「second level」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

Visible light is applied to the foundation surface from a vertical direction to a structure 36 obtained in this manner, and light intensity distribution along a first spacing length direction corresponding to a level difference based on a change in the film thickness of the second and third films of the reflection light of the visible light is measured.例文帳に追加

このようにして得られた構造体３６に対して、下地面に対して垂直方向から可視光を照射し、この可視光の反射光の、第２膜及び第３膜の膜厚の変化に基づく段差に対応した、第１間隔長方向に沿った光強度分布を測定する。 - 特許庁

First and second capacitance type sensors 34, 35 are installed on the upstream side from a water supply pump 28 of a water supply tube 24, a third capacitance type sensor 36 is installed in the vicinity of a connecting part 23, and the water level in the water supply tank 21 is measured by the capacitance type sensors 34-36.例文帳に追加

給水チューブ２４の給水ポンプ２８より上流側に第１,第２静電容量型センサー３４,３５を設置し、連結部２３の近傍に第３静電容量型センサー３６を設置して、静電容量型センサー３４〜３６で給水タンク２１内の水位を測定する。 - 特許庁

Furthermore, Al composition of AlGaInP current block layers 107 and 108 is almost equal to the Al composition of a second conductivity-type AlGaInP clad layer 110, so that the Al composition is not increased and that the optical damage level of a laser resonator end surface also will not increase.例文帳に追加

さらに、ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層１０７，１０８のＡｌ組成が第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１０のＡｌ組成と略等しくなっており、Ａｌ組成が増加していないので、レーザ共振器端面の光学損傷レベルが増加することもない。 - 特許庁

This oil level detecting device is provided with a switching means for switching between a first mode for actuating an alarm based on the detection signal, and stopping the engine, and a second mode for actuating the alarm based on the detection signal, and keeping the operation state of the engine continued.例文帳に追加

オイルレベル検出装置は、検出信号に応じて報知器を作動させるとともにエンジンを停止させる第１モードと、検出信号に応じて報知器を作動させるとともにエンジンの作動状態を続行させる第２モードとに、切り替える切替手段を備える。 - 特許庁

This method comprises a process for arranging a first joint material 10 like a belt plate having an upper end being at crest level L of the earthen floor slab at its erected attitude on a face for placing the earthen floor slab provided on the ground and a process for arranging a second joint material 11 like a belt plate by overlapping it on a side face of the first joint material 10.例文帳に追加

地盤に設けた土間床版打設用面上で、上端が土間床版の天端レベルＬとなる帯板状の第１の目地材１０を立ち姿勢に配置する過程と、この第１の目地材１０の側面に重ねて帯板状の第２の目地材１１を配置する過程とを含む。 - 特許庁

Furthermore, after entering into a 1/2 wave length plate 15 and having the polarized direction (vibration direction of an electric field) converted at the 1/2 wave length plate 15, the p polarized light which has been penetrated through the inductor multilayered film of the polarization beam splitter 13 is penetrated through the lamp cover 17 as a second level polarized light and irradiated outside.例文帳に追加

また、偏光ビームスプリッタ１３の誘導体多層膜を透過したｐ偏光は、１／２波長板１５に入射し、１／２波長板１５でその偏光方向（電場の振動方向）を変換された後、第２の水平偏光としてランプカバー１７を透過して外部に照射される。 - 特許庁

In this circuit constitution, while brightness unevenness of the discharge tubes (3) is improved, since the second and third ballast elements (22, 23) are operated individually, double numbers of ballast elements than those of the discharge tubes (3) are not necessary to be installed, and a sufficient level of starting voltage can be applied on the discharge tubes (3) which are not lighted yet.例文帳に追加

この回路構成では、放電管(3)の輝度のばらつきを改善しつつ、第２及び第３のバラスト素子(22,23)が個別に動作するので、放電管(3)の数の２倍数のバラスト素子を設ける必要がなく、未点灯の放電管(3)に十分なレベルの起動電圧を印加することができる。 - 特許庁

When the optical bridge 101 is situated above the level of the toner 8, the light incident from a light source and transmitted from the first light tube is transmitted to the optical bridge 101 through the clearance without substantially damping, and then connected to the second light tube 102b.例文帳に追加

光ブリッジ１０１がトナー８のレベルよりも上に位置する場合は、光源１０３から入射されて第１の光管から伝えられる光は空隙を通して実質的に減衰することなく光ブリッジ１０１に伝えられ、次いで第２の光管１０２ｂに結合する。 - 特許庁

A circuit for capturing the input signal to a capacitor for a first timing period, receiving the voltage stored in the capacitor for a second timing period, using an inverting amplifier circuit to amplify the voltage and giving the amplified voltage to the capacitor is employed for the voltage holding circuit for holding the black level clamp signal.例文帳に追加

かかる黒レベルクランプ信号を保持する電圧保持回路として、第１タイミング期間に入力信号をキャパシタに取り込み、第２タイミング期間に上記キャパシタに保持された電圧を受け、反転増幅回路により電圧増幅して上記キャパシタに伝える回路を用いる。 - 特許庁

In the first extraction processing (S100) and the second extraction processing (S200), musical sound signals (left-channel signals and right-channel signals) meeting respective conditions are extracted as extraction signals by condition being set (by condition including a set of frequency, localization and maximum level).例文帳に追加

ここで、第１取り出し処理（Ｓ１００）および第２取り出し処理（Ｓ２００）は、設定された各条件毎に（周波数、定位および最大レベルが一組となった条件毎に）、各々の条件を満たす楽音信号を（左チャンネル信号および右チャンネル信号を）、抽出信号として抽出する。 - 特許庁

The method further includes the execution of protection switching to a signal received via the second path from the signal received via the first path in response to decision that the reference power level exceeds a power strength of the signal received via the first path by a predetermined threshold.例文帳に追加

この方法は更に、第１のパスを介して受信された信号のパワー強度を基準パワーレベルが所定の閾値だけ上回るとの判定に応答して、第１のパスを介して受信された信号から第２のパスを介して受信された信号にプロテクションスイッチングを行うことを含む。 - 特許庁

The level shifter is configured so that a supply voltage output for a circuit including one of the first supply voltage and the second supply voltage is selected according to an input signal which depends on at least one of an operation to be performed and a component performing the operation.例文帳に追加

レベル・シフタは、少なくとも１つの実行すべき動作と動作を実行するコンポーネントとに依存する入力信号に従って、第１電源電圧及び第２電源電圧のうちの１つを含む回路に対する電源電圧出力を選択するように構成される。 - 特許庁

The second loop is constituted of a source ground amplifier in order to keep the voltage of the drain electrode of the PMOS transistor 13 constant by controlling the gate electrode of the PMOS transistor 13 according to an error signal, and the output level of the source ground amplifier is provided with DC offset.例文帳に追加

誤差信号に応じてＰＭＯＳトランジスタ１３のゲート電極を制御して、ＰＭＯＳトランジスタ１３のドレイン電極の電圧を一定に保持するために、第２のループをソース接地増幅器により構成するとともに、ソース接地増幅器の出力レベルにＤＣオフセットを持たせている。 - 特許庁

A chip package 40 achieves miniaturization and excellent high-speed operation by employing flip chip interconnection between a die 24 and a package substrate 42 and mounting a chip on the same side of the package substrate 42 as solder balls 28 for the second level interconnection to a printed circuit board.例文帳に追加

ダイ２４とパッケージ基板４２との間にフリップチップ相互接続を用い、プリント回路基板に第２レベルの相互接続をするための半田ボール２８と同じ側のパッケージ基板４２にチップを取り付けることにより、チップパッケージ４０が小型化及び優れた高速動作を達成する。 - 特許庁

A gain slope in the Raman amplification is detected by detecting the power of the signal light past first and second optical band pass filters having pass bands included in the amplification bands by these laser diodes, respectively, and the level of the pumping is controlled according to the gain slope.例文帳に追加

そして、それらのレーザダイオードによる増幅帯域にそれぞれ含まれる通過帯域を有する第１及び第２の光帯域通過フィルタを通過した信号光のパワーを検出することで、ラマン増幅における利得傾斜を検出し、その利得傾斜に従ってポンピングの程度を制御する。 - 特許庁

The blocking diode prevents a current running from the floating inductance component of a high-potential side switching semiconductor device 102 from running from the first drive circuit side to the second drive circuit side in the level shift circuit, when the high-potential side switching semiconductor device 102 is turned off.例文帳に追加

阻止ダイオードは、高電位側スイッチング半導体素子１０２等がターンオフした時、高電位側スイッチング半導体素子の浮遊インダクタンス成分等から流れ出る電流が、レベルシフト回路内で第１駆動回路側部分から第２駆動回路側部分へ流れるのを阻止する。 - 特許庁

When a supply voltage on the bypass power line 103c temporarily drops to an abnormal level in response to an on-off action of the switch element 181, the charge voltage of the second capacitor 132a is supplied to the bypass power line 103c via the backflow prevention diode 133 to suppress an abnormal voltage drop.例文帳に追加

側路電源線１０３ｃの電源電圧が開閉素子１８１の開閉動作に応動して一時的に異常低下したときに、第２のコンデンサ１３２ａの充電電圧が逆流阻止ダイオード１３３を介して側路電源線１０３ｃに供給され異常電圧低下が抑制される。 - 特許庁

Respective photoreceptor drums 6 have diameters D which are mutually the same, and are formed so that the level of deviation in a radial direction by taking a center axis L connecting the centers of the axial supporting parts 1610 and 1810 of first and second flange members 16 and 18 as a reference is set ≤30 μm.例文帳に追加

各感光体ドラム６は互いに同一の直径Ｄを有し、また、第１、第２フランジ部材１６、１８の軸支部１６１０、１８１０の中心を結ぶ中心軸Ｌを基準とした径方向の振れの大きさが３０μｍ以下になるように形成されている。 - 特許庁

The level changer circuit 2 has p-channel MOS transistors 11, 12 connected between cross coupled p-channel MOS transistors 13, 14 and the line of a second power potential VDD 2, and the gates of the MOS transistors 11, 12 are connected to the line of a ground potential GND.例文帳に追加

このレベル変換回路２はクロスカップル接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタ１３，１４と第２電源電位ＶＤＤ２のラインとの間にＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１，１２を接続し、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１，１２のゲートを接地電位ＧＮＤのラインに接続したものである。 - 特許庁

The third semiconductor chip includes a drive circuit which complementally drives the first and the second power MOSFETs, and also comprises a voltage control means which gives temperature dependency to a voltage level of a drive signal outputted from the drive circuit for raising a temperature according to temperature rises in the MOSFETs.例文帳に追加

上記第３半導体チップは、上記第１、第２パワーＭＯＳＦＥＴを相補的に駆動する駆動回路を含み、上記駆動回路から出力される駆動信号の電圧レベルに温度上昇に対応して上昇させる温度依存性を持たせる電圧制御手段を設ける。 - 特許庁

The compensation of transmission path characteristics in a section from the modulator to a demodulator is performed by adding level difference to amplitude of a first frequency and a second frequency, incorporating a function capable of smoothing variation of the amplitude in an FSK modulator, and performing preliminary compensation according to the transmission path characteristics.例文帳に追加

ＦＳＫ変調器に、第一の周波数と第二の周波数の振幅にレベル差を付加し、且つ、振幅の変化を滑らかにできる機能を内蔵させ、伝送路特性に応じた事前補正を行うことで、変調器〜復調器区間での伝送路特性の補償を実現する。 - 特許庁

The plasma treatment device 10 comprises a means 20 for monitoring the drop of first high frequency power down to a specified level when second high frequency power is applied to a lower electrode 13 following to the application of the first high frequency power to an upper electrode 12.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置１０は、第１の高周波電力を上部電極１２に印加した後、第２の高周波電力を下部電極１３に印加した際に、第１の高周波電力の電力値の所定値までの落ち込みを監視する監視手段２０を設けたものである。 - 特許庁

Further, for the bidirectional signal line, the leakage current is prevented by replacing the output tristate buffer of the ON block 40 by the sixth care circuit 6 and inserting the second care circuit 2 in front of the tristate buffer when the bidirectional signal voltage level is made the voltage of the OFF block 41.例文帳に追加

また、双方向信号線については、双方向信号電圧レベルをＯＦＦブロック４１の電圧にする場合、ＯＮブロック４０の出力トライステートバッファを第６のケア回路６に置換し、トライステートバッファ前に第２のケア回路２を挿入しリーク電流を防止する。 - 特許庁

In the second processing, the counter part is operated in a period between a point at which the reference signal reaches a level equivalent to the lower limit or the upper limit of the 1 LSB portion at the N-M bit accuracy to which AD conversion data of a processing object signal belongs and a point at which the comparison result is inverted.例文帳に追加

２回目には参照信号が処理対象信号のＡＤ変換データが属するＮ−Ｍビット精度での１ＬＳＢ分の下限もしくは上限に相当するレベルに達する時点と比較結果が反転する時点の間の期間にカウンタ部を動作させる。 - 特許庁

In this state, when none of a plurality of pieces D0-D2 of data is selected by selection signals S0-S2, the first node N1 becomes H, so that the electric charge of the second node N2 is discharged and the output signal Q comes into a condition of malfunctioning to the L level.例文帳に追加

この状態において、選択信号Ｓ０〜Ｓ２によって複数のデータＤ０〜Ｄ２の何れもが選択されなくなった際には、第１ノードＮ１がＨとなり、前記第２ノードＮ２は、その電荷が放電されて、出力信号ＱはＬレベルに誤動作する状況となる。 - 特許庁

When a selection signal S is at a first level, a first selector 1 gives received image sensor data to a sensor pre-processing section 4, a second selector 2 outputs the image sensor data subjected to the pre-processing to the defective pixel correction unit 5, and a third selector 3 outputs the data subjected to the defective pixel correction processing.例文帳に追加

選択信号Ｓが第１レベルのとき、第１セレクタ１は受信した画像センサーデータをセンサー前処理部４に入力し、第２セレクタ２は前処理済みの画像センサーデータを欠陥画素補正部５に出力し、第３セレクタ３は欠陥画素補正処理済みのデータを出力する。 - 特許庁

When the node A is at an H-level, it is in a second recording state, erase pulses are applied to the transistor 34, a threshold voltage is made low, the reference voltage Vrefsa is set at a first reference voltage Vrefsa 1, and, in addition, the erasing operation of a memory cell array is performed.例文帳に追加

そして、第２の記録状態に遷移する時は、第２の基準電圧を利用することにより、第１の記録状態にあった全てのセルトランジスタが、第２の基準電圧より低い閾値電圧となり、実質的に第２の基準電圧に対して消去動作が行われたことになる。 - 特許庁

A forming process of a resist film on a semiconductor wafer includes first step of coating a resist solution on the wafer, a second step of spreading the resist solution over the entire wafer and adjusting the film thickness to a prescribed level, and a third step of treating the wafer with the resist film by heat at a prescribed temperature.例文帳に追加

半導体ウエハへのレジスト膜の形成工程は、レジスト液をウエハに塗布する第１工程と、レジスト液をウエハ全体に拡げて所定の膜厚に調整する第２工程と、レジスト膜が形成されたウエハを所定の温度で熱処理する第３工程とを有する。 - 特許庁

The abnormal voltage determining section 18, if an output voltage signal level detected by the output voltage detection resistor 7 is more than a predetermined first threshold or less than a predetermined second threshold, determines output voltage abnormality and stops operation of a DC/DC conversion section 3.例文帳に追加

異常電圧判定部１８は、出力電圧検出抵抗７により検出される出力電圧信号レベルが、所定の第１閾値を超える場合、または所定の第２閾値未満となる場合は、出力電圧異常としてＤＣ／ＤＣ変換部３の動作を停止する。 - 特許庁

In this invention, since voltage Vzcd induced in a second side winding L2 of an inductor has input voltage level information when a switch Qsw is in conduction, the voltage Vzcd is utilized to regulate a conduction period of the switch Qsw.例文帳に追加

本発明によると、スイッチＱｓｗが導通の時にインダクタの２次側捲線Ｌ２に誘導される電圧Ｖｚｃｄが入力電圧の大きさ情報を有していることを利用して、前記２次側捲線に誘導される電圧ＶｚｃｄによってスイッチＱｓｗの導通期間を調節する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has such a structure that a first shield line 26 and a second shield line 35 connected with a reference potential electrode 23 are provided around a metal wire 30 having characteristic impedance which can be kept at a substantially constant level at the time of signal transmission.例文帳に追加

半導体装置１０は、基準電位電極２３に接続された第１シールド配線２６と第２シールド配線３５とが金属配線３０の周囲に設けられた構造を有し、信号伝送時の金属配線の特性インピーダンスをほぼ一定に維持することができる。 - 特許庁

To provide a cell for a solid polymer fuel battery of a new structure in which a seal performance in an oxidizing gas flow passage and a fuel gas flow passage formed between overlapped faces of a membrane/electrode assembly and a first separator and a second separator can be secured at a high level and with stability.例文帳に追加

膜／電極接合体と第一セパレータおよび第二セパレータの重ね合わせ面間に形成される酸化ガス流路と燃料ガス流路におけるシール性能を高度に且つ安定して確保することの出来る、新規な構造の固体高分子型燃料電池用セルを提供する。 - 特許庁

A difference frequency signal obtained by multiplying a reflected wave detection signal Sr to the second high-frequency signal is extracted through a filter 122, and the level of the extracted difference frequency signal is detected to obtain a reflected wave detection value Sra indicating a fundamental frequency component of reflected wave power.例文帳に追加

反射波検出信号Ｓrを第２の高周波信号と乗算して得た差周波数信号をフィルタ１２２を通して抽出し、抽出した差周波数信号のレベルを検出して反射波電力の基本周波数成分を示す反射波検出値Ｓraを得る。 - 特許庁

If a capacitor C2 is charged, when the magnetic pole of a sensor magnet 5 detected by magnetic sensors IC1-IC3 changes, and the voltage reaches a rotational speed signal FV1 corresponding to the change frequency of the magnetic pole, a second timer circuit 50 inverts an advance angle time setting signal MS to a high-voltage level.例文帳に追加

磁気センサＩＣ１〜ＩＣ３で検出されたセンサマグネット５の磁極の変化時にコンデンサＣ２を充電し、その電圧が磁極の変化周波数に相当する回転数信号ＦＶ１に達したときに、第２タイマ回路５０は進角時間設定信号ＭＳを高電圧レベルに反転させる。 - 特許庁

A position of a target of this time is predicted from the position of the target detected in the preceding time and relative speed, and a wide succeeding area, a third medium-level output candidate determination area, and a second narrow output candidate determination area are set, in the state centered at a predicted position of this time.例文帳に追加

前回検知されたターゲットの位置および相対速から今回のターゲットの位置を予測し、その今回予測位置を中心として広い引継ぎエリア、中程度の３回目出力候補判定エリアおよび狭い２回目出力候補判定エリアを設定する。 - 特許庁

A first building external wall Xa side is changed to a high ceiling level L1 in the first building external wall Xa side of a dining room 12 of a first floor layer 1F to form a released open ceiling space 31 which is recessed at a corner in a hall 22 of the second floor layer 2F.例文帳に追加

１階の階層1Fのダイニングルーム12の第１建物外壁Xa側に、この第１建物外壁側を高い天井高L1に変更させて２階の階層2Fのホール22内の一角にダイニングルームの第１建物外壁側を入り込ませた開放的な吹き抜け空間31を形成する。 - 特許庁

Of the plurality of generated picked up images, for a first picked up image containing the most return light component by the narrow-band light from the second light source section 47, the brightness level of the first picked up image is controlled to be increased/decreased independent of the brightness levels of the picked up images of the other reference colors.例文帳に追加

生成した複数の撮像画像のうち、第２の光源部４７からの狭帯域光による戻り光成分を最も多く含む第１の撮像画像に対して、第１の撮像画像の輝度レベルを他の基準色の撮像画像の輝度レベルとは独立して増減制御する。 - 特許庁

Depending on presence/ absence of a reply from the main communication unit 100 to the pulse signal for the first communication means 210, the decision means 240 makes a decision through which one of a pulse signal (first signal) or a level signal (second signal) communication with the main communication unit 100 is possible.例文帳に追加

判定手段２４０は主通信装置１００から第１通信手段２１０に対するパルス信号の返信の有無に応じ、主通信装置１００との間でパルス信号（第１信号）及びレベル信号（第２信号）のいずれによる通信が可能かを判定する。 - 特許庁

A corrected value Baa of a black level is calculated in accordance with an output Bopb1 of a first optical black area which shields a photoelectric conversion part as well as an output Bopb2 of a second optical black area which differs from the first optical black area in the photoelectric conversion part.例文帳に追加

本発明は、光電変換部を遮光してなる第１の光学的黒領域の出力Ｂｏｐｂ１に加えて、この第１の光学的黒領域と光電変換部が異なってなる第２の光学的黒領域の出力Ｂｏｐｂ２を基準にして黒レベルの補正値Ｂａａを算出する。 - 特許庁

A CPU 100 determines whether transmission/reception of data of an application layer protocol level is performed through the radio communication established with the radio communication terminal on the other side which has transmitted the response, based on a result of comparison between the first identifying information and the second identifying information.例文帳に追加

ＣＰＵ１００は、第１識別情報と第２識別情報とを比較した結果に基づいて、応答を送信した相手側無線通信端末との間で確立された無線通信を介してアプリケーション層プロトコル・レベルのデータの送受信を行うか否かを判断する。 - 特許庁

On some conditions, such as control by a CPU 2, by a factor of an instruction set 8 fetched from a cache memory 31, the second priority control function 36 changes the priority data 34 and sets a specific line of the priority data 34 to a low or old level to cause it to be rewritten earliest.例文帳に追加

第２の優先度制御機能３６は、キャッシュメモリ３１からフェッチされた命令セット８を要因とする幾つかの条件、たとえばＣＰＵ２の制御により、優先データ３４を変更し、特定のラインの優先データ３４を低くあるいは古くして最も早く書換えられるようにする。 - 特許庁

The shift register 1510 and the logical operation part 1520 are operated with a first high potential-side voltage VGG1, while a level shift part 1530 is operated with a second high potential-side voltage VGG2, to convert the low voltage sampling signal S1' to Sn' into a high-voltage sampling signal S1 to Sn.例文帳に追加

Ｘシフトレジスタ１５１０および論理演算部１５２０は第１高電位側電圧VGG1によって動作する一方、レベルシフト部１５３０は第２高電位側電圧VGG2によって動作し、低電圧サンプリング信号Ｓ１'〜Ｓｎ'を高電圧サンプリング信号Ｓ１〜Ｓｎに変換する。 - 特許庁

For instance, a drain valve 6 installed in the storage tank 5 is used as a first drain means, and when drainage by the drain valve 6 is impossible, a relief valve 7 having a drainage level higher than that of the drain valve 6 is used as a second drain means to carry out drainage by the relief valve 7.例文帳に追加

例えば、貯水槽５に設置される排水バルブ６を第１の排水手段として用い、この排水バルブ６による排水が不能のときには、排水レベルが排水バルブ６よりも高いリリーフバルブ７を第２の排水手段として用いて、このリリーフバルブ７による排水を行う。 - 特許庁

The control device transmits a customer visiting signal to the higher level device via the communication unit (S140) when physical quantity which is detected by the customer sensor satisfies a first predetermined reference (S110:Yes) and when the image data satisfies a second predetermined reference (S130:Yes).例文帳に追加

制御部は、顧客センサが検出する物理量が所定の第１の基準を満たした場合であって（Ｓ１１０：Ｙｅｓ）、かつ、画像データが所定の第２の基準を満たす場合に（Ｓ１３０：Ｙｅｓ）、制御部は、通信部を通じて上位装置に来客信号を送信する（Ｓ１４０）。 - 特許庁

Then, a switching signal generator 124B generates a switching signal 30 based on the switching signal control data "L level" set in the register 124A to change a resistance value of the variable resistor circuit 40 from a first resistance value to a second resistance value which is higher than the first resistance value.例文帳に追加

切り替え信号発生部１２４Ｂは、レジスタ１２４Ａにセットされた切り替え信号制御データ“Ｌレベル”に基づいて切り替え信号３０を発生し、可変抵抗回路４０の抵抗値を第１抵抗値から第１抵抗値より高い第２抵抗値に変更する。 - 特許庁