「substrate solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

This DNA chip 20 having many minute spots 80 formed by dropping a sample solution on the substrate 10 is so formed that a hydrophilic poly-L-lysine layer 12 is formed on the surface of the substrate 10, and that projections 14 are formed respectively on each center part of the positions on the substrate 10 where the minute spots 80 are to be formed.例文帳に追加

基板１０上に試料溶液の滴下による微小スポット８０が多数形成されたＤＮＡチップ２０において、基板１０の表面に親水性を有するpoly-L-lysine層１２を形成し、該基板１０上のうち、微小スポット８０が形成されるべき位置の各中心部分にそれぞれ突起１４を形成して構成する。 - 特許庁

A frame-like frame body 7 having liquid-repellent properties is formed around the outer-periphery surface of a flat sealing substrate 6 that opposes a flat element substrate 1; a moisture-absorbing material solution is applied to the inside of the flat sealing substrate 6 surrounded by the frame body 7; and a layer 8 containing a moisture absorbing substance is formed by curing.例文帳に追加

平板素子基板１と対向する平板封止基板６の外周面を周回して撥液性を有する枠状の枠体７を形成し、この枠体７で囲まれた平板封止基板６の内側に吸湿材溶液を塗布し、硬化して吸湿性物質を含む層８を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film includes a step of introducing hydrogen to a silicon substrate, a step of heating the silicon substrate so that its surface temperature becomes 350 to 500°C, and a step of spraying a solution containing the raw material of the thin film on the surface of the silicon substrate at the temperature from 350 to 500°C.例文帳に追加

シリコン基板に水素を導入する工程と、シリコン基板の表面温度が３５０℃以上５００℃以下となるようにシリコン基板を加熱する工程と、３５０℃以上５００℃以下のシリコン基板の表面に薄膜の原料を含む溶液を噴霧する工程とを含む薄膜の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the members having the antireflection function includes a step of spraying an etching solution to a surface of a substrate having a metallic layer on at least a surface thereof to form an etched layer on the surface of the substrate and a step of transferring a fine rugged structure of the etched layer formed on the substrate, to a surface of a resin material.例文帳に追加

少なくとも表面が金属層をなす基板の表面にエッチング液を吹き付けて該基板の表面にエッチング層を形成する工程と、該基板上に形成された該エッチング層の微細凹凸構造を樹脂材料の表面に転写する工程とを含む反射防止機能を有する部材の製造方法である。 - 特許庁

The solution processing apparatus comprises a cleaning vessel 102 for soaking a substrate 102 in the pure wafer 201, a bubble introducing section 104 for introducing bubbles 200 into the pure water 201 and a cassette 101 for inclining the substrate 102 for the specified angle θ so that the bubbles 200 move along the cleaning surface 102a of the substrate 102.例文帳に追加

基板１０２を純水２０１中に浸漬させる洗浄槽１０３と、純水２０１中に気泡２００を導入する気泡導入部１０４と、気泡２００が基板１０２の被洗浄面１０２ａに沿って移動するように基板１０２を所定角度θ傾けるカセット１０１とを有する。 - 特許庁

To provide a developing solution for preventing residue of a color photosensitive composition on a substrate and a black matrix, preventing uneven development within the surface of a large substrate, in a developing step for a color photosensitive composition layer applied on a substrate, and to provide an image forming method with good productivity, and a color filter preventing generation of residues.例文帳に追加

基板上に塗設された着色感光性組成物層の現像工程において、基板上、およびブラックマトリックス上に着色感光性組成物の残渣がなく、また大型基板でも面内での現像ムラがない現像液を提供し、生産性の良好な画像形成方法、残渣発生の少ないカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for forming damascene wiring or plug wiring for a semiconductor device has a step of making a wiring groove or hole in an insulating film formed on a substrate and forming a metallic film on the insulating film, and a step of applying a voltage to the substrate in an electrolytic solution with the substrate used as an anode.例文帳に追加

半導体装置のダマシーン配線、プラグ配線を形成する方法であって、基板上に形成された絶縁膜に配線溝または接続孔を形成し、その絶縁膜上に金属膜を形成するステップと、電解液中で基板を陽極として、電圧を印加するステップと、を有している。 - 特許庁

An insulating film forming method has an immersion step for immersing a substrate into one-substituted trialkoxysilane solution, and an ultraviolet-light irradiating step in which the immersed substrate is irradiated with ultraviolet light so as to make one-substituted trialkoxysilane deposited on the substrate surface into a polysiloxane film.例文帳に追加

基板を一置換トリアルコキシシランの溶液に浸漬させる浸漬工程と、前記浸漬させた基板に紫外光を照射することにより、前記基板表面に付着している一置換トリアルコキシシランをポリシロキサン膜にする紫外光照射工程と、を有する絶縁膜の形成方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

A substrate for mass spectrometry has an arborescent platinum nanostructure formed on a roughened semiconductor substrate, and the arborescent platinum nanostructure is formed through self-growth by the immersion of the roughened semiconductor substrate into a platinum solution.例文帳に追加

粗面化された半導体基板上に樹枝状白金ナノ構造体が形成されている質量分析用基板であって、前記樹枝状白金ナノ構造体は、前記粗面化された半導体基板を白金溶液に浸漬することにより自己成長により形成されることを特徴とする質量分析用基板。 - 特許庁

To provide a substrate processing method by which a substrate wherein a laminated film with a ruthenium and tungsten compound or a tantalum compound is formed does not oxidize and deteriorate the tungsten compound or the tantalum compound, and Low-K does not deteriorate even if a device formation area surface is exposed to water or an alkaline solution; and to provide a substrate processing device.例文帳に追加

ルテニウムとタングステン化合物又はタンタル化合物との積層膜が形成された基板を、タングステン化合物又はタンタル化合物を酸化変質させることなく、更にデバイス形成領域面が水やアルカリ溶液に曝され、ＬｏｗＫが変質することなのない基板処理方法、及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The organic EL solution is applied to the coating area 91 of the substrate 9 and also to a non-coating area 92 outside the coating area 91 on the terminal end side of the substrate 9 to be moved relatively to the coating head in the subscanning direction while each of the coating head, the head moving mechanism and the substrate moving mechanism is controlled by the control part.例文帳に追加

塗布装置では、制御部により各構成が制御されて、基板９上の塗布領域９１に有機ＥＬ液が塗布されるとともに、副走査方向における塗布ヘッドの相対移動の基板９上の終端側において塗布領域９１の外側の非塗布領域９２に有機ＥＬ液が塗布される。 - 特許庁

The AlN substrate cleaning method ensures that the area ratio between Al_2s electron and N_1s electron (peak area of Al_2s electron/peak area of N_1s electron) is 0.65 or less in the photoelectron spectrum of the surface of an AlN substrate according to X-ray photoelectron spectroscopy at an inspection angle of 10° by dipping the AlN substrate in an acid solution.例文帳に追加

また、ＡｌＮ基板を酸溶液に浸漬させることによって、検出角度１０°でのＸ線光電子分光法によるＡｌＮ基板の表面の光電子スペクトルにおいて、Ａｌ_2s電子とＮ_1s電子のピーク面積の比（Ａｌ_2s電子のピーク面積／Ｎ_1s電子のピーク面積）を０．６５以下にするＡｌＮ基板の洗浄方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing an organic conductive thin film includes a step for preparing a first solvent and a second solvent in which an organic polymer is further dissolved to at least one solution of the first solution obtained by dissolving electron donor molecule into an organic solvent and the second solvent obtained by dissolving electron receptor molecule into the organic solvent and a step for mixing the first solution and the second solution at the same location on the substrate.例文帳に追加

電子供与性分子を有機溶媒へ溶解した第１の溶液及び電子受容性分子を有機溶媒へ溶解した第２の溶液のうちの少なくとも１方の溶液にさらに有機高分子を溶解した、第１の溶液及び第２の溶液を用意する工程と、上記第１の溶液及び第２の溶液を基板上の同位置において混合する工程とを含む有機導電性薄膜の製造方法である。 - 特許庁

The method includes steps: (A) providing a silicon substrate; (B) making the silicon substrate contact with an activator where the activator comprises: a noble metal or a noble metal compound, a thickening agent, and water; (C) washing the silicon substrate by a cleaning agent; (D) dipping the silicon substrate in an electroless nickel plating solution to perform electroless-plating and to form nickel layers 51 and 52.例文帳に追加

（Ａ）シリコン基板を提供する；（Ｂ）シリコン基板を活性剤と接触させる、ここで活性剤は貴金属又は貴金属化合物、増粘剤及び水を含む；（Ｃ）シリコン基板を洗浄剤で洗浄する；及び（Ｄ）無電解系めっきを実施するために、シリコン基板を無電解ニッケルめっき溶液中に浸漬し、ニッケル層５１および５２を形成する；工程を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor device includes steps of conducting an etching process to a film formed on a semiconductor substrate and peeling the deposits on the film by supplying a chemical solution, after the etching process, to the semiconductor substrate in a state where the substrate is rotated in the number of rotations lower than the predetermined number of rotations and then rotating the semiconductor substrate in the number of rotations larger than the predetermined number of rotations.例文帳に追加

半導体製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程とを含む。 - 特許庁

In the original printing plate for the lithographic printing plate having an image recording layer on a substrate, which is capable of forming an image by feeding a printing ink and dampening water onto a printing machine after exposure to the light and removing unexposed parts, the substrate is characterized in that the substrate is an aluminum substrate with an anodized film treated with a water solution containing nitrous acid and/or a nitrite.例文帳に追加

支持体上に、露光後、印刷機上で印刷インキと湿し水とを供給して未露光部分を除去することにより画像形成可能な画像記録層を有する平版印刷版原版において、該支持体が亜硝酸及び／又は亜硝酸塩を含む水溶液で処理された、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム支持体であることを特徴とする。 - 特許庁

A composition for forming the gap filling material containing a polymer solution is used in manufacturing a semiconductor device by a method which consists of coating the substrate having holes with ≥1 aspect ratio defined by height/diameter with a resist and transferring an image to the substrate utilizing a lithography process and is used to flatten the substrate surface by coating the substrate therewith before coating it with the resist.例文帳に追加

高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板にレジストを被覆しリソグラフィープロセスを利用して基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用され、レジストを被覆する前の該基板に被覆して基板表面を平坦にするために用いる、ポリマー溶液を含有するギャップフィル材形成組成物である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate with projections that can precisely form projections of cured bodies of a photosensitive resin composition on the substrate by using an ink jet device, and reducing disposal amounts of a developing solution and the photosensitive resin composition to reduce an environmental load, and to provide the substrate with projections for liquid crystal display device obtained by the manufacturing method of the substrate with projections.例文帳に追加

基板上に、インクジェット装置を用いて感光性樹脂組成物の硬化物からなる突起を精度良く形成することができ、また現像液や感光性樹脂組成物の廃棄量を低減し、環境負荷を低減することができる突起付き基板の製造方法、及び該突起付き基板の製造方法により得られた液晶表示装置用突起付き基板を提供する。 - 特許庁

A silver thin film (thickness 50 nm) 2 and an SiO_2 film (thickness 10 nm) 7 are deposited in order on one side surface of a slide glass 1 by ion beam sputtering deposition, so that a supporting substrate for sample solution is formed.例文帳に追加

スライドガラス１の片面に、イオンビームスパッタ堆積法により銀薄膜（厚さ５０ｎｍ）２とＳｉＯ_２膜（厚さ１０ｎｍ）７を順に堆積したものを試料溶液の支持基板とする。 - 特許庁

To provide a substrate treatment device which confirms, on a digital type gas pattern panel, current values of gas pressure, vacuum pressure, a solution remaining quantity, piping temperature, and a gas flow rate, and changes the setting of the gas flow rate.例文帳に追加

デジタル式ガスパターンパネル上でガス圧や真空圧、溶液残量、配管温度、ガス流量の現状値の確認、ガス流量の設定の変更が可能な基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The method for forming the photocatalyst thin film is characterized by coating the surface of the substrate with the coating solution to form a coating film and drying the obtained coating film at 80-110°C.例文帳に追加

前記塗工液を基体の表面に塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を８０〜１１０℃の温度で乾燥することを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。 - 特許庁

The etching solution for a silver-based thin film deposited on a substrate contains, by weight, 3 to 30% iodine and 10 to 50% iodide in a water base medium.例文帳に追加

沃素３〜３０重量％と沃化物１０〜５０重量％とを水性媒体中に含有することを特徴とする基板上に形成された銀系薄膜用エッチング液。 - 特許庁

The developing nozzle can move in a horizontal direction from the first washing tank toward the second washing tank and can supply a developing solution onto a top surface of the substrate.例文帳に追加

前記現像ノズルは前記第１洗浄タンクから前記第２洗浄タンクに向う水平方向に移動することができ、前記基板の上部面上に現像液を供給することができる。 - 特許庁

The etching and activation of the synthetic substance substrate are simultaneously performed in a solution comprising one or more etching reagents, an etching activation wetting agent, and a hydrochloric acid, and noble metal ion-containing activator.例文帳に追加

一つ以上の腐食剤、腐食活性浸潤剤、塩酸および貴金属イオン含有活性化剤を含む溶液を合成物質基板の腐食と活性化を同時に行う。 - 特許庁

A biochemical substance T2 is position-selectively adsorbed to the substrate w1 at a position from which the absorption layer M has been removed by thereinto introducing a solution of the biochemical substance T2.例文帳に追加

生化学物質Ｔ２の溶液を導入することにより、光吸収層Ｍが除去された位置の基板ｗ１に生化学物質Ｔ２を位置選択的に吸着させる。 - 特許庁

The stain resistant aluminum material is obtained by coating the surface of an aluminum substrate having a nonporous film on the surface with a titanium dioxide precursory solution, and performing heat treatment thereto to deposit a titanium dioxide thin film thereon.例文帳に追加

表面に無孔質皮膜を有するアルミニウム基体上に、二酸化チタン前駆体溶液を塗布し加熱処理して二酸化チタン薄膜を形成した防汚アルミニウム材。 - 特許庁

The support for the planographic printing plate is constituted by treating a metal substrate, to which surface roughening treatment and anodic oxidation treatment are applied, with an aqueous solution containing an inorganic fluorine compound and a silicic acid compound.例文帳に追加

粗面化処理および陽極酸化処理を施された金属基体を、無機フッ素化合物とケイ酸化合物とを含有する水溶液で処理してなる平版印刷版用支持体。 - 特許庁

Injection of the electrolyte solution 4 is carried out through the holes opened for each region formed with the bulkheads 30 at the end of the positive electrode-side substrate 2 located at the end of the dye-sensitized solar cell 1.例文帳に追加

電解液４の注入は、色素増感型太陽電池１の端部の正極側基板２の端部に、隔壁３０で形成される領域毎に開けた孔から行う。 - 特許庁

A voltage is applied between a nozzle 30 and a target substrate 60 with a direct current power source 50, and a polymer solution 20 consisting of a polymer material dispersed in a solvent is discharged from the nozzle 30.例文帳に追加

ノズル３０とターゲット基板６０との間に直流電源５０で電圧を印加し、高分子材料を溶媒に分散させた高分子液２０をノズル３０から吐出させる。 - 特許庁

To provide a texturing solution improved in texturing uniformity and reproducibility, reduced in evaporation of a component and improved in reflectance performance, in a semiconductor substrate texturing method.例文帳に追加

半導体基体のテクスチャ化方法において、改良されたテクスチャ化均一性、再現性、成分の蒸発の低減および改良された反射率性能を伴うテクスチャ化溶液を提供する。 - 特許庁

To provide a coating apparatus which prevents the film thickness at the peripheral part of a prescribed pattern from becoming thicker than that at another part when a solution is applied onto a substrate to form the pattern.例文帳に追加

この発明は基板に溶液を所定のパターンで塗布したときに、そのパターンの周辺部の膜厚が他の部分よりも厚くなるのを防止する塗布装置を提供することにある。 - 特許庁

The developing nozzle can move in a horizontal direction from the first washing tank toward the second washing tank and can supply a developing solution onto a top surface of the substrate.例文帳に追加

前記現像ノズルは前記第１洗浄タンクから前記第２洗浄タンクに向う水平方向に移動することができ、前記基板の上部面上に現像液を供給することができる。 - 特許庁

In a cooling step following a chemical reinforcement step, a cooling treatment for bringing the glass substrate into contact with a treatment solution being a melt of a substance having a lower solidification temperature than the chemically reinforcing salt is performed.例文帳に追加

化学強化工程後の冷却工程において、化学強化塩よりも固化温度の低い物質が融解された処理液にガラス基板を接触させる冷却処理を行う。 - 特許庁

Consequently, the dissolution of the plating layer plated and formed on the main substrate can be suppressed and the deterioration of the quality of the plating layer can be suppressed at the time of discharging the plating solution.例文帳に追加

この結果、前記メッキ液の排液の際に、主基板上にメッキ形成されたメッキ層の溶解を抑制すると共に、前記メッキ層の品質の劣化を抑制することが可能になる。 - 特許庁

To prevent the contamination of a substrate with objective matter for removal by smoothly ejecting the objective matter for removal riding a treatment solution from within a treatment tank using a devised upper structure of the treatment tank.例文帳に追加

処理槽の上部構造を工夫することにより、処理槽内の除去対象物を処理液にのせて円滑に排出して、除去対象物により基板の汚染を防止できる。 - 特許庁

A solution of pentacene-chloranil adduct or pentacene derivative-chloranil adduct is coated on silicon substrate, then heat-treated to convert the chloranil adduct to pentacene or pentacene derivative.例文帳に追加

ペンタセンのクロラニル付加体又はペンタセン誘導体のクロラニル付加体の溶液をシリコン基板上に塗布した後、加熱処理を行い、前記クロラニル付加体をペンタセン又はペンタセン誘導体に変換した。 - 特許庁

The putrid smell inhibitor for water and the aqueous solution comprises ceramic using a titanate as a substrate material and the ceramic includes at least barium titanate or strontium titanate.例文帳に追加

チタン酸塩を基礎材料とする磁器からなる水および水溶液の腐臭抑制材であって、前記磁器が少なくともチタン酸バリウムあるいは、チタン酸ストロンチウムを含む磁器である。 - 特許庁

The etching and activation of a synthetic substance substrate are performed by a common operation stage in a first solution comprising at least one inorganic acid-containing etching reagent and an ionogen activator.例文帳に追加

、合成物質基板の腐食と活性化を共通の操作工程で行い、少なくとも一つの無機酸含有腐食剤とイオノゲン活性化剤を含む第一溶液中で行う。 - 特許庁

To obtain ceramic electronic parts wherein a plated electrode is excellently formed on a baked electrode formed on an end surface of a ceramic substrate, and it has no deterioration of characteristics thereof due to a plating solution.例文帳に追加

セラミックで形成された基体の端面に形成された焼付け電極上に、良好にめっき電極が形成され、かつめっき液による特性劣化のないセラミック電子部品を得る。 - 特許庁

To provide a method for growing a large crystal of group III nitride by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method using a group III nitride crystal substrate obtained by a solution method.例文帳に追加

溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The organic compound layer consisting of plural materials is formed by coating application solution 108 in which the organic compound is dissolved in a solvent on a substrate 101 at which a mask 102 is installed.例文帳に追加

有機化合物を溶媒に溶解させた塗布液１０８をマスク１０２を設けた基板上１０１に塗布することにより複数の材料からなる有機化合物層を形成する。 - 特許庁

This film formation method is characterized in that (A) a solution of a compound having complex formability with copper is applied to the surface of the substrate having copper wiring and thereafter (B) the insulating film is formed.例文帳に追加

銅配線を有する基板上に（Ａ）銅との錯体形成能を有する化合物の溶液を塗布した後、（Ｂ）絶縁膜を形成することを特徴とする膜形成方法。 - 特許庁

The applied film 102 is formed by applying aqueous solution of boehmite (AlO(OH)) being mineral hydroxide on a substrate 101, and this applied film 102 is made to change into α-alumina by degeneration.例文帳に追加

基板１０１上にアルミニウムの水酸化鉱物であるベーマイト（ＡｌＯ（ＯＨ））の水溶液を塗布して塗布膜１０２を形成し、この塗布膜１０２を変成させてα−アルミナにする。 - 特許庁

The first underlayer 11 has thermal conductivity higher than that of the substrate 10 and the second underlayer 12 is hardly dissolved in an alkali solution more than the first underlayer 11.例文帳に追加

更に、第１下地層１１は、基板１０より熱伝導率が高い下地層であり、第２下地層１２は第１下地層１１よりもアルカリ溶液に対して難溶な下地層である。 - 特許庁

A substrate holding part 34, first and second washing solution spraying nozzles 41a, 41b, and first and second drying gas jetting nozzles 42a, 42b are positioned in the treatment space 38.例文帳に追加

この処理空間３８には、基板保持部３４と、第１および第２洗浄液噴射ノズル４１ａ，４１ｂと、第１および第２乾燥用気体噴射ノズル４２ａ，４２ｂとが設けられる。 - 特許庁