「voltage-current characteristics」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductive rubber roll in which a degree of correlation between voltage (V) and current (I) fully satisfies each degree of correlation different according to characteristics of a development apparatus and which realizes an excellent printing result especially in an range of 100 to 1,000V and to provide the development apparatus having the same.例文帳に追加

電圧（Ｖ）と電流（Ｉ）との相関度が現像装置の特性に応じて異なる各相関度を十分満たし、特に１００Ｖ〜１０００Ｖの領域で優れた印刷結果を実現する半導電性ゴムロール及びそれを備えた現像装置を提供する。 - 特許庁

The current source includes a resistor R having one end connected to a first power source node VSS, and a depression type transistor TR in which the other end of the resistor R is connected to a source and the first power source node VSS is connected to a gate, wherein the threshold voltage of the transistor TR has negative temperature characteristics and the resistance value of the resistor R has positive temperature characteristics.例文帳に追加

電流源は、一端が第１の電源ノードＶＳＳに接続される抵抗Ｒと、ソースに抵抗Ｒの他端が接続され、ゲートに第１の電源ノードＶＳＳが接続されるデプレッション型のトランジスターＴＲとを含み、トランジスターＴＲのしきい値電圧は負の温度特性を有し、抵抗Ｒの抵抗値は正の温度特性を有する。 - 特許庁

This photodiode integrated circuit is formed to the state the input/output characteristics of the circuit are changeable so that the sensitivity is increased at the part having small incident light quantity and the sensitivity is lowered at the part having large incident light quantity by changing the input/output characteristics of a current-voltage conversion amplifier in accordance with the conductivity non-conductivity of a Zener diode.例文帳に追加

本発明フォトダイオード集積回路は、電流−電圧変換増幅器の入出力特性をツェナーダイオードの導通／非導通により変えて、入射光量の少ないところでは感度を高くし、入射光量が大きいところでは感度を低下させるように、回路の入出力特性を切り換えられるように形成した。 - 特許庁

Electrical characteristics, such as the voltage value, current value and electric resistance value, of the thin film temperature measurement element 34 are measured based on a signal from the external substrate and the temperature on the upper surface of a present ceramic substrate 31 in the drawing can be measured based on the electrical characteristics of the thin film temperature measurement element 34 obtained based on a signal from the external substrate.例文帳に追加

電気接続部３６は、例えば、フレキシブルケーブルで外部基板に接続され、外部基板からの信号に基づいて薄膜測温素子３４の電圧値、電流値、電気抵抗値などの電気特性が測定され、外部基板の信号に基づいて得られた薄膜測温素子３４の電気特性に基づいて、現在のセラミック基板３１の図中上側の面の温度が計測可能となる。 - 特許庁

A metering unit 100 comprises a measurement instrument 132 for measuring a measured value indicating the characteristics of electric power corresponding to either voltage or current, a CPU 200 for creating a group of information including information indicating the characteristics of electric power and information indicating the measured value, and a PHS card 218 for transmitting the group of information.例文帳に追加

計量ユニット１００は、電圧および電流のいずれかに対応する、電力の性質を表す計測値を計測する計測器１３２と、電力の性質を表す情報、および計測値を表す情報を含む、情報のグループを作成するＣＰＵ２００と、情報のグループを送信するＰＨＳカード２１８とを含む。 - 特許庁

In general, the generation of a standing wave cancels the noise removal effect of the noise filter at the frequency, so the noise removal effect in the stopping range of various elements of the noise filter 2 can be displayed irrelevantly to the characteristics of the transmission line 1 by obtaining flat characteristics having no variation in neither the current level not voltage level.例文帳に追加

一般に定在波の発生は、その周波数におけるノイズフィルタのノイズ除去効果を減殺するものであるから、電流レベル・電圧レベルの変化のないフラットな特性を得ることで、伝送線路１の特性を問わず、ノイズフィルタ２の諸元上の阻止域でノイズ除去効果を発揮させることができる。 - 特許庁

The nitride light-emitting device that is manufactured by the method for enhancing the wire bonding efficiency and the yield of packaging of flip chip light-emitting device as characteristics of the ohmic contact with the p-type clad layer is improved, enhanced light emission efficiency because of low specific contact resistance and current/voltage characteristics, and longer life time of the device.例文帳に追加

このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されてフリップチップ発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高め、低い比接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とによって素子の発光効率を向上させ、素子の寿命を延長できる。 - 特許庁

In accordance with a sampling pulse supplied from a shift resistor (418) and a latch pulse supplied from the outside, the capacity means converts the total of currents supplied from the respective n video signal constant current sources (109) into a voltage, and the supply means supplies current corresponding to the converted voltage, whereby current output in accordance with a video signal is performed without depending on the transistor characteristics.例文帳に追加

シフトレジスタ（４１８）から供給されるサンプリングパルスと外部から供給されるラッチパルスに従って、前記容量手段は、ｎ個のビデオ信号用定電流源（１０９）の各々から供給される電流を加算した電流を電圧に変換し、前記供給手段は変換された電圧に応じた電流を供給することで、トランジスタの特性によらず、ビデオ信号に応じた電流出力を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The speed detector circuit 17 is composed of a voltage conversion gain 105 generating a VCM applied-voltage estimated value 206 by a current sense current 1205 flowing through a VCM 102, a filter A 106 compensating the inductance component of the VCM 102, a filter B 107 having frequency characteristics corresponding to the pole of the filter A, and a voltage difference point 108 taking each filter output.例文帳に追加

本発明の実施の形態は、速度検出回路１７において、ＶＣＭ１０２に流れるカレントセンス電流Ｉ２０５よりＶＣＭ印加電圧推定値２０６を生成する電圧変換ゲイン１０５と、ＶＣＭ１０２のインダクタンス成分を補正するフィルタＡ１０６と、フィルタＡの極に対応した周波数特性を持つフィルタＢ１０７と、それぞれのフィルタ出力の差分をとる電圧差分点１０８とにより構成されている。 - 特許庁

In a nearly full-lighted area with a shallow dimming depth due to load characteristics in accordance with the dimming depths k1, k2 to k7, light-emitting diodes 19 to 21 are in a current control mode to be lit and controlled, and those 19 to 21 are lit and controlled gradually changing from the current control mode to a voltage control mode as the dimming depths get deeper.例文帳に追加

調光深度ｋ１、ｋ２、…ｋ７に応じた負荷特性により調光深度が浅い全光に近い領域では、電流制御モードになって発光ダイオード１９〜２１を点灯制御し、調光深度が深くなるにつれて電流制御モードから電圧制御モードに徐々に移行させて発光ダイオード１９〜２１を点灯制御とするようにした。 - 特許庁

To solve the problem that an eddy current is continuously produced in the sample and causes the temperature of the sample to be raised by the Joule loss due to the eddy current if AC voltage is continuously applied to a sample for a long time, and that the electric characteristics of the sample cannot be measured under a desired temperature condition and an error is produced even in the identification of a physical state such as film thickness or a crack.例文帳に追加

試料に交流電圧を長時間連続的に印加すると、試料に連続的に渦電流が発生し、その渦電流によるジュール損失により試料の温度が上昇してしまい、所望の温度条件下での試料の電気特性が計測できず、膜厚、傷といった物理的状況の同定にも誤差が生じる。 - 特許庁

Since an output voltage characteristics of the detection amplifier has a higher gradient as a current level is lower and a smaller gradient as the current level is higher, the output dynamic range of this amplifier is smaller than that of a linear detection amplifier and even the use of an A/D converter with a small bit number can maintain sufficient resolution.例文帳に追加

検出アンプの出力電圧特性は、電流が低レベルのときには傾きが比較的大きく、高レベルとなるにしたがって傾きが小さくなるので、リニアな検出アンプを使用するよりも出力ダイナミックレンジを小さくでき、ビット数の小さなＡ／Ｄ変換器を使用して十分な分解能を維持できる。 - 特許庁

Operation of the second switch is controlled while turning the first switch off, a charging current of the secondary battery is calculated based on the discharge characteristics of the secondary battery by using a detection output from the voltage detection circuit, and charging operation for the secondary battery is controlled according to a charging current thus calculated.例文帳に追加

第１スイッチをオフの状態にして、第２スイッチの動作を制御するとともに、電圧検出回路の検出出力を用いて検出した二次電池の放電特性に基づき二次電池への充電電流を算出し、算出された充電電流に応じて二次電池に対する充電動作を制御する。 - 特許庁

To inhibit lowering of an increase in an operation, the operation by a large current and a current gain, increase in a Knee voltage due to the increase in an element resistance, and occurrence of a king phenomenon in I-V characteristics or the like, and to elevate a mobility while making a base resistance lower than a GaAsSb single base, in a hetero-junction bipolar transistor.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、高速化，大電流動作化，および電流利得の低下，素子抵抗増加によるＫｎｅｅ電圧の増加，Ｉ−Ｖ特性におけるキング現象の発現などを抑制すると共に、ベース抵抗をＧａＡｓＳｂ単一ベースに比べ低くしながら移動度を高くすることを目的とする。 - 特許庁

To solve the problem that high speed operation can not be expected when an EL element has a large junction capacitance and, when a current course is changed, a transistor which controls a driving current becomes a source follower for a switching transistor connected with a power source line and the source voltage of a driving transistor is varied in accordance with characteristics of a switching transistor.例文帳に追加

ＥＬ素子がおおきな接合容量を持つ場合に、高速動作が期待できないこと、及び、電流経路が変換した場合に電源ラインに接続されるスイッチングトランジスタに対し駆動電流を制御するトランジスタがソースフォロワとなり、駆動用トランジスタのソース電圧がスイッチング用トランジスタの特性により変動する。 - 特許庁

To provide a paste for forming a conductive protective layer of a current collector laminate which can protect the collector against corrosion without damaging the battery characteristics even in high voltage specification, and to provide a current collector laminate having the conductive protective layer, an electrode laminate, and a nonaqueous secondary battery such as a lithium secondary battery or an electric double layer capacitor.例文帳に追加

高電圧仕様においても電池特性を損なわずに腐食から集電体を保護できる集電積層体の導電性保護層形成用ペースト、該導電性保護層を有する集電積層体、電極積層体、およびリチウム二次電池や電気二重層キャパシタなどの非水二次電池を提供する。 - 特許庁

To execute feedback control value of the current of a reference current source by using a clock, a reference voltage, and a reference capacitor in order to maintain constant settling characteristics, without depending on change of a clock period and production variations or the like of a capacitor capacitance value in a circuit accompanied with charge/discharge of a capacitor such as a switched capacitor circuit.例文帳に追加

本発明は、スイッチトキャパシタ回路等のキャパシタの充放電を伴う回路において、クロック周期の変化やキャパシタ容量値の製造ばらつき等に依存することなく、セトリング特性を一定に保つため、基準電流源の電流値をクロック、基準電圧、基準キャパシタを用いてフィードバック制御することを目的とする。 - 特許庁

In this image display device, a plurality of modulation wirings which are connected to a scanning line are divided into a plurality of blocks and characteristics of total numbers of lighting versus current values at the time entire blocks are uniformly lighted are preliminarily obtained by actual measurement or convergent calculation and suitable current values corresponding to voltage drop are obtained by storing these results in a memory by making the total numbers addresses.例文帳に追加

一つの走査配線上に接続される複数の前記変調配線を複数のブロックに分け、予め実測や収束計算により全ブロックが均等に点灯したときの総点灯数対電流値特性を得ておき、その結果を総点灯数をアドレスとしたメモリに格納することで、電圧降下に対応した好適な電流値を得る。 - 特許庁

A voltage to be applied between a pair of electrodes 2a and 2b of an oxygen pump cell 2 is controlled at a variable power source 22, and an oxygen concentration in a first inner space 5a is set to a low concentration which does not substantially affect an influence of measuring the hydrogen concentration based on previously measured current-voltage characteristics and a detected result of a first ammeter 33.例文帳に追加

酸素ポンプセル２の一対の電極２ａ、２ｂ間に印加する電圧を可変電源２２で制御し、予め測定した電流−電圧特性と第１の電流計２３の検出結果を基に、第１内部空間５ａ内の酸素濃度を、実質的に水素濃度の測定に影響しない低濃度とする。 - 特許庁

To restrain adverse bad influence on a voltage unstable phenomenon by shifting a DC power feeding system into an operation with characteristics of a constant impedance load in an AC/DC converter for constant current con trol, when there is a possibility of adverse influence against a maintaining of voltage kept in an AC system, after a continued constant power load opera tion in the DC power feeding system.例文帳に追加

定電流制御を行う交直変換器において、直流送電システムが定電力負荷運転を続けると、交流系統の電圧維持に悪影響を与える可能性がある場合に、直流送電システムを定インピーダンス負荷の特性を持たせた運転に切り替えて、電圧不安定現象に対して悪影響を抑制する。 - 特許庁

To detect an accurate remaining amount of ink based on changes in the ink color inherent to the ink and in the resistance value by temperature characteristics in a mechanism for detecting the existence of the remaining amount of the ink in an ink tank by applying an electric voltage to the ink and using the electric voltage value (or the electric current value) in an inkjet type image forming apparatus.例文帳に追加

インクジェット方式の画像形成装置において、インクタンク内のインク残量有無をインクに電圧を与え、検出される電圧値(または電流値)の値により検出する機構において、インク固有に持つインク色や温度特性による抵抗値の変化に基づき、正確な残量検出を行なう。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁

After a voltage stress or a current stress is applied to an MIS transistor formed in the scribe region of a semiconductor wafer for forming a product, the S factor, threshold voltage or transconductance characteristics of the transistor is measured, and the results are compared with specified management values, thus managing the fabrication process.例文帳に追加

製品が形成される半導体ウエハのスクライブ領域にＭＩＳトランジスタを形成し、電圧ストレス又は電流ストレスを付加した後に、トランジスタのＳ因子、闘値電圧又は相互コンダクタンス特性を測定し、その測定結果と所定の管理値を比較・判定することで製造工程の管理を行う。 - 特許庁

To keep SNR characteristics while improving a circuit area and a consumption current by keeping a determination dispersion range of a comparator while forming a quantizer with a plurality of comparators less than the number of bits output from a delta sigma AD modulator by a tracking method when a power voltage is operated at a low voltage.例文帳に追加

電源電圧を低電圧動作させた場合に、トラッキング方式によりデルタシグマＡＤ変調器より出力するビット数より少ない複数のコンパレータで量子化器を構成しつつ、コンパレータの判定ばらつき範囲を維持することで、回路面積、消費電流を改善しながら、ＳＮＲ特性を維持する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.例文帳に追加

逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型ＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since any one resonator is selected by controlling the capacitance characteristics of the variable capacity diode with an input voltage from the voltage control terminal Vcont to satisfy or not satisfy the oscillation conditions, a frequency switching oscillator where the circuit current required for frequency switching is reduced sharply can be realized.例文帳に追加

そして電圧制御端子Ｖｃｏｎｔからの入力電圧により可変容量ダイオードが有するキャパシタンス特性を制御して発振条件の成立／不成立を起こすことで何れか一つの共振部を選択するよう機能するので、周波数切り替えに要する回路電流を大幅に低減した周波数切替式発振器を実現することができる。 - 特許庁

To provide an active matrix type organic light-emitting display device capable of correcting luminous efficiency different for each color of an organic light-emitting diode, and voltage-current characteristics, and reducing variation in voltage change between the gate electrode and source electrode of a drive transistor accompanying potential change of the anode of the organic light emitting diode.例文帳に追加

有機発光ダイオードの色毎に異なる発光効率や電圧-電流特性を補正することができ、有機発光ダイオードの陽極の電位変化に伴う駆動トランジスタのゲート電極−ソース電極間の電圧の変化のばらつきを低減することができるアクティブマトリクス型有機発光表示装置を提供する。 - 特許庁

A Gain margin is obtained by measuring a mean current or mean voltage applied to a Focus Actuator or a Tracking Actuator, estimating a displacement amount of each Actuator from a measured value thereof, changing frequency characteristics or the whole servo loop characteristics by turning ON/OFF a Notch Filer according to a state thereof, and thereby altering characteristics of servo control over each Focus Servo Filter part and each Tracking Servo Filter part.例文帳に追加

Ｆｏｃｕｓ ＡｃｔｕａｔｏｒまたはＴｒａｃｋｉｎｇ Ａｃｔｕａｔｏｒに印加されている平均電流または平均電圧を計測し、その計測値からそれぞれのＡｃｔｕａｔｏｒの変位量を推測して、その状況に応じてＮｏｔｃｈ ＦｉｌｔｅｒのＯＮ／ＯＦＦにより周波数特性の変更、または、サーボループ特性全体の変更をおこなって、各々のＦｏｃｕｓ Ｓｅｒｖｏ Ｆｉｌｔｅｒ部とＴｒａｃｋｉｎｇ Ｓｅｒｖｏ Ｆｉｌｔｅｒ部のサーボ制御の特性を切り替えることにより、Ｇａｉｎ余裕を得る。 - 特許庁

In the method for evaluating the electric characteristics of a semiconductor wafer using a MOS capacitor, a prescribed amount of charge is injected to the oxide film of the MOS capacitor for charging to measure a leak current before measuring the leak current, when measuring the leak current flowing to the oxide film by applying voltage to the oxide film of the MOS capacitor after manufacturing the MOS capacitor on the semiconductor wafer.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタを用いて半導体ウエーハの電気特性を評価する方法であって、前記半導体ウエーハ上にＭＯＳキャパシタを作製した後、該ＭＯＳキャパシタの酸化膜に電圧を印加して酸化膜に流れるリーク電流を測定するとき、前記リーク電流の測定前に、前記ＭＯＳキャパシタの酸化膜に所定の電荷量を注入することにより充電を行い、その後リーク電流の測定を行うことを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。 - 特許庁

This temperature detector 10 including a temperature-sensitive diode D (temperature-sensitive element) outputting a voltage corresponding to temperature includes a resistor 2 (adjusting apparatus) for adjusting an electric current If fed through the diode D according to a change in temperature so that the gradients of temperature characteristics varying with the diodes D accord with a prescribed gradient.例文帳に追加

感温ダイオードＤ（感温素子）を備え、温度に応じた電圧を出力する温度検出器１０おいて、感温ダイオードＤごとに異なる温度特性の傾きが所定の傾きとなるように、温度の変化に従って感温ダイオードＤに流す電流Ｉｆを調整する抵抗器Ｒ２（調整部）を備える。 - 特許庁

The apparatus has output characteristics switching circuits 6, SW2 that switch an output to the electrode to cause the output to the electrode to have a constant-current characteristic when the occurrence of the arc discharge is detected by the arc processing unit and extinguishment processing of the arc is started and to have a constant-voltage characteristic until completion of the extinguishment processing of the arc.例文帳に追加

アーク処理部によりアーク放電の発生が検知され、消孤処理が開始されたときに前記電極への出力が定電流特性を有し、その消孤処理の終了までに前記電極への出力が定電圧特性を有するように、前記出力を切り換える出力特性切換回路６、ＳＷ２を備える。 - 特許庁

A sensor characteristics measurement part 14 makes electrodes 31a-31c of the capacitance sensor 31 selectively into a state applied with a sine wave and the electrodes 31a-31c optionally into an open or a grounded state, selects a current generating at the electrodes 31a-31c in these states to convert into a voltage value, and detects overcurrents individually flowing through the electrodes 31a-31c when applying the sine wave.例文帳に追加

センサ特性計測部１４は、静電センサ３１の各電極３１ａ〜３１ｃに選択的に正弦波を印加状態とすると共に各電極３１ａ〜３１ｃを任意にオープン状態又は接地状態とし、これらの状態において各電極３１ａ〜３１ｃに発生する電流を選択して電圧値に変換し、また、正弦波の印加時に各電極３１ａ〜３１ｃの個々に流れる過電流を個々に検出する。 - 特許庁

An equivalent steering vector having, as an element, a directional characteristic function u_m representing the directional characteristics of the relevant antenna in case that a predetermined current or a predetermined voltage is imparted to one of the antenna elements is multiplied by the calculated equivalent weight vector to calculate a directional characteristic function E(θ, ψ) of the array antenna.例文帳に追加

次いで、各アンテナ素子のうちの１つに所定電流又は所定電圧が与えられたときの当該アンテナの指向特性を表す指向特性関数ｕ_ｍを要素とする等価ステアリングベクトルと、計算された等価ウェイトベクトルとを乗算して、アレーアンテナの指向特性関数Ｅ（θ，φ）を計算する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit 100 measures the drain current-drain voltage characteristics of the FET, and cancels a polynomial-approximated second-order term, to reduce second-order harmonic distortions and also cancels a third-order term to reduce the third-order harmonic distortions, so that the desired output control is performed based on appropriate bias conditions.例文帳に追加

半導体集積回路１００は、ＦＥＴのドレイン電流−ドレイン電圧特性を測定し、多項式近似した第２次の項をキャンセルすることで第２次の高調波歪みを減少させ、第３次の項をキャンセルすることで第３次の高調波歪みを減少させることができるため、適切なバイアス条件に基づいて所望の出力制御ができる。 - 特許庁

The data measured in real time is compared with the measured values of typical characteristics of the tube used in the lighting system and the stored data about the relation between an input voltage and an input current at start of use, thereby instantaneously deciding whether the tube 11 is in normal state or the abnormal state and displaying the result of the decision.例文帳に追加

照明機器で使用される管球の典型的な特性を予め測定や、使用開始時の入力電圧と入力電流の関係を保存したデータ−等と、リアルタイムで測定したデータを比較判定することで、その瞬間に管球１１が正常状態か非正常状態かを判断し表示する。 - 特許庁

In the manufacturing apparatus for the optical master disk, as the characteristics of a means 1 for irradiating a resist layer 102 composed of the electron beam photosensitive resist of the optical master disk with converged electron beams, the maximum acceleration voltage of the electron beam 2 is ≤15 kV, an electron beam spot diameter in an irradiation beam current 80 nA is ≤80 nm, and a beam blanking frequency is ≥50 MHz.例文帳に追加

光ディスク原盤の電子線感光レジストから成るレジスト層１０２に対して集束された電子ビームを照射する手段１の特性として、電子ビーム２の最大加速電圧が１５ｋＶ以下、照射ビーム電流８０ｎＡにおける電子ビームスポット径が８０ｎｍ以下、ビームブランキング周波数５０ＭＨｚ以上である光ディスク原盤の製造装置を構成する。 - 特許庁

To provide an electron emitting source that can be formed easily in a large area and has an electron emitting efficiency same as Spindt type electron source, and has superior electron emitting characteristics same as that of lamination type electron source such as MIM and BSD (little dependency on vacuum, small emitting angle of emitted electrons, stable current by emitted electrons and little noise, low impressing voltage for emitting electrons), and its manufacturing method.例文帳に追加

容易に大面積に形成することができ、またスピント型電子源並みの電子放出効率を持ち、さらにＭＩＭやＢＳＤ等の積層型電子源並みの優れた電子放出特性（真空度依存性が小さい、放出電子の放出角が小さい、放出電子による電流が安定でノイズが少ない、電子を放出するための印加電圧が低い）を有する電子放出源およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A photovoltaic power generation system comprises a plurality of solar cell modules 11, first and second DC/DC converters 31 and 32, a common power line 16, a main power line 14, a sub power line 15, a plurality of diode elements, a plurality of switching elements, an electronic load device 33 for measuring voltage/current characteristics of solar cell modules, and a control device 34.例文帳に追加

複数の太陽電池モジュール11と、第一および第二のＤＣＤＣコンバータ31、32と、共通電源線16と主電源線14と副電源線15と、複数のダイオード素子と、複数のスイッチング素子と、太陽電池モジュールの電圧電流特性を測定するための電子負荷装置33と、制御装置34とを備える太陽光発電システムである。 - 特許庁

In the fullerene polymer the polymer has metallic current-voltage characteristics, has ≤10 Ωcm electrical resistivity and a three-dimensionally polymerized structure of fullerene monomers, has an absorption peak in the range from 1350 to 1400 cm^-1 in the IR absorption spectrum and no absorption peak near 1430 cm^-1, and the fullerene polymer structure and a method for manufacturing these are provided.例文帳に追加

金属的な電流−電圧特性を示し、電気比抵抗値が１０Ωｃｍ以下であり、フラーレン単量体が３次元的に重合した構造を有し、かつ赤外線吸収スペクトルにおいて１３５０〜１４００ｃｍ^-1の範囲に吸収ピークを示し、さらに１４３０ｃｍ^-1付近に吸収ピークを示さないフラーレン重合体、フラーレン重合体構造物又はこれらの製造方法。 - 特許庁

Further, a second units 10 associated with the panels 1 are each designed to selectively activate a photovoltaic panel with a unique activation code 4 generated by the first unit 11, and outputs the corresponding unique activation code 4 to the connection line L to detect voltage and current characteristics of each panel 1 having been activated, thereby selectively activating the respective panels 1.例文帳に追加

さらに、パネル１と連携される第２ユニット１０は、第１ユニット１１により生成される固有の活性化コード４により選択的に活性化可能であり、対応する特有の活性化コード４を接続配線Ｌに出力し、活性化している各パネル１の電圧及び電流特性を検出することにより、各パネル１を選択的に活性化するように構成される。 - 特許庁

The overvoltage protection circuit includes a first switching section comprising a plurality of semiconductor devices that are mutually connected in series and are successively turned on depending on an input voltage from a rectifying device; and at least a pair of second switching sections in which a pair of semiconductor devices having different current characteristics is connected in series, and connection to the first switching section is made to be parallel.例文帳に追加

相互直列接続され整流素子からの入力電圧の大きさによって順にターンオンする複数の半導体素子からなる第１スイッチング部と、電流特性が相違する一対の半導体素子が直列接続されてなり、第１スイッチング部と並列接続される少なくとも一対の第２スイッチング部とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

An electric field control element (6) is held to at least one varistor column (3) and includes a composite material formed of a matrix of a polymer and a filler embedded into the matrix, and the composite material has a dielectric constant between 5 and 45 and/or non-linear current-voltage characteristics when an alternating electric field up to 100 Hz is loaded.例文帳に追加

電界制御要素（６）は、少なくとも１つのバリスター・カラム（３）に保持されており、かつ、ポリマーのマトリクスおよびこのマトリクスに埋め込まれたフィラーによって形成された複合材料を含み、この複合材料は、１００Ｈｚまでの交流電場による負荷の際に、５から４５の間の誘電率および／または非線形の電流−電圧特性を有する。 - 特許庁

To prevent the deterioration of battery characteristics of a nonaqueous electrolyte secondary battery and obtain a sufficient battery capacity in the case charging is carried out continuously by an extremely small current for a long period while maintaining the nonaqueous electrolyte secondary battery in which lithium cobaltate is used as a positive electrode active material and molybdenum dioxide is used as a negative electrode active material in a constant voltage state.例文帳に追加

正極活物質にコバルト酸リチウムを用い、負極活物質に二酸化モリブデンを用いた非水電解質二次電池を、定電圧状態で維持しながら長期間微小電流で連続して充電を行った場合に、この非水電解質二次電池の電池特性が低下するのを防止すると共に充分な電池容量が得られるようにする。 - 特許庁

This crystal oscillation circuit has an oscillation transistor(TR) 2, a buffer transistor(TR) 1 in cascade connection thereto, a crystal vibrator 12 and capacitive elements C2, C3, and further has a temperature characteristic provision circuit (TR3-TR6, R5-R7) that provides temperature characteristics to a current flowing through a resistor deciding the base voltage of the buffer TR.例文帳に追加

請求項１に記載の発明は、発振用トランジスタ（ＴＲ２）及びこれにカスケード接続されたバッファのトランジスタ（ＴＲ１）と、水晶振動子（１２）と、容量素子（Ｃ２，Ｃ３）とを有する水晶発振回路において、バッファのトランジスタのベース電圧を決定する抵抗に流れる電流に温度特性を付与する温度特性付与回路（ＴＲ３〜ＴＲ６，Ｒ５〜Ｒ７）を有する。 - 特許庁

The actuating power of the information processor can be limited depending on the charging/discharging cycle frequency in consideration of the cycle characteristics of the secondary battery to suppress not only a reduction in discharging capacitance due to a vicious cycle of a current increase and a voltage drop but also a resultant increase in the charging/discharging cycle frequency, so that the acceleration of deterioration of the battery can be prevented.例文帳に追加

これにより、二次電池が有するサイクル特性を考慮し、放充電サイクル回数に応じて、情報処理装置の動作電力を制限することで、電流の増大と電圧低下の悪循環による放電容量の減少を抑え、結果的に放充電サイクル数の増加も抑えることで、電池の劣化加速を防止することが出来る。 - 特許庁