「えいこせいすい」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

この発明の加圧熱水処理方法は、キノコ栽培廃菌床に加圧熱水を接触させて接触させた状態でキノコ成分を抽出する抽出工程と、抽出工程を終えた抽出液から抽出液中に溶解するキノコ成分を分離する分離工程とを有する。例文帳に追加

The method comprises the step of exposing pressurized hot water to the waste mushroom culture bed to extract the mushroom component under the exposure and the step of isolating the mushroom component dissolved in the resulting extract liquid therefrom. - 特許庁

周壁に排水用の通孔１１ａを有する円筒状のプレス管１１内に、し渣を圧密しながら押し出す脱水スクリュー１２を備えたし渣脱水機において、前記プレス管１１の排出口１４の近傍に、プレス管内方に突出する圧縮ブロック１８を周方向に複数個設置する。例文帳に追加

The sediment transferring dehydrator comprising a pressure cylinder 11 provided with drain holes 11a on its wall and also with a dehydrating screw 12 therein compacting and extruding the sediment out is characterized by having a plurality of compressing blocks 18 projecting inward and provided in a circumferential direction near the outlet 14 of the pressure cylinder 11. - 特許庁

フレキソ印刷版用の光重合性エレメントとしては、支持体とその支持体上に、エラストマー結合剤、少なくとも１つのモノマー、光開始剤、オニウム塩、およびロイコ染料を含む光重合性層を備えたものを提供する。例文帳に追加

The photopolymerizable element for a flexographic printing plate has a support and a photopolymerizable layer containing an elastomeric binder, at least one monomer, a photoinitiator, an onium salt and a leuco dye on the support. - 特許庁

ゲート電極の上部および側壁を覆う絶縁膜の材質に関係なく、ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレインに接続する接続孔をゲート電極に対して自己整合的に形成する。例文帳に追加

To form in a self-aligned manner a connection hole connecting to a source and a drain of MISFET relative to a gate electrode regardless of the material of an insulation film covering the top and side wall of the gate electrode. - 特許庁

間座４０ａは、複数段の第１及び第２脆弱部６１ａ，６２ａを有するため、一つの衝撃エネルギー吸収部材に関して、衝撃吸収荷重の目標値（例えばピーク荷重）を複数個設定することができる。例文帳に追加

Because the spacer 40a has a first 61a and a second brittle part 62a provided at stages, it is possible to set a plurality of target values (for example, peak load) of the impact absorbing load for one impact energy absorbing member. - 特許庁

このオプションがここ、ServerLayoutセクション、コマンド行オプションの\\-pointerのいずれでも設定されていない場合は、コアポインタとして使える機能を持つ最初の入力デバイスがコアポインタとして選ばれる。例文帳に追加

If this option is not set here, or in the ServerLayoutsection, or from the -pointer command line option, then the first inputdevice that is capable of being used as a core pointer will be selectedas the core pointer.  - XFree86

ＣＦ_３ＩガスやＣＦ_３Ｉを含有する混合ガスを消弧性ガスとして用いた場合でも、遮断性能や絶縁耐力の低下を抑制することができるガス開閉器を提供する。例文帳に追加

To provide a gas switch capable of suppressing deterioration of cut-off performance and dielectric strength even in the case a mixed gas to contain CF_3I gas and CF_3I is used as arc-extinguishing gas. - 特許庁

下地１の上に自己接着性シート２を敷設し、この上に、（メタ）アクリロイル系の特殊なラジカル硬化型樹脂組成物と繊維強化材とを用いてＦＲＰ防水層３を形成するようにした。例文帳に追加

The composite waterproof structure is formed of a substrate 1, a self-adhesive sheet 2 laid on the substrate, and an FRP waterproof layer 3 which is formed of a (meth)acryloyl-based special radical curing resin composite and a fiber reinforcing material. - 特許庁

一実施形態のナビゲーション装置は、行動認識部、第１推定部、第２推定部、ユーザ状況推定部、ユーザ個性推定部及びナビゲーション方式決定部を備える。例文帳に追加

The navigation device comprises: a behavior recognition part; a first estimation part; a second estimation part; a user state estimation part; a user individuality estimation part; and a navigation system determination part. - 特許庁

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。例文帳に追加

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode. - 特許庁

自己整合的にソース線を形成するためのマスクとして第１のシリコン窒化膜１６ａマスクよりも薄い膜厚の第２のシリコン窒化膜マスク１７ａを形成する。例文帳に追加

A second silicon nitride mask 17a thinner than the first silicon nitride mask 16a is used for forming a self-aligned source line. - 特許庁

基板１上に、チャネル領域を構成する微結晶シリコン薄膜７ａと、シリコンに結合した水素［Ｓｉ−Ｈ］を８×１０^21個／ｃｍ^3以上含む窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる水素含有シリコン系絶縁膜１３とを積層成膜する。例文帳に追加

A microcrystalline silicon thin film 7a constituting a channel region and a hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 made of silicon nitride (SiNx) containing ≥8×10^21/cm^3 hydrogen [Si-H] bound to the silicon are sequentially laminated and formed on a substrate 1. - 特許庁

ＩＰを用いた音声／映像通信システムにおいて、異なるネットワークをルータを介して複数接続して音声／映像通信システムを構成するにあたり、グローバルＩＰアドレスを付与した呼制御信号と音声／映像／Ｆａｘ／モデムデータを中継する複数の中継サーバ１ｂ、２ｂ、３ｂを用意する。例文帳に追加

When configuring an audio/video communication system that uses an IP by connecting a plurality of different networks via a router, a plurality of relay servers 1b, 2b, 3b are prepared for relaying a call control signal to which a global IP address is given, and audio/video/Fax/MODEM data. - 特許庁

そして、ＳＩＰサーバは、ＲＥＦＥＲ信号を着信したＵＡ１から、接続相手となるＵＡ２へ向けて発信されたＩＮＶＩＴＥ信号を受信した場合に、ＲＥＦＥＲ信号とＩＮＶＩＴＥ信号の結びつけを行って、呼制御者がＵＡ３であることを保証する情報を挿入したＩＮＶＩＴＥ信号をＵＡ２に中継する。例文帳に追加

Upon receipt of an INVITE signal transmitted from the UA1 which has received the REFER signal, towards a UA2 as a connection partner, the SIP server combines the REFER signal with the INVITE signal and relays an INVITE signal attached with information which guarantees that the call control party is UA3, to UA2. - 特許庁

有機ケイ素化合物からなる原料ガスを用いて直接法によって合成された石英ガラスにおいて、Ｘ線を照射したときに石英ガラス内部に生成するホルミルラジカルの濃度を２×１０^14個／ｃｍ^3以下とすることにより、１９０ｎｍ以上の波長領域において内部吸収係数が０．００１ｃｍ^-1以下を達成した石英ガラスが得られる。例文帳に追加

In quartz glass synthesized by the direct method using raw materials comprising organosilicon compounds, the quartz glass having an internal absorption coefficient of ≤0.001 cm-1 in the wavelength region of ≥190 nm is obtained by suppressing the concentration of formyl radicals formed in the inside of the quartz glass by X-ray irradiation to be not more than 2×1014 radical/cm3. - 特許庁

次に、半導体基板１０１の全面にＮｉ膜１０８を堆積し、ＲＴＡ処理を行い、ゲート電極１０４の上部及び拡散層の上部に自己整合的にニッケルシリサイド膜１０９を形成する。例文帳に追加

Subsequently, an Ni film 108 is deposited on the whole surface of the semiconductor substrate 101, and RTA (rapid thermal annealing) treatment is applied to form a nickel silicide film 109 on the upper part of the gate electrode 104 and the upper part of the diffusion layer through self-alignment. - 特許庁

具体的には、メモリゲート電極ＭＧ１の側壁に形成されているサイドウォールＳＷと、メモリゲート電極ＭＧ２の側壁に形成されているサイドウォールＳＷの両方に自己整合的に接触するようにソース配線ＳＬを形成する。例文帳に追加

Concretely, the source line SL is formed so as to contact with both sidewalls SWs formed on a sidewall of a memory gate electrode MG1 and on a sidewall of a memory gate electrode MG2, in the manner of self-alignment. - 特許庁

従来は、ＳＥＴＵＰを交換装置が受信する毎に、そのＳＥＴＵＰに含まれるＩＥを解析して呼設定するので、特定の交換装置にＳＥＴＵＰが集中した場合に、処理の遅延、場合によっては一部ＳＥＴＵＰの廃棄があり得る。例文帳に追加

To solve the problem that the delay of a processing and the abandonment of partial SETUP according to circumstances are possible in the case that SETUP is concentrated to a specified exchanging device, since conventionally IE included in the SETUP is analyzed and a call is set every time the exchanging device receives the SETUP. - 特許庁

よって、第１の絶縁膜パターンのスペースの幅Ｌ１、Ｌ２で画定されたゲートオーバーラップ量を有する電界緩和層を、ゲート電極１１１に自己整合的に形成する。例文帳に追加

Accordingly, the field alleviating layer having the amount of gate overlap defined by the widths L1 and L2 of the space of the first insulating film pattern is formed in the self-alignment process manner in the gate electrode 111. - 特許庁

平均粒子径が１〜１０μｍの軟磁性金属粒子と、平均粒子径が５〜１００ｎｍのナノ金属磁性粒子を混合してなる複合磁性粒子を圧粉成型することを特徴とする圧粉磁心の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the dust core is constituted in that compound magnetic particles obtained, by mixing soft magnetic metal particles of 1 to 10 μm in average particle size and nanometal magnetic particles of 5 to 100 nm in average particle size with each other are subjected to powder compression molding. - 特許庁

また該軟磁性部材を、質量比で、Ｃｒ：３〜７％、Ｓｉ：２．５〜３．５％および残部がＦｅおよび不可避不純物からなる鉄合金粉末を、圧粉成形して得られた成形体を焼結することにより製造する。例文帳に追加

Further, the soft magnetic member is manufactured by sintering a formed object obtained by powder compacting and shaping iron alloy powder composed, in terms of a mass ratio of Cr of 3 to 7% and Si of 2.5 to 3.5%, and the remainder with a composition of Fe and inescapable dopant. - 特許庁

本発明は、シリコンからなるシール本体１２を備えた、車両で使用するためのシール要素に関し、このシール要素１０は使用箇所に固定するために自己接着性の接着面２０を備えている。例文帳に追加

This sealing element used for the vehicle according to the invention is provided with a seal main body 12 made of silicon, and the sealing element 10 is provided with a self-adhering adhesive surface 20 for securing to a using position. - 特許庁

１ビットＳＯＮＯＳセルのワードラインエッチング時に発生しうるミスアラインによる窒化膜長さの差のために発生する奇数／偶数ＳＯＮＯＳセル間の均一性不良が改善できる自己整列型１ビットＳＯＮＯＳセル及びその形成方法である。例文帳に追加

A 1-bit self-aligned SONOS cell that improves homogeneity failure between odd and even number SONOS inter-cells stemmed from the differences of oxyniride film lengths caused by misalignment that occurs at the time of the word line etching of the self-aligned 1-bit SONOS cell, and its forming method are provided. - 特許庁

樹脂を配合した黒鉛粉を所定のセパレータ形状に加圧成形して形成された黒鉛粉成形体１６の一方の面に、冷却液が流れる冷却液流路溝１５が形成された金属製薄板状の補強板１７を積層させて構成する。例文帳に追加

A reinforcing plate 17 of a metal thin plate shape with coolant flow path grooves 15 for the coolant to flow in is structured by being laminated on one face of a graphite powder molded body 16 formed through pressure molding of graphite powder blended with resin in a given separator shape. - 特許庁

従来技術の自己整合型バイポーラトランジスタの製造方法は、エミッタ形成用の開口部のアスペクト比が大きいため、エミッタ用Ｎ ^＋型ポリシリコンの成膜においてボイドが発生し、エミッタ抵抗の増加や信頼性の低下という問題点が発生する。例文帳に追加

To solve the problem wherein emitter resistance is increased and reliability is lowered, in a method for manufacturing a self-aligned bipolar transistor of conventional technology, since voids occur at the deposition of an emitter N^+-type polysilicon because the aspect ratio of an opening for emitter formation is large in the transistor. - 特許庁

明治6年（1873年）から大正8年（1919年）までの人口統計は、壬申戸籍に対する増減をもとに算出したものである。例文帳に追加

The population from 1873 to 1919 have been calculated based on the increase and decrease in relation to the Jinshin-koseki.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

スタックトキャパシタセルの下部電極４８をエッチングにより分離する際に、同時に凹部４９を自己整合的に形成する。例文帳に追加

The recesses 49 are simultaneously formed in a self aligned manner when the lower electrodes 48 of stacked capacitor cells are separated by etching. - 特許庁

この後、研削／研磨による刃付け加工を施せば、結晶粒微細化マルテンサイト系ステンレス鋼製の刃物が得られる。例文帳に追加

By sharpening it through grinding/polishing, the cutting tool made of the grain-refined martensitic stainless steel can be obtained. - 特許庁

ＩＰ電話機能に基づく呼接続中に映像コンテンツデータを再生する方法、端末及びプログラム例文帳に追加

METHOD, TERMINAL AND PROGRAM FOR REPRODUCING VIDEO CONTENTS DURING CALL CONNECTION BASED ON IP TELEPHONE FUNCTION - 特許庁

製造時に発生するバリによるセグメント間の導通を防止できる整流子製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a method of manufacturing a commutator which can avoid electrical continuity between segments caused by burrs produced in a manufacturing process. - 特許庁

遊技者の操作能力の巧拙がさほど反映されることなく、確率的に遊技者の所望する能力、個性を持ったキャラクタを育成する。例文帳に追加

To grow a character having the capability and personality stochastically desired by a player without reflecting the operating capability and skill of the player so much. - 特許庁

これらエリアでは、ハードマスク（５）は、注入埋め込みビット線と自己整合するコンタクトホール（１３）を形成するために使用される。例文帳に追加

In these areas, the hard mask (5) is used to form contact holes (13) which are self-aligned with the implanted buried bit lines. - 特許庁

ゴーシェ病の治療方法として酒石酸イソファゴミンに加え機能的グルコセレプロシダーゼ酵素を投与し、グルコセレプロシダーゼの活性を高め、安定化し、治療効果を増大する方法も開示する。例文帳に追加

As the treatment method for Gaucher's disease, a method is also disclosed, wherein, in addition to the isofagomine tartrate, a functional glucocerebrosidase enzyme is administered, and activity of the glucocerebrosidase is enhanced for stability and increased therapeutic effects. - 特許庁

側壁膜を形成したゲート電極に対し自己整合的に第１導電型不純物をイオン注入し、第１のソース・ドレイン領域より深い深さを有する第２のソース・ドレイン領域（２１ｐ、２１ｎ）を形成する。例文帳に追加

Second source-drain regions (21p, 21n) deeper than the first source-drain regions are formed, by implanting ions of the first conductivity impurity, in a self-aligned manner to the gate electrode with the sidewall film formed therein. - 特許庁

窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。例文帳に追加

First thermal treatment (750°C) is performed in a nitrogen atmosphere to self-aligningly form silicide films 31, 32 and 33 (thickness: 30 nm each) on a gate region, a source region, and a drain region, respectively. - 特許庁

窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。例文帳に追加

A heat treatment (750°C) of a first time is performed in a nitrogen atmosphere, and the silicide films 31, 32 and 33 (film thickness is 30 nm) are formed in a self-aligning manner respectively in a gate region, a source region and a drain region. - 特許庁

ＳＩＰを使用して呼接続を行う通信システムにおけるＳＩＰメッセージを処理するＳＩＰサーバにおいて、呼接続処理における発呼者を特定する情報とＳＩＰメッセージ種類とを関連づけて統計情報を計数し、計数結果をもとに、統計情報に偏りのある発呼者を検出する。例文帳に追加

In the SIP server which processes SIP messages in the communication system which makes a call connection by use of a SIP, statistical information is counted by associating information for specifying a caller in a call connection process with a SIP message type, and the caller having bias in the statistical information is detected depending on the count result. - 特許庁

このオプションがここ、ServerLayoutセクション、コマンド行オプションの\\-keyboardのいずれでも設定されていない場合は、コアキーボードとして使える機能を持つ最初の入力デバイスがコアキーボードとして選ばれる。例文帳に追加

If this option is not set here, in the ServerLayoutsection, or from the -keyboard command line option, then the first inputdevice that is capable of being used as a core keyboard will be selectedas the core keyboard.  - XFree86

得られた測定データを予め設定された輻輳判定条件と比較し、対向するＳＩＰサーバが輻輳状態であると判定した場合には、呼制御サーバへの新規のリクエスト送信を規制する。例文帳に追加

New request transmission to a call control server is regulated when it is determined that an opposite SIP server is in a congestion state while comparing obtained measurement data with congestion determination conditions set up beforehand. - 特許庁

Ａｇ、Ａｕ等の貴金属およびＰＰＡからなる基材に対する接着性が高く、透明な自己接着性ポリオルガノシロキサン組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a transparent, self-adhesive polyorganosiloxane composition having high adhesion to a base material formed from a noble-metal, such as Ag or Au, and a PPA. - 特許庁

テレコムネットワークのＳＩＰ呼制御機能を、ＳＯＡＰプロトコルを用いてアクセスするＷｅｂアプリケーションを容易に作成するための、プログラム生成方法及びプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a program generation method and a program for easily generating a Web application to access the SIP (Session Initiation Protocol) call control function of a telecom network through the use of a SOAP (Simple Object Access Protocol) protocol. - 特許庁

盛上ったベース上にエミッタ領域まで自己整合的に延びるシリサイドを形成することによって、ベース抵抗が低下した盛上ったベースを備えるヘテロ接合バイポーラ・トランジスタの製作方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a hetero-junction bipolar transistor having a raised base of which the base resistance is decreased by forming silicide extending to an emitter region in a self-aligning manner on a raised base. - 特許庁

仕上げ転造ダイス６の成形面６ａは、予備形状の歯面成形用面１５から最終形状の歯面１８を成形する歯面成形部１２と、歯面成形部１２によって歯面１８が成形されるときに予備形状の歯底成形用面１６および歯先成形用面１７からの肉の膨らみ量をそれぞれ所定量Ｍ３，Ｍ４に規制する第１および第２の規制面１３，１４とを含む。例文帳に追加

The forming surface 6a of the finish thread rolling die 6 includes forming parts 12 of a face of tooth for forming the face of the tooth of the final shape and a first and a second controlling surfaces 13, 14 for respectively controlling the swelling amount in thickness from a root forming surface 16 and a tip forming surface 17 of the preliminary shape to prescribed amounts M3, M4. - 特許庁

半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。例文帳に追加

In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10. - 特許庁

本発明のマスクパターンは、逐次横成長結晶化（ＳＬＳ）のためのマスクパターンであって、ａ）第１の２ショットＳＬＳプロセスを達成するための第１のセットのスリットと、ｂ）第２の２ショットＳＬＳプロセスを達成するための、該第１のセットのスリットに対して所望の角度をなす第２のセットのスリットとを含む。例文帳に追加

The mask pattern is a mask pattern for sequential lateral solidification (SLS), and the mask pattern includes a first set slit for achieving a first 2-shot SLS process (a), and a second set slit for forming a desired angle to the first set slit for achieving a second 2-shot SLS process. - 特許庁