形成方法および静電荷現像用トナー組成物、画像形成装置、プロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

An excessive surface 22, of bad crystalinity and comprising defect, which is deposited with a remaining gas in a temperature-falling process from a crystal growth temperature at completion of growth of silicon carbide is removed, and a Schottky electrode 25 is formed on a silicon carbide 24 with reduced defect.例文帳に追加

炭化珪素成長終了時の結晶成長温度からの降温過程で残留ガスにより堆積した結晶性が悪く欠陥を含んだ余分な表面２２を除去し、欠陥が低減された炭化珪素２４上にショットキー電極２５を形成する。 - 特許庁

The method has a lateral growing process in which a region having a low defect density and a region having a high defect density are formed alternately and periodically to grow a GaN layer 15 on a transparent substrate 10.例文帳に追加

本方法は、ＧａＮ層１５を透明な基板１０上に成長させる際、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的にＧａＮ層内に形成される横方向成長の成長工程を備えた、半導体素子の作製方法である。 - 特許庁

In the manufacturing method of a SOI wafer, before the oxide film forming process, a reactive ion etching (RIE) defect annihilation process is performed in which a defect is annihilated that exists in a region having at least up to 5 μm depth from a surface being a bonding surface of a prepared silicon substrate and that is detected by an RIE method by applying a rapid thermal treatment to the prepared silicon substrate.例文帳に追加

酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の貼り合わせ面となる表面から５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程を行うＳＯＩウェーハの製造方法。 - 特許庁

This method comprises a process to compare relative isotope intensity of the measured isotope peaks (A+1, A+2, ... A+n) with calculated relative isotope intensity of the isotope ion proposed in the experimental formula, and a process to compare relative mass defect of the measured isotope peaks with calculated relative mass defect of the isotope ion proposed in the experimental formula.例文帳に追加

当該方法は、測定同位体ピーク（Ａ＋１、Ａ＋２、・・・Ａ＋ｎ）の相対同位体強度を、実験式案の同位体イオンの算出相対同位体強度と比較すること、並びに測定同位体ピークの相対質量欠損を、実験式案の同位体イオンの算出相対質量欠損と比較することを包含する。 - 特許庁

To reliably discriminate a main surface of a magnetic disk substrate, where a defect is detected in a magnetic recording layer in the defect inspection of a process for manufacturing the magnetic disk substrate, in a subsequent film-forming process, and to reduce costs by preventing the use of an expensive material for a substrate surface obviously not to be used as a recording surface.例文帳に追加

磁気ディスク基板の製造工程における欠陥検査で磁気記録層に不適切な欠陥が検出された磁気ディスク基板の主表面を、後の成膜工程において確実に判別することができ、初めから記録面として用いられないことが判っている基板面にまで高価な材料を用いることを回避してコストの削減を図ること。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film without irradiating the defect with the converged ion beam when the irradiation of the converged ion beam is not selected in the selection process.例文帳に追加

また、選択工程において集束イオンビームを照射しないと選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射せずに第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film after the defect is irradiated with the converged ion beam when irradiation of the converged ion beam is selected in the selection process.例文帳に追加

そして、選択工程において集束イオンビームを照射すると選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射した後、第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor processing apparatus and a diagnostic method for the semiconductor processing apparatus capable of diagnosing a defect of reassembling of a process chamber after wet cleaning or a state of the process chamber such as deposition of reaction products and shaved components.例文帳に追加

ウエットクリーニング後の処理室再組み立ての不都合、あるいは反応生成物の堆積、部品の削れ等の処理室の状況を診断することのできる半導体処理装置及び半導体処理装置の診断方法を提供する。 - 特許庁

To reduce occurrence of mounting defect of an insulating ring to a negative electrode terminal board and an appearance defect caused by it, and to suppress the spray-shaped jet of an alkali electrolyte, even if the gas pressure in an alkaline dry cell increases, in a manufacturing process of the alkaline dry cell.例文帳に追加

アルカリ乾電池の製造工程において、絶縁リングの負極端子板への装着不良およびそれに起因する電池の外観不良の発生を低減化するとともに、アルカリ乾電池内部のガス圧が上昇した場合でも、アルカリ電解液のスプレー状の噴出を抑制する。 - 特許庁

To provide a defect inspection device wherein detection sensitivity and throughput are improved by optimizing shape of illumination when detecting a defect such as foreign matter generated in a production process for forming a pattern on a substrate to manufacture a target object, and to provide a method therefor.例文帳に追加

基板上にパターンを形成し対象物を製作して行く製造工程で発生する異物等の欠陥を検出する際に、照明の形状を最適化することにより、検出感度およびスループットを向上する欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

The method includes: a process (4) to form defects in a semiconductor material (2) during formation of a defect region by mechanical action or by oxygen injection; and then performing heat treatment of the semiconductor material (2) during generation of a material precipitate in the defect region.例文帳に追加

機械的作用によって、または、酸素注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料（２）内に欠陥を形成する工程（４）と、その後、欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料（２）の熱処理を行う工程とを含む。 - 特許庁

To provide a defect detection method can obtain existence or a kind of a defect of thread comprising a bundle of many continuous single fibers, on an online basis regardless of existence of twist of the thread, and performing speedily quality control of a thread package manufactured by a thread manufacturing process.例文帳に追加

多数の連続した単繊維の束からなる糸条の欠陥の有無や種類を、糸条の撚りの有無にかかわらずオンラインで把握できかつ糸条の製造工程により製造される糸条パッケージの品質管理を、迅速に行うことができる欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

A technique of imaging a hologram surface shape is provided for detecting a hologram film defect in hologram products and after the aluminum deposition process, which are the lighting method for imaging using coaxial epi-illumination, a hologram image acquisition method, and the hologram defect extraction method.例文帳に追加

ホログラム製品およびアルミニウム蒸着工程後におけるホログラムフィルム欠陥検出のためのホログラム表面形状の画像化手法であって、同軸落射照明を用いることを特徴とする画像化用照明方法、ホログラム画像取得方法、およびホログラム欠陥抽出方法である。 - 特許庁

To prevent a defect of a donor substrate from being caused by contaminations in a laser transfer process by eliminating the contaminations present on a base substrate of a donor substrate when the base substrate is prepared and prevent a defect of an organic electroluminescent display device manufactured by using the donor substrate.例文帳に追加

ドナー基板のベース基板を用意するに際して、前記ベース基板上に存在する汚染物を除去することによって、レーザ転写工程時において汚染物によるドナー基板の不良を防止し、前記ドナー基板を使用して製造される有機電界発光表示装置の欠陥を防止すること。 - 特許庁