「チップ抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

直方体に形成されたＭＩＤ（Molded Interconnection Device）の天面に受光素子２及び受光レンズ３を実装し、側面に受光素子２の出力信号等の処理を行うための信号処理手段を構成する電子部品（抵抗やコンデンサ等のチップ部品４並びに信号処理用のＩＣ５等）を実装する。例文帳に追加

A light receiving element 2 and a light receiving lens 3 are mounted to the top face of a rectangular parallelopiped MID 1(molded interconnection device), and electronic components (chip components such as resistors or capacitors, and IC 5 or the like for signal processing) comprising a signal processing means for processing the output signal, etc., of the light receiving element 2 are mounted to the side surface thereof. - 特許庁

薄肉部と薄肉部の外周にある固定部とを有し、該薄肉部にピエゾ抵抗等の歪み検出素子が設けられ、該薄肉部によって形成された凹部に受圧媒体が封入された加速度センサチップ２ａ，２ｂが、複数の固定面を有する支持部材１に固定されていることを特徴とする加速度センサ。例文帳に追加

The acceleration sensor has a thin section and a fixed section located at the outer periphery of the thin section, has a distortion detection element such as piezo resistance in the thin section while acceleration sensor chips 2a and 2b where a pressure reception medium is sealed into a recess formed by the thin section are fixed to a support member 1 having a plurality of fixation surfaces. - 特許庁

配線パターン２１ａ〜２１ｇが形成されたプリント基板２１上には、ＲＬＥＤ素子３３、ＧＬＥＤ素子３４、ＢＬＥＤ素子３５を備えるＬＥＤモジュール２２、３つのＬＥＤ素子３３，３４，３５への通電電流を制限するチップ抵抗２３ａ〜２３ｃ、電源との接続のための端子２４ａ〜２４ｄが搭載されている。例文帳に追加

The LED lamp comprises an LED module 22 having an RLED element 33, a GLED element 34 and a BLED element 35, chip resistors 23a to 23c for limiting currents flowing to the three elements 33, 34 and 35 and terminals 24a to 24d for connecting to the power source, mounted on a printed board 21 having wiring patterns 21a to 21g. - 特許庁

金属めっき相によって砥粒が保持された研削砥石においても、切刃の自生作用やこれに伴うチップポケットの形成を確実に促すことができて、切れ味や研削効率を安定的に維持することができ、これにより抵抗の増大や砥石の破損、あるいは研削面の精度劣化等を防ぐ。例文帳に追加

To certainly establish a self-regeneration effect of a cutting edge and promote formation of a chip pocket in association therewith even if a grinding wheel is structured so that the abrasive grains are held by a metal plating phase, maintain stably the cutting sharpness and grinding efficiency, and preclude an increase in the resistance, breakage of the grinding stone, a deterioration in accuracy of the grinding surface, etc. - 特許庁

センサ装置の一例として、この回転検出装置は、磁気抵抗素子対１１ａおよび１１ｂを備えるセンサチップ１１、リードフレーム１２、バイアス磁石１４、樹脂キャップ１５、金属ターミナルＴ１〜Ｔ３等々、センサ本体としての構造体が、樹脂成形されるハウジング部２０によって一体に把持される構造をとる。例文帳に追加

For example, the rotation detection device is constituted of the sensor chip 11 provided with the magnetoresistive element pairs 11a, and 11b; the lead frame 12; bias magnet 14; the plastic resin cap 15; the metal terminals T1-T3 etc.; and the housing 20 formed with the plastic resin housing the structure as the sensor body. - 特許庁

ＩＣチップ１０として構成される半導体装置には、ひずみ抵抗Ｒ１〜Ｒ４がブリッジ接続されている半導体圧力センサからの検出信号を差動増幅する差動増幅器１２や、該差動増幅された信号をさらに反転増幅する反転増幅器１３等からなる信号処理回路が集積回路化されている。例文帳に追加

A signal processing circuit of an integrated circuit which includes a differential amplifier 12 for differentially amplifying a detection signal from a semiconductor pressure sensor connected with distortion resistors R1-R4 in the form of a bridge and an inversion amplifier 13 for inverting and amplifying the differentially-amplified signal is provided in the semiconductor device formed as an IC chip 10. - 特許庁

バッテリ電源４とモータコントローラ７との間の電力供給ライン１０に、機械式リレーおよび充電抵抗からなる従来のプリチャージ回路に代えて、半導体スイッチング素子としてＭＯＳ型ＦＥＴＱＡを含んでなる電力供給制御装置を主体とする１チップ化されたＩＰＳ１をメインリレー６と並列に接続している。例文帳に追加

Instead of a conventional precharging circuit comprising a mechanical relay and a charging resistor, a one-chip IPS 1 based on a power supply control device containing a MOSFET, as a semiconductor switching element is parallel-connected with a main relay 6, in the power supply line 10 between a battery power supply 4 and a motor controller 7. - 特許庁

ＩＣチップや磁気抵抗素子が搭載されたリードフレーム１１を樹脂１２でモールドしてなるモールドＩＣ１０と、熱可塑性樹脂を射出成形してなるマグネット２０とを用意し、所望の特性が得られる磁気回路となる様に定められた位置まで、マグネット２０の中空穴にモールドＩＣ１０を挿入する。例文帳に追加

This manufacture prepares a mold IC 10 formed by molding a lead frame 11 mounted an IC chip and a magnetoresistance element by a resin 12, and a magnetic 20 formed by injection-molding a thermoplastic resin, and then the mold IC 10 is inserted into a hollow hole of the magnet 20 until a prescribed position so as to make a magnetic circuit obtaining requested characteristics. - 特許庁

６個の磁気抵抗セグメント４ａ〜４ｆは、ＩＣチップからなる信号処理回路部３に成膜により形成されており、磁性移動体１の所定の回転方向、例えば矢印Ｒで示す正回転の方向に沿って、この回転方向と直交する磁石２の中心線ＣＬに対し対称的に配置されている。例文帳に追加

Six magnetic resistance segments 4a-4f are formed by film formation on the signal processing circuit part 3 comprising an IC chip, and arranged symmetrically with respect to the center line CL of a magnet 2 orthogonal to the rotation direction along a predetermined rotation direction of a magnetic moving body 1, for example, the normal rotation direction shown by an arrow R. - 特許庁

このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されてフリップチップ発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高め、低い比接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とによって素子の発光効率を向上させ、素子の寿命を延長できる。例文帳に追加

The nitride light-emitting device that is manufactured by the method for enhancing the wire bonding efficiency and the yield of packaging of flip chip light-emitting device as characteristics of the ohmic contact with the p-type clad layer is improved, enhanced light emission efficiency because of low specific contact resistance and current/voltage characteristics, and longer life time of the device. - 特許庁

カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が埋設されてなる非接触ＩＣカードであって、金属反射層は、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高いことを特徴とする。例文帳に追加

In the non-contact IC card constituted by sequentially laminating at least a magnetic recording layer, a metal reflection layer, a hologram layer on a card base and burying an antenna and the IC chip connected to the antenna in the card base, surface resistivity of the metal reflection layer is higher than 4.04(Ω/Square). - 特許庁

本発明は、被削材と横逃げ面との接触を極力少なくしてその摩擦を減少せしめ、切刃チップの摩耗・欠け・切削抵抗の増加・切断面の荒れなどを有効に防止せしめることが出来るのみならず、丸鋸の寿命を著しくアップせしめることが出来る金属切断用丸鋸を提供するにある。例文帳に追加

To provide a circular saw for cutting metal wherein friction is reduced by reducing contact between a material to be cut and a lateral flank, abrasion and chipping of a cutting blade tip, increase of cutting resistance, and roughening of a cutting surface are effectively prevented, and a life of the circular saw is drastically elongated. - 特許庁

木質の被切断材を切断する際に、回転鋸の切り刃が深く喰いこむ結果、回転鋸の回転が停止したり、回転鋸が破断して、その破断片が飛散したり、或いは被切断材が反発して跳ね飛ばされる危険がなく、また切断溝の両側面からの圧迫により、回転鋸の回転抵抗が大きくなるという欠点を解消した超硬質チップを備えた回転鋸を提供する。例文帳に追加

To provide a rotary saw equipped with a hard tip in which there is no risk that the rotation of the rotary saw stops with rotary saw breaks and its broken pieces fly apart, or a material to be cut repels and is leaped, and also which has solved the defect that the rotary resistance of the rotary saw becomes large by a pressure from both sides of cutting groove. - 特許庁

金属製の矩形プレート体１に形成された多数の貫通通路４の内壁面にシリコーンゴムからなる弾性部材２で弾性壁を設け、その中心の貫通孔５にコンデンサーや抵抗器等のチップ部品を挿入して支持する構造のキャリアプレートにおいて、弾性部材２として、制電剤を添加したシリコーンゴムを使用する。例文帳に追加

The carrier plate having a structure such that elastic walls are provided on internal wall surfaces of many through passages 4 formed in a metallic rectangular plate body 1 by using elastic members 2 made of silicone rubber and the chip components such as the capacitor and resistor are inserted into center holes 5 thereof to be supported use silicone rubber to which an antistatic agent is added for the elastic members 2. - 特許庁

液状体付着判定手段２２ａは、発熱ヒータ１２の温度変化に応じてヒータ温度制御部２０より出力される第１の信号と、測温抵抗体１３の温度変化に応じて流量検出部２１より出力される第２の信号とを比較して、センサチップに液状体が付着しているか否かを判定する。例文帳に追加

Liquid adhesion determining means 22a compares a first signal outputted from a heater temperature control part 20 in accordance with temperature change of a heating heater 12 with a second signal outputted from a flow rate detecting part 21 in accordance with temperature change of a resistance temperature sensor 13 to determine whether a liquid body is adhered to a sensor chip. - 特許庁

判定回路２に、ＩＣパッケージに備えられたリード部材と半導体チップに構成された出力回路１とを接続するワイヤの抵抗１１を利用して出力回路１に流れる過電流を検出する参照電圧生成回路４と、参照電圧生成回路４の制御動作により過電流検出を示す判定信号を生成するスイッチングトランジスタＱ１，Ｑ２とを備えた。例文帳に追加

A judging circuit 2 includes a reference voltage generating circuit 4 for detecting the overcurrent flowing through an output circuit 1 by using a resistor 11 of a wire for connecting a lead member provided in an IC package to the output circuit 1, and switching transistors Q1, Q2 for generating a judging signal for showing the detection of the overcurrent by a control operation of the circuit 4. - 特許庁

短絡不良が少なく、素子形状のバラツキが少なく、薄いコンデンサ素子を安定して作製でき、固体電解コンデンサチップ内のコンデンサ素子の積層枚数を増やし高容量化可能で、等価直列抵抗のバラツキが小さい積層型固体電解コンデンサを製造することができる乾燥装置を提供する。例文帳に追加

To provide a drying apparatus that can stably fabricate thin capacitor elements with few short circuit failures and few variations in element shapes, attain high capacitance by increasing the number of lamination layers of capacitor elements in a solid electrolytic capacitor chip, and manufacture multilayer solid electrolytic capacitors with few variations in equivalent series resistance. - 特許庁

抵抗素体としてのサーミスタ素体２内に複数の内部電極３ａ〜３ｄが配置されており、内部電極３ａ〜３ｄがサーミスタ素体２の全幅に至るように形成されており、サーミスタ素体２の第１，第２の端面２ａ，２ｂを覆うように第１，第２の端子電極４，５が形成されている、チップ型積層サーミスタ１。例文帳に追加

This laminated chip thermistor 1 is provided with internal electrodes 3a-3d placed to the full width of a thermistor element assembly 2 being as a resistor element, and the first and the second terminal electrodes 4 and 5, respectively, which cover the first and the second end surfaces 2a and 2b, respectively. - 特許庁

ＤＱＳ出力回路１２とＤＱＳＢ出力回路１３の組に対してＶＤＤＱ電源パッド２４ｂとＶＳＳＱ電源パッド２５ｃが配置され、チップ内ＶＤＤＱ電源配線１６、ＶＤＤＳ配線１７の、ＶＳＳＱ電源パッド２５ｂと２５ｃの間等に抵抗１８が配置されている。例文帳に追加

A VDDQ power supply pad 24b and a VSSQ power supply pad 25c are arranged with respect to a pair of a DQS output circuit 12 and a DQSB output circuit 13, and a resistor 18 is arranged between VSSQ power supply pads 25b and 25c of a VDDQ power supply wiring 16 and a VDDS wiring 17 in the chip, andso on. - 特許庁

チップ部品Ａは、絶縁基板１０と、抵抗体１２と、第１上面電極１４と、保護膜２０と、保護膜２０上に形成された第２上面電極２２と、該第２上面電極２２を被覆するニッケルメッキ２４と、該ニッケルメッキ２４を被覆するワイヤーボンディング電極２６とを有し、下面側には、ダイボンディング電極６０を有している。例文帳に追加

The chip component A includes an insulating board 10, a resistor 12, a first upper surface electrode 14, a protective film 20, a second upper surface electrode 22 formed on the protective film 20, nickel plating 24 coating the second upper surface electrode 22, and a wire bonding electrode 26 coating the nickel plating 24; and a die bonding electrode 60 on a lower surface side. - 特許庁

この調温制御手段４８は、温度センサ３の計測温度と、第１制御領域とに基づいてチップ抵抗器２に対する電力制御から発熱制御を実行すると同時に、温度センサ３の計測温度と、第２制御領域とに基づいて冷却ファン１１に対する電力制御から放熱制御を実行する。例文帳に追加

Based on the temperature measured by the temperature sensor 3 and a first control area, a power control and a heating control related to the chip resistors 2 are performed by the temperature adjustment control means 48, simultaneously, based on the temperature measured by the temperature sensor 3 and a second control area, a power control and a heat radiation control related to the cooling fan 11 are performed by the means 48. - 特許庁

半導体チップ５０又は５０Ａ内に構成される差動信号出力回路であって、差動信号が出力する一対の信号線３０，４０のそれぞれの信号線の出力端子１２，１３と該出力端子がそれぞれ接続するパッド３１，４１との間に抵抗Ｒ，Ｒを挿入する。例文帳に追加

A resistor R is respectively inserted between an output terminal 12 of a signal line 30 and a pad 31 connected to an output terminal 12 and between an output terminal 13 of a signal line 40 and a pad 41 connected to the output terminal 13, the signal lines 30, 40 being in pairs and through which differential signals are outputted in the differential signal output circuit configured in a semiconductor chip 50 or 50A. - 特許庁

高温における電気抵抗率が大きく、昇温時に耐火物表面が部分的に欠落するチップオフ現象を示さず、かつ溶融した低アルカリガラスとの接触においても成分の抜け出しが少ないため、操業時に亀裂が発生しにくい、電気溶融窯用に適した高ジルコニア質耐火物を提供する。例文帳に追加

To provide a highly zirconia-based refractory suitable for use in electric melting furnaces which has a high electrical resistivity at high temperatures and does not exhibit a chipping-off phenomenon in which the refractory surface partially chips off at elevated temperatures, and which, even when in contact with a molten low-alkali glass, is reduced in the extraction of components therefrom and, hence, rarely cracks during operation. - 特許庁

ＬＳＩの出力バッファ数、出力バッファの出力インピーダンス、ＬＳＩ端子、パッケージ、チップ端子部分の電源／ＧＮＤの特性インピーダンス、信号の特性インピーダンス、ＬＳＩ出力端子に接続する配線の特性インピーダンス、出力信号のダンピング抵抗からＬＳＩの電源入力インピーダンスを計算する。例文帳に追加

The power source input impedance of an LSI is calculated from the number of output buffers of an LSI, the output impedance of the output buffer, LSI terminal, package, the characteristic impedance of the power source/GND of a chip terminal section, the characteristic impedance of a signal, the characteristic impedance of wiring connected to the LSI output terminal, and the damping resistance of an output signal. - 特許庁

この発明は鋼板などの金属材に限られることなく、鋼板などを組立てた金属箱や金属枠などの構造物の内部であっても、内部に挿入した溶接チップによって外部から加圧力を加えて溶接でき、しかも、加圧溶接時に溶接電流の通電時間を適切に制御できるコンパクトな構造の抵抗溶接機を提供する。例文帳に追加

To provide a compact resistance welding machine by which even the inside of a structural body such as metallic box or a metallic frame prepared by assembling steel plates, not limited to a metallic material such as the steel plate, is welded by applying an external pressurizing force with a welding tip inserted inside, and an energizing time of a welding current during the pressurizing welding is appropriately controlled. - 特許庁

センサ端末Ａｎは、温度センサやデータの送受信回路、並びに固有のＩＤを記憶したＲＯＭなどを１チップに集積化した温度センサＩＣ１と、電源線３１と通信線３２の間に挿入される抵抗Ｒ並びに通信線３２と接地線３３の間に挿入されるコンデンサＣからなるフィルタ部とを具備する。例文帳に追加

The sensor terminal An comprises a temperature sensor IC 1 integrating a temperature sensor, a data transmission/reception circuit, a ROM storing a specific ID, and the like into one chip, and a filter part comprising a resistor R interposed between a power line 31 and the communication line 32 and a capacitor C interposed between the communication line 32 and a ground line 33. - 特許庁

ＭＣＭ１００において、インターポーザ１表面１ａには、半導体チップ２、コンデンサ等からなる部品３及びＬａＢ_6 等からなる膜状の抵抗体４が設けられ、インターポーザ１裏面１ｂにはパッド電極９、及びパッド電極９に接続されたはんだバンプ１０が設けられている。例文帳に追加

An MCM 100 is equipped with an interposer 1, where a semiconductor chip 2, a component 3 such as a capacitor or the like, film resistors 4 of LaB6 or the like are provided to the surface 1a of the interposer 1, and pad electrodes 9 and bumps 10 bonded to the pad electrodes 9 are provided in the backside 1b of the interposer 1. - 特許庁

プリント配線基板１２上の２本の導電路１２Ａにわたってチップ状の抵抗１９とコンデンサ２０とが載せられてハンダ付けされ、両導電路１２Ａの先端側に、折り返し状に形成された雄側端子金具１５が圧入されて取り付けられることで電子部品ユニット１１が形成される。例文帳に追加

An electronic component unit 11 is formed in a process in which a chip resistor 19 and a capacitor 20 are mounted and soldered on two conductive paths 12A on a printed circuit board 12, and a male-side terminal fitting 15 formed in a folded shape is press fitted to the tip of the both conductive paths. - 特許庁

機械式リレーや充電抵抗からなるプリチャージ回路に代えて、半導体スイッチング素子としてＭＯＳ型ＦＥＴによるデバイスを１チップ化したＩＰＳを採用することで、起動時の過電流制限を行って系統機器、特にモータコントローラの保護に有効で、コスト低減や小型化が可能な電気自動車のモータ電力供給制御システムを提供する。例文帳に追加

To provide a motor power supply control system for electric vehicles, which is effective in protecting system equipment, especially a motor controller and enables reduction in cost and size, by adopting IPS obtained by integrating MOSFET devices into one chip, as a semiconductor switching element, instead of a precharging circuit comprising a mechanical relay and a charging resistor and thereby limiting overcurrent at startup. - 特許庁

しかも、ソース電極，ドレイン電極の一方を半導体基板主面に設け、他方を半導体基板の裏面に設けることによって、半導体基板主面では他方の電極の接続領域が不用となるため、同一のチップ面積でチャネル幅を拡大することができるので、トランジスタのオン抵抗を低減させることが可能となる。例文帳に追加

Since one of a source electrode or a drain electrode is formed on the main surface of the substrate and the other is formed on the rear of the substrate, the connection region of the other electrode becomes unnecessary on the main surface of the substrate, a channel width can be enlarged with the same chip area, so that the on-state resistance of the transistor can be reduced. - 特許庁

着色反射鏡（１６，１７）の製造は、反射層２０及び着色層２１の二つの蒸着工程と、保護膜２２を形成するプラズマ重合工程を同一のチャンバー２４の内部で連続的に行い、顔料の蒸着は、カラー顔料チップ２６とフィラメントヒーター２７を利用した抵抗加熱蒸着により行う。例文帳に追加

The colored mirrors (16, 17) are manufactured by continuously performing two steps for depositing the reflection layer 20 and the coloring layer 21, and a plasma-polymerizing step for forming the protective membrane 22 inside the same chamber 24, and the pigment is deposited by a resistance-heating deposition using a color pigment chip 26 and a filament heater 27. - 特許庁

レイアウト設計前に半導体集積回路内部の電源配線の抵抗による電源電圧のドロップを短時間でシミュレーションすることができ、設計処理コストの低減化と、設計初期段階でのチップサイズの見積りの高精度化を図ることができる半導体集積回路の電源電圧ドロップ・シミュレーション方法を提供する。例文帳に追加

To provide a power supply voltage drop simulation method for a semiconductor integrated circuit, capable of simulating the drop of power supply voltage due to resistance of a power supply wire in a semiconductor integrated circuit before layout design in a short time so as to reduce the design processing cost and heighten the accuracy of estimating the chip size at the initial stage of design. - 特許庁

印刷配線板の電極に導電性接着剤を用いて電子部品（チップ部品）を実装する場合、電極と電子部品間の接合強度を大きくし、電気抵抗を小さくしようとするとどうしても印刷配線板の電極面積を大きくする必要があり、電極面積を大きくすると電子部品の高密度実装ができない。例文帳に追加

To solve a problem that the enlargement of an electrode area prevents high-density mounting although the electrode area should be enlarged for increasing the bonding strength and reducing the electric resistance between the electrode and the electronic part when the electronic part (chip part) is mounted on the electrode of the printed wiring board with conductive adhesive. - 特許庁

ＲＳＳＩ回路を備えた無線通信用半導体集積回路装置の半導体チップ内において、検出抵抗４２によりＲＳＳＩ回路１１からの電流Ｉ_ＬＯＧを電圧Ｖ_ＲＳＳＩに変換し、その変換された電圧Ｖ_ＲＳＳＩを利得可変増幅器４６を介して出力端子４４に出力する。例文帳に追加

In the semiconductor chip of a semiconductor integrated circuit device for wireless communication provided with the RSSI circuit, the detection resistor 42 converts a current I_LOG from the RSSI circuit 11 into the voltage V_RSSI and the converted voltage V_RSSI is outputted to an output terminal 44 via a variable gain amplifier 46. - 特許庁

そのコア基板の１つであるテスト容易化回路内装基板１０ｃには、テスト対象の集積回路であるＤＵＴ１２１を装着するソケット１２２が搭載されており、また、そのソケット１２２内に設けられたポゴピン１２２０には、インピーダンス整合用のチップ抵抗１２２４、インダクタ１２２５などの受動素子が設けられている。例文帳に追加

On a test facilitating circuit interior substrate 10c, which is one of the core substrates, a socket 122 with a DUT 121 as a test-target integrated circuit being attached thereto is mounted, and a pogo pin 1220 disposed in the socket 122 comprises passive elements such as an impedance matching chip resistor 1224 and an inductor 1225. - 特許庁

この抵抗溶接装置にあっては、接合部を挟み込む一対の電極チップ２１ａ、２１ｂのそれぞれの先端径φａ、φｂを、重ね合わせた第１の鋼板同士の間に必要な径のナゲットおよび一方の第１の鋼板と第２の鋼板との間に必要な径のナゲットを形成する寸法に設定してある。例文帳に追加

Each tip diameter φa, φb of a pair of electrode tips 21a, 21b which pinch the welding part is set to the necessary diameter size to form a nugget between the superposed first steel sheets and the necessary diameter size to form a nugget between the first steel sheet and the second steel sheet. - 特許庁

短絡不良を増加させること無く素子形状のバラツキを少なく、かつ薄いコンデンサ素子を安定して作製し、固体電解コンデンサチップ内のコンデンサ素子の積層枚数を増やして高容量化を可能とし、さらに等価直列抵抗のバラツキが小さい積層型固体電解コンデンサ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a stacked solid-state electrolytic capacitor which can reduce variation in element shape without increasing short circuit defects and stably manufacture a thin capacitor element, enables high capacity by increasing the number of stacking of capacitor elements in a solid-state electrolytic capacitor chip, and has small variation in equivalent series resistance, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

印字ヘッド２０はチップ基板２１にインク供給溝２２とインク供給孔２３を穿設され、表層に駆動回路（論理回路２４、ドライバ２５）を形成され、絶縁膜２６の上に抵抗発熱素子２７−１、個別配線電極２８、共通電極２９が配設され、隔壁３１の上にオリフィス３３を形成されたオリフィスプレート３２が積層される。例文帳に追加

This printing head 20 has ink supply grooves 22 and ink supply holes 23 bored to a chip substrate 21, a driving circuit (logic circuits 24 and drivers 25) formed to a surface layer, resistance heating elements 27-1, individual wiring electrodes 28 and a common electrode 29 disposed on an insulating film 26, and an orifice plate 32 with orifices 33 stacked on diaphragms 31. - 特許庁

pメタル層とp型窒化物半導体層間の密着性と、反射効率及び電流拡散効率と、接触抵抗とを改善することにより、輝度及び駆動電圧特性の向上されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、密着力不良を減少し、輝度特性を改善する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light emitting device for flip chip and its manufacturing method improved in a luminance characteristic and a driving voltage characteristic capable of reducing an adhesion defect and improving the luminance characteristic by improving adhesiveness between a p metal layer and a p-type nitride semiconductor layer, reflection efficiency, current diffusion efficiency, and contact resistance. - 特許庁

回路形成が完了した基板１を短冊状に分割した後、塗布パレットに収納し、多連チップ抵抗器の電極間隔に対応した凸部３を有するローラ表面に電極材料４を保持させて、短冊状基板１の端面に当接させることで、生産性良く端面電極を形成することができる。例文帳に追加

A substrate 1 where circuit formation is completed is divided into strips and then stored in a coating palette, an electrode material 4 is held on a roller surface having projections 3 corresponding to electrode intervals of the multiple-chip resistor and made to abut against end surfaces of the striped substrates 1, thereby efficiently forming end surface electrodes with good productivity. - 特許庁

半導体構成体４の周囲におけるベース板１上に設けられた絶縁層１６内の上下導通部４６を除く部分はデッドスペースであるため、このデッドスペース内に、配線板１７下に設けられたコンデンサや抵抗等からなるチップ部品２９を埋め込むと、回路基板を含む全体としてのより一層の小型化を図ることができる。例文帳に追加

Since the part in an insulation layer 16 formed on a base board 1 around the semiconductor structure 4 is dead space except a vertical conduction part 46, an overall size including a circuit board can be reduced furthermore when chip components 29 of a capacitor, a resistor and the like provided beneath a wiring board 17 is buried in the dead space. - 特許庁

ダイプレクサ、スイッチ回路、ローパスフィルタおよびノッチフィルタを構成する伝送線路および容量の一部を誘電体積層基板に内蔵し、スイッチ回路の一部を構成するPINダイオードやＧａＡｓスイッチなどのスイッチ素子、および抵抗、容量、インダクタなどのチップ部品を誘電体積層基板上に搭載している。例文帳に追加

A transmission line composing the diplexer, the switch circuit, the low-pass filter, and the notch filter, and a portion of a capacity are installed in a dielectric laminated substrate, and a switch element such as a PIN diode and a GaAs switch composing a portion of the switch circuit, and chip parts such as a resistor, a capacity, and an inductor are mounted on the dielectric laminated substrate. - 特許庁

絶縁性の基板１上に配線パターン１１１、１１２、１１３が固着され、その配線パターン１１１、１１２、１１３に発光ダイオード２とチップ抵抗４と導電性の金属からなる接続端子５が電気的に接続されており、接続端子５は、接続対象である外部端子６１との接続を行なうために弾性の挟持部５２を具備する。例文帳に追加

Wiring patterns 111, 112, 113 are fixed on an insulating substrate 1, a connecting terminal 5 composed of a light emitting diode 2, a tip resistor 4, and a conductive metal is electrically connected to that wiring patterns 111, 112, 113, and the connecting terminal 5 is equipped with an elastic pinching part 52 in order to connect to the external terminal 61 which is a connection target. - 特許庁

そして、ウエハ状態でバーンイン試験（ウエハ・レベル・バーンイン試験）を実施する場合には、半導体チップ上のパッド間隔が狭い等の制約により、ウエハに抵抗器や配線を接続するスペースを確保できないことが多く、Ｄ／Ａコンバータのウエハ・レベル・バーンイン試験の実施が困難なものになっていた。例文帳に追加

In the D/A converter, an output load resistor is composed of a resistor element and a switch which can be formed by a semiconductor process, and incorporated in the D/A converter for the wafer-level burn-in test. - 特許庁

ソースドライバ４Ａ内には、各チップ内基準電圧配線１７から分岐する各分岐基準電圧配線１７ａと、基準電圧生成バッファ３１と、基準電圧生成バッファ３１を制御するための制御回路３０と、基準電圧をｎ段階に細分化するための基準電圧生成用抵抗部３２と、細分化された電圧のうちいずれか１つを選択する電圧レベル選択回路３４と、出力バッファ３５とを備えている。例文帳に追加

The source driver 4A is provided with branched reference voltage wirings 17a which are branched from respective intra-chip reference voltage wirings 17, reference voltage generating buffers 31, a control circuit 30 for controlling the buffers 31, a resister part for generating reference voltages 32 for subdividing the reference voltages into (n) steps, voltage level selecting circuits 34 selecting one voltage among subdivided voltages and output buffers 35. - 特許庁