「second level」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The signal amplifier using the Doherty amplifier includes: a splitter which divides one inputted signal into first and second signals; first and second bias control networks which generate a base bias signal according to the power level of the inputted signal; the Doherty amplifier including a carrier amplifier which amplifies the first inputted signal and a peaking amplifier which amplifies the second inputted signal; and the Doherty output network which combines the amplified signals.例文帳に追加

本発明によるドハティ増幅器を用いた信号増幅装置は、１つの入力信号を第１及び第２信号に分割させるスプリッターと、入力信号の電力レベルによってベースバイアス信号を発生させる第１及び第２バイアス制御ネットワークと、第１入力信号を増幅する搬送増幅器及び第２入力信号を増幅するピーキング増幅器を含むドハティ増幅器と、増幅された信号を組み合わせるドハティ出力ネットワークとを含む。 - 特許庁

To prevent replacement display from being generated even when a loaded battery voltage value V drops to a first threshold level YV1 during forcible out-of-step control; and, if the loaded battery voltage value V drops to a second threshold level YV2 which is set lower than the first threshold level YV1 during forcible out-of-step control, to disable operation of a stepping motor thereafter.例文帳に追加

ステッピングモータで駆動される可動体を有する電動品と、電子制御ユニットと、ステッピングモータ及び電子制御ユニットの電源となる乾電池とを備え、可動体の移動を電動品に設けたストッパにより阻止した状態でステッピングモータの駆動パルスを出力する強制脱調制御を行う機器における電池電圧の監視方法であって、電池電圧の読み込み値が所定の第１閾値に低下したときに、乾電池の交換を促す交換表示を行うものにおいて、強制脱調制御中に不必要に交換表示が行われて使用者に違和感を与えることを防止できるようにする。 - 特許庁

A determination circuit 230 sets an accumulation determination signal (detect) to H showing that a monitor signal Vm from a monitor area 222 of a photoelectric conversion part 220 does not attain a desired level regardless of a state of the monitor signal Vm while the second control signal (halt) is set in H.例文帳に追加

判定回路２３０は、第２の制御信号ｈａｌｔがＨである間は、光電変換部２２０のモニタエリア２２２からのモニタ信号Ｖｍの状態によらずに蓄積判定信号ｄｅｔｅｃｔを、モニタ信号が所望のレベルに達していないことを示すＨとする。 - 特許庁

Since comparative levels vary, the ratios different from each other are set in order to maintain the specified ratio of the first and second periods of the logic levels of the binarized data according to the boost levels of the regenerative signal and the optimum boost level is determined from the difference between the respective comparative levels and is set in the signal forming section 30.例文帳に追加

再生信号のブーストレベルに応じて、２値化データの論理レベルの第１、第２の期間の比を一定に保つためにコンパレートレベルが異なるため、互いに異なる比を設定し、それぞれのコンパレートレベル差から、最適なブーストレベルを求め、信号生成部３０に設定する。 - 特許庁

The device for treating discharged water containing calcium is equipped with a first step adding means 1, 3, 9 to add sodium hydroxide to the discharged water containing calcium to a first pH level and a second step adding means 2, 4, 10 to add sodium carbonate to the pH ranging from 9.2 to 9.8.例文帳に追加

カルシウム含有排水に対し水酸化ナトリウムを第１のｐＨとなるまで添加する前段添加手段１、３、９と、炭酸ナトリウムを添加し、ｐＨを９．２〜９．８にする後段添加手段２、４、１０とを有するカルシウム含有排水の処理装置によって解決される。 - 特許庁

Automatic gain control amplifiers 11a to 11d amplify the first electric signal output from the light receivers 7a to 7d, convert it to a constant level second electric signal for output to AD converters 13a to 13d, and further output amplification coefficients 14a to 14d at amplification.例文帳に追加

自動利得制御アンプ１１ａ〜１１ｄが光受信器７ａ〜７ｄから出力される第１の電気信号を増幅して一定レベルの第２の電気信号に変換してＡＤコンバータ１３ａ〜１３ｄへ出力すると共に、増幅時の増幅係数１４ａ〜１４ｄを出力する。 - 特許庁

After the transistor M2i for selecting the second column is made a cut off state, electric charges of floating capacitors Ci, CBi pre-charging data buses IOT, ION by a pre-charge circuit 16i, and potentials of the data buses IOT, ION and connection points Ai, ABi, are reached to a pre-charge level.例文帳に追加

第２のカラム選択用トランジスタＭ２ｉを遮断状態にしてから、プリチャージ回路１６ｉにより、データバスＩＯＴ，ＩＯＮをプリチャージしつつ、浮遊容量Ｃｉ，ＣＢｉの電荷を放電し、データバスＩＯＴ，ＩＯＮ及び接続点Ａｉ，ＡＢｉの電位をプリチャージレベルに到達させる。 - 特許庁

In a three-level inverter control device, second and third voltage commands based on amount being obtained by adding or subtracting the amount of biasing to and from a first voltage command are compared with single carriers, thus generating a PWM signal for first to fourth semiconductor switching elements.例文帳に追加

３レベルインバータの制御装置であって、第１の電圧指令にバイアス量を加減算して得た量に基づく第２、第３の電圧指令をそれぞれ単一の搬送波と比較することにより第１〜第４の半導体スイッチング素子に対するＰＷＭ信号を生成する制御装置に関する。 - 特許庁

There are also provided resistors R55, R56 connected in common to output terminals of the differential amplifiers 51-54 so as to extract level-controlled output signals and a control current generating circuit 34 for generating control currents I51-I54 of predetermined characteristics from first and second AGC voltages VAGC, VOL.例文帳に追加

差動アンプ５１〜５４の出力端に共通に接続されてレベルの制御された出力信号を取り出す抵抗器Ｒ55、Ｒ56と、第１および第２のＡＧＣ電圧ＶAGC、ＶOLから所定の特性の制御電流Ｉ51〜Ｉ54を生成する制御電流生成回路３４とを設ける。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor device has a step, in which a first nitride semiconductor layer 17 and a second nitride semiconductor layer 18 having a Fermi level larger than that of the first nitride semiconductor layer 17, as well as, containing an n-type impurity are formed on a substrate 11 sequentially from the substrate 11 side.例文帳に追加

窒化物半導体装置の製造方法は、基板１１の上に、第１の窒化物半導体層１７と該第１の窒化物半導体層１７と比べてフェルミ準位が大きく且つｎ型不純物を含む第２の窒化物半導体層１８とを基板１１側から順次形成する。 - 特許庁

Thus, when the receiver 8 passes the place where no broadcast signal can be received, the result of the decision in the second reception quality decision section 14 becomes less than the predetermined level and as a result, the control section 15 controls the receiver 8 to come into the single receiving mode giving low power consumption.例文帳に追加

これにより、受信装置８が放送信号の受信できない場所を通過する場合、第２受信品質判定部１４における判定結果が所定レベル未満になり、その結果、制御部１５は、受信装置８がより消費電力の小さいシングル受信モードになる様に制御する。 - 特許庁

Shift registers in the first half two systems/second half two systems make the Low level voltage of a transfer clock ϕ2B, at the final stage of a shift register in a CCD 101 outputting 4 channels, variable through a variable power supply 103 and corrects linearity by varying the output delay time.例文帳に追加

前半２系統／後半２系統のシフトレジスタによって４チャンネルの出力をするＣＣＤ１０１におけるシフトレジスタにおける最終段の転送クロックφ２ＢのLowレベル電圧を可変電源１０３で可変にし、出力遅延時間を変えて直線性を補正する。 - 特許庁

A second controller 14 monitors the level in the output signal VO of the variable gain amplifier 10, reduces the gain α of the variable gain amplifier 10, when a predetermined maximal threshold VOmax is reduced, and increases the gain α of the amplifier 10, when the maximal threshold VOmax is lowered.例文帳に追加

第２制御部１４は、可変利得増幅器１０の出力信号ＶＯのレベルを監視し、所定の最大しきい値ＶＯｍａｘを超えると可変利得増幅器１０の利得αを低下させ、最大しきい値ＶＯｍａｘを下回ると可変利得増幅器１０の利得αを増加させる。 - 特許庁

By arranging a sound absorber material having a large effect of suppressing reverberation as the first tier and another sound absorber material functioning as packing and a partition as the second tier, the reverberation period can be stabilized at a low level and the detection area can be reduced.例文帳に追加

超音波センサにおいて、有底筒状ケース内部の吸音材を二重構造とし、一段目に残響を押さえる効果の高い吸音材、二段目にパッキンと仕切りの役目をはたす別の吸音材を配置することにより、残響時間を短く安定させることができ、検知エリアも狭くすることができる。 - 特許庁

To prevent the deterioration of device characteristics due to lattice mismatching or an unclear impurity level in a light emitting thyristor in which first conductive and second conductive AlGaAs layers are alternately laminated in four layers on a GaAs buffer layer on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、格子不整合や不明瞭な不純物準位の形によるデバイス特性の劣化のおそれがないようにする。 - 特許庁

Since the level of switching signal CS is low at this time, switching element SW1 and SW4 go into conducting state and switching element SW2 and SW3 get into non-conducting state, so that the refresh pressure that is impressed on a first and second refresh pressure line L1, and L2 is reversed as black pressure Vb+ and Vb-.例文帳に追加

このとき、スイッチング信号ＣＳがローレベルであるので、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４は導通しスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３は非導通となるので、第１及び第２リフレッシュ電圧線Ｌ１、Ｌ２に印加されていたリフレッシュ電圧は、ブラック電圧Ｖｂ＋、Ｖｂ−となって反転する。 - 特許庁

Then, in a driving circuit for driving the solenoid, a first terminal of the coil of the solenoid is electrically connected to the anode terminal of a power source part, a second terminal of the coil is electrically connected to the collector terminal of an NPN transistor, and the emitter terminal of the NPN transistor is connected to a ground level.例文帳に追加

そして、ソレノイドを駆動する駆動回路では、ソレノイドのコイルの第一端子が電源部の陽極端子に電気的に接続され、コイルの第二端子がＮＰＮトランジスタのコレクタ端子に電気的に接続され、当該ＮＰＮトランジスタのエミッタ端子がグランドレベルに接続されている。 - 特許庁

A logic level of the second sub-decoding signal can be varied at high speed at the time of selecting the first sub-decoding signal, a period in which a path of a through current is formed in a sub-word driver can be shortened sufficiently, thereby, a through current can be suppressed.例文帳に追加

第１のサブデコード信号の選択時高速で第２のサブデコード信号の論理レベルを変化させることができ、サブワードドライバにおいて貫通電流が流れる経路が形成される期間を十分に短くすることができ、応じて貫通電流を抑制することができる。 - 特許庁

A control part 21 conducts control to enhance a driving ability of a driving transistor turned on out of the first driving transistor T1 and the second driving transistor T2, when the first gate signal G1 gets to a high level (when writing source signals S1-S6 into a corresponding pixel).例文帳に追加

制御回路２１は、第１のゲート信号Ｇ１が高レベルになった時（ソース信号Ｓ１〜Ｓ６を対応する画素に書き込む時）に、第１の駆動トランジスタＴ１又は第２の駆動トランジスタＴ２のうち、オンしている駆動トランジスタの駆動能力を高めるように制御を行う。 - 特許庁

The driving method comprises a first step for detecting gradation of a data current based on the display data input from the outside; and a second step for discharging the data lines D1 to D4 up to the discharge level corresponding to the display data on the basis of the detected gradation.例文帳に追加

そして、その駆動方法は、外部から入力される表示データに従うデータ電流の階調を検出する第１段階と、前記検出された階調によって前記データラインを前記表示データに対応する放電レベルまで放電させる第２段階とを含む。 - 特許庁

A hearing model calculation part 3 suppresses the number of bits allocated to frequency spectral data so that the number is decreased without dropping a masking level showing a hearing model even if the part 3 selects a second conversion length whose frequency resolution is low at the time of calculating the hearing model.例文帳に追加

聴覚モデル算出部３により、聴覚モデルの算出の際に周波数分解能が低い第２の変換長を選択した場合にも、聴覚モデルを示すマスキングレベルを低下させることなく、周波数スペクトルデータに割り当てるビット数を、その数が少なくなるように抑える。 - 特許庁

In the write dummy bit, one of levels is inputted to the first dummy line by a drive MOSFET corresponding to a write signal input for the static type memory cell, signal change of the second dummy line pre-charged to the other level is sensed and output.例文帳に追加

上記書き込みダミービットは、上記スタティック型メモリセルへの書き込み信号入力に対応して駆動ＭＯＳＦＥＴにより一方のレベルが上記第１ダミー線に入力され、他方のレベルにプリチャージされた上記第２ダミー線の信号変化をセンスして出力させる。 - 特許庁

The base rod tube 2 has a ring-formed inner surface 22b and a level different part 22, equipped with a first surface 22a, which is substantially perpendicular to the ring-formed inner surface 22b, and the projecting part 21 has a second surface 21a' rising in the radially outward direction, from the outer surface 21A facing the first surface 22a.例文帳に追加

元竿管２は、環状内面２２ｂと、環状内面２２ｂと略垂直な第１の面２２ａとを具備する段差部２２を有し、突出部２１は、第１の面２２ａと対向するように外面２１Ａから径方向外方に立ち上がる第２の面２１ａ´を有する。 - 特許庁

A determination circuit part M outputs an error signal to a game board without executing determination based on a detection signal from the first proximity sensor S1, regarding as execution of the illegal action, when a detection signal from the second proximity sensor S2 is an L-level (presence of the irradiation of the radio wave from the outside).例文帳に追加

そして判定回路部Ｍは、第２の近接センサＳ２の検出信号がＬレベル（外部からの電波照射有り）である場合、不正行為が行われているとみなして第１の近接センサＳ１の検出信号に基づく判定を行わずに遊技盤に対してエラー信号を出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that reduces a leakage current of a second transistor that is part of a peripheral circuit for writing and erasing with respect to a memory cell of a DRAM or to a DRAM while keeping a high level of on-state current of a first transistor constituting a logic circuit, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ロジック回路を構成する第１トランジスタのオン電流を高くしたまま、ＤＲＡＭのメモリセル、又はＤＲＡＭに対して書き込み及び消去を行う周辺回路の一部である第２トランジスタのリーク電流を低くする半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The system includes a reader/writer for an information recording medium, a courtesy table that stores data concerning lower limit of a purchase amount to be reached for each courtesy level, and a period table that stores data for determining date which separates a first period from a second period following the first period.例文帳に追加

情報記録媒体に対するリーダ・ライタと、優待レベル毎にそのレベルに到達する下限の買上実績に係るデータを記憶する優待テーブルと、第一の期間と当該第一の期間の後に続く第二の期間との区切りとなる期日を特定するデータを記憶する期間テーブルとを備える。 - 特許庁

Immediately after ON of a main switch 43, since battery check is performed with second inhibit voltage LVL2 lower than first reference voltage LVL1 which is a usual inhibit voltage level, operation start of a camera is made possible without error detection even in a low voltage state immediately after ON of the main switch 43.例文帳に追加

メインスイッチ４３のＯＮ直後では、通常時の禁止電圧レベルである第１の基準電圧ＬＶＬ１より低い第２の禁止電圧ＬＶＬ２にてバッテリチェックを行うので、メインスイッチ４３のＯＮ直後で電圧が低い状態でも、誤検出することなくカメラの起動が可能となる。 - 特許庁

The level shifter includes, inter alia, a first circuit that enables a potential of an input terminal in which the input signal IN is input to be held at the ground potential and a second circuit that enables a potential of an output terminal from which the output signal OUT is output to be held at the ground potential.例文帳に追加

このレベルシフタは、特に、入力信号ＩＮが入力される入力端子の電位を接地電位に保持可能に構成された第１回路と、出力信号ＯＵＴが出力される出力端子の電位を接地電位に保持可能に構成された第２回路とを備える。 - 特許庁

A lever 11 rotating around a rocking shaft 10 supported in the valve chest 6 is provided, and a valve element 15 connecting a float 12 floated or descended according to the liquid level in the valve chest 6 and opening and closing the first valve port 7 and the second valve port 8 is connected to the lever 11.例文帳に追加

弁室６内に支持された揺動軸１０の周りに回転するレバー１１を設け、弁室６内の液位に応じて浮上降下するフロート１２をレバー１１に連結すると共に第１弁口７及び第２弁口８を開閉する弁体１５をレバー１１に連結する。 - 特許庁

An output circuit of the first I/O circuit converts a signal amplitude corresponding to the second power supply voltage into a signal amplitude corresponding to the first power supply voltage through a level conversion circuit and drives a P channel MOSFET and an N channel MOSFET constituting the output circuit.例文帳に追加

上記第１入出力回路の出力回路では、上記第２電源電圧に対応した信号振幅をレベル変換回路で上記第１電源電圧に対応した信号振幅に変換し、出力回路を構成するＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴを駆動する。 - 特許庁

The angular velocity sensor outputs an output signal including a digital signal by changing the level of an output signal from a first DA conversion means 48 and a second DA conversion means 66 based on the output signal from a comparative circuit 70.例文帳に追加

本発明の角速度センサは、比較回路７０からの出力信号を基に、第１のＤＡ変換手段４８および第２のＤＡ変換手段６６からの出力信号のレベルを切り替えることにより、デジタル信号からなる出力信号を出力する構成としたものである。 - 特許庁

A sound volume of a voice outputted from the speaker of the partner's telephone conversation apparatus or its own speaker 2 (reception signal and transmission signal) can be brought into an appropriate level by regulating sound volumes of the reception signal and the transmission signal at the first and the second sound volume regulating sections 22 and 23.例文帳に追加

而して、第１又は第２の音量調整部２２，２３で受話信号並びに送話信号の音量を調整することにより、相手の通話機器のスピーカ若しくは自らのスピーカ２から出力される音声（受話信号並びに送話信号）の音量を適正なレベルにできる。 - 特許庁

Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁

If the low-level control signal S1 (ON instruction signal) is received in an abnormal load condition; it makes an FET 92 for rapid charging in an abnormal time ON in addition to the charge pump 90 when a load current IL is over a second current of an abnormal threshold ILfc, and performs rapid charging operation.例文帳に追加

一方、負荷異常状態でローレベルの制御信号Ｓ１（オン指令信号）を受けると、負荷電流ＩＬが第２異常用閾値電流ＩＬfcを超えた時点でチャージポンプ９０に加えて異常時急速充電用ＦＥＴ９２をもオンして急速充電動作を行う。 - 特許庁

An n-type transistor M21 in a level converter 11 is connected to an input/output terminal inout through a p-type and n-type transistors M13, M23 and a first and second inverters 13, 14, and to a power line for feeding a ground potential through an n-type transistor M25.例文帳に追加

レベル変換部１１のｎ型トランジスタＭ２１は、ｐ型トランジスタＭ１３及びｎ型トランジスタＭ２３と、第１インバータ１３と、第２インバータ１４とを介して入出力端子ｉｎｏｕｔに接続され、ｎ型トランジスタＭ２５を介して接地電位を供給する電源ラインに接続される。 - 特許庁

The spin valve magnetic head has a magnetic domain control structure where a first and a second antiferromagnetically coupled magnetic domain control layers 19 and 21 both having the same magnetization are stacked on a soft magnetic free layer 17, and can make both the high output level and stabilization.例文帳に追加

反強磁性結合した磁化量の等しい第一の磁区制御層１９及び第二の磁区制御層２１を軟磁性自由層１７上に積層した磁区制御構造を有するスピンバルブ型磁気ヘッドで高い再生出力と高い安定性を両立することを実現した。 - 特許庁

The AND output signals of shift output from each shift output from a first shift register 3a provided to a scanning driver 3 and a second shift register 3c which generates shift output in order based on a data latch signal (SLAT) are supplied to respective scanning lines of a display panel 1 via a level shifter 3d.例文帳に追加

走査ドライバ３に設けられた第１シフトレジスタ３ａと、データラッチ信号（SLAT）に基づいてシフト出力を順に生成する第２シフトレジスタ３ｃからの各シフト出力の論理積出力信号がレベルシフタ３ｄを介して表示パネル１の各走査信号線に供給される。 - 特許庁

A control power source output circuit, consisting of a first filter circuit 5, a fan voltage control circuit 6 and a second smoothing circuit 7, outputs a control voltage Vcnt of the prescribed level or higher, which changes depending on the on/off duty ratio of a first PWM signal outputted from a microcomputer 3.例文帳に追加

第１の平滑回路５とファン電圧制御回路６と第２の平滑回路７とからなる制御電源出力回路は、マイコン３から出力される第１のＰＷＭ信号のＯＮ／ＯＦＦデューティ比に応じて変化する所定レベル以上を制御電圧Ｖ_cntを出力する。 - 特許庁

When the condition is maintained in such electrical state, even if the characteristics of the first and second transistors M1, M2 are varied by being affected by dispersion of an operation temperature and a manufacturing process, the connection point potential V3 when the potential level to be decided is near the set potential is not varied but is maintained at a constant value.例文帳に追加

かかる電気状態に維持されると、動作温度や製造プロセスのばらつきの影響を受けて第１及び第２のトランジスタの特性が変動しても、被判定電位レベルが設定電位近傍にある時の接続点電位は、変動しないで一定値に維持される。 - 特許庁

When the storage of the antibacterial liquid is detected by the liquid level sensor 84, and also, the detected temperature of the temperature sensor 82 exceeds an ordinary temperature, or is lower than the ordinary temperature, the temperature of the antibacterial liquid 30 is adjusted to the ordinary temperature by operating the heat-exchanger 88 and the second heater 90.例文帳に追加

液面センサ８４により消毒液の貯留が検出され、且つ温度センサ８２の検出温度が常温を超えている場合や常温を下回っている場合に、熱交換器８８や第２ヒータ９０を作動させて消毒液３０を常温に温度調整する。 - 特許庁

Consequently, the second control block 20 is prevented from executing AD conversion of the shared signal within a first required time when the AD inhibition notification port 1 is at an H level, that is, within a time when the influence of AD conversion of the shared signal by the first control block 10 remains.例文帳に追加

これにより、ＡＤ禁止通知ポートＰ１がＨレベルである第一所要期間内、即ち、第１制御ブロック１０による共用信号のＡＤ変換の影響が残存する期間内に、第２制御ブロック２０が、共用信号のＡＤ変換を実行することがないようにされている。 - 特許庁

A first type of fuse, e.g. a laser actuation fuse, is principally used for repairing a wafer level defect and a second type of fuse, e.g. an electric starting fuse, is used for repairing a defect found after an IC chip is mounted on a module and a stress is applied to the module during burn-in test.例文帳に追加

第１タイプのヒューズ、例えばレーザ起動ヒューズが、主としてウェハ・レベルの欠陥を修復するために使用され、第２タイプのヒューズ、例えば電気起動ヒューズが、モジュール上にＩＣチップを搭載し、バーンイン・テストでモジュールに応力をかけた後に見つかった欠陥を修復するために使用される。 - 特許庁

During normal hulling operation with the main operation lever (46) at a second or third operation position, discharge of unhulled rice out of the apparatus beyond a predetermined level is prevented by detecting a grain-less state by grain-less sensors (SE5 and SE6) and stopping the drive of the swinging sorting plate (15) automatically.例文帳に追加

また、メイン操作レバー（４６）が第２操作位置及び第３操作位置にある通常籾摺作業時には、穀粒無しセンサ（ＳＥ５，ＳＥ６）が穀粒無しを検出すると、揺動選別板（１５）の駆動を自動的に停止することで、規定以上の籾が機外に排出することを防止する。 - 特許庁

The semiconductor device has a memory cell MC that stores data as a result of a state of a variable resistance included in the memory cell becoming either a first high resistance state or a first low resistance state, and has two storage modes of a first mode and a second mode depending on a level of a resistance value of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる可変抵抗の状態が第１の高抵抗状態及び第１の低抵抗状態のいずれかになることによりデータを記憶するメモリセルＭＣを含み、メモリセルの抵抗値の大きさにより第１モードと第２モードとの２つの記憶モードをもつ半導体装置。 - 特許庁

A power supply circuit is controlled such that a high level current is output during a first arc period Ta1 that is an initial period of an arc period continuing after a short-circuit period, and an arc current corresponding to a welding voltage subjected to constant voltage control is output during a second arc period Ta2 that is the latter period of the arc period.例文帳に追加

短絡期間の後に続くアーク期間の初期の第１アーク期間Ｔａ１にハイレベル電流が出力され、アーク期間の後期の第２アーク期間Ｔａ２に定電圧制御された溶接電圧に対応したアーク電流が出力されるように、電源回路が制御される。 - 特許庁