「えいこせいすい」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

丸鋸切断装置２０は、ワーク切断領域において上方基準面を規定するビーム２２の支持面２２ａを備える。例文帳に追加

This circular saw cutting device 20 comprises a supporting surface 22a for a beam 22 which specifies an upper reference level in a workpiece cutting area. - 特許庁

ユーザーの個性を反映させたエージェントを介して情報交換を行わせコミュニケーションを拡大すること。例文帳に追加

To extend communication by exchanging information via an agent where the personality of a user is reflected. - 特許庁

これらＮＡＮＤ型メモリセルユニットＮＤ１、ＮＤ２における浮遊ゲートＦＧ及び制御ゲートＣＧは、フォトレジストを用いることなく自己整合的に形成する。例文帳に追加

In each of these NAND type memory cell units ND1 and ND2, a floating gate FG and a control gate CG are formed in the manner of self-matching without using a photoresist. - 特許庁

呼セッション制御装置（ＣＳＣＦ）１１と対向ノード装置１２，１３との間で送受されるＤｉａｍｅｔｅｒ電文をプロトコル代行処理装置２０により中継する。例文帳に追加

A Diameter telegram message transmitted and received between a call session control device (CSCF) 11 and counter node devices 12, 13 is relayed by the protocol proxy device 20. - 特許庁

走行では越えられないまでも回避するほどでもない程度の大きさの障害物が存在する場合であっても乗り越えて進行することができる倒立振子制御型の移動体を提供する。例文帳に追加

To provide an inverted-pendulum control type mobile body capable of riding over any obstacle and advancing even when the obstacle having the size which cannot be ridden over by travel but need not be avoided is present. - 特許庁

ＳＩＭＯＸ法を用いて、ゲート電極直下のＳＯＩ層は薄く、ソース・ドレイン部のＳＯＩ層は厚く形成するとともに、自己整合的に駆動能力の高い完全空乏型ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴの作製を図る。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a complete depletion type SOI-MOSFET which has an SOI layer thinned directly under a gate electrode and an SOI layer thickened in source and drain parts using an SIMOX method and at the same time and shows a high driving capability of the SOI-MOSFET in a self-aligned manner. - 特許庁

このようにして得た粉末を、予定された磁路の方向に対して垂直な方向の磁場により配向させた状態で、圧粉成形する。例文帳に追加

The magnetic powder obtained in this way is subjected to pressed powder molding in a state of being oriented in a magnetic field vertically to a provisional magnetic path. - 特許庁

折畳まれたカートンを開いて函型に成形する作業を自動的に行うための、改良された函成形装置を得ようとする。例文帳に追加

To provide an improved box forming device for automatically carrying out the work of opening a folded carton and forming the same into a box shape. - 特許庁

金型潤滑成形法により大型高密度圧粉成形体を成形するに際し、かじり傷や、潤滑剤巻き込み傷などのない、健全な圧粉成形体を得ることができるようにした、大型高密度圧粉成形体の成形方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for compacting a large-sized high density green compact where, upon the compacting of a large-sized high density green compact by a die lubrication compacting process, a sound green compact free from galling and dents caused by the entanglement of a lubricant can be obtained. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのソース領域、ドレイン領域および選択酸化膜をセルフアライン（自己整合）で形成し、且つ、ＭＯＳＦＥＴのソース領域、ドレイン領域とｎｐｎトランジスタのベース領域を形成するためのドライブを同時に行う。例文帳に追加

To form a source region, drain region and selective oxide film of a MOSFET in a self-aligned manner, and at the same time to perform drive diffusion for forming the source region and the drain region of a MOSFET and the base region of an npn transistor. - 特許庁

低温下であっても，良質なＴｉ膜を含むバリア層を効率よく形成することができ，そのＴｉ膜と下地との界面領域に自己整合的にＴｉＳｉ_ｘ膜を形成することができる。例文帳に追加

To provide a film forming method and a substrate processing apparatus for effectively forming a barrier layer including a high quality Ti film even under a low temperature and forming also a TiSi_x film, in a self-aligning manner, in an interface region between the Ti film and an underlayer thereof. - 特許庁

発呼端末が、移動によって、狭域通信ネットワークを介して構内交換装置へ接続したとき、構内交換装置が、発呼端末に対する呼接続と、着呼端末に対する呼接続との間で中継するようにアクセス区間を切り替える。例文帳に追加

When the calling terminal is connected to the private branch exchange apparatus through the narrow band communication network by movement, the private branch exchange apparatus switches the access section so as to perform relay between the call connection to the calling terminal and the call connection to the call terminating terminal. - 特許庁

メモリデバイスは、また、デバイス構造上に配置され、このデバイス構造と少なくとも１つの方向において自己整列された複数のナノ記憶構造(104,204,304,404)を備える。例文帳に追加

The memory device is also disposed on the device structure and is provided with a plurality of the self-aligning nano memory structures (104, 204, 304, 404) in the direction of the device structure and at least one direction. - 特許庁

本発明は、高い安全性を確保しながら、ｍ／ｂ回を超える圧縮関数を呼び出す回数がｍに依存しないようなメッセージ認証子生成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a message authenticator generating method in which the number of calling the compressibility function exceeding m/b times does not depend on m while securing high safety. - 特許庁

データ線駆動回路のＸシフトレジスタを構成する相補型ＴＦＴのうち、Ｐチャネル型ＴＦＴについては自己整合型構造とし、Ｎチャネル型ＴＦＴについてはＬＤＤ構造とする。例文帳に追加

In a complementary TFT constituting an X shift register of a data line driving circuit, a P-channel type TFT is structured as a self-aligning type and an N-channel type TFT as an LDD structure. - 特許庁

Ｎａｃｌ粉末２と、Ｎａｃｌ粉末２の融点以上かつ沸点未満で焼結可能な金属粉末１とを混合した混合粉末３を圧粉成形する。例文帳に追加

The green compact 4 obtained by the compaction is heated, so as to liquefy away the NaCl powder 2, and further, to sinter the metal powder 1. - 特許庁

ベース引き出し電極１８Ａとエミッタ引き出し電極２９とを互いに自己整合的に形成した後、各電極１８Ａ，２９からの不純物の拡散により、外部ベース層２１とエミッタ層２７とを自己整合的に形成する。例文帳に追加

A base extraction electrode 18A and an emitter extraction electrode 29 are formed in a manner where they are self-aligned with each other, and then an outer base layer 21 and an emitter layer 27 are formed in a self-aligned manner through the diffusion of impurities contained in the electrodes 18A and 29. - 特許庁

その後、このトレンチ内に第２ドープ濃度の第２材料を設けて、突出外因性ベース縁部がダミー・ペデスタル縁部に自己整合する別個の外因性ベース内部延長領域を形成する。例文帳に追加

Thereafter, the second material of a second dope density is provided within this trench, and another exogenous base internal extension region is formed whose projecting external base marginal part self-adjusts to a dummy pedestal marginal part. - 特許庁

Ｂｉ−２２２３結晶構造の酸化物に対して、ＴｅＯ_2 ，ＣａＯ，（ＳｒＣａ）_3 ＴｅＯ_6 等を含有する圧粉成形体を、酸素雰囲気中にて、熱処理し、成形体からＢｉ−２２２３結晶構造の針状単結晶を育成する。例文帳に追加

A sintered compact having a Bi-2223 crystal structure and containing TeO_2, CaO and (SrCa)_3TeO_6 is heat treated in an oxygen atmosphere, and the compact grows with the Bi-2223 crystal structure of the acicular single crystal. - 特許庁

複数個積層されることにより燃料電池を構成するアッセンブリは、セパレータと、積層部材と、シール部材とを備える。例文帳に追加

An assembly, which constitutes the fuel cell by laminating a plurality of layers, is provided with a separator, a laminating member, and a sealing member. - 特許庁

Ｐ^+拡散領域とＮ^+ 拡散領域に自己整合すると共に導電的に接触する導電性プラグをトレンチ中に形成する。例文帳に追加

A conductive plug, which self-matching with the P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, while electrically contacting them, is formed in the trench. - 特許庁

このレジストを用いてエッチング等の加工を行うことにより、自己整合的に膜厚の異なる領域を形成することができる。例文帳に追加

By using the resist for processing such as etching, regions having different film thicknesses can be formed in a self-aligned matter. - 特許庁

金属格子線を活性拡散接合部に接続するための開口は、自己整合コンタクト開口エッチングプロセスを使用して形成することができる。例文帳に追加

Openings to connect metal gridlines with the active diffusion junctions may be formed using a self-aligned contact opening etching process. - 特許庁

導電膜でなるパターン１０７をマスクにして半導体層にリンを添加してＮ型の不純物領域を自己整合的に形成する。例文帳に追加

Phosphorus is doped to a semiconductor layer by using a pattern 107 constituted of a conductive film as a mask so that an N type impurity area can be formed so as to be self-aligned. - 特許庁

１フレームの１画素を表現するために、ＬＥＤ（Ｒ３−３）を駆動するための階調情報を４個生成する。例文帳に追加

Four pieces of gradation information for driving an LED (R3-3) are generated to represent one pixel of one frame. - 特許庁

フラッシュＥ２ＰＲＯＭセルの活性領域に自己整合型フローティングゲートポリーを形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED FLOATING GATE POLY IN ACTIVE REGION OF FLASH E2PROM - 特許庁

導線Ｄは、導線接続部Ｄａが整流子接続部１１５ａ，１１５ｂに電気的に接続されながら、周方向に隣り合うティースＴ１〜Ｔ８に順次（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３…の順に）巻回されて巻線Ｍ１〜Ｍ８を構成する。例文帳に追加

Each conducting wire D constitutes each of the windings M1-M8 by successively winding each conducting-wire connecting part Da around each tooth T1-T8 circumferentially adjacent to each other (in the order of T1, T2, T3...) while electrically connecting it to the commutator connecting parts 115a, 115b. - 特許庁

高耐圧特性を得るために、深ジャンクションの低不純物濃度ソース・ドレイン領域を形成するＭＯＳ型半導体装置の製造において、低不純物濃度ソース・ドレイン領域を自己整合法にて形成すると共に注入イオンがチャネル領域へ突き抜けることのないようにする。例文帳に追加

To form a lightly-doped source/drain region by self-matching and to prevent implanted ions from being passed through a channel region in the production of an MOS-type semiconductor device for forming the lightly-doped source/drain region of deep junction, in order to acquire high-withstand voltage characteristics. - 特許庁

この緊急呼接続装置は、この端子に接続するための第一のインターフエイスと、警察、消防などに設けられた緊急受付台に接続する第二のインターフエイスと、この二つのインターフエイスの間で中継接続を行う制御部とを有する。例文帳に追加

The emergency call connection device comprises a first interface for connection to the terminal, a second interface for connection to an emergency attendant board provided at police stations and fire stations, and a control unit for conducting relay connection between the two interfaces. - 特許庁

内部映像描画回路が内部映像を単独で表示する場合においても、内部映像描画回路が自己生成する同期信号と同期分離回路からのフリーランモードによる同期信号との競合を防止する。例文帳に追加

To prevent conflict of a self-generated synchronization signal of an inner image-depicting circuit with a synchronization signal in a free run mode from a synchronous separation circuit, even when making independent display of an internal image by the inner image-depicting circuit. - 特許庁

多孔質シリコン領域における表面近傍の領域が、平均孔径をＤ（ｎｍ）、孔数密度をＮ（個／ｃｍ^２）としたときに、０＜Ｎ≦Ｄ×１．９×１０^１２、０．２３５ｎｍ≦Ｄ＜９１ｎｍの条件を満たすようにシリコンウエハを陽極化成して多孔質シリコン領域を形成する。例文帳に追加

When a zone in the surface of a porous silicon region has an average pore diameter D (nm) and a pore number density N (pores/cm^2), a porous silicon region is formed by anodizing a silicon wafer so as to meet conditions, 0<N≤D×1.9×10^12 and 0.235 nm≤D<91 nm. - 特許庁

ワークを積み重ね、正確な寸法で切断することにより、切断面のフライス加工を省き、４、５台の糸鋸切断機を１台に置き換えることができる丸鋸切断機を提供する。例文帳に追加

To provide a circular saw cutter which can omit a milling process for the cut surfaces by accurately cutting off piled workpieces, and can replace four or five fret cutter with one circular saw cutter. - 特許庁

更には、熱凝固性タンパク質及び澱粉を、豆乳を含む水系に加えて加熱攪拌溶解するか、或いは澱粉を、豆乳を含む水系に加えて加熱攪拌溶解した後、タンパク質凝固温度以下の温度で熱凝固性タンパク質を添加する方法により製造する。例文帳に追加

Further, heat-aggregating protein and starch are added to a water system containing soybean milk, or starch is added to a water system containing soybean milk, then the mixture is stirred while heated and the heat-aggregating protein is added at a temperature lower than the protein aggregating temperature to produce the soybean curd-like food product. - 特許庁

例えば、端末Ａから端末Ｂへ発呼を行った場合、最初、呼制御装置Ｂによって端末Ａからの発呼メッセージに対する応答として端末Ｂにより端末Ａからの通話が拒否されていることを知らせる着信拒否メッセージが呼制御装置Ａに送信され、呼制御装置Ａの許諾情報が更新される。例文帳に追加

As an example, if a call is performed from a terminal A to a terminal B, a receive rejection message is transmitted to a call control device A for notifying that call conversation from the terminal A is rejected by the terminal B as response to the call message from the terminal A, by a call control device B and consent information of the call control device A is renewed. - 特許庁

供試木粉（１）を冷間静水圧法装置（ＣＩＰ装置）（３）内で等方加圧により予備成型する工程（Ａ）と、該予備成型工程で得られた予備成型物（４）を温間静水圧法装置（ＷＩＰ装置）（６）内で、超高圧の下、等方加圧により本成型する工程（Ｂ）とを備えたことを特徴とする木粉成型物（７）を製造する方法である。例文帳に追加

This manufacturing method for the wood flour molded article (7) has a process for preforming the wood flour (1) under test by isotropic pressurization in a cold hydrostatic pressure apparatus (CIP apparatus) (3) and a process (B) for finally molding the preformed article (4) obtained in the preforming process under ultrahigh pressure by isotropic pressurization in a hot hydrostatic pressure apparatus (WIP apparatus) (6). - 特許庁

上記課題を解決するため、円形のラジアル像の一部の範囲を走査範囲として設定する走査範囲設定部を備えており、探触子制御部は、設定された走査範囲に対応する振動子を駆動走査する。例文帳に追加

This apparatus further includes a scanning range setting section for setting a part of the range of the circular radial image as a scanning range, wherein the probe control section drivingly scans transducers corresponding to the set scanning range. - 特許庁

金属化合物先駆物質と配位子先駆物質から第１の金属−配位子錯体Ｍ^ｎ＋（Ｌ^−）_ｎ（ｎ≧１）を合成する方法であって、前記第１の金属−配位子錯体の合成に元素の金属を加えて、原子価がｎよりも大きい金属の第２の金属−配位子錯体の生成を抑制することを特徴とする方法とする。例文帳に追加

The method for the synthesis of a first metal-ligand complex M^n+(L^-)n (n≥1) from a metal compound precursor and a ligand precursor, includes synthesizing the first metal-ligand complex by addition of an elemental metal to suppress formation of a second metal-ligand complex of a metal with a valence in excess of n. - 特許庁

また、ＰｔＡＬＤの立体構造情報を利用して、ＰｔＡＬＤと同じ酵素ファミリーに属する他のアルドラーゼにおいて、相同のアミノ酸変異を施せば、ＩＨＯＧを光学選択的に生成する変異型アルドラーゼを作成することができる。例文帳に追加

Also, by utilizing a three-dimensional structural information of the PtALD, it is possible to produce a mutated type aldolase capable of producing the IHOG optically actively by performing a homologous amino acid mutation on another aldolase belonging to the same enzyme family with the PtALD. - 特許庁

基板上に、自己整合マスクとして作用する側壁絶縁膜を担持した複数のゲート電極を埋めるように層間絶縁膜を堆積し、前記側壁絶縁膜を自己整合マスクとして複数の自己整合コンタクトホールを実質的に同一のアスペクト比で形成する。例文帳に追加

A polysilicon film is deposited on a dielectric film 57 with a CVD technique, and is patterned to form polysilicon counter electrodes 58A and 58B that face openings 55D and 55E, respectively. - 特許庁

着信者ＳＩＰ端末ＵＥ（ｋ）を収容する着信側ＳＩＰサーバ（Ｋ）において、呼設定要求メッセージである着信リクエスト（ＳＩＰ ＩＮＶＩＴＥ）情報を受信した契機（１−２）で、その情報から発信者の端末ＵＥ（ｎ）を特定する。例文帳に追加

In an incoming side SIP server (K) which stores a callee SIP terminal UE (k), upon reception (1-2) of an incoming call request (SIP INVITE) information which is a call setting request message, a terminal UE (n) of the caller is specified from the information. - 特許庁

エコセメント製造における焼却灰の使用により懸念されるダイオキシンを完全に分解する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for completely pyrolyzing hazardous dioxin contained in incineration ash which is used in ecocement production. - 特許庁

しかる後にマスクを介して異方性エッチングをすることによりテーパ凹部を自己整合的に形成することができる。例文帳に追加

Then, a tapered recessed part is formed in self-alignment by performing anisotropic etching via the mask. - 特許庁

エコセメント製造における焼却灰の使用により懸念されるダイオキシンを完全に分解する方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for pyrolyzing dioxin worried on the employment of incinerated ash in the production of an ecological cement, and to provide a device for pyrolyzing the dioxin. - 特許庁

仮想３次元空間内に存在する全てのオブジェクトに対して、適切な陰影処理を施せるようにする。例文帳に追加

To appropriately shade all the objects present in a virtual three-dimensional space. - 特許庁

また、主装置１に、所定時間内に一の有線端末２１および一の無線端末２２から親子設定要求を受信する事態が所定の複数回数繰り返された場合に、これらの端末２１、２２間に親子関係を設定する。例文帳に追加

Furthermore, when the master device 1 receives the master/slave setting requests from one wired terminal 21 and one wireless terminal 22 repeatedly many times as specified within a predetermined time, the master/slave relation is set between these terminals 21 and 22. - 特許庁