「surface channel」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

In the molecule analysis element equipped with a substrate part having a hydrophilic domain on the surface, and the nano-gap electrode provided on the substrate part and crossing the hydrophilic domain, the lipid bimolecular membrane is formed on the hydrophilic domain as the channel for transporting the analysis object molecules into the gap of the nano-gap electrode.例文帳に追加

表面に親水領域を有する基板部と、該基板部上に設けられた、前記親水領域を横断するナノギャップ電極とを備え、前記親水領域に、分析対象分子を前記ナノギャップ電極のギャップに輸送する流路として脂質二分子膜が形成されることを特徴とする分子分析素子。 - 特許庁

An MIS transistor includes: a gate insulating film 101 formed on the principal surface of an MIS semiconductor substrate 100; a gate electrode 102 formed on the gate insulating film 101; and a P-type channel doped layer 103 formed beneath the gate electrode 102 in the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

ＭＩＳ型トランジスタは、ＭＩＳ型の半導体基板１００の主面に形成されたゲート絶縁膜１０１と、該ゲート絶縁膜１０１の上に形成されたゲート電極１０２と、半導体基板１００におけるゲート電極１０２の下方に形成されたＰ型のチャネル拡散層１０３とを有している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor layer 10 that has a channel-forming region in its surface portion; an insulating film 4 that is provided on the semiconductor layer 10 and contains silicon, germanium, and oxygen; and a charge storage layer 5 that is provided on the insulating film 4 and can store charges supplied from the semiconductor layer 10 via the insulating film 4.例文帳に追加

表層部にチャネル形成領域を有する半導体層１０と、半導体層１０の上に設けられ、シリコンとゲルマニウムと酸素とを含む絶縁膜４と、絶縁膜４の上に設けられ、絶縁膜４を介して半導体層１０から供給される電荷を蓄積可能な電荷蓄積層５と、を備えている。 - 特許庁

This field-effect transistor includes a source 43 formed in the sidewall of a trench, a drain 42 formed in the semiconductor main body and provided with a surface in common with the upper face of the semiconductor main body, a channel region including both vertical and horizontal parts, and a polycrystalline silicon gate at the upper part of the trench.例文帳に追加

この電界効果トランジスタは、トレンチの側壁内に形成されたソース４３、半導体本体内に形成された、そして半導体本体の上面と共通の表面を有するドレイン４２、及び垂直と水平の両方の部分を含むチャネル領域、及びトレンチの上部の多結晶シリコンゲートとを含んでいる。 - 特許庁

The separator is provided with an airflow channel S1 on the surface side flanking at least an air electrode of the unit cells, the cooling space S2 supplying air and water to the rear face side as a cooling means, and discharge regulation means S2' in which liquid water collected in the discharging part is gradually discharged.例文帳に追加

セパレータは、単位セルの少なくとも空気極に接する表面側に空気流路Ｓ１を備えるとともに、背面側に空気と水とを供給される冷却空間Ｓ２を冷却手段として備え、冷却空間の排出部に、該排出部に溜まる液体水を緩徐に排出する排出規制手段Ｓ２’を備える。 - 特許庁

To prevent stagnation and backflow due to scattering of nozzle washing water for washing a bidet nozzle in a drain channel for draining water to the water closet after receiving the dew condensation water dripping to the outer surface of a washing water tank while making a compact washing water tank (low tank) supplying washing water to the water closet including the installation of the tank.例文帳に追加

便器に洗浄水を供給する洗浄水タンク（ロータンク）の設置も含めてコンパクト化を図りながら、洗浄水タンクの外面に結露して滴下する結露水を受けて便器に排水する排水路において、局部洗浄ノズルを洗浄するノズル洗浄水が飛散することによる停滞及び逆流を防止する。 - 特許庁

To provide an air supply register capable of preventing contamination of an inner wall surface around an air supply ventilating hole, while reducing air resistance as a flow channel for supplied outside air is linear, reducing generation of wind noise, easily securing ventilation volume, and preventing deterioration of indoor environment caused by intrusion of noise from the external.例文帳に追加

給気用換気口周囲の内壁面の汚れを防止でき、それでいて、給気される外気の流路が直線的であるため、空気抵抗が小さくて済み、風切り音が発生し難く且つ通気量を確保し易く、しかも、外部からの騒音侵入による室内環境の悪化を防止できる給気レジスターを提供する。 - 特許庁

It is provided with a game medium down flow channel provided on the back surface side of the front frame, and provided with a first inflow part for letting the returned game mediums flow in, and a second inflow part for letting the prize game mediums flow in for further guiding the game mediums from the first and the second inflow parts down to the receiving plate.例文帳に追加

前面枠の背面側に設けられ、戻り遊技媒体を流入させる第１流入部と、賞遊技媒体を流入させる第２流入部と、を有し、これら第１および第２流入部から流入した遊技媒体を更に受皿に流下案内する遊技媒体流下樋を備える。 - 特許庁

A lower cover 100 is made of plastic with a high heat-insulating capability (with a low heat conduction coefficient), while the front side shielding section 120 is so constructed that it covers a seat skeleton member 50 as viewed in front view, whereas the seat skeleton member 50 is disposed outside the outer wall surface 110A of a wind channel section 110.例文帳に追加

また、下部カバー１００は、断熱性が高い（熱伝導効率が低い）樹脂製とされ、前方側遮蔽部１２０が正面視においてシート骨格部材５０を覆うように設けられていると共に、風洞部１１０の外壁面１１０Ａの外側にシート骨格部材５０が配置されている。 - 特許庁

The cooling unit 6 of the projector 1 is constituted of a rib 641 erected on the inner surface of the base part 12A of an external case 2; and a discharge side duct main body 642, engaged with the rib 641 and forming a channel through which cooling air flows in order to guide introduced cooling air to a liquid crystal panel 441.例文帳に追加

プロジェクタ１の冷却ユニット６は、導入した冷却空気を液晶パネル４４１へ導くために、外装ケース２の底面部１２Ａの内面に立設されたリブ６４１と、リブ６４１と係合して冷却空気が流れる流路を形成する吐出側ダクト本体６４２と、を含んで構成されている。 - 特許庁

Into an olefinic thermoplastic elastomer is incorporated a polyolefin masterbatch obtained by grafting a silicone polymer onto the polyolefin to give a material 2, for treating a surface of a glass run channel, having a silicone polymer content of 5-50 wt.% and a JIS A hardness of 80-90, which material is co-extrusion molded with a thermoplastic elastomer substrate or with a vulcanized EPDM compound substrate.例文帳に追加

オレフィン系熱可塑性エラストマーに、シリコーンポリマーをグラフト化させたポリオレフィンマスターバッチを配合し、シリコーンポリマー含有量が５〜５０重量％で且つ材料硬度がＪＩＳ Ａ ８０〜９０度のグラスランチャンネル表面処理材料を、熱可塑性エラストマー基材又は加流ＥＰＤＭコンパウンド基材と共に共押出成形する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 7 covering an MOSFET (the semiconductor device) 100 is formed on the main surface of a semiconductor substrate 1 and on the top face of a gate electrode 5, and a first wiring layer 9 is formed in the region other than above the channel region 6 of the MOSFET 100 on the top face thereof.例文帳に追加

半導体基板１の主面上及びゲート電極５の上面上には、ＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）１００を被覆する第一層間絶縁膜７が形成され、その上面上の前記ＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域６の上方以外の領域には第一配線層９が形成されている。 - 特許庁

A light-receiving element 70 is composed of a PDSOI transistor (MOS transistor) in which a gate electrode 72 is formed on the surface of a p-type silicon layer 15 used as a channel body via a gate insulation film 71, and a source diffusion layer 73 and a drain diffusion layer 74 are formed to a depth reaching the insulation film 14.例文帳に追加

受光素子７０は、ｐ型シリコン層１５をチャネルボディとして、その表面にゲート絶縁膜７１を介してゲート電極７２が形成され、絶縁膜１４に達する深さにソース拡散層７３およびドレイン拡散層７４が形成された、ＰＤＳＯＩトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）により構成されている。 - 特許庁

Since the liquid supplying tube 22 is moved so as to change the spiral interval along the circumferential surface of a guide sheath 21, the liquid supplying tube 22 is arranged within the probe unit 1a without bending, and the channel block 27 is also arranged within the fixing block 29 to arrange a liquid supplying connector 17 in a prescribed position.例文帳に追加

このとき、送液チューブ２２は、案内用シース２１の外周面に沿って螺旋間隔を変化させるように移動するので送液チューブ２２に折れが発生することなくプローブユニット１ａ内に配置されるとともに、固定用ブロック２９内にチャンネルブロック２７が配置されて送液口金１７が所定位置に配置される。 - 特許庁

In a vertical type DiMOSFET formed using a SiC wafer, a Si layer 15 is formed on a channel region within the surface of the SiC substrate, the gate insulating film 16 is formed on the Si layer 15, and a laminated structure of the Si layer 15 and the gate insulating film 16 is formed.例文帳に追加

ＳｉＣウェハを用いて形成された縦型のＤｉＭＯＳＦＥＴでは、ＳｉＣ基板１０の表面内におけるチャネル領域上にＳｉ層１５が形成され、このＳｉ層１５上にゲート絶縁膜１６が形成されて、Ｓｉ層１５とゲート絶縁膜１６の積層構造が形成されている。 - 特許庁

In the process for fabricating a thin film transistor on a substrate 1, a source S_1 and a drain D_1 are formed by growing an SiGe thin film containing P or B in the source S_1 and drain D_1 forming parts on the surface of a channel C_1 which is formed of an Si polycrystalline film on the substrate 1.例文帳に追加

基板１上に薄膜トランジスタを形成する方法であって、ソースＳ_1 およびドレインＤ_1 の形成が、上記基板１上に形成されたＳｉ多結晶膜からなるチャネルＣ_1 の表面のソースＳ_1 およびドレインＤ_1 形成予定部分に、ＰまたはＢを含有するＳｉＧｅ薄膜を成長させることにより行われる。 - 特許庁

To provide a television for a bathroom which includes an existing television for a bathroom constituted by installing the television body, incorporating a terrestrial analog tuner on a wall surface of the bathroom; and a terrestrial digital tuner provided outside the bathroom by post-installation, and which allows channels to be switched from the bathroom, without requiring complicated work for channel switching.例文帳に追加

地上アナログチューナーを内蔵したテレビ本体を浴室の壁面に設置した既設の浴室用テレビにおいて、浴室外に後付けで地上デジタルチューナーを備える場合でも浴室からチャンネル切り替えを行うことが可能であると共にこれに伴う作業が煩雑とならない浴室用テレビを提供する。 - 特許庁

This cooling design is provided with a plurality of inlets 72, 74, 76, 78 for receiving cooling air 40 from an internal cavity 36 of the aerofoil 32 and a plurality of outlets 64, 66, 68, 70 blowing cooling air 40 to cool a film at the leading edge and provided in a channel 52 on an outer surface of the leading edge.例文帳に追加

また、この冷却設計は、エーロフォイル３２の内部空洞３６から冷却空気４０を受け入れる複数のインレット７２，７４，７６，７８と、前縁のフィルム冷却のために冷却空気４０が吹き出す、前縁外側表面上の溝５２、に設けられた複数のアウトレット６４，６６，６８，７０とを備える。 - 特許庁

Thus, a reinforcing body 3 having a channel-shaped cross section is attached to a connecting plate 2 almost perpendicularly to which wall panels 1, 1 are connected, both wall panels 1, 1 connected to the connecting plate 2 located between the side end faces of the neighboring wall panels 1, 1 thereby pushing the inner surface of the wall panels 1, 1 at both the end portion of the reinforcing body 3.例文帳に追加

壁パネル１，１を接続する接続板２に断面コ字状の補強体３を略直交させて取付け、隣接する壁パネル１，１の側端面間に位置する接続板２に両壁パネル１，１を接続して補強体３の両端部にて壁パネル１，１の内表面を押さえる。 - 特許庁

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region.例文帳に追加

たとえば、Ｐ^+ 型ソース拡散層２２とＮウェル領域１２とが同電位になるＰチャネルＭＯＳトランジスタにおいては、Ｎウェル領域１２の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層２２と、ソース拡散層２２とは異種拡散領域となるＮ^+ 型基板拡散層２３とを形成する。 - 特許庁

The joint structure 1 of the wall frame is characterized as follows: a cut 14, capable of being formed so as to be bent up, is made in a web part 2a of channel steel 2 constituting the upper or lower frame material; and the vertical frame material 4 is joined to a bent-up surface 3 formed by bending up the web part 2a inside the cut 14.例文帳に追加

上枠材または下枠材を構成する溝形鋼２のウェブ部２ａに曲げ起こし形成可能な切り込み１４を入れ、前記切り込み１４内側のウェブ部を曲げ起こして形成した折り曲げ面３に縦枠材４が接合されることを特徴とする壁枠組の接合構造１である。 - 特許庁

This cleaning unit 2 is equipped with a wiping liquid tank 13 for retaining a predetermined quantity of wiping liquid for cleaning the surface 10 of the nozzle plate of the nozzle unit 1, a wiping liquid channel 15 for supplying the wiping liquid 19 into the tank 13, and a moving means for moving the tank 13 relatively to the nozzle unit 1.例文帳に追加

クリーニングユニット２は、ノズルユニット１のノズルプレート表面１０をクリーニングするためのワイプ液を所定量保持するワイプ液漕１３と、ワイプ液漕内１３に対してワイプ液１９を供給するワイプ液流路１５と、このワイプ液漕１３をノズルユニット１に対して相対移動させる移動手段とを備える。 - 特許庁

The MOS power transistor is formed on the front surface of a heavily-doped substrate of the first conductivity-type and includes alternate drain and source arrays of a second conductivity-type separated by a channel, conductive fingers, covering source fingers and drain fingers and a second metal layer connecting all drain metal fingers and covering the entire source/drain structure.例文帳に追加

ＭＯＳパワートランジスタは第１導電型の重くドープした基板の前表面に形成され、チャネルにより分離される第２導電型のドレインとソースの交互配列と、ソース指とドレイン指を覆う導電指と、全てのドレイン金属指を接続し、ソース−ドレイン構造の全体をカバーする第２金属層とをふくむ。 - 特許庁

In an ink-jet recording apparatus comprising a plurality of ink-jet heads 1A having a plurality of nozzle openings for ejecting an ink from ink storage parts 7, 11, a cleaning liquid supply pipe 6 is provided via a switching valve 4 in the vicinity of the upper surface of a channel substrate 2A independently from an ink supply pipe 5 provided via a switching valve 3.例文帳に追加

インク貯留部７、１１からのインクを吐出する複数のノズル開口を有する複数のインクジェットヘッド１Ａを具備するインクジェット式記録装置において、流路基板２Ａの上面近傍に開閉弁３を介したインク供給管５とは別経路で開閉弁４を介した洗浄液供給管６を設ける。 - 特許庁

To avoid the problem that a threshold voltage of a transistor is shifted to the negative side to deteriorate a channel mobility, by previously forming a nitrogen-silicon bond layer on a surface of a silicon oxide film, eliminating a hiding period of forming a silicon nitride film by a chemical vapor deposition method, and suppressing nitriding of a silicon oxide-silicon boundary.例文帳に追加

酸化シリコン膜表面に予め窒素−シリコン結合層を形成して、化学的気相成長法による窒化シリコン膜形成の潜伏時間を解消し、酸化シリコン−シリコン界面の窒化を抑えることで、トランジスタのしきい値電圧が負側にシフトし、チャネル移動度を劣化させる問題を回避する。 - 特許庁

To bring a paddy working machine to be able to scatter grains in bulk for every stock in the paddy working machine constituted to deliver grains stored in a hopper in a predetermined amount by rotary delivery mechanism, feed the grains to bury in a channel formed on a rice field surface with traveling of a machine body and bury the grains.例文帳に追加

ホッパに貯留された粉粒体を回転式の繰出し機構によって所定量づつ繰り出して、機体走行に伴って田面に形成した埋設溝に供給して埋設してゆくよう構成した水田作業機において、粉粒体を株ごとにまとめて播くことができるようにする。 - 特許庁

A diaphragm part 20 used to stop down the flow of the air to be measured flowing near the sensor part 4 is formed on a sidewall inside the flow channel 3 forming the sensor part 4, and a plane part 20a parallel to the surface of the sensing part 4 is formed at the diaphragm part 20 at least on the upstream side from the sensor part 4.例文帳に追加

センシング部４に対向した流路３内の側壁に、センシング部４近傍を流れる被測定空気の流れを絞るための絞り部２０が形成され、絞り部２０にはセンシング部４の表面と平行な平面部２０ａが少なくともセンシング部４より上流側に形成されている。 - 特許庁

In the mold in which the surface of a cavity 2 is heated and cooled alternately, a resin supply route 1 is made a cold runner type or a semi- hot runner type, a heating/cooling medium channel is formed at least in a part of the resin supply route 1, and the resin supply route 1 is heated and cooled alternately.例文帳に追加

キャビティ２の表面が交互に加熱冷却される合成樹脂射出成形用金型において、樹脂供給路１をコールドランナー方式またはセミホットランナー方式とし、樹脂供給路１の少なくとも一部に加熱冷却媒体流路を設け、樹脂供給路１を交互に加熱冷却する。 - 特許庁

The bending easy part 17 is formed as a local thickness reducing part recessed in a recess shape in an inner surface of the connecting part between the indoor side sidewall part 8 and the oblique wall part 16, and the indoor side sidewall part 8 can be bent toward the inside of a channel-shaped space from the bending easy part 17.例文帳に追加

屈曲容易部１７は、室内側の側壁部８と斜状壁部１６との接続部の内面が凹状に窪んだ局部的な肉厚減少部として形成されていて、室内側の側壁部８が屈曲容易部１７からチャンネル状空間の内方に向けて折り曲げ可能となっている。 - 特許庁

A source layer 6 and a drain layer 7 are formed on the surface layer of a semiconductor substrate 1 while spaced apart from each other, a high dielectric constant gate insulating film 3 containing a metal element is formed on the channel region 2 between the source layer 6 and the drain layer 7, and a gate electrode 4 is formed on the high dielectric constant gate insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１表層にソース層６及びドレイン層７を互いに離間形成し、このソース層６及びドレイン層７の間のチャネル領域２上に金属元素を含有する高誘電率ゲート絶縁膜３を形成し、高誘電率ゲート絶縁膜３上にゲート電極４を形成している。 - 特許庁

To provide an RI compound synthesizing apparatus and an RI compound synthesizing method capable of handling a trace quantity of reaction material in order to reduce the quantity of the reaction material, and improving the yield of a radioactive isotope-labeled compound by reducing a product adsorbed on a channel wall surface.例文帳に追加

反応物質の量を減らすために微量の反応物質を取り扱うことができ、かつ流路壁面に吸着される生成物を減らすことで放射性同位元素標識化合物の収率を向上することができるＲＩ化合物合成装置及びＲＩ化合物合成方法を提供する。 - 特許庁

When a cartridge body 54 is rotated, distribution ports, a combined distribution port and a channel inlet 53c provided in the cartridge body 54 and on the upper surface of a ring array 53 are switched to sequentially face the position of a fluid port 30a of a reaction tank 30 installed independently of the cartridge body 54.例文帳に追加

カートリッジ本体５４を回転させると、そのカートリッジ本体５４と独立して設けられる反応槽３０の流体出入口３０ａの位置に対して、カートリッジ本体５４やリングアレイ５３の上面に設けられた流通ポート、結合流通ポート及び流路入口５３ｃが順次対向するように切り替わる。 - 特許庁

The channel brush to be used to clean the dust or the like attached to the surface to be cleaned comprises the brushing piece, a core and a strip, wherein the brushing piece is formed to be held and tucked in the core and the band and the brushing piece is constituted to be made of extra fine fibers.例文帳に追加

被清掃面に付着した塵埃等を清掃する為に使用するチャンネルブラシにおいて、前記チャンネルブラシはブラシ片、芯線、及び帯状体より構成されてあり、前記ブラシ片が前記芯線及び前記帯状体に挟みつけて折り込んで形成されてあると共に、前記ブラシ片に極細繊維が使用されてあるものである。 - 特許庁

Consequently, during the erase operation, a hole injection peak is indicated in each of the source and drain regions, and a hole injection component is added in the channel lateral surface by the difference in voltage between the source and drain regions, resulting in enabling a uniform and high-speed erase operation.例文帳に追加

これによって、消去動作の間に、ソース領域およびドレイン領域の各々にホール注入ピークが示されるようになり、また、ソース領域およびドレイン領域の間の電圧差によって、チャネル側面方向へのホール注入成分が追加されて、全体的に均一かつ速い消去動作が可能になる。 - 特許庁

A partial skeleton 2 formed by cutting the existing skeleton 1 is lifted by using superlifters 6, 6 arranged on an outer side in the lateral direction of the existing skeleton 1, loaded on the chill tanks 32, 32, etc., towed by a winch 34 along the channel-type line 31, conveyed up to an outlet 50 for the ground surface, and lifted on the ground by a crane.例文帳に追加

既設躯体１を切断した部分躯体２を、既設躯体１の横方向外側に配されているスーパーリフター６，６を用いて持ち上げてチルタンク３２，３２，…上に載置して、溝型線路３１に沿ってウインチ３４で牽引し、地上への出口５０まで搬送して、図示しないクレーンで地上へ吊りだす。 - 特許庁

A first impurity region 2 of a reverse conductivity type configuring a photoelectric conversion region and a buried channel region 3 of a reverse conductivity type configuring an element for transferring signal charge are formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, and a first insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

一導電型の半導体基板１の主面部に、光電変換領域を構成する逆導電型の第一不純物領域２、および信号電荷を転送する素子を構成する逆導電型の埋め込みチャネル領域３を形成し、半導体基板上に第一絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a channel layer mainly containing InGaAs, a Schottky layer mainly containing AlGaAs, a stopper layer mainly containing InGaP, a cap layer including a first region and a second region arranged with a recess for exposing a surface of the Schottky layer formed therebetween, a source/drain electrode arranged on the cap layer, and a gate electrode arranged on the surface of the Schottky layer exposed by the recess.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓを主要な材料とするチャネル層と、ＡｌＧａＡｓを主要な材料とするショットキー層と、ＩｎＧａＰを主要な材料とするストッパ層と、ショットキー層の表面を露出するリセスを挟んで配置された第１領域と第２領域とを含むキャップ層と、キャップ層の上に設けられたソース／ドレイン電極と、リセスによって露出されたショットキー層の表面に設けられたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁

In the approximately U-shaped concrete flume 10 for protecting the ecosystem for the small animals such as the water bugs and the amphibians living on the periphery of an irrigation channel, a slope portion 13 with a predetermined width, which is inclined to the outside upward from a bottom surface 11, is formed in a predetermined intermediate position in a longitudinal direction 20 on either or both of opposed sidewalls 12 almost vertically erected from the bottom surface 11.例文帳に追加

用水路周辺に生息する水生昆虫や両性類などの小動物の生態系を保護する略Ｕ字型のコンクリートフリューム１０であって、底面１１から略垂直に立設されている対向する側壁１２のうちいずれか一方若しくは両方における長手方向２０所定中間位置に、底面１１から上方へいくにしたがって外側へ傾斜した所定幅を有する斜面部１３が形成されている構成となっている。 - 特許庁

The cam follower is rotatable by the pushbutton relative to the cam surface from a closed position to an open position and when so rotated, exerts a biasing force on the cam surface sufficient to overcome the biasing force exerted by the biasing member on the plug portion and space the plug portion from the inlet allowing the contents of the container to flow into the channel and out the outlet.例文帳に追加

カム従動子は、押しボタンによって、カム表面に対して閉口位置から開口位置へ回転可能であり、そのように回転させたときに、カム表面上に付勢力を及ぼすが、該付勢力は、付勢部材が栓部分に及ぼす付勢力に打ち勝って、流入口から栓部を離間させるのに十分な力であり、それによって容器の内容物は、流路内へ流れ込むこと、および流出口から流れ出ることができる。 - 特許庁

An n-type main semiconductor layer 31 is provided with an n-type low-density semiconductor layer 34a and an n-type ultra-low-density semiconductor layer 34b having a lower impurity density than it in a region between a p-channel layer 32 and a field stop layer 35 repeatedly and alternately in a direction parallel to a first principal surface of the n-type semiconductor layer 31.例文帳に追加

ｎ型主半導体層３１において、ｐチャネル層３２とフィールドストップ層３５の間の領域に、ｎ型低濃度半導体層３４ａおよびそれよりも不純物濃度の低いｎ型極低濃度半導体層３４ｂが、ｎ型主半導体層３１の第一主面に平行な方向に交互に繰り返し設けられる。 - 特許庁

The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor.例文帳に追加

上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 - 特許庁

After a gate insulating film 6, a channel layer 8, an etching stopper layer are film-formed on a translucent substrate 2 where a gate electrode 4 is formed, the rear surface of the substrate 2 is exposed with the gate electrode 4 as a light-shielding mask by a photolithography technology, a resist is developed as it is, and the etching stopper layer is etched to form an etching stopper 14.例文帳に追加

ゲート電極４の形成された透光性基板２に、ゲート絶縁膜６、チャネル層８、エッチングストッパー層（１０）を成膜した後、フォトリソグラフィの手法により、ゲート電極４を遮光マスクとして基板２の裏面から露光を行い、そのままレジストを現像し、エッチングストッパー層（１０）をエッチングして、エッチングストッパー１４を形成した。 - 特許庁

The direct-reforming fuel cell system restrains the adhesion of foam of carbon dioxide or impurities on the surface of a concentration sensor 31 and detects a methanol concentration with accuracy by installing a methanol concentration measurement device 30 at a place where an existing volume of carbon dioxide gas is comparatively small on a circulation channel of methanol/aqueous solution.例文帳に追加

本発明の直接改質型燃料電池システムでは、メタノール濃度測定装置３０をメタノール／水溶液の循環経路上で二酸化炭素ガスの存在量が比較的少ない場所に設置することにより、濃度センサ３１の表面に二酸化炭素の泡や不純物が付着するのを抑制し、精度良くメタノール濃度を検出する。 - 特許庁

When a plurality of fluid channels 35 containing parts having different curvatures from each other are arranged in parallel, in at least one surface of the press separator 20, the width in at least any one fluid channel 35 is made wider in a part having a larger curvature out of the parts having different curvatures.例文帳に追加

曲率が互いに異なる部分を含む流体流路３５が平行して複数本配置されている場合に、当該プレスセパレータ２０の少なくとも一方の面において、少なくともいずれかの流体流路３５における流路幅が、曲率が互いに異なる部分のうち曲率の大きい部分の方で広くなっているようにする。 - 特許庁

In the surface channel type MOS transistor, a gate electrode 6, formed via the gate insulating film 5 on a semiconductor substrate 1, is composed of a polysilicon with 100-200 nm of thickness where at least impurity is nearly uniformly doped, and then a source/drain region 11 formed in the semiconductor substrate 1, is formed self-aligningly to the gate electrode 6.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６が少なくとも不純物がほぼ均一にドープされた膜厚１００〜２００ｎｍのポリシリコンからなり、半導体基板１内に形成されたソース／ドレイン領域１１がゲート電極６に対して自己整合的に形成された表面チャネル型ＭＯＳトランジスタ。 - 特許庁