「voltage-current characteristics」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In one embodiment, the method for calculating plasma characteristics includes a step in which each metric of current and voltage information of first/second waveforms connected to plasma at different frequencies are obtained so as to calculate at least one plasma characteristic while using the metrics obtained from each of the waveforms that have different frequencies.例文帳に追加

一実施形態において、プラズマ特性を求めるための方法は、プラズマに異なる周波数で結合された第１及び第２波形の電流及び電圧情報のメトリックを得て、周波数の異なる波形のそれぞれから得たメトリックを用いて少なくとも１つのプラズマ特性を求めることを含む。 - 特許庁

In a white color display, impedance in pixel circuit is adjusted according to I-V characteristics of a driving organic EL device so that a ratio of current flowing in each EL device contained in the same pixel is constant regardless of magnitude of a voltage drop caused in a power line.例文帳に追加

白色表示において、同一画素内に含まれる有機ＥＬ素子それぞれに流れる電流の比が、電源線で生じる電圧降下の大きさにかかわらず一定となるように、駆動する有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性に応じて画素回路のインピーダンスを調整する。 - 特許庁

Thus, an ohmic contact characteristic with the p-type clad layer is improved, it is possible to enhance wire bonding efficiency and an yield upon the packaging of the light-emitting device, and the luminous efficacy of the device and a device lifetime can be enhanced by low non-contacting resistance and excellent current-voltage characteristics.例文帳に追加

これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とにより素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。 - 特許庁

After a semiconductor laser element 10 is fabricated, or after coating layers 16 and 17 are formed on the light exit side end face or the end face on the opposite side, reverse voltage-reverse current characteristics of a semiconductor laser element 10 becoming a screening object are measured in a measuring process.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０の製造後、あるいは光出射側の端面および反対側の端面にコーティング層１６、１７を形成した後、測定工程で、選別対象となる半導体レーザ素子１０の逆方向電圧−逆方向電流特性の測定を行う。 - 特許庁

To reduce dispersion and change with time of characteristics of an emission current to a drive voltage for each electron source, in a display device in which a plurality of electron sources utilizing field emission or the like is arranged in a matrix form and the electrons from the electron sources are made to radiate against a fluorescent material to emit light.例文帳に追加

電界放出等を利用した複数の電子源をマトリクス状に配列し、該電子源からの電子を蛍光体に射突させて発光させる表示装置において、その駆動電圧対エミッション電流特性の電子源毎のばらつき及び経時変化を低減する。 - 特許庁

The self-support substrate comprises a GaN-based semiconductor and is characterized by that, when a Schottky diode is formed by directly using Ni as a metal electrode on the surface of the self-support substrate, the ideality factor n-value in the current-voltage characteristics is 1 or more and 1.3 or less.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。 - 特許庁

To prevent the degradation of characteristics and damages of an electron tube and alleviate loading of an power supply device by suppressing an excessive helix current flowing upon starting up of a power supply voltage, without causing deterioration of a maximum gain during normal operation of the electron tube such as a travelling wave tube.例文帳に追加

進行波管等の電子管の通常動作時における最大ゲインの低下を招くことなく、電源電圧の立ち上がり時に流れる過大なヘリックス電流を抑制して電子管の特性劣化や破損を防止すると共に電源装置の負荷を軽減する。 - 特許庁

In order to drive an electromagnetic conversion type vibration actuator having nonlinear characteristics, the drive circuit is provided with a pulse train generating circuit 1 which generates two system pulse trains and an outputting circuit 2 which power amplifies the two system pulse trains and makes the trains compatible with the operating voltage and the operating current of the actuator.例文帳に追加

非線形特性を有する電磁変換型振動アクチュエータを駆動する場合に、２系統のパルス列を発生するパルス列発生回路１と、それらの２系統のパルス列を電力増幅して振動アクチュエータの動作電圧と動作電流に適合させる出力回路２とを設けている。 - 特許庁

To enable a ZnO element to be improved in clamping voltage characteristics by the use of lead-free glass insulating material whose main components are Li_2O and ZnO, and to enable the ZnO element to have an improved discharge withstand current rating to excessive lightning impulses and switching impulses.例文帳に追加

Ｌｉ_２ＯとＺｎＯを主成分とする無鉛ガラス絶縁材料を用いて、ＺｎＯ素子の制限電圧特性を良好にし、過大な雷インパルス及び開閉インパルスに対しても、ＺｎＯ素子による放電耐量を増強させている。 - 特許庁

To provide a deposited film forming system by which a deposited film having excellent current/voltage characteristics and photoelectric conversion efficiency, in particular, a photovolatic element in which the joined boundary between an amorphous (i) type layer and an fine-crystal electrically conductive layer has good lattice consistency.例文帳に追加

優れた電流電圧特性と光電変換効率を有する堆積膜、特に非晶質ｉ型層と微結晶の導電型層との間の接合界面が良好な格子整合性を有する光起電力素子を形成することが可能となる堆積膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power amplifier device which combines the advantage of a gate voltage fixed bias control method which excels in distortion characteristics and the advantage of an auto bias control method which can make the set current value of operations uniform, irrespective of individual specificity or temperature change.例文帳に追加

ゲート電圧固定バイアス制御方式の歪み特性に優れている利点と、オートバイアス制御方式の個体差や温度変化によらずオペレーションのセット電流値を一定にすることが出来る利点を兼ね備えたパワーアンプ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an operation control device for a compressor and a control method therefor allowing effectively linearizing nonlinearity of compressor characteristics based on a current and voltage supplied to a linear compressor for precisely and accurately controlling operation of the compressor.例文帳に追加

リニア圧縮機に供給される電流及び電圧に基づいて圧縮機特性の非線形性を有効に線形化して、リニア圧縮機の運転を精密かつ正確に制御し得る、圧縮機の運転制御装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-linear element, and an electro-optical device that uses the same, of which the resistance of the lower electrode is reduced and symmetry is improved, in both the positive and negative directions of the current-voltage non-linear characteristics, in a structure where the lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are stacked, in this order.例文帳に追加

下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor, in which reduction in leakage current under voltage application and improvement in self-discharging characteristics can be made by using PVDC(polyvinylidene chloride) electrodes, that are manufactured by adding a binder composed of phenolic resin to the carbonized powder of PVDC resin, a carbon electrode, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ＰＶＤＣ樹脂炭化物粉末にフェノール樹脂からなるバインダ等を添加し製造したＰＶＤＣ電極を用いることで、電圧印加時の漏れ電流の低減と自己放電特性を向上させることができる電気二重層コンデンサ、炭素電極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In accordance with the obtained case temperature Tc and drain-source potential difference Vgs, the On resistance Rds of the transistor is determined from the characteristics of the transistors stored in a memory circuit 19, and using this On resistance as the conversion factor, the charging/discharging current Idc of the secondary battery is determined from the voltage drop Vdc.例文帳に追加

そしてケース温度Ｔｃとドレイン・ソース間電位差Ｖｇｓとに従って、記憶回路１９に記憶したトランジスタの特性からトランジスタのオン抵抗Ｒｄｓを求め、このオン抵抗を変換係数として前記電圧降下Ｖｄｃから二次電池の充放電電流Ｉｄｃを求める。 - 特許庁

To provide an image forming device which determines a transfer bias current in accordance with the difference of transfer paper and sets the intermediate transfer bias voltage of an intermediate transfer unit to an optimum value regardless of change of resistance characteristics or the like of an intermediate transfer body.例文帳に追加

転写紙の違いに対応して転写バイアス電流を決定でき、また、中間転写体の抵抗特性等が変化しても中間転写ユニットの中間転写バイアス電圧を最適値に設定できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To reduce parasitic resistance effectively without deteriorating the performance of a transistor, such as high-frequency characteristics (f_T, f_max), a current amplification factor h_FE, and the withstand voltage between a collector and an emitter, and increasing variations for a bipolar transistor in which an extraction electrode is formed by a polycrystalline film.例文帳に追加

引き出し電極が多結晶膜で形成されているバイポーラトランジスタについて、高周波特性（ｆ_T ，ｆ_max ）、電流増幅率ｈ_FEやコレクタ−エミッタ間耐圧等のトランジスタの性能低下やバラツキを増加させることなく、寄生抵抗を効果的に低減する。 - 特許庁

To provide an optical system sensor device utilizing the characteristics of a current and a voltage acting on light for measuring a transmission and distribution line such as a distribution line or a transmission line for the quantity of electricity, offering cost savings by shortening the service range of an optical fiber cable.例文帳に追加

電流および電圧が光に作用する性質を利用して配電線または送電線などの送配電線の電気量を測定する光方式センサ装置に関し、光ファイバケーブルの使用距離を短縮することによってコスト的に優れた光方式センサ装置を提供するものである。 - 特許庁

A drive power supply circuit 100 utilizes a current source and an output section (load) having characteristics reciprocal to each other with respect to a temperature change to obtain a reference signal with a stable voltage level against a temperature change and to increase the fan-out and supplies the reference signal to the RC oscillation circuit as a drive power supply.例文帳に追加

駆動電源回路１００は、温度変化に対して相反した特性を有する電流源と出力部（負荷）を利用して温度変化に対して安定した電圧レベルの基準信号を得て、これのファンアウト能力を増大させて、ＲＣ発振回路に駆動電源として供給する。 - 特許庁

Each of elements S1, S2 for determining respective operation points by current-voltage characteristics in respective units G1, G2 includes a single transistor(TR) T1 and a pair of TRs T2, T3 belonging to the same type as the TR T1 and connected in series.例文帳に追加

２つのユニットの各々において、電流−電圧特性により動作点を決める要素（Ｓ１，Ｓ２）は、単一のトランジスター（Ｔ１）、及びこれと同一タイプで且つ直列に接続された一対のトランジスター（Ｔ２，Ｔ３）をそれぞれ含む。 - 特許庁

The control unit 25 dynamically changes the current reference value or the voltage reference value based on the load information from the apparatus body 3 to properly protect the battery pack 2 against the overdischarge and overcurrent, even if the battery pack 2 is connected to the electric apparatus body 3 with different load characteristics.例文帳に追加

制御部２５は、機器本体３からの負荷情報に基き、電流又は電圧基準値を動的に変更することにより、電池パック２が負荷特性の異なる機器本体３に接続されても、適切に過放電及び過電流対して保護を図ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element, exhibiting superior reliability in reverse withstand voltage (stability with time during conduction), and to provide method of manufacturing a semiconductor light-emitting element, in which countermeasures are taken against deterioration in current dispersion characteristics accompanying the same.例文帳に追加

逆方向耐電圧の信頼性（通電時の経時的安定性）に優れた半導体発光素子の製造方法を提供し、更には、それに伴って生ずる電流分散特性の低下を補う為の対策を有した半導体発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Even when an output voltage waveform is to become dull due to response characteristics and impedance, etc., inevitably existing in a differential amplifier circuit F1, the dull components are corrected by two pairs of differential pairs D1 and D2 and two pairs of current mirrors M1 and M2 in this linearity improving circuit F2.例文帳に追加

差動増幅回路Ｆ１に不可避的に存在する応答特性やインピーダンス等に起因して出力電圧波形に鈍りが生じようとしても、その鈍り成分をリニアリティ改善回路Ｆ２の２対の差動対Ｄ１，２と２対のカレントミラーＭ１，Ｍ２とで補正する。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

To enable a ZnO element to be improved in withstand voltage characteristics by the use of a lead-free glass insulating material whose main components are Bi_2O_3 and B_2O_3, and to enable the ZnO element to have an improved discharge withstand current rating to excessive lightning impulses and switching impulses.例文帳に追加

Ｂｉ_２Ｏ_３とＢ_２Ｏ_３を主成分とする無鉛ガラス絶縁材料を用いて、ＺｎＯ素子の制限電圧特性を良好にし、過大な雷インパルス及び開閉インパルスに対しても、ＺｎＯ素子の放電耐量を増強させている。 - 特許庁

The means 61 estimates a remaining time at which the discharge is permitted in the module 10m whose module voltage Vm is lowered to the lower-limit monitoring value on the basis of a difference of discharge characteristics of the battery cells 10c and a detected value of a discharge current I1.例文帳に追加

手段６１は、モジュール電圧Ｖｍが下限監視値まで低下したモジュール１０ｍについて放電が許容される残り時間を、電池セル１０ｃの放電特性の差と、放電電流Ｉ１の検出値とに基づいて推定する。 - 特許庁

To shorten the manufacture time of a resistance change memory device (ReRAM) for which one electrode of a resistance change element is constituted of a transition metal, to improve the working accuracy of a transition metal electrode, and to prevent the degradation of the current/voltage characteristics of the resistance change element.例文帳に追加

抵抗変化素子の一方の電極が遷移金属によって構成された抵抗変化メモリ装置（ＲｅＲＡＭ）の製造時間の短縮化、遷移金属電極の加工精度の向上、及び当該抵抗変化素子の電流—電圧特性の劣化防止である。 - 特許庁

The use of a pn junction formula on the pnp transistors Q1, Q2 yields, as an inverse proportion relation, characteristics between an input voltage VIN to the non-inverting input terminal of an operational amplifier OPAamp and the collector current Ib of the pnp transistor Q2.例文帳に追加

ｐｎｐトランジスタＱ１，Ｑ２に関するｐｎジャンクションの式を利用して、演算増幅器ＯＰＡｍｐの非反転入力端子への入力電圧ＶＩＮとｐｎｐトランジスタＱ２のコレクタ電流Ｉｂとの間の特性を反比例関係とすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element, exhibiting superior reliability in reverse withstand voltage (stability with time during conduction), and to provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element in which countermeasures are taken against deterioration in current dispersion characteristics accompanying the same.例文帳に追加

逆方向耐電圧の信頼性（通電時の経時的安定性）に優れた半導体発光素子の製造方法を提供し、更には、それに伴って生ずる電流分散特性の低下を補う為の対策を有した半導体発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a step for frequency-analyzing a power supply network model, a power supply network model is formed based on electric characteristics determined according to a specification of semiconductor device (maximum allowable drop value of power supply voltage, power supply current value, operation frequency or the like), and the formed power supply network model is frequency-analyzed.例文帳に追加

電源供給網モデルを周波数解析するステップは、半導体装置の仕様（電源電圧の最大許容ドロップ値、電源電流値、動作周波数等）に応じて求められる電気的特性に基づいて電源供給網モデルを作成し、該電源供給網モデルを周波数解析する。 - 特許庁

In the different material welding of the casting steel article of the steam turbine member and a short pipe, in order to ensure material characteristics of both materials, a current and a voltage are adjusted to both materials of the different material welding part as a heat treatment method by high frequency coils 6, 7, 8 so as to become the heat treatment condition of the respective materials.例文帳に追加

蒸気タービン部材の鋳鋼品と短管の異材溶接において、両材料の材料特性を確保するために、熱処理方法として異材溶接部の両材料に対し、高周波コイル６，７，８により、それぞれの材料の熱処理条件になるように電流、電圧を調整する。 - 特許庁

To provide an ink for an organic transistor with which a plate member is excellently inked with respect to printability, whose mobility and on/off ratio are high with respect to electric characteristics, and which can be lowered in threshold, driving voltage, and off current, and to provide an electrode of the organic transistor, a method of forming the electrode, and the organic transistor.例文帳に追加

印刷性については版部材へのインキングが良好で、電気特性については移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタ用インク、有機トランジスタの電極及びその形成方法並びに有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

When the probe 12 is brought into contact with the surface of a sample, the leading end part of the probe 12 becomes a superconductive state by the pressure applied to the leading end part of the probe and the current-voltage characteristics between the probe 12 and the sample 13 are changed by Andreev reflection.例文帳に追加

探針１２を試料１３の表面に接触させると、それに伴って探針１２の先端部に加わる圧力によりこの先端部が超伝導状態となり、探針１２と試料１３との間の電流−電圧特性がアンドレーエフ反射により変化する。 - 特許庁

The linear structure light source 4 is fed in steps by the step drive 3 from one end of a solar cell light receiving surface to the other end, and the current-voltage characteristics of the light irradiated part of the integrated thin film solar cell 5 is measured at every stop position of the linear structure light source 4.例文帳に追加

ライン構造光源４は、ステップ駆動部３により、太陽電池受光面の端から端までステップ状に送られ、ライン構造光源４の停止位置毎に集積型薄膜太陽電池５の光照射部分の電流−電圧特性が測定される。 - 特許庁

To hold a stable state during a wait by reducing a leak current during the wait without increasing a chip area and deteriorating characteristics in operations in a semiconductor integrated circuit using a low threshold device in which a high-speed operation is made possible by a low power supply voltage.例文帳に追加

低電源電圧で高速動作が可能な低しきい値デバイスを用いた半導体集積回路において、チップ面積増大や動作時の特性劣化を招くことなく待機時のリーク電流を削減し、待機時の安定状態を保持する。 - 特許庁

The pull-up devices, the pull-down devices, and the path device are dynamically configurable such that the measuring circuit 18 uses either a pull-up mode or a pull-down mode to measure voltage and current characteristics of each contact point, or pin, of the inspection apparatus 12.例文帳に追加

プルアップ素子、プルダウン素子及びパス素子は、動的に構成することができ、これにより、測定回路１８は、プルアップモード又はプルダウンモードのいずれかを用いて、検査装置１２の各接触点又はピンの電圧及び電流特性を測定することができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, which can prevent malfunction caused by a leakage current and variations in characteristics and in manufacturing to reduce operating voltage by increasing a coupling capacity between a floating gate and a control gate, and a method of manufacturing the memory device.例文帳に追加

リーク電流による誤動作、特性のばらつき及び製造のばらつきを防止しながらフローティングゲートとコントロールゲートとの間の結合容量を増大させて動作電圧を下げることができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the characteristics of light quantity detection outputs by individually converting current outputs from a light detection element and divided light detection areas into voltage when the light quantity of an optical pickup is detected in the case of recording or reproducing signals in/from an optical disk.例文帳に追加

光ディスクに対して信号の記録又は再生を行う場合の光ピックアップにおける光量検出時、光検出素子、分割光検出領域からの電流出力を個別に電圧変換することにより、光量検出出力の特性を改善する。 - 特許庁

The method is for reducing the operating voltage level of an MOS transistor, formed in a well comprising a method that current, is drawn out from the well, while enabling the change of a well potential in accordance with each of the transistor characteristics, thereby applying a forward bias to the well.例文帳に追加

ウェルに形成されたＭＯＳトランジスタの動作電圧レベルを低減する方法であって、個々のトランジスタ特性に従ったウェル電位の変化を可能にしつつウェルから電流を引き出し、それによってウェルにフォワードバイアスを印加することからなる方法を提供する。 - 特許庁

A temperature characteristics memory 16 memorizes a Vf-Ta table 17 which shows relation between forward voltage Vf of an LED element 100 and ambient temperature Ta, and a Ta-Ifmax table 19 which shows relation between the ambient temperature Ta and the maximum allowed current Ifmax.例文帳に追加

温度特性記憶部１６は、ＬＥＤ素子１００の順方向電圧Ｖｆと周囲温度Ｔａの関係を示すＶｆ−Ｔａテーブル１７と、周囲温度Ｔａと最大許容電流Ｉｆｍａｘの関係を示すＴａ−Ｉｆｍａｘテーブル１９とを記憶する。 - 特許庁

To provide a solid high polymer film electrolyte fuel cell, capable of improving the durability to an impure material gas, capable of restricting voltage lowering even when loading in a high current density area, and capable of preventing the deterioration of battery characteristics in longtime operation, and having superior economical efficiency and reliability.例文帳に追加

不純物ガスに対する耐性をいっそう高め、高電流密度領域まで負荷をとった場合でも電圧低下を抑え、長期運転時の電池特性の劣化を防止できる、経済性及び信頼性に優れた固体高分子膜電解質型燃料電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for driving an organic EL active matrix, which always compensates for characteristic variation of an amorphous silicon TFT and an organic EL element, while accurately measuring current-voltage measurement characteristics and interpolating a coefficient for each pixel with high reliability, and to provide a driving circuit and a display device.例文帳に追加

アモルファスシリコンＴＦＴと有機ＥＬ素子の特性変動を常に補償可能とし、精度の良い電流−電圧測特性の測定と、信頼度の高い画素単位の係数の補間演算を両立可能とする有機ＥＬアクティブマトリックスの駆動方法、駆動回路および表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a field effect transistor (FET), chief of which is diamond, which can accommodate high-frequency operation and an increase in current density and has an excellent controllability for threshold voltage, and has little variation in element characteristics in the plane of a wafer and little variation among lots.例文帳に追加

ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。 - 特許庁

To provide a digital-to-analog converter for reducing area and power consumption without increasing a capacity value of a capacitor for obtaining an analog voltage and without increasing the maximum charge and discharge current value of a charging and discharging part for assuring the linearity of input/output characteristics.例文帳に追加

入出力特性の線形性を確保するために、アナログ電圧を得るための容量の容量値を大きくする必要や、充放電部の最大充放電電流値を大きくする必要がなく、低面積化および低消費電力化を図ることができるデジタル・アナログ・コンバータを提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical device which is increased in reliability against electrostatic discharge of a TFT though write characteristics (an increase in ON current and a decrease in threshold voltage) of the TFT are improved by reducing the thickness of a gate insulating film of the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴのゲート絶縁膜の厚さを薄くしてＴＦＴの書き込み特性（オン電流増大及び閾値電圧の低下）を良好となしながらもＴＦＴの静電破壊に対する信頼性を大きくした電気光学装置を提供すること。 - 特許庁