「second level」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The microcomputer 21 decides whether or not the start of its own is the first from the level of the E2 signal, and allows a film feeding mechanism 15 to perform preliminary winding processing when deciding that it is the first start, and allows it to perform frame feeding processing when deciding that it is the second and succeeding start.例文帳に追加

マイクロコンピュータ２１は、Ｅ２信号のレベルから自身の起動が初めてか否かを判定し、初めての起動である場合にはフイルム給送機構１５に予備巻き処理を実施させ、２回目以降の起動である場合にはコマ送り処理を実施させる。 - 特許庁

A luggage room floor 10 includes an upper floor 11 having substantially the same height level as the reinforcing member 4a, and a second recess 17 (to store a spare tire) constructing a lower floor is formed in the rear part of the center part in the vehicle width direction of the upper floor 12.例文帳に追加

荷室フロア１０は、補強部材４ａと実質的に同じ高さレベルの上段フロア１１を含み、上段フロア１２の車幅方向中央部分には、その後部に、下段フロアを構成する第２の凹所１７（スペアタイヤ格納）が形成されている。 - 特許庁

The end surface of a first plate member 121, which becomes the hinge attachment portion 120, and that of a second plate member 131, which becomes the extension portion 130, are joined in such a way that each surface becomes flush with each other to form a stepped plate material 140 having a level difference in the longitudinal direction.例文帳に追加

ヒンジ取付部１２０となる第１板材１２１の端面と延出部１３０となる第２板材１３１の端面とを、夫々の一方の面同士が面一となるように接合して長手方向に段差を有する段差板材１４０とする。 - 特許庁

In this case, the threshold value Sw1 for detecting misfire is made low to a smaller level due to the fact that the rotation irregular value LUT or FLUT is always lower than the second threshold value Sw2 within a prescribed time interval Δt or for a prescribed engine speed Δu period.例文帳に追加

この場合、所定の時間間隔Δｔ内または所定の機関回転数Δｕの間にわたり常に第２のしきい値Ｓｗ_2を下回っていることが、ミスファイヤ検出のためのしきい値Ｓｗ_1をより小さいレベルに低下させるようになされている。 - 特許庁

The second groove 5 is not completely filled up with the polycrystalline silicon resistor 6 and has a recess in the surface thereof, and an insulating layer 7 is formed in the recess so that the surface of the insulating layer 7 and the surface of the substrate 1 are held at the same level.例文帳に追加

多結晶シリコン抵抗体６は第２の溝５を完全に埋めきらず、表面に凹部を有する形状であり、その凹部内に絶縁層７が形成されており、絶縁層７表面と基板１の表面とはほぼ同じ高さを保った構造となっている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ceramic electronic component that has a step of printing a conductive paste or a level difference dissolving ceramic paste in sheet shape in first and second gravure printing processes, can accurately modify deviation in printing, and hardly generates distortion in printing.例文帳に追加

シート状に導電ペーストまたは段差解消用セラミックペーストを第１，第２のグラビア印刷工程により印刷する工程を備え、印刷ずれの修正を高精度に行うことができ、印刷歪みが生じ難い、セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The projection 11e projects into such a level that it reaches the vibration space of the vibration plate 8 at the time of the first signal generating circuit being connected to the coil 7 and that it does not reach the vibration space of the vibration plate 8 at the time of the second signal generating circuit being connected to the coil 7.例文帳に追加

凸部１１ｅは、コイル７に第１信号発生回路が接続されたときの振動板８の振動空間に達し、且つ、コイル７に第２信号発生回路が接続されたときの振動板８の振動空間に達しない高さに突出している。 - 特許庁

The first table piece 1 and the second table piece 2, and the third table piece 3 and the fourth table piece 4 are pivotably attached so as to be folded with back surfaces thereof opposed each other, with first hinges 20 arranged to have axes 20a at the level of the back surfaces.例文帳に追加

第１テーブル片１および第２テーブル片２と、第３テーブル片３および第４テーブル片４とは、裏面の水準の枢軸２０ａを有するように取り付けられた第１ひんじ２０により、裏面を向き合わせて畳まれるように枢着する。 - 特許庁

In the second chamber 12, the substrate B subjected to drying of a predetermined step by reducing the pressure in the first chamber 10 is continuously subjected to pressure-reduced drying in the space whose pressure is reduced to a higher vacuum level and is heated at the same time.例文帳に追加

第２のチャンバ１２内では、第１のチャンバ１２内で減圧乾燥による乾燥処理を一定の段階まで受けてきた基板Ｂに対して、より高い真空度の減圧空間にて減圧乾燥の処理が続行されると同時に加熱も行われる。 - 特許庁

Level of a current flowing from the constant current circuit (6) to the inverter circuit (4) is adjusted by connecting the bade terminals or gate terminals of the first transistor (8_1) and second transistor (8_2) with each other and with the adjusting resistor (5a) thereby altering the output current value from the adjusting resistor (5a).例文帳に追加

第１のトランジスタ(8_1)と第２のトランジスタ(8_2)の各ベース端子又はゲート端子とを互いに且つ調整抵抗(5a)とに接続し、調整抵抗(5a)の出力電流値を変更することにより、定電流回路(6)からインバータ回路(4)に流れる電流のレベルを調整する。 - 特許庁

The pulse control circuit detects the current flowing through the second transistor, generates a pulse with a predetermined duration to maintain the first transistor in a complete on state, in response to the current, and refreshes the regulated output voltage to a maximum target voltage level.例文帳に追加

パルス制御回路は第２のトランジスタを流れる電流を検出し、その電流に応答して、第１のトランジスタを完全オン状態に保つ所定の持続時間のパルスを発生し、調整ずみ出力電圧を最大目標電圧レベルにリフレッシュする。 - 特許庁

The first electrode G3B1 is impressed with the definite level of focus voltage, and the second electrode G3B2 is impressed with voltage increasing in synchronization with the increase of the amount of deflection of the electron beam, thereby a prefocus lens having dynamically varying astigmatic intensity.例文帳に追加

この第１電極Ｇ３Ｂ１には、一定レベルのフォーカス電圧を印加し、第２電極Ｇ３Ｂ２には、電子ビームの偏向量の増大に同期して増大する電圧を印加することにより、非点収差の強度が動的に変化するプリフォーカスレンズを形成している。 - 特許庁

The voltage control circuit sets word control signal high level voltage supplied to the word decoder, to a first high voltage during an access period of corresponding memory blocks and to a second high voltage lower than the first one during a non-access period of the corresponding memory blocks.例文帳に追加

電圧制御回路は、ワードデコーダに供給するワード制御信号用の高レベル電圧を、対応するメモリブロックのアクセス期間に第１高電圧に設定し、対応するメモリブロックの非アクセス期間に第１高電圧より低い第２高電圧に設定する。 - 特許庁

The driving circuit resumes current carrying and driving to the motor after a predetermined period of time elapses after the control circuit receiving the overcurrent detection signals detects that both of voltage of the second control signals and voltage of the third control signals are set to low level.例文帳に追加

さらに駆動回路は、過電流検出信号を受信した制御回路が第二制御信号の電圧及び第三制御信号の電圧を共に低レベルに設定したことを検知してから所定時間経過した後、モータの通電駆動を再開する。 - 特許庁

This image processor is provided with an auxiliary storage device 19 for storing first data with high LOD (Level Of Detail) on a prescribed object image, a main memory 11 storing second data with LOD lower than the first data, a CPU 10 and a GPU (Graphics Processing Unit) 18.例文帳に追加

所定の物体画像についてＬＯＤレベルの高い第１データが記憶される補助記憶装置１９、第１データよりもＬＯＤレベルの低い第２データが記憶されるメインメモリ１１、ＣＰＵ１０と、ＧＰＵ１８と、を備える画像処理装置である。 - 特許庁

Meanwhile, a part 23a of the floor face 23 is elevated in accordance with the change of the first building external wall Xa side to the higher ceiling level L1, at a corner of the hall 22 of the second floor layer to form a storage space 32 of which the ceiling 24 height L2 is lowered.例文帳に追加

一方、２階の階層のホールの一角に、第１建物外壁側が高い天井高に変更されるのに伴い床面23の一部23a を高所に変更させて天井24までの高さを低い天井高L2に変更した収納空間32を形成する。 - 特許庁

When the disconnection failure does not occur in the second gate signal line 22, a gate signal B is delayed with respect to a drive signal A by a gate capacitor 27, and the gate signal B reaches a reference voltage V_ref after a timer signal D has fallen to a Lo-level.例文帳に追加

第２ゲート信号線路２２に断線故障が発生していない場合、ゲート信号Ｂは、駆動信号Ａに対してゲートコンデンサ２７によって遅延し、ゲート信号Ｂが基準電圧Ｖ_refに達するのが、タイマ信号ＤがLoレベルに立下がった後になる。 - 特許庁

When the reproduced music is not no.1 (S101: NO), if the evaluation pertaining to the typing is worse (S103: NO), the screen is split to make the display condition of PV (promotion video) images shown on the second liquid crystal display even worse by one level (S105).例文帳に追加

再生楽曲が１番でない場合に（Ｓ１０１：ＮＯ）、タイピングに関する評価が悪い状態にあるときは（Ｓ１０３：ＮＯ）、画面分割を行って、第２液晶ディスプレイに表示中のＰＶの映像の表示状態を１段階わるくする（Ｓ１０５）。 - 特許庁

To obtain a part which has density near to the theoretical density of aluminum alloy and dimensional precision at high level by using a method for utilizing a porous block of a first aluminum-base material with a second aluminum-base material, in the production of a three-dimensional material.例文帳に追加

三次元物体の製造において、第１のアルミニウムベースの材料の多孔質塊を溶融した第２のアルミニウムベースの材料により自発的に溶浸する方法により、アルミニウム合金の理論密度に近い密度を持ち、高レベルの寸法精度が可能な部品を得る。 - 特許庁

The second lever 7b comprises a pressing part 7b_4 kept into contact with a top face 4c of the piezoelectric unit 4 at an upper level with respect to the journal part 7b_3 of the lever 7b, and a cam part 7c projecting at the other end 7b_2 to convert the rotating motion of the ignition operating element 6 into the vertical motion.例文帳に追加

第２レバー７ｂは、同レバー７ｂの軸支部７ｂ_３ よりも上位で圧電ユニット４の頂面４ｃに当接する押圧部７ｂ_４ を備え、他端７ｂ_２ 側に着火操作子６の回転運動を上下運動に変換するカム部７ｃを突設する。 - 特許庁

The resetting circuit is a circuit for initializing the internal clock of a semiconductor memory device, and provided with an external voltage detector for detecting the level of an external voltage to generate a first resetting signal, and a second resetting signal generator for generating a second resetting signal by subjecting a predetermined external signal applied from the outside and the first resetting signal to a logical operation.例文帳に追加

本発明のリセット回路は、半導体メモリ装置の内部回路を初期化するための回路であって、外部電圧のレベルを検出して第１リセット信号を発生させる外部電圧検出器及び外部から印加される所定の外部信号と第１リセット信号とを論理演算して第２リセット信号を発生させる第２リセット信号発生器を備える。 - 特許庁

The activity level meter 1 has an acceleration sensor 2 which detects the movements of the users, a computation section 5 which computes a first index showing the quality of movement computed from a detection output of the acceleration sensor 2 and a second index showing the amount of movement, and a display section 8 which displays a movement evaluation matrix based on the computed first index and the second index.例文帳に追加

活動量計１は、使用者の運動を検出する加速度センサ２と、加速度センサ２の検出出力から演算される運動の質を表す第１の指標及び運動の量を表す第２の指標を演算する演算処理部５と、これら演算された第１の指標と、第２の指標とに基づく運動評価運動評価マトリクスを表示する表示部８とを備えている。 - 特許庁

The nonvolatile memory circuit is constituted of: a plurality of nonvolatile memory cells 10 to 13 each having a first terminal, a second terminal and a control terminal; a level shift circuit 2 for applying voltages of prescribed levels to the first terminals of the plurality of the nonvolatile memory cells; and a plurality of switching transistors 40 to 43 disposed at the respective second terminals of the plurality of the nonvolatile memory cells.例文帳に追加

第１の端子、第２の端子および制御端子を有する複数の不揮発性メモリセル１０〜１３と、該複数の不揮発性メモリセルの第１の端子に対して所定レベルの電圧を印加するレベルシフト回路２と、前記複数の不揮発性メモリセルの第２の端子にそれぞれ設けられた複数のスイッチ用トランジスタ４０〜４３とを備えるように構成する。 - 特許庁

An output signal corresponding to the second voltage level is obtained from the drain of the first or second MOSFET.例文帳に追加

、上記第１ＭＯＳＦＥＴのドレインにゲートが接続され、上記第２ＭＯＳＦＥＴと並列形態にされた第１導電型の第５ＭＯＳＦＥＴを設けると共に、上記１ＭＯＳＦＥＴのドレイン及び第５ＭＯＳＦＥＴのゲートと上記第２電圧との間にキャパシタを設けて初期化動作を行わせ、上記第１又は第２ＭＯＳＦＥＴのドレインから上記第２電圧レベルに対応した出力信号を得る。 - 特許庁

First detecting pipes are provided in an substantially horizontal direction 5 and second detecting pipes 6 are provided in a substantially vertical direction between an inner wall face 2 and the lining layer 3, and one end of the second detecting pipe 6 is connected to the first detecting pipe 5, and the other end is opened above the liquid level of the liquid.例文帳に追加

本発明は、内壁面２とライニング層３との間に略水平方向に対して第１の検知管５と、内壁面２とライニング層３との間に略鉛直方向に対して第２の検知管６とを設け、第２の検知管６の一端を第１の検知管５に接続するとともに他端が貯留する液体の液面より上側に開放するというものである。 - 特許庁

To provide a signal transmission system wherein an uplink signal received by an antenna shared by first and second wireless communication systems is transmitted to a wireless base station at least in the first wireless communication system that reduces an increased noise level observed in the wireless base station caused resulting from intrusion of a signal at least from the second wireless communication system to the uplink signal.例文帳に追加

第１，第２の無線通信システムで共用されるアンテナにより受信された上り信号が、少なくとも第１の無線通信システムの無線基地局に伝送される伝送システムにおいて、上り信号に、少なくとも第２の無線通信システムからの信号が混入することで、無線基地局で観測されるノイズレベルが上昇することを軽減する信号伝送システムを得ること。 - 特許庁

A data structure creation method is for creating a directory structure having multi-level hierarchy in which target data are stored and comprises the steps of: creating a first directory; creating one or more second directories in which target data are stored; storing one or more second directories in the first directory so that the size of the first directory becomes equal to or less than a predetermined specific size.例文帳に追加

対象データが格納される複数階層のディレクトリ構造を作成するデータ構造作成方法であって、第１ディレクトリを作成するステップと、対象データが格納される第２ディレクトリを１以上作成するステップと、第１ディレクトリのサイズが、あらかじめ決められた特定のサイズ以下となるように、第１ディレクトリ内に第２ディレクトリを１以上格納するステップとを含む。 - 特許庁

The gain of the second variable gain amplifier 33 is adjusted, and the step of stepwise gain control of the first variable gain amplifier 31 is switched with respect to the gain which exceeds the gain adjustment range of the second variable gain amplifier 33 in the gain control signal output circuit 34, so that a signal level in a fixed range can be input to the A/D converter 32.例文帳に追加

利得制御信号出力回路３４では、第２の可変利得増幅器３３のゲイン（利得）を調整する一方、第２の可変利得増幅器３３のゲイン調整範囲を超えるゲインに対しては、第１の可変利得増幅器３１の段階的利得制御のステップを切り替えることで、Ａ／Ｄ変換器３２には一定範囲内の信号レベルが入力される。 - 特許庁

A second photodetector 116 detecting reflection light from the near side recording layer 105 is provided at the outer peripheral part of a first photodetector 115 detecting reflection light from the depth side recording layer 103 when light is focused on the depth side recording layer 103 and, recording power is controlled according to the output level of the second photodetector when recording is performed to the depth side recording layer.例文帳に追加

光入射側から見て奥の記録層１０３に合焦した時に、奥の記録層からの反射光を検出する第１の光検出器１１５の外周部に、手前の記録層１０５からの反射光を検出する第２の光検出器１１６を設け、奥の記録層に記録する際には、第２の光検出器の出力レベルに応じて記録パワーを制御する。 - 特許庁

When the absolute value of the AC voltage generated in the antenna 101 is larger than a certain value, the first protection circuit 107 cuts the surplus, the second protection circuit 108 functions when the level of the internal voltage Vin generated in the rectifier circuit 102 is high, and by changing resonant frequency, the second protection circuit 108 can decrease the number of signals input to the semiconductor device.例文帳に追加

第１の保護回路は、アンテナ１０１で生成される交流電圧の絶対値がある値よりも大きい場合に、その余剰分をカットし、第２の保護回路１０８は、整流回路１０２で生成された内部電圧Ｖｉｎが大きい場合に機能し、共振周波数をずらすことにより、半導体装置に入力される信号を減少させることができる。 - 特許庁

The impact cushioning structure (SA) composed of an impact cushioning which absorbs impact stress by being distorted in response to stress is provided with: a first impact cushioning material (CAL) having the stress distortion characteristics (AL) of a first level; and a second impact cushioning material (CAH) having second stress distortion characteristics (AH) larger than the first stress distortion characteristics (AL).例文帳に追加

応力を受けて歪むことによって衝撃応力を吸収する衝撃緩衝材によって構成される衝撃緩衝構造体（ＳＡ）は、第１の大きさの応力歪特性（ＡＬ）を有する第１の衝撃緩衝材（ＣＡＬ）と、前記第１の応力歪特性（ＡＬ）よりも大きな第２の応力歪特性（ＡＨ）を有する第２の衝撃緩衝材（ＣＡＨ）とを備える。 - 特許庁

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

An electronic level includes height measurement means of measuring the height of a collimation point from an output signal of a line sensor corresponding to the first pattern; shading inversion means of inverting shading of the output signal of the line sensor so as to adapt to the second pattern; and height correction means of correcting the height measured by the height measurement means according to the scale of the second pattern based upon the first pattern.例文帳に追加

電子レベルは、第１パターンに対応してラインセンサの出力信号から視準点の高さを測定する高さ測定手段と、第２パターンに対応するために、ラインセンサの出力信号の濃淡を反転させる濃淡反転手段と、第２パターンの第１パターンに対する縮尺に応じて前記高さ測定手段で測定した高さを補正する高さ補正手段とを備える。 - 特許庁

When the transmission power in the first radio communication system is large, by making a cutoff frequency of the cutoff frequency variable filter 34 close to a transmission frequency, the level of a transmission signal that interferes with the use frequency band of the second radio communication system to be a noise component is suppressed to the extent of not having an influence on receiving performance of a receiving part 42 for the second communication system.例文帳に追加

第１の無線通信方式での送信電力が大きいときは、遮断周波数可変フィルタ３４の遮断周波数を送信周波数に近づけることで、第２の無線通信方式の使用周波数帯域に干渉し雑音成分となる送信信号のレベルを第２通信方式用受信部４２の受信性能に影響を与えない程度に抑圧する。 - 特許庁

This optical disk drive 1 changes the level of the mute signals that the drive limiter 9 inputs to the driver 8 to L when it is in either one of the following states: the output voltage of a first power source 11 is a first voltage or lower, the output voltage of a second power source 12 is the second voltage B or lower, and the main controller 2 outputs a first mute signals.例文帳に追加

光ディスク装置１は、第１の電源１１の出力電圧が第１の電圧以下である、第２の電源１２の出力電圧が第２の電圧Ｂ以下である、またはメイン制御部２が第１のミュート信号を出力している、のいずれかの状態であるときに、駆動制限部９がドライバ８に対して入力しているミュート信号がＬとなる。 - 特許庁

The potential selection circuit 10 selects one of a plurality of input potentials, and the level shift circuit 20 inputs a voltage pulse having first potential as reference potential and outputs a voltage pulse having second potential as reference potential and is operated by potential difference between the output potential of the potential selection circuit and the first potential and that between the selected potential and the second potential.例文帳に追加

電位選択回路１０は複数の入力電位のうちの一つを選択し、レベルシフト回路２０は第１の電位を基準電位とする電圧パルスを入力し、第２の電位を基準電位とする電圧パルスを出力し、前記電位選択回路の出力電位と第１の電位との電位差及び前記選択電位と第２の電位との電位差で動作する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes: bit lines BL and /BL provided in a layer of the same level above a semiconductor substrate 30; a first variable-resistance element 10 and a first MOSFET 20 which are provided below the bit line BL and are connected in series; and a second variable-resistance element 10 and a second MOSFET 20 which are provided below the bit line /BL and are connected in series.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板３０の上方の同一レベル層に設けられたビット線ＢＬ，／ＢＬと、ビット線ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第１の抵抗変化素子１０及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０と、ビット線／ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第２の抵抗変化素子１０及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０とを含む。 - 特許庁

Further, the feeding quantity of the sodium hydroxide aqueous solution to the first reaction tower 1 is controlled such that the liquid surface level of the reaction liquid stored in the storage tank 3 is constant; and the feeding quantity of the reaction liquid discharged from the storage tank 3 to the second reaction tower 2 is controlled such that the redox potential of the reaction liquid in the second reaction tower 2 is constant.例文帳に追加

そして、貯留タンク３に貯留された反応液の液面高さが一定となるように、第１反応塔１への水酸化ナトリウム水溶液の供給量を制御し、第２反応塔２における反応液の酸化還元電位が一定となるように、第２反応塔２への貯留タンク３から導出された反応液の供給量を制御する。 - 特許庁

To provide an overvoltage protection device in a switching power supply capable of generating the secondary voltage of the switching power supply at a first voltage and a second voltage lower than the first voltage at a constant level, and at the same time advising a defective condition without doing harm to loads or constituents when such malfunction as short-circuit or the like occurs in a converter generating the second voltage.例文帳に追加

スイッチング電源の二次電圧を第１の電圧、およびさらに降圧した第２の電圧を一定電圧に生成することができるとともに、第２の電圧を生成するコンバータがショート状態等の異常が発生した場合、負荷あるいは構成部品に故障を与えることがなく、故障状態を報知することができるスイッチング電源における過電圧保護装置を提供する。 - 特許庁

A first quantum dot 22 and a second quantum dot 23 which have different sizes are provided on a substrate 21, thereby causing a resonant effect between quantum levels in which status density functions become equal to each other and resonating light emitted on the basis of reverse distribution generated by implanting exciters into the quantum level of the second quantum dot 23 and further performing optical oscillation.例文帳に追加

大きさの異なる第１の量子ドット２２及び第２の量子ドット２３を基板２１上に設けることにより、状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第２の量子ドット２３の量子準位に励起子を注入させることにより生成される反転分布に基づいて放出された光を共振させ、さらに光発振させる。 - 特許庁

The attention area detection method includes: a first calculation step of calculating a plurality of low-level feature quantities in a predetermined area in input images; a second calculation step of calculating visual saliency based on a relationship of probability densities of each of the plurality of the low-level feature quantities; and a detection step of detecting an attention area based on statistical distribution of the visual saliency.例文帳に追加

注目領域検出方法に、入力画像中の所定の領域において複数の低次特徴量を算出する第１の算出工程と、前記複数の低次特徴量のそれぞれの確率密度の関係に基づいて視覚的顕著度を算出する第２の算出工程と、前記視覚的顕著度の統計的分布に基づいて注目領域を検出する検出工程とを備える。 - 特許庁

A radio network controller (RNC) controls the power of the pilot signal power based on reception errors of the second data flow, calculates the first power offset based on transmitted required level of the first power offset from base stations (BTS) of the first group which calculates the required level of the first power offset based on an occurrence of retransmission, and transmits the calculated first power offset to the mobile station.例文帳に追加

無線ネットワーク制御装置（ＲＮＣ）は、第２のデータフローの受信エラーに基づいてそのパイロット信号の電力を制御し、再伝送の発生に基づいて第１の電力オフセットの必要レベルを計算する第１のグループの基地局（ＢＴＳ）からの、第１の電力オフセットの伝えられた必要レベルに基づいて第１の電力オフセットを計算し、計算された第１の電力オフセットを移動局に伝える。 - 特許庁

In the vehicle controller 1, a support determination part 14 improves the level of the operation support of an obstacle A (first risk object) which is a risk object of a lower risk level and a shorter collision predictive time among risk objects to suppress a situation where an operator pays attention to only an obstacle B (second risk object) which is a risk object of a higher risk and a longer collision time.例文帳に追加

本発明に係る車両制御装置１によれば、支援判定部１４が、リスク対象のうち、よりリスク度が低く、より衝突予測時間の短いリスク対象である障害物Ａ（第１のリスク対象）の運転支援のレベルを上げることで、よりリスク度が高く、より衝突時間の長いリスク対象である障害物Ｂ（第２のリスク対象）にのみ、運転者の注意が向けられる事態が抑制される。 - 特許庁

A first HPF 1 extracts the high band signal components of the video signals inputted from an input terminal Tin, a second HPF 2 further differentiates the output of the first HPF, an amplifier 3 performs amplification to a prescribed level, an invertible amplifier 4 similarly performs invertible amplification at the prescribed level and a correlator 5 synthesizes the output signals of the invertible amplifier 4 and the amplifier 8 to a prescribed signal waveform.例文帳に追加

１は入力端子Ｔinから入力された映像信号の高域信号成分を抽出する第１のＨＰＦ、２は第１のＨＰＦの出力をさらに微分する第２のＨＰＦ、３は所定のレベルに増幅するアンプ、４は同じく所定のレベルで反転増幅する反転アンプ、５は上記アンプ３、反転アンプ４、及び、アンプ８の出力信号を所定の信号波形に合成するための相関器を示す。 - 特許庁

An external electron system which is the electric connection destination of each first electronic region 10 in a connection state is configured such that the electronic energy level of the excitation subband of each of the plurality of first electronic regions 10 in a shut-off state becomes sufficiently higher than a Fermi level in each second electronic region 20 facing each first electronic region 10 in a conduction channel 120.例文帳に追加

遮断状態における複数の第１電子領域１０のそれぞれの励起サブバンドの電子エネルギーレベルが、伝導チャネル１２０において第１電子領域１０のそれぞれに対向する第２電子領域２０のそれぞれにおけるフェルミ準位よりも十分に高くなるように、接続状態における第１電子領域１０のそれぞれの電気的な接続先である外部電子系が構成されている。 - 特許庁