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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > あおえ3ちょうめに関連した英語例文

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あおえ3ちょうめの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4688



例文

なお、「大宮一、二、三丁目」「天使突抜一、二、三、四丁目」「突抜一、二丁目」の「丁目」を各1町と数えた場合は6町増えて517町となる。例文帳に追加

If you count '1, 2, and 3-chome Omiya', '1, 2, 3, and 4-chome Tenshitsukinuke', and '1 and 2-chome Tsukinuke' independently, the number is 517, increased by 6.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

アライメント調整部8xyは、フォトマスク1およびウエハの平面視における相対位置を調整するためのものである。例文帳に追加

An alignment adjusting part 8xy adjusts relative positions in a top view of the photomask 1 and the wafer 3. - 特許庁

GaN基板1とエピタキシャル成長層5との界面における1cm^3当りのシリコン(Si)原子の個数は1×10^20以下である。例文帳に追加

The number of silicon (Si) atoms per one cm^3 in the interface of the GaN substrate 1 and the epitaxial growth layer 5 is 1×10^20 or smaller. - 特許庁

メタル層は、Cu、Ni、Au、Pd等であり、メッキ及び貼付けにより形成する。例文帳に追加

The metal layer 3 contains elements such as Cu, Ni, Au, Pd, etc., and is formed by plating and sticking. - 特許庁

例文

一町目(3か所)、今出川町、蛭子町、扇町、大猪熊町、大宮町、頭町、亀屋町(4か所)、菊屋町、北町、荒神町、革堂町、近衛町、米屋町、栄町、三町目、神明町、大黒町、鷹司町、玉屋町、突抜町(3か所)、中之町、仲之町(4か所)、西大路町、西北小路町、西町(3か所)、二町目、東橋詰町、東町(3か所)、菱屋町、毘沙門町(3か所)、桝屋町(3か所)、四町目(3か所)例文帳に追加

1-chome (three locations), Imadegawa-cho, Ebisu-cho, Ogi-cho, Oinokuma-cho, Omiya-cho, Kashira-cho, Kameya-cho (four locations), Kikuya-cho, Kita-machi, Kojin-cho, Kodo-cho, Konoe-cho, Komeya-cho, Sakae-cho, 3-chome, Shinmei-cho, Daikobu-cho, Takatsukasa-cho, Tamaya-cho, Tsukinuke-cho (three locations), Nakano-cho, Nakano-cho (four locations), Nishioji-cho, Nishikitakoji-cho, Nishi-cho (three locations), 2-chome, Higashihashizume-cho, Higashi-cho (three locations), Hishiya-cho, Bishamon-cho (three locations), Masuya-cho (three locations), 4-chome (three locations)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス


例文

前記首部()の横断面は非真円、例えば楕円、長方形又は直線状の何れかである。例文帳に追加

The transverse section of the neck part (3) is not circular and is elliptic, rectangular or linear for instance. - 特許庁

長官は,(3)に定める期間の延長の請求が所定の手数料を添えて当該請求において指定される延長期間内に行われた場合は,当該期間延長を許可することができる。例文帳に追加

The Controller may grant an extension of the time prescribed in paragraph (3) if a request for such extension, accompanied by the prescribed fee, is made at any time within the extended period specified in the request. - 特許庁

仮止めするための位置調整用長孔fと固着するための挿通孔gとを形成した軒樋支持金具を設ける。例文帳に追加

An eaves gutter support metal fitting 3 is provided with a position controlling oblong hole 3f for tentative fixing and an insertion hole 3g for fixing. - 特許庁

(3) 局長は,名義人に対して最初に聴聞を受ける合理的機会を与えることなしに,(1)に基づく宣言を行ってはならない。例文帳に追加

(3) The Commissioner must not make a declaration under subsection (1) without first giving the nominated person a reasonable opportunity to be heard.  - 特許庁

例文

の内面側から超音波センサ1を用いて管の肉厚測定や探傷を行う際に、超音波センサ1と管の内面との間を超音波伝播媒体液8で満たす。例文帳に追加

When wall thickness measurement and flaw detection are performed on a tube 3 from the inner surface side of the tube 3 through the use of an ultrasonic sensor 1, the gap between the ultrasonic sensor 1 and tube 3 is filled with the ultrasonic transmitting medium liquid 8. - 特許庁

例文

荷重を受けるプラットフォーム(2)および表示部(3)を具える秤(1)であって、前記表示部(3)が前記プラットフォーム(2)の面に対して角度方向に調整可能で、それによって適切な視認角が得られることを特徴とする。例文帳に追加

This balance 1 equipped with a platform 2 for receiving a load and the display part 3 is characterized by adjusting the display part 3 in the angle direction against the surface of the platform 2, to thereby obtain a proper visible angle. - 特許庁

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、c面サファイア(Al_2 O_ )基板1上に+c面で成長するGa面2と、c面サファイア(Al_2 O_ )基板上に−c面で成長するN面とを形成する。例文帳に追加

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1. - 特許庁

なお、審査のため必要がある場合には、財務大臣及び事業所管大臣は最大4か月まで不作為期間を延長することができる(同条第3項)。例文帳に追加

If deemed necessary, they can extend the period of screening to up to 4 months (Article 27 (3) of the FEFTA). - 経済産業省

本発明の光学ガラスは、Sb成分を含有する光学ガラスにおいて、Sb^3+/全Sbの割合が0.45以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The optical glass contains an Sb component and is characterized in that the ratio of Sb^3+ to the total Sb is ≥0.45. - 特許庁

多床室空調設備1は、複数のベッド2が配置され外部に面する窓を備えた病室5内へ空調機6で調整した調和空気SA1,SA2を供給して病室5内の空調を行う空調設備である。例文帳に追加

This multi-bed room air conditioning apparatus 1 supplies the conditioned air SA1, SA2 conditioned by an air conditioner 6 to a sickroom 5 provided with a plurality of beds 2 and a window 3 facing on the outside, thereby air-conditioning the interior of the sickroom 5. - 特許庁

半導体記憶装置1は、正規RAM2と、正規RAM2とは独立して設けられ、冗長回路として機能する冗長RAMと、正規RAM2の正規メモリセルアレイを、冗長RAMの冗長メモリセルアレイで置換する制御部4とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor memory device 1 is provided with a normal RAM 2, a redundancy RAM 3 provided independently from the normal RAM 2, serving as the redundancy circuit, and a control unit 4 for replacing a normal memory cell array of the normal RAM 2 by a redundancy memory cell array of the redundancy RAM 3. - 特許庁

石目調樹脂層において、少なくとも1色の石目調材20a〜20fにおいて、短辺が0.2mm以上5.0mm以下であり、その石目調材20a〜20fが1cm^2あたり個以上20個以下存在する。例文帳に追加

In the grain style resin layer, a short side of one of at least one color grain style materials 20a to 20f is 0.2 mm to 5.0 mm, and 3 to 30 of the materials 20a to 20f are present per cm2. - 特許庁

超音波ホーン1の全長lは125mm、先端部の径d1は4mm、先端小径部4の高さhは1.2mmである。例文帳に追加

The total length 1 of the ultrasonic horn 1 is 125 mm, the diameter d1 of the tip end part 3 is 4 mm, and the height h of the tip small diameter part 4 is 1.2 mm. - 特許庁

調査システムは、調査世帯装置1により、視聴・聴取・接触されたテレビ、ラジオ、ウェブ等のコンテンツの視聴率・聴取率・接触率等の接触状況や視聴率等を集計センターで得るためのものである。例文帳に追加

In an investigation system, a tabulation center 3 obtains a contact situation such as a viewing rate, listening rate, contact rate of a content of television, radio, web, etc. viewed, listened, brought into contact by an investigated household device 1. - 特許庁

(3) 関連する行為を実行するために許可されている期間を延長することは,その期間が満了する前又は後の何れにおいても行うことができる。例文帳に追加

(3) The time allowed for doing a relevant act may be extended, whether before or after that time has expired.  - 特許庁

光源であるランプ3 と、該ランプ3 から延長して形成され、側面の一部分が透明な円筒形の光ガイド部1 とにより構成される照明装置において、前記光ガイド部1 は、エピサイクロイド形断面で構成される。例文帳に追加

In the illuminator constructed with a lamp 3 being a light source, and a light guide part 1 formed by extending from the lamp 3 and having a part of its side face with a transparent cylindrical shape, the light guide part 1 is constructed with an epicycloid shaped section. - 特許庁

通例、頭頂に仏面、頭上の正面側に菩薩面(3面)、左側(向かって右)に瞋怒面(3面)、右側(向かって左)に狗牙上出面(3面)、拝観者からは見えない背面に大笑面(1面)を表わす。例文帳に追加

Usually, Butsumen is put atop the head, Bosatsumen (three faces) at the front side on the head, Shinnumen (three faces) on the left side (on the observers' right), Kugejoshutsumen (three faces) on the right side (on the observers' left) and Daishomen (one face) on the back which can not be seen from observers.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

コンデンサCの電圧は電源部に印加されるため電源部では印加される電圧によって位相差の調節を行えるようになる。例文帳に追加

The voltage of the capacitor C is applied to a power source part 3, so that the power source part 3 can adjust the phase difference according to the voltage to be applied. - 特許庁

回折格子50及びp−InP埋め込み層52のキャリア密度は、1×10^18〔cm^-3〕になるように調節されている。例文帳に追加

Carrier density of the diffraction grating 50 and the p-InP buried layer 52 is adjusted to10^18 [cm^-3]. - 特許庁

レイアウトフローにおけるCTSの工程が終了した後、各々のCTSについて、CTS最終段バッファからFFまでの最長配線長を調べ、最長配線長の平均値lを求める。例文帳に追加

After the process of CTS in a layout flow is completed(2), longest wiring lengths from a CTS final stage buffer to FF concerning each CTS are inspected(3) and the average l of the lengths is obtained(4). - 特許庁

「一定期間」についての延長時間を定めるに当たっては、①一日を超え3ヶ月以内の期間及び②一年間とすること例文帳に追加

When defining extendable hours for thefixed period,” definition should be based on both (i) longer than 1 day but not exceeding 3 months and (ii) 1 year. - 厚生労働省

 特許庁長官又は審判長は、前二項の場合において、弁理士を代理人とすべきことを命ずることができる。例文帳に追加

(3) In the case of the preceding two paragraphs, the Commissioner of the Patent Office or the chief trial examiner may order that a patent attorney be the representative.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

弔意を表すため,旗を竿の上から3分の1ぐらいの途中に掲げること例文帳に追加

in order to express mourning, the action of lowering a flag approximately one third of the way down its staff  - EDR日英対訳辞書

本発明の光記録媒体は、記録層上に超解像膜を備えた光記録媒体1において、前記超解像膜が再生光の波長におけるモル吸光係数が1000L/mol・cm以上であり、位相緩和時間が0.5fsec以上である色素を含有する色素膜であることを特徴とする。例文帳に追加

In the optical recording medium 1 having a superresolution film 3 formed on a recording layer, the superresolution film 3 is a dye film containing a dye having ≥1,000 L/mol cm mol absorbance at the wavelength of the reproducing light and ≥0.5 fsec phase relaxation time. - 特許庁

為義の3男、頼方は先手をうって出撃し、義朝の軍勢に損害を与える。例文帳に追加

Tameyoshi's third son, Yorikata, prevents the Yoshitomo's army from making a sortie, and inflicts damage upon them.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この状態で、エアスタンプ()で一気に押圧しウエ−ハ(2)を貼付面(5)に貼り付ける。例文帳に追加

Under this condition, the wafer (2) is pushed by an air stamp (3) with one rush and bonded onto the bonding surface (5). - 特許庁

プレートを加熱してプレートの表面上にある被調理物Sを調理すると、被調理物Sから出た油分Oは溝部8へ流れ落ち、溝部8とオイルガード11との間にある隙間16に溜まる。例文帳に追加

When a plate 3 is heated to cook food S to be cooked on the surface of the plate 3, an oil component O come out of the food S to be cooked flows down in a grooved portion 8 and stays in a space 16 between the grooved portion 8 and an oil guard 11. - 特許庁

続いてSiO_2 膜4上およびGaN層上にアンドープのGaN層6を再成長させた後、GaN層6の表面を研磨する。例文帳に追加

Then, after an undoped GaN layer 6 is grown again on the SiO2 film 4 and GaN layer 3, the surface of the GaN layer is polished. - 特許庁

本発明のプロトン伝導体は、TiP_2O_7にAl^3+及び/又はCa^2+がドープされてなることを特徴とする。例文帳に追加

The proton conductor has Al^3+ and/or Ca^2+ doped in TiP_2O_7. - 特許庁

側壁には、底壁2の折り目線4の延長線に沿って破断誘導線5を形成してある。例文帳に追加

The side walls 3 have a broken guide line 5 formed along the extension line of the folding line 4 in the bottom wall 2. - 特許庁

また、略翼形は、断面形状において、断面辺長比D/H(翼弦長Dと、厚さHとの比)を〜5にする。例文帳に追加

As to the cross sectional shape of the airfoil (crossbar), a cross-sectional side-length ratio D/H (ratio of chord length D to thickness H) is set at 3 to 5 : 1. - 特許庁

なお、床面2aには滑りやすい材料を張設して、舟艇の引き上げ作業を円滑にする。例文帳に追加

Material which is easy to slip is spread on the floor surface 2a, and pulling-up work of the craft 3 is made to be smooth. - 特許庁

複数のワイヤで照明部が吊下げられたペンダント式の照明装置10において、ワイヤの固定部から照明部までの間の長さを、他のワイヤとは独立して調整する調整機構4を備えている。例文帳に追加

The pendant-type lighting system 10 with the lighting part hung down with a plurality of wires 3 includes an adjustment mechanism 4 for adjusting a length between a fixing part of each wire 3 and the lighting part independently of the other wires 3. - 特許庁

c面サファイア基板1上に成長させたGaN層2上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するSiO_2 膜を形成する。例文帳に追加

An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1. - 特許庁

本発明による空調機能付カメラスタビライザは、少なくとも2軸のジンバル体(10,13)により空間安定するカメラ(2)をカメラケース(3)で覆い、このカメラケース(3)内をペルチェ素子からなる空調機器(5)で冷暖房し、カメラ(2)の安定動作を得るようにした構成である。例文帳に追加

A camera stabilizer with an air conditioning function covers the space stabilizing camera (2) by at least the biaxial gimbal bodies (10, 13) with the camera case (3), cools and warms the inside of the camera case (3) with the air conditioner (5) comprising the peltier element, and obtains stable operation of the camera (2). - 特許庁

薬剤を含有する含水ゲル層2を備える薬剤発散用シート1であって、 含水ゲル層2は、一方面が平滑な貼付面とされ、他方面が貼付面よりも表面積が大きい露出面5とされている。例文帳に追加

This medicament-releasing sheet 1 is equipped with a water-containing gel layer 2 containing the medicament, wherein one of surfaces of the water-containing gel layer 2 is formed into a smooth sticking surface 3 and the other surface is formed into an exposed surface 5 the surface area of which is larger than that of the sticking surface 3. - 特許庁

ユーザは予め電話番号とエフェクトとの対応をRAMのアドレス帳にに記憶させておく。例文帳に追加

A user previously stores the correspondence between a telephone number and an effect in an address book in a RAM 3. - 特許庁

n型SiC基板1の表面に、n型SiCエピタキシャル層2およびp型SiCエピタキシャル層を成長させる。例文帳に追加

On the surface of an n-type SiC substrate 1, an n-type SiC epitaxial layer 2 and a p-type SiC epitaxial layer 3 are grown. - 特許庁

不良メモリセルを救済するために置き換えた冗長メモリセルが不良の場合に、冗長プログラム回路1の冗長メモリセル選択回路への対応を新しい冗長メモリセル選択回路へ切り替え、先に対応していた冗長メモリセル選択回路の機能を不活性にする切り替え回路2を設ける。例文帳に追加

This memory is provided with a circuit 2 in which correspondence to a redundant memory cell selecting circuit 3 of a redundancy program circuit 1 is switched to a new redundant memory cell selecting circuit 3, a function of the redundant memory cell selecting circuit 3 previously corresponding is made inactive, in the case a redundant memory cell replaced for relieving a defective memory cell is defective. - 特許庁

(3)輸入者が長官に必要な保証を与える場合は,長官は,輸入者による検査のために,差押商品の見本を輸入者が長官の保管から移動することを許可することができる。例文帳に追加

(3) If the importer gives the Director-General the requisite undertakings, the Director-General may permit the importer to remove a sample of the seized goods from the custody of the Director-General for inspection by the importer. - 特許庁

(3) 審議会構成員の任命については,庁長官が提案する。庁長官は,提案を行う目的で,知的所有権関連の機能及び権限を有する中央国家行政機関の長並びに知的所有権保護の分野における職能団体及び利益団体の意見を求める。例文帳に追加

(3) The appointment of Council members shall be proposed by the President of the Office. In order to make a proposal, the President of the Office shall ask for the opinion of the heads of central state administrative organs with intellectual property-related functions and competence, as well as of professional organisations and interest groups in the field of intellectual property protection. - 特許庁

上記の方法により製造され、不純物として1×10^20cm^-3のAlおよび2×10^18〜7×10^18cm^-3のNを含有することを特徴とするp型SiC半導体単結晶。例文帳に追加

A p-SiC semiconductor single crystal containing as impurities10^20 cm^-3 Al and10^18 to10^18 cm^-3 N is also provided. - 特許庁

被調理物1を収容する調理室2と、被調理物1の加熱のために前記調理室2内に蒸気を供給する給蒸手段とを備える調理装置において、加熱調理後に冷却風を発生し被調理物1に当てる冷却手段29を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

A cooking apparatus which has a cooking chamber 2 where a cooked object 1 is housed and a steam supply means 3 for supplying steam into the cooking chamber 2 for heating cooked object 1 is provided with a cooling means 29 which generates a cooling air after the thermal cooking to be applied onto the cooked object 1. - 特許庁

座面支持エアー室が膨張するにつれて、座面エアー室2の座面2aの傾斜角度が大きくなり、被介護者の臀部が持ち上げられる。例文帳に追加

As the seat-face support air chamber 3 is inflated, tilting angle of the seat-face 2a on the air chamber 2 gets larger and hip of the cared person is lifted. - 特許庁

例文

半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスクがマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスクの上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

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