「separation element」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

At least, one of the source area and the drain area has a first low concentration area and high concentration area, and has a channel stopper area formed at a lower side of the element separation insulating film and a second low concentration area of a second conductive type between the source area and the drain area.例文帳に追加

そして、前記ソース領域とドレイン領域の少なくとも一方が、第１の低濃度領域と高濃度領域とを有し、前記素子分離絶縁膜の下側に形成されたチャネルストッパ領域と、前記ソース領域及びドレイン領域との間に第２導電型の第２の低濃度領域を有する。 - 特許庁

The model parameter is expressed by a formula including a term on the width of an active region of the transistor, a term on the width of an element separation region between the active region of the transistor and an active region arranged at the periphery of the active region of the transistor and a term on the width of the active region disposed at the periphery.例文帳に追加

モデルパラメータは、トランジスタの活性領域の幅に関する項と、トランジスタの活性領域とトランジスタの活性領域の周辺に設けられた活性領域との間の素子分離領域の幅に関する項と、周辺に設けられた活性領域の幅に関する項とを含む式により表される。 - 特許庁

The image-capturing device comprises photoelectric converters (202, 203), a semiconductor area (306) which is connected to a conductive wire (Vcc) and collects surplus charges out of charges generated at the photoelectric converters (202, 203) to discharge the collected charges to the conductive wire (Vcc), and a channel stopper area (207) which is formed under an element separation area (209).例文帳に追加

撮像装置は、光電変換部（２０２、２０３）と、導電線（Ｖｃｃ）に接続されていて、光電変換部（２０２、２０３）で生成された電荷のうち余剰電荷を収集して導電線（Ｖｃｃ）に排出する半導体領域（３０６）と、素子分離領域（２０９）の下に形成されたチャネルストッパー領域（２０７）とを備える。 - 特許庁

The polarization conversion element 10 comprises: a plurality of triangle prisms 1 juxtaposed each of which has a cross-section of an isosceles triangle; reflective members 2 each formed on a second surface 1b of each triangle prism 1; polarization separation films 3 which transmit or reflect incident light rays in accordance with the polarization direction; and a retardation plate 4.例文帳に追加

偏光変換素子１０は、断面が二等辺三角形をなす複数並んだ三角プリズム１と、各三角プリズム１の第２の面１ｂに形成された反射部材２と、入射する光線をその偏光方向に応じて透過または反射させる偏光分離膜３と、位相差板４と、を備える。 - 特許庁

This semiconductor device including a selection gate S1 provided for a memory cell A1 has a Tri-gate structure, wherein the upper surface of a gate insulation film 9 formed on a channel of the selection gate S1 is higher than a part or the whole of the upper surface of an element separation region 10 of the selection gate S1.例文帳に追加

本発明の一態様において、メモリセルＡ１に対して設けられる選択ゲートＳ１を含む半導体装置は、選択ゲートＳ１のチャネル上に形成されているゲート絶縁膜９の上面が、選択ゲートＳ１の素子分離領域１０の上面の一部又は全部よりも高く、Tri-gate構造を持つ。 - 特許庁

A spiral-form membrane element 1 is constituted by superposing separation membranes on both faces of a permeating liquid flow passage material and bonding three sides so as to form an envelope-like membrane, mounting an opening part of the envelope-like membrane on a water collection pipe 5 and winding the membrane together with a raw liquid flow passage material on an outer peripheral surface of the water collecting pipe 5.例文帳に追加

スパイラル状膜要素１は、透過液流路材の両面に分離膜を重ね合わせて、３辺を接着することにより封筒状膜を形成し、その封筒状膜の開口部を集水管５に取り付け、原液流路材とともに集水管５の外周面にスパイラル状に巻回することにより構成される。 - 特許庁

In the filter membrane element in which spacers are provided on both surfaces of a supporting plate and liquid separation membranes capable of removing impurities in a liquid are each arranged on each spacer, the supporting plate has the gap being airtight with the outside of the supporting plate at least at a part of the supporting plate.例文帳に追加

支持板の両面にスペーサ−を配し、該スペーサ−上に液体中の不純物を除去する液体分離膜を配したろ過膜エレメントにおいて、前記支持板が、該支持板の内部の少なくとも一部に該支持板の外部と気密状態である空隙部を有することを特徴とするろ過膜エレメント。 - 特許庁

The oxygen separation membrane element is characterized in that its porous supporter is substantially composed of at least one kind of oxide selected from the group consisting of an oxide having oxygen ion conductivity, for example, a complexed oxide represented by the formula: La_1-xAe_xMo_3, a stabilized zirconia and a cerium oxide.例文帳に追加

本発明によって提供される酸素分離膜エレメントは、多孔質支持体が酸素イオン伝導性を有する酸化物、例えば一般式：Ｌａ_１−ｘＡｅ_ｘＭＯ_３で示される複合酸化物、安定化ジルコニア、及び酸化セリウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物から実質的に構成されている。 - 特許庁

Each pixel includes a second conductive electric charge storage region (photoelectric conversion section); an amplifier including a second conduction type electric charge detection region to which electric charges are transferred from the electric charge storage region, and providing an output of a pixel signal in response to the transferred electric charge amount; and a first conduction type inter-element separation region.例文帳に追加

各画素は、第２導電型の電荷蓄積領域（光電変換部）と、電荷蓄積領域から電荷が転送される第２導電型の電荷検出領域を含むと共に転送された電荷量に応じた画素信号を出力する増幅部と、第１導電型の素子間分離領域とを有する。 - 特許庁

To provide an optical device which includes an electrooptical element comprising a material having a large electrooptical effect in the vicinity of paraelectric/ferroelectric phase transition temperature, which enables a system to stably operate even when a power source is interrupted, thermal separation of a driving electric circuits is made unnecessray and high speed operation is achieved with lower power consumption.例文帳に追加

常誘電・強誘電相転移温度付近で大きな電気光学効果を有する材料からなる電気光学素子を有する光デバイスにおいて、電源が遮断されたときにもシステムが安定に動作し、駆動電気回路の熱的分離を不要にし、より低消費電力で高速の動作を実現する。 - 特許庁

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。 - 特許庁

An optical element is manufactured which has the liquid crystal polymer layer transferred to the transmissive substrate film by separating the oriented substrate film along a separation bar provided on the side of the oriented substrate film from the long laminated layer film, comprising the orientation substrate film/the liquid crystal polymer layer/a curing adhesive layer/the transmissive substrate film.例文帳に追加

配向基板フィルム／液晶性高分子層／硬化接着剤層／透光性基板フィルムからなる長尺積層フィルムから、配向基板フィルム側に設けた剥離バーに沿わせて配向基板フィルムを剥離して透光性基板フィルム上に転写された液晶性高分子層を有する光学素子を製造する。 - 特許庁

To provide a high-frequency module which establishes electrical separation between grounding-use metal electrodes which form transmission paths based on a distributed parameter element and at least one of grounding-use metal electrodes which are formed on bottom surfaces of the plurality of cavity-structured concave portions containing semiconductor-including mounted components therein.例文帳に追加

本発明の課題は、分布定数素子による伝送線路を形成する接地用金属電極と半導体を含む搭載部品を収納する複数のキャビティ構造の凹みの底面に形成した接地用金属電極の少なくとも１個以上を電気的に分離する高周波モジュールを提供することにある。 - 特許庁

The system for the production of a raising seedling medium comprises a chaff feeding step A, a crushed rice separation step B, a chaff crushing step C, element group quantitative feeding steps D-1 to D-3, a stirring and mixing step E, a compression molding step F, a formed medium cutting step G and a raising seedling medium stacking step H.例文帳に追加

育苗用培地の製造システムは、籾殻供給工程（Ａ）と屑米分離工程（Ｂ）と籾殻粉砕工程（Ｃ）と要素群定量供給工程（Ｄ−１〜３）と攪拌混合工程（Ｅ）と圧縮成形工程（Ｆ）と成形培地切断工程（Ｇ）と育苗用培地集積工程（Ｈ）とによって構成されている。 - 特許庁

The handle 2 for a portable type or manual operation type object or an electric product is equipped with a main part 4 comprising a hard material and the insert 14 capable of being fitted to the main part 4 and used for a male mold including at least one element having a closed shape or a separation type mold having a shape (e.g.; a word said to be 'HO').例文帳に追加

携帯型又は手動型の対象物用若しくは電化製品用のハンドル2であって、硬質材料からなる主部4と、該主部4上に嵌合することができ、その上に閉形状の少なくとも１つの要素を含む雄型又は形状（例えば、「HO」という単語）を有する分離式成型用インサート14とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a laser element includes: an overlapping step of alternately overlapping a laser bar and a spacer; a film formation step of forming a dielectric film on the laser bar and the spacer; and a separation step of separating the laser bar and the spacer by allowing the laser bar and the spacer to slide relative to each other.例文帳に追加

本願の発明に係るレーザー素子の製造方法は、レーザーバーとスペーサを交互に重ねる重ね合わせ工程と、該レーザーバーと該スペーサに誘電体膜を形成する成膜工程と、該レーザーバーと該スペーサとを相互にスライドさせて該レーザーバーと該スペーサを分離する分離工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a flat plate membrane element of a new structure which can meet environmental and economic requirements in more excellent manner than before by optimizing filtering treatment capacity through adjusting it to a low level, while avoiding adverse effects upon the liquid circulation inside a treatment tank as soon as possible, when the size of the treatment tank is functionally too large, and a membrane unit for an immersion type membrane separation device made up of the flat plate membrane element.例文帳に追加

処理槽のサイズが能力的に大きすぎる場合に、処理槽内での液循環への悪影響を可及的に回避しつつ、濾過処理能力を低く調節して最適化を図ることで、環境的にも経済的にも一層優れた対応を可能と為し得る、新規な構造の平板状膜エレメントを提供すること、及び、かかる平板状膜エレメントを用いて構成された浸漬型膜分離装置用の膜ユニットを提供すること。 - 特許庁

The method for measuring the element distribution in a depth direction has a process for adding an alkali metal to the surface of the sample, a process for irradiating the measuring region of the surface of the sample with primary ions comprising alkali metal ions and a process for performing the mass separation of secondary ions discharged from the measuring region by irradiation with primary ions and measuring the discharged quantity of specific secondary ions to analyze the element distribution.例文帳に追加

試料の表面にアルカリ金属を含有させる工程と、前記アルカリ金属のイオンよりなる一次イオンを前記試料の表面の測定領域に照射する工程と、前記一次イオンの照射により前記測定領域から放出された二次イオンを質量分離し、特定の二次イオンの放出量を測定して元素分布を分析する工程とを有する深さ方向元素分布測定方法によって解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride semiconductor element by dividing a semiconductor wafer where a nitride semiconductor is formed on a substrate includes: a step for forming a separation part where the semiconductor wafer is partially thin by removing a part of the nitride semiconductor; a step for forming a break line in the substrate by irradiating the separation part internally with a laser beam; and a step for dividing the semiconductor wafer along the break line.例文帳に追加

本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

When the unit 24 advances to the optical axis O, object light entering from the taking lens 12 is separated by the color separation prism 14 into visible light and infrared light and images are formed on the imaging surface of an imaging element 20 in the camera body 22 and on the imaging surface of an imaging element 16 in the infrared photography unit 24.例文帳に追加

赤外光撮影用アダプタ１８には色分離プリズム１４を備えた赤外光撮影ユニット２４が光軸Ｏに対して進退移動可能に設けられ、この色分離プリズム１４の光軸Ｏへの進出時には、撮影レンズ１２から入射した被写体光は、色分離プリズム１４によって可視光および赤外光とに分割された後、カメラ本体２２内の撮像素子２０の撮像面および赤外光撮影ユニット２４内の撮像素子１６の撮像面にて結像される。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

At the lower part of a silicon nitride film 3 that becomes a mask when a substrate 1 of an element separation region is etched for forming a groove 5a, an amorphous silicon film (buffer film) 16 is provided.例文帳に追加

素子分離領域の基板１をエッチングして溝５ａを形成する際のマスクとなる窒化シリコン膜３の下部にアモルファスシリコン膜（バッファ膜）１６を設け、素子分離溝の形成後に窒化シリコン膜３およびアモルファスシリコン膜１６を除去した際、素子分離溝に埋め込まれた酸化シリコン膜７の表面を窒化シリコン膜３およびアモルファスシリコン膜１６の膜厚に相当する分だけ高くする。 - 特許庁

With a projection 106a, remaining at the upper end part of the boarder part between the insulation separation groove 104 and an active element 105 region, a second insulation film 108 formed by the bias ECR-CVD method is deposited by a film-thickness of equal almost to the height of the projection 106a, so that the projection 106a is eliminated for complete planarization over the entire wafer surface.例文帳に追加

この時絶縁分離溝１０４とアクティブ素子１０５領域の境界部に上端部に突起１０６ａが残留するが、さらにバイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜１０８を、突起１０６ａの高さと同程度の膜厚で堆積させることにより、突起１０６ａを無くしウェハー全面を完全平坦化する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor sealing resin composition, which exhibits low viscosity, a long pot life after mixing two liquids, high light transmissivity after curing, excellent light resistance, and excellent resistance to heat discoloration; hardly causes a crack or separation from an element; and can maintain high luminance over the long-term use.例文帳に追加

光半導体を封止する樹脂組成物として、低粘度で、二液混合後のポットライフが長く、硬化後には、高い光線透過性を有し、耐光性や耐熱変色性に優れ、しかも、クラックの発生や素子との剥離がほとんどなく、長時間の使用においても高い輝度を保持することが可能な光半導体封止用樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The lighting device is configured to include: a tabular light guide plate; a light source part disposed on a side of the light guide plate; and a polarization separation element which is disposed between the light guide plate and the light source part and transmits linearly polarized light in a first polarization direction and reflects linearly polarized light in a polarization direction orthogonal to the first polarization direction.例文帳に追加

照明装置は、平板状の導光板と、導光板の側方に配置される光源部と、導光板と光源部との間に配置され、第１の偏光方向の直線偏光を透過し、第１の偏光方向と直交する偏光方向の直線偏光を反射する偏光分離素子とを備えるように構成する。 - 特許庁

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed.例文帳に追加

シリコン基板１上に素子分離領域２を形成した後、Ｐウェル層３を形成し、これにしきい値電圧Ｖｔｈ調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度１Ｅ１４〔ｃｍ^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層６のエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

A separation method includes: an oxidation treatment step of obtaining an oxidized raw material by applying oxide treatment; a carbon source mixing step of mixing a carbon source; and a heat treatment step of heat-treating in a chlorine atmosphere after the oxidation treatment step and the carbon source mixing step, with respect to the raw materials containing the rare earth elements and the metal element other than the rare earth elements.例文帳に追加

希土類元素と当該希土類元素以外の金属元素とを含む原料に対して、酸化処理を行うことで酸化された原料を得る、酸化処理工程と、炭素源を混合する、炭素源混合工程と、酸化処理工程及び炭素源混合工程の後に塩素雰囲気下で加熱処理する、加熱処理工程とを行う方法とする。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted of a semiconductor substrate 101, an active area and an element separation area 102, a gate insulating film 105 formed on the active area, a gate electrode 106 formed on the gate insulating film 105 and a conductor formed in the source/drain area at the upper part of a face with which the active area and the gate insulating film 105 are brought into contact.例文帳に追加

半導体基板１０１と、活性領域と素子分離領域１０２と、上記活性領域上に形成されたゲート絶縁膜１０５と、上記ゲート絶縁膜１０５上に形成されたゲート電極１０６と、ソース／ドレイン領域に活性領域とゲート絶縁膜１０５が接する面より上部に導電体とを備える。 - 特許庁

A first insulated separation film 5a which partitions an active region and a second insulation isolating film 5b which is thinner than the first insulation isolating film 5a and separates the active region into a first active region 6 and a second active region 7 as element isolation layers made of LOCOS are formed on the major surface S of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面ＳにＬＯＣＯＳからなる素子分離層として、活性領域を区画する第１の絶縁分離膜５ａと、この第１の絶縁分離膜５ａよりも厚さが薄く、且つ、活性領域を第１の活性領域６と第２の活性領域７とに分離する第２の絶縁分離膜５ｂを形成する。 - 特許庁

With this configuration, the stiffening element serves to remodel the valve annulus to a desired shape, while the tensioning member exhibits sufficient flexibility to allow for natural movement of the valve annulus while limiting (in the taut state) the extent of annular dilatation (e.g., overt lateral separation of the first and second ends of the stiffening member) due to in vivo forces.例文帳に追加

この構成では、補強要素は、弁輪を所望の形状に改造するように働き、一方、引張部材は、（ピンと張った状態で）体内の力による弁輪の拡張の程度（例えば、補強部材の第１端部と第２端部の明白な横方向の分離）を制限しながら、弁輪が自然な運動を行えるだけの可撓性を呈する。 - 特許庁

When exposed to a pressure pulse generated by a pyrotechnic driving element 20, the separation pistons are moved relative to the housing 12 to cut off at least two conductors 14 arranged in the housing 12.例文帳に追加

火工式分離デバイス１０は、圧力チャンバ４０を形成するハウジング１２と、圧力チャンバ４０内に配置された少なくとも二つの分離ピストン４４とを有し、これらの分離ピストンは、火工式駆動エレメント２０が発生した圧力パルスに露呈された場合にハウジング１２に対して移動し、ハウジング１２内に配置された少なくとも二つの導電体１４を切断できる。 - 特許庁

This polarization conversion element 1 is composed of columnar glass members 11 sticked sequentially on a plurality of boundary faces forming an angle of substantially 45° for a light incoming face 1a and a light outgoing face 1b and having cross sectional shape being substantially parallelogram and polarization separation membranes 12 and phase difference plates 13 provided alternately on a plurality of boundary faces.例文帳に追加

偏光変換素子１は、光入射面１ａおよび光射出面１ｂに略４５°の角度を成す複数の界面で順次貼り合わされた断面形状が略平行四辺形の柱状のガラス材１１と、複数の界面に交互に設けられた偏光分離膜１２および位相差板１３とを含み構成されている。 - 特許庁

A luminescence layer, an electron transportation layer 13 and a cathode are uniformly deposited by a vacuum deposition method, the developer used for the separating barrier ribs is removed by transfer after deposition, a layered product of the luminescence layer, an electron transportation layer 13 and a cathode is selectively removed together, and picture element formation is made after luminescence pattern formation and cathode separation.例文帳に追加

次いで、真空蒸着法により発光層、電子輸送層、陰極を一様蒸着し、その蒸着後、分離隔壁に用いた現像剤を転写により取り去ることにより、発光層、電子輸送層、陰極の積層体も一緒に選択的に除去して、発光パターン形成、陰極分離を行って、画素形成を行う。 - 特許庁

In the semiconductor device having a plurality of element formation regions divided by isolation separation trenches on a semiconductor substrate, pairs of electrodes are arranged on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate to be separated from each other, and a pn column region is provided on the semiconductor substrate as a region for forming dual-face electrode elements through which currents flow between the electrodes.例文帳に追加

絶縁分離トレンチにより、半導体基板において複数の素子形成領域が区分された半導体装置であって、対をなす電極が半導体基板の表面と該表面の裏面に分けて配置され、電極間に電流が流れる両面電極素子の形成領域として、半導体基板にｐｎコラム領域を設けた。 - 特許庁

There are formed a first high withstand voltage transistor 100P in the first semiconductor layer, a second high withstand voltage transistor 100N in the second semiconductor layer, and a first low withstand voltage transistor 200P in the third semiconductor layer and further a second low withstand voltage transistor 200N adjoining the first low withstand voltage transistor via the second element separation region.例文帳に追加

第１半導体層内に第１高耐圧トランジスタ１００Ｐを、第２半導体層内に第２高耐圧トランジスタ１００Ｎを、第３半導体層内には第１低耐圧トランジスタ２００Ｐと、第３半導体層内において、第１低耐圧トランジスタと前記第２素子分離領域を介して隣り合う第２低耐圧トランジスタ２００Ｎを形成する。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, an N-type region for receiving signals from an external connection terminal via a P-type region in contact with the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is formed near the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の近傍に、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域と接したＰ型の領域を介して外部接続端子からの信号を受けるＮ型の領域を形成した。 - 特許庁

A mask oxidation film 318a is formed at a point at which the opening and the active region 302 intersect and at the same time, a buffer oxidation film 318b is formed on the element separation film 304 adjacent to the mask oxide film 318a by selectively oxidizing the buffer film exposed from the opening and the upper region of the conductive film pattern 310.例文帳に追加

開口部により露出されている緩衝膜および導電膜パターン３１０の上部領域を選択的に酸化させて開口部および活性領域３０２の交わる地点にマスク酸化膜３１８ａを形成すると共に、マスク酸化膜３１８ａに隣接した素子分離膜３０４上に緩衝酸化膜３１８ｂを形成する。 - 特許庁

This composition is obtained, by obtaining a washing liquid which contains the peripheral component of fermented soybeans by washing the fermented soybeans in the washing liquid, and removing Bacillus natto, viscous component, and foreign element from the washing liquid which contains the peripheral components of the fermented soybeans, through the use of a separation means so as to obtain a filtrate.例文帳に追加

納豆を洗浄液で洗い流すことにより該納豆の周囲成分を含有する洗浄液を得、該納豆の周囲成分を含有する洗浄液を分離手段を用いることにより、該納豆の周囲成分を含有する洗浄液から納豆菌、粘性成分及び夾雑物を除去することにより濾液を得ることにより得られる。 - 特許庁

In the light separation element 1 comprising a grating which divides an incident light beam into a plurality of beams depending on the wavelength, the refractive index n of the grating material and the grating depth d of the grating, the width w of the grating part 4 in one period, and the grating period p satisfy the condition of n×d×w/p≥0.670 (μm).例文帳に追加

入射する光束を波長に応じて複数の光束に分離する回折格子により構成された光分離素子１において、回折格子の格子材料の屈折率をｎ、格子深さをｄ、１つの周期の格子部分４の幅をｗ、格子周期をｐとするとき、 ｎ・ｄ・ｗ／ｐ≧０．６７０ （μm） なる条件を満足する。 - 特許庁

For the method of increasing the degree of separation of reflected light of the bilateral optical-fiber element 10 equipped with an input optical fiber 14, an output optical fiber 15, an optical fiber pigtail 11, a collimator 12, and a 1st thin film 13, a 2nd thin film 16 is installed in a pass through which a reflected light beam of 2nd wavelength travels.例文帳に追加

本発明の双光ファイバ素子１０の反射光の分離度を高める方法は、入力光ファイバ１４と、出力光ファイバ１５と、光ファイバ・ピグテール１１と、コリメータ１２と、第一薄膜１３とを備える双光ファイバ素子１０のものであって、反射された第二波長の光線が経由するパスに第二薄膜１６を設置する。 - 特許庁

To provide an element in which functional high molecules of proteins, etc., are immobilized which is simple in a forming process, is capable of achieving high resolution, high efficiency, and wide selectivity, and is simultaneously capable of both shortening analyzing time, etc., and simplifying operation by continuously analyzing interactions through the use of high molecules and the separation and detection of substances by one system.例文帳に追加

形成プロセスが単純で、高分解能、高効率、幅広い選択性を実現可能であると同時に、高分子を用いた相互作用解析及び物質の分離・検出を一つの系で連続して行うことで、分析時間などの短縮、操作の簡便化を可能ならしめるタンパク質等の機能性高分子を固定化した素子を提供すること。 - 特許庁

Ammonium hydrogencarbonate is added in a process for forming a precipitate by adding an alkali to an aq. soln. of a salt of a rare earth element and the resultant cake is separated by solid-liquid separation and fired at 300-900°C to produce the objective rare earth oxide having ≤0.5 μm Fischer diameter, ≥30 m2/g specific surface area and ≤250 Å crystallite size.例文帳に追加

フィッシャー径が０．５μｍ以下、比表面積が３０ｍ^2 ／ｇ以上、且つ結晶子サイズが２５０Å以下の希土類酸化物、および希土類元素の塩の水溶液に、アルカリを添加して沈殿を生成する過程で重炭酸アンモニウムを添加して得られるケーキを固液分離し、３００℃以上９００℃以下で焼成する希土類酸化物の製造方法。 - 特許庁

A color separation/mixing optical system of a projection unit is equipped with a dichroic mirror 26 which separates B light from the illumination light emitted by a light source 22, a polarizing rotary element 31 and a 2nd PBS 32 which separate G light and R light reflected by the dichroic mirror 26, and a mixing prism 29 which puts those lights of three colors together.例文帳に追加

投影ユニット１４の色分離合成光学系は、光源２２が発する照明光からＢ光を分離するダイクロイックミラー２６，このダイクロイックミラー２６で反射したＧ光及びＲ光を分離する偏光回転素子３１及び第２ＰＢＳ３２，及びこれら三色の光を合成する合成プリズム２９を備えている。 - 特許庁

Holding power of the holding means 6 is set in the size for allowing the rotational separation with the second shaft 5 of the third hinge element 3 as the center, when closing directional force of the predetermined size or more acts on the door D, when the fingers Z are nipped between the door D and the door frame F in a process of closing the door D.例文帳に追加

保持手段６の保持力が、扉Ｄを閉める過程で扉Ｄと扉枠Ｆとの間に手指Ｚなどが挟まった場合において所定の大きさ以上の閉じ方向の力が扉Ｄに作用されているときに、第三ヒンジ要素３の第二軸５を中心とした回動離れ出しを許容する大きさにしてある。 - 特許庁

The capacity Csub between the collector substrates and the collector resistance Rc can be reduced at the same time by opening a collector 14 for being connected to a base dispersion layer area 4, and at the same time forming a collector trench 14' which is a lead-out electrode on a boundary line between a deep trench 3 formed around the base dispersion layer area 4 and an element separation oxidation film 2.例文帳に追加

ベース拡散層領域４と接続するためのコンタクト１４の開口と同時に、ベース拡散層領域４の周りに設けたディープトレンチ３と素子分離酸化膜２の境界線上にコレクタ引出電極となるコレクタトレンチ１４’を形成することにより、コレクタ−基板間容量Ｃｓｕｂ、コレクタ抵抗Ｒｃを同時に小さくすることができる。 - 特許庁