「光ノード」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

電子放出ディスプレイは、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板に提供される電子放出部と、第２基板の一面に形成される蛍光層と、蛍光層の間に位置する黒色層と、蛍光層と黒色層の一面に形成され、３乃至１５％の光透過率を有する金属のアノード電極とを含む。例文帳に追加

The electron emission display includes a first and a second substrates arranged in opposition, an electron-emitting part provided at the first substrate, phosphor layers formed on one surface of the second substrate, black-color layers located between the phosphor layers, and a metal anode electrode with a light transmittance of 3 to 15%. - 特許庁

両端がパケットスイッチング手段に接続された光パスと、この光パスを１つまたは複数用いて構成され、両端がパケットスイッチング手段に接続された電気パスとを備え、パケットスイッチング手段または光波長スイッチング手段を備えたノードおよびボーダルータを用い、光パスを適宜変更または解放する。例文帳に追加

The multi-layer optical network is provided with: optical paths both ends of which are connected to packet switching means; and electric paths each comprising one or more optical paths and both ends of which are connected to the packet switching means, and uses nodes and a border router provided with the packet switching means or an optical wavelength switching means to properly revise or release the optical paths. - 特許庁

二次元画像表示装置１９は、透明支持基板９及び透明アノード電極板１０及び正孔輸送層１１、パターニングして塗布された緑色発光層１２、青色発光層１３、赤色発光層１４からなる自発光層１５及び電子注入層１６とカソード電極板１７で構成される。例文帳に追加

A two-dimensional picture display device 19 is constituted of a transparent supporting base plate 9, a transparent anode electrode plate 10, a hole transporting layer 11, a self light emitting layer 15 comprising a green light emitting layer 12, a blue light emitting layer 13 and a red light emitting layer 14 coated after patterning, an electron injection layer 16 and a cathode electrode plate 17. - 特許庁

各送信ノード１１１に対応して設けられている複数（図１では２つ）の光信号送信部１１を駆動するためのクロック信号を一方の光信号送信部１１に設けたクロック発生部１３０によって生成し、該一方の光信号送信部１１に供給すると共に、接続部１３１を介して他方の光信号送信部１１へも供給する。例文帳に追加

A clock signal to drive a plurality of (two in the figure) optical signal transmitting parts 11 provided, corresponding to each transmission node 111 is generated by a clock generating part 130 provided on one optical signal transmitting part 11, supplied to one optical signal transmitting part 11 and supplied to the other optical signal transmitting part 11 as well via a connecting part 131. - 特許庁

電界放出型エミッタを有するカソードと、表面に蛍光体を有するアノードとを備え、前記エミッタから放たれた電子を前記蛍光体で発光させる電界放出型ライトであって、前記エミッタは、透明基板上にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を透光性を有する塗布パターンで塗布してなり、前記カソードを透明体に形成した。例文帳に追加

This is the field emission type light which is provided with the cathode having a field emission type emitter and the anode having the phosphor on a surface, and in which electrons discharged from the emitter are made to emit light at the phosphor, and the emitter is composed by applying a carbon nano tube (CNT) on the transparent substrate in a light-transmissive application pattern. - 特許庁

リング型に構成された光通信システム１に接続されるノード２は、光伝送路３を介して光信号が入力された際に、この光信号を電気信号に変換する受信ＦＯＴ４と、この受信ＦＯＴ４より出力される電気信号を受信する通信ＩＣ６と、該通信ＩＣ６に駆動電力を供給する電源回路８と、を具備する。例文帳に追加

The node 2 connected to the optical communication system 1 constituted in a ring shape is provided with a reception FOT 4 converting optical signals to electric signals when the optical signals are inputted through an optical transmission line 3, a communication IC 6 receiving the electric signals outputted from the reception FOT 4 and a power source circuit 8 supplying driving power to the communication IC 6. - 特許庁

光無線により双方向通信のネットワークを構成するシステム、特に移動体に設置された光ノードと有線系ネットワークの複数の光中継機とを介して情報フレームのやり取りを行う光無線通信システムにおいて、転送フレームの数が増えることなく、転送パフォーマンスの低下を防止することができるようにする。例文帳に追加

To prevent transfer performance from being deteriorated without increasing the number of transfer frames in a system constituting a bidirectional communication network by optical radio communication, especially an optical radio communication system for transmitting/receiving information frames through an optical node set on a mobile and a plurality of optical repeaters of a wired network. - 特許庁

ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系のいずれかの半導体発光素子３からなる光源装置１において、リードフレームで成形した半導体発光素子３のパターン２ａには、半導体発光素子３のカソード側が載置されてダイボンドされるとともに、整流素子４のアノード側からのボンディングワイヤ５ｂがワイヤーボンディングされる。例文帳に追加

In a light source device 1, including a semiconductor light- emitting element 3 made of an InGaAlP-, InGaAlN- or InGaN-based material, the element 3 is mounted on a pattern 2a of a lead frame for the element 3 and at its cathode side die-bonded thereto, and a bonding wire 5b extending from an anode of a rectifying element 4 is also wire-bonded thereto. - 特許庁

本発明の一実施例による電子放出素子は、第２基板に形成される少なくとも一つ以上の蛍光層；前記蛍光層の表面に形成され、蛍光層を形成するための焼成工程後にも残存する機能性物質を含む表面処理層；及び前記表面処理層を覆うように形成される一つ以上のアノード電極を含む発光部；からなる。例文帳に追加

The electron emitting element comprises one or more fluorescent layers formed on a second substrate, a surface treatment layer formed on the surface of the fluorescent layer containing a functional substance that remains even after a baking process for forming the fluorescent layer and a light-emitting element containing one or more anode electrodes formed so as to cover the surface treatment layer. - 特許庁

本発明は複数（ｋ）本の波長多重されない光信号の入・出力伝送路を収容して，入力伝送路の信号を指定された出力伝送路へクロスコネクトしてパスを形成するマトリクス型の光スイッチを備えた光パスクロスコネクト装置に関し，光クロスコネクトのノードに設ける再生器の数を減らして，装置の小型化及び低コスト化を実現できることを目的とする。例文帳に追加

To make an optical path cross-connecting device equipped with matrix optical switches accommodating input/output transmission lines for multiple (k) wavelength-unmultiplexed light signals and forming a path by cross- connecting the signal of an input transmission line to a specified output transmission line, small-sized and to reduce the cost by decreasing the number of regenerators provided at nodes of optical cross-connections. - 特許庁

銅を含み、さらにビスマス、ニッケル、ケイ素、チタン、イットリウム、アルカリ土類金属、及びランタノイドからなる群から選択される少なくとも１つの元素Ｍを含む複合酸化物半導体の多孔質薄膜が導電性基板上に形成されている半導体素子であって、カソード光電流および／またはアノード光電流を示す可視光応答性の半導体素子。例文帳に追加

The semiconductor element has a porous thin film of a compound oxide semiconductor containing copper and further at least one element M selected from a group of bismuth, nickel, silicon, titanium, yttrium, alkali earth metal, and lanthanoid formed on a conductive substrate, and has visible light response showing a cathode photoelectric current and/or anode photoelectric current. - 特許庁

ガラス基板と、前記ガラス基板上にパターニングされた複数の蛍光体層と、 前記蛍光体層を覆う平坦化されたAl膜と、前記Al膜と同電位を有し、前記Al膜を覆って複数の開口を有し、前記開口が前記蛍光体層にそれぞれ対応する金属シートとを含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）フィールドエミッション・ディスプレイのアノード基板を用いた。例文帳に追加

This anode substrate of a carbon nanotube (CNT) field emission display used in this application includes: a glass substrate; a plurality of phosphor layers patterned on the glass substrate; a flattened Al film covering the phosphor layers; and a metal sheet having the same potential as that of the Al film, and having a plurality of openings, by covering the Al film, corresponding to the respective phosphor layers. - 特許庁

図８（ａ）に示すように距離的には観光地６１に近いが川６６のような障害があってユーザがアクセスできない道路６５と道路６５よりは遠いが観光地６１にアクセス可能な道路６３がある場合に、図８（ｂ）に示すように道路６３に接続して観光地６１に向かうダミー道路６４及び接点（ダミーノード)６４’を設定して予めデータベースに登録しておく。例文帳に追加

If there are a road 65 that a user is inaccessible to because of an obstacle such as river 66 tough near in distance to a sightseeing spot 61 and a road 63 accessible to the spot 61, tough farther than the road 65, a dummy road 64 connected to the road 63 toward the spot 61 and a junction (dummy node) 64' are previously set and registered in a database. - 特許庁

変圧回路２０の一次側に略６０Ｈｚ以上のパルス信号を印加することにより、Ｔ２期間で二次側に発生する制御電圧がグリッド電極からカソード電極に印加されると共に、制御電圧に同期して発生するアノード電圧が蛍光板電極からカソード電極へ印加され、蛍光体が飽和状態で高輝度発光する。例文帳に追加

A pulse signal of approximately 60 Hz or higher is applied to the primary side of a transformation circuit 20, thus applying a control voltage generated at a secondary side during a T2 period to a negative electrode from a grid electrode, applying an anode voltage generated in synchronization with the control voltage to the negative electrode from a fluorescent screen electrode, and allowing a phosphor to emit light with high luminance in a saturated state. - 特許庁

バス上のノードに対し信号衝突を通知できる全二重マルチポート中継増幅器や光通信レピータハブ等の光通信用ハブ装置において、複数の他ポートから同時に光信号が入力されたときに、信号衝突の発生を速やかに通知し、ネットワークの伝送効率を向上させる。例文帳に追加

To provide a hub apparatus for optical communication such as a full duplex multi-port relay amplifier and an optical communication repeater hub able to inform a node on a bus about signal collision, that can quickly inform other ports about the occurrence of signal collision when receiving optical signals from the other ports at the same time to improve the transmission efficiency of a network. - 特許庁

この光量Ｅ_iのデータに対し、光量変化補正部４において、ＲＯＭ３から読み出されるデータを用いて、上述した（２０）式あるいは（２１）式の連立方程式を解くことにより、発光ドット（ｉ）に対応するアノードを駆動するパルス信号のパルス幅を決めるための電圧印加時間Ｔ_iのデータ、あるいは、これを量子化した階調データＤ_iがパルス幅変調部５に出力される。例文帳に追加

In a light quantity change correction part 4, by solving simultaneous equations by using the data read from the ROM 3, the data of a voltage applying time Ti for determining the pulse width of a pulse signal driving the anode corresponding to a light emitting dot (i) or gradation data Di obtained by quantizing this data is outputted to a pulse width modulation part 5. - 特許庁

カソード電極１５に対してアノード電極５を正の高電位に維持し、ゲート電極１０でカソード電極１５に引加するゲート電圧を制御して冷陰極電子放出源１６に電界を印加し、冷陰極電子放出源１６から放出された電子線を蛍光体６に照射して蛍光体を６を励起・発光させる。例文帳に追加

An anode electrode 5 is maintained at a high positive potential against a cathode electrode 15, a gate voltage impressed on the cathode electrode 15 is controlled at a gate electrode 10 to impress an electric field on a cold-cathode electron emission source 16, and electron beams emitted from the cold-cathode electron emission source 16 is irradiated on the phosphor 6 to excite it and have it emit light. - 特許庁

本発明は、カソードが一定電圧に接続され、光信号を電気信号に変換する少なくとも１つのフォトダイオードと、このフォトダイオードのアノードに一端を接続し、一定電圧に他端を接続する抵抗と、この抵抗の一端に一端を接続する共鳴トンネルダイオードとを設け、光中継器または光論理回路であることを特徴とするものである。例文帳に追加

An optical repeater or an optical logic circuit comprising at least one photodiode of which a cathode is connected to a constant voltage, for converting an optical signal into an electrical signal, a resistor of which one terminal is connected to an anode of the photodiode and another terminal is connected to the constant voltage, and a resonant tunnel diode of which one terminal is connected to the one terminal of the resistor. - 特許庁

ハーフピッチ４５ｎｍノード以降のフォトリソグラフィにおいて、マスク自身により誘引される露光光の偏光状態の変化を緩和し、良好な微細画像をウェハ上に形成するためのフォトマスク、および簡易なその製造方法、さらに、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photomask that can decrease changes in a polarization state of exposure light induced by the mask itself and transfer a preferable fine image onto a wafer in photolithography with a 45 nm half pitch node or further advanced techniques, and to provide a method for easily manufacturing the mask and a pattern forming method using the photomask. - 特許庁

複数本配列されたアノード電極５４相互間に、ワイヤーグリッド６０と蛍光体層５６が接触するのを防止する為の凸状絶縁体層５８が形成されている為、蛍光体層５６とワイヤーグリッド６０との距離を十分に接近させても、たとえば駆動熱あるいは振動などによりワイヤーグリッド６０が蛍光体層５６に接触することがない。例文帳に追加

Because a convex insulator layer 58 has been formed in order to prevent a situation that a wire grid 60 and a phosphor layer 56 are contacted, even if the distance of the phosphor layer 56 and a wire grid 60 is made to sufficiently approach, the web grid 60 never contacts with the phosphor layer 56, for example, by a driving heat or a vibration or the like. - 特許庁

開口部１１１が形成され電波を遮断する（例えば、金属製）筐体１１を有している電子機器１は、開口部１１１に設けられ可視光及び電波を透過する表示パネル１２１１と、筐体１１内部に設けられ表示パネル１２１１を透過する可視光により情報を表示するアノード１２４とを有する蛍光表示管１２０を備える。例文帳に追加

An electronic apparatus 1 having an enclosure (for example, made of metal) 11 which has an opening 111 and shields radio waves includes a fluorescent display tube 120 which includes a display panel 1211 provided in the opening 111 and transmitting visible light and radio waves and an anode 124 provided in the enclosure 11 and displaying information by visible light transmitted through the display panel 1211. - 特許庁

半導体レーザは、同一の半導体基板上にレーザ発光素子とフリーホイールダイオードとが形成されており、レーザ発光素子の電流入力端子にフリーホイールダイオードのカソードが接続され、レーザ発光素子の電流出力端子にフリーホイールダイオードのアノードが接続されている。例文帳に追加

In a semiconductor laser, a laser light emitting element and freewheel diode are formed on the same semiconductor substrate, while the cathode of the freewheel diode is connected to the electric current input terminal of the laser light emitting element, and the anode of the freewheel diode is connected to the electric current output terminal of the laser light emitting element. - 特許庁

１フレーム毎のブランキング期間を利用して、コントローラ１２は、アノード電圧を蛍光体が光らない電圧より低くし、ゲート電圧制御回路１６を制御し、パルス幅の狭いパルスを発生させ、エミッタから電子を放出させ、この電子放出によりエミッタ先端が発熱し、吸着ガスが離脱し、エミッタ先端がクリーニングする。例文帳に追加

A controller 12 lowers an anode voltage lower than a voltage at which a phosphor is not luminous and makes a pulse whose width is narrow to be generated by controlling a gate voltage control circuit 16 to make electrons to be emitted from the emitter and then, the tip of the emitter generates heat by the electron emission and absorbed gass is removed from the tip and the tip of the emitter is cleaned. - 特許庁

また、表層が光沢添加剤あるいは半光沢添加剤含有Ｎｉメッキ層、Ｎｉ合金メッキ層のいずれかからなるＮｉメッキ鋼板の表層に、前記Ｎｉメッキ鋼板をアノード電解処理することにより酸化膜を形成することを特徴とする摺動性に優れたＮｉメッキ鋼板の製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the Ni plated steel sheet having excellent sliding property is carried out by forming anodically electrolyzing the Ni plated steel sheet to form the oxide film on the surface of the Ni plated steel sheet which comprises one of the Ni plated layer and Ni alloy plated layer containing a gloss additive or semi-gloss additive. - 特許庁

本発明に係る電子線発生装置１０は、カソード１１とアノード１４との間に高電圧を印可するものであって、カソード本体１２の表面に配向性カーボンナノチューブ層１３を接合したカソード１１と、そのカソード１１の配向性カーボンナノチューブ層１３表面に光Ｌを照射する光源１６とを備えたものである。例文帳に追加

The electron beam generating device 10 impresses a high voltage between the cathode 11 and an anode 14, and comprises the cathode 11 which has an orientation carbon nanotube layer 13 bonded to the surface of a cathode body 12 and a light source 16 that irradiates light L to the surface of the orientation carbon nanotube layer 13 of the cathode 11. - 特許庁

アノード電極（２０）に設けられる膜（２３）は、粒子径が３０ｎｍよりも小さい粒子と、粒子径が１００ｎｍよりも大きい粒子とが混在し、平均粒子径が３０−５０ｎｍとなるような酸化金属半導体の粒子（２４）を焼結し、色素（２５）の吸着面積を確保しつつ、光の散乱を促進して光電変換効率を向上し得る構成としたこと。例文帳に追加

A film fitted to an anode electrode (20) is so structured to have an improved photoelectric conversion efficiency through promotion of scattering of light, in addition to securing of absorption area of dye (25), by sintering particles of metal oxide semiconductor with particles of smaller size than 30 nm and those of larger size than 100 nm mixed and average particle size to be 30 to 50 nm. - 特許庁

さらに表示装置は、永久磁石６０と対面する表面に蛍光体コーテイング８０を有するスクリーンと、グリッド電極４０およびアノード５０へ制御信号を印加してカソード２０からチャネル７０を介して蛍光体コーテイング８０へ流れる電子流を選択的に制御する手段とを有する。例文帳に追加

The display device also includes a screen having a phosphor coating 80 on a surface facing to the permanent magnet 60, and a means applying a control signal to the grid electrode 40 and the anode 50 to selectively control the electron stream flowing from the cathode 20 to the phosphor coating 80 through the channels 70. - 特許庁

電位制御部２０は、電源Ｖｄｄを各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のアノードに接続して各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を発光させる一方、電源Ｖｄｄを各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のカソードに接続して各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせる。例文帳に追加

The potential control part 20 connects the electric power Vdd to the anode of each organic EL element OLED 1 to make each organic EL element OLED 1 emit light, while the control part connects the power source Vdd to the cathode of each organic EL element OLED 1 to make each organic EL OLED 1 to be inversely biased contrary to a light emitting time. - 特許庁

有機ＥＬ装置は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する有機ＥＬ素子と、ゲートが第１ノードに電気的に接続されるとともに該ゲート及びソースが電気的に接続され、ドレイン・ソース間に流れる電流を前記駆動電流として出力する駆動トランジスタを備える。例文帳に追加

An organic electroluminescent apparatus includes: an organic electroluminescent element that emits light by a light quantity meeting the dimension of a driving current; and a drive transistor in which a gate is electrically connected to a first node while the gate and a source are electrically connected together to output an electric current flowing between a drain and the source as a driving current. - 特許庁

蛍光膜１４付きのアノード電極１２と電界放射型のカソード電極１６との間に多数の電子通過孔１８ａを備えたグリッド電極１８を介装した電界放出型光源において、上記カソード電極１８に対向するグリッド電極面１８ｂ上に不連続な膜形状に絶縁薄膜２０をチャージアップ部材として設けた構成。例文帳に追加

In the field emission light source including a grid electrode 18 provided with a number of electron passing holes 18a, the electrode being interposed between an anode electrode 12 with a fluorescent film 14 and a field emission cathode electrode 16, an insulating thin film 20 is provided in a discontinuous film shape on a grid electrode surface 18b opposed to the cathode electrode 18 as a charge-up member. - 特許庁

真空気密容器１００を構成する絶縁基板１０１内面にはカソード電極１０６及び電界電子放出材料によって形成されたエミッタ１０７が積層配設され、絶縁基板１０２内面にはアノード電極１０４及び蛍光体層１０５が積層配設され、蛍光体層１０５には、２次電子放出を行う材料が含まれている。例文帳に追加

A cathode electrode 106 and an emitter 107, which is made of an electric field electron emitting material are laminatedly provided on the inner surface of an insulated substrate 101 constituting a vacuum hermetic case 100, and an anode electrode 104 and a phospor layer 105 are laminatedly provided on the inner surface of an insulated substrate 102 and a material conducting secondary electron emission is included in the phosphor layer 105. - 特許庁

半導体基板の表面に金属化合物を無電解析出（光Ｂｉ−ＯＣＤとよばれる）させるバイポーラ光電気化学プロセスであって、基板の表側と基板の裏側の異なった照度が、カソード反応とアノード反応とを分離する駆動力を形成し、高歩留まりの金属化合物の析出が得られるプロセスが開示されている。例文帳に追加

A bipolar photo-electrochemical process is disclosed for electroless deposition (referred to as photo Bi-OCD) of a metallic compound onto the top surface of a semiconducting substrate whereby differential illumination of the front side of the substrate versus the back side of the substrate provides a driving force to separate the cathodic and anodic partial reactions leading to high yield deposition of the metallic compound. - 特許庁

並列多重伝送路５０２が切断された場合、ノード４０２の入力端５０８が光入力断を検知し、セレクタ５１０と管理パケット挿入部５１１に光入力断を通知すると、セレクタ５１０は、ループバックを設定し、管理パケット挿入部５１１は、障害発生表示ビットをＯＮにしたパケットを出力する。例文帳に追加

When a parallel multiplex transmission line 502 is interrupted and a node 402 detects interruption of an optical input at its input terminal 508 and informs a selector 510 and a management packet insertion section 511 about the interruption of the optical input, the selector 510 sets a loopback and the management packet insertion section 511 outputs a packet, in which a fault occurrence indication bit is set. - 特許庁

本発明の要旨とするところは、表層が光沢添加剤あるいは半光沢添加剤含有Ｎｉメッキ層、Ｎｉ合金メッキ層のいずれかからなるＮｉメッキ鋼板において、前記Ｎｉメッキ鋼板の表層に前記Ｎｉメッキ鋼板をアノード電解処理することにより形成した酸化膜を有することを特徴とする摺動性に優れたＮｉメッキ鋼板である。例文帳に追加

The Ni plated steel sheet having one of a Ni plated layer and a Ni alloy plated layer containing a gloss additive or semi-gloss additive on the surface and having excellent sliding property has an oxide film formed by anodically electrolyzing the Ni plated steel sheet on the surface of the Ni plated steel sheet. - 特許庁

リードフレーム用基材００２上に形成された１または複数層の被膜（００３，００４，００５）上に、犠牲アノードとして作用する被膜００６を介して銀被膜００７を形成することにより、銀被膜００７が加熱により変色することや金属元素が拡散されることを抑制でき、発光特性を安定させながら、安定して良好な発光率を確保することができる。例文帳に追加

By forming a silver coating film 007 on one or more layers of coating films (003, 004, 005) formed on a substrate 002 for a lead frame via a coating film 006 acting as a sacrificial anode, discoloration of the silver coating film 007 by heating and a diffusion of a metal element are suppressed; and thereby superior light emission rate can be secured stably, while light emission characteristics are stabilized. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。例文帳に追加

On the bottom face of an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate), an n-type first multilayer reflection layer 12, an n-type first optical resonance layer 14, an n-type second multilayer reflection layer 16, an i-type InGaAs light absorption layer 18, and an anode electrode 22 (reflection film) are formed in order from the n-type InP substrate 10 side. - 特許庁

光ノード装置２においては映像信号がＯ／Ｅ変換部２１で光信号から電気信号に変換された後に、下り用１分岐器２２で分岐され、通過側の映像信号がフィルタ２４を通してＣＡＴＶ同軸伝送路に送出され、分岐側の映像信号がバンドパスフィルタ２３に送出される。例文帳に追加

After an O/E conversion section 21 of an optical node unit 2 converts an optical video signal into an electric signal, an outgoing signal branching device 22 branches the electric signal and the passing side video signal is sent to a CATV coaxial transmission line through a filter 24, and the branch side video signal is fed to a band pass filter 24. - 特許庁

基板１０の一方の面側にＧａＮ系ＬＥＤ層１２が設けられ、ＧａＮ系ＬＥＤ層１２にカソード電極１２ａおよびアノード電極１２ｂが設けられ、基板１０の他方の面側に蛍光体含有層１４と反射鏡１６とが順次設けられていることを特徴とする白色発光ダイオードである。例文帳に追加

In the white light emitting diode; a GaN-based LED layer 12 is provided on one surface of a substrate 10, a cathode electrode 12a and an anode electrode 12b are provided to the GaN-based LED layer 12, and a phosphor-contained layer 14 and a reflecting mirror 16 are sequentially provided on the other surface of the substrate 10. - 特許庁

受光素子間を絶縁体または誘電体の分離領域６で分離することにより寄生容量が低減され、かつ、低抵抗の導電体を埋め込んだ導電体埋め込み領域１１でアノード領域となるＰ型半導体基板２から直接コンタクトを取ることによりシリーズ抵抗が低減されるため、受光素子の周波数特性を向上することができる。例文帳に追加

Since the parasitic capacitance is reduced by isolating light receiving elements through an insulator or a dielectric isolating region 6 and direct contact is taken from a P type semiconductor substrate 2 becoming an anode region in a region 11 embedded with a low resistance conductor, series resistance is decreased and the frequency characteristics of a light receiving element can be enhanced. - 特許庁

また、本発明の太陽光ハイブリッドモジュールは、水分解用光半導体を、導電性基板の一側に導電性基板側から順にシリコン等の発電素子および酸素放出アノードを設けると共に導電性基板の他側に水素放出カソードを設けることにより構成したことを特徴とする。例文帳に追加

In the hybrid solar module, the water decomposition optical semiconductor is constituted by providing a power generation element of silicon or the like and an oxygen emission anode to one side of a conductive substrate one by one from the conductive substrate side, and by providing a hydrogen emission cathode to the other side of the conductive substrate. - 特許庁

各有機ＥＬ素子１１は、第一基板１５の一方の面１５ａにアノード電極２９、発光する有機ＥＬ発光層３０、透明なカソード電極３１が順に積層された積層構造となっており、カソード電極３１の共通透明電極３３は全ての有機ＥＬ素子１１の共通層となっている。例文帳に追加

Each organic EL element 11 has laminated structure formed by laminating an anode 29, a light emitting organic EL luminescent layer 30, and a transparent cathode 31 in order on the one surface 15a of the first substrate 15, and a common transparent electrode 33 of the cathode 31 is a common layer of all organic EL elements. - 特許庁

可視光を用いて光学的に膜厚を求める場合、４５ｎｍノード以降では対象パターンが検出波長の１０分の１程度の大きさとなり解像度以下となるため、被計測対象を均一な層構造と仮定することができ、仮定したモデルを用いることにより短時間での膜厚計測を実現することができる。例文帳に追加

When determining the film thickness optically by using visible light, since an object pattern has the size of about one-tenth of a detection wavelength after 45 nm node to be below a resolution, the measuring object can be assumed as a uniform layer structure, and the film thickness measurement in a short time can be realized by using an assumed model. - 特許庁

５ないし１５ｋＶのアノード電圧を印加される蛍光面に用いられ、母体として硫化亜鉛化合物、付活剤として１０〜５０ｐｐｍの銀、５００〜１０００ｐｐｍのアルミニウムを含有し、六方晶系結晶構造を有し、かつ色度座標のｙ値が０．０５〜０．０６である銀、アルミニウム付活硫化亜鉛蛍光体。例文帳に追加

The silver and aluminum-activated zinc sulfide phosphor, which is used in a fluorescent surface applied with 5 to 15 kV anode voltage, comprises a zinc sulfide compound as a matrix, 10-50 ppm of silver and 500-1,000 ppm of aluminum as activating agents, and has a hexagonal crystal structure, y value of chromaticity coordinate being 0.05-0.06. - 特許庁

アノード側集電体、色素によって増感された多孔質ｎ型酸化物半導体層、ホール移動層及びカソード側集電体によって構成された全固体色素増感型光電変換素子において、特定構造の色素とホール移動剤がポリチオフェンであることを特徴とする全固体色素増感型光電変換素子。例文帳に追加

In the all solid dye-sensitized photoelectric conversion device which consists of an anode-side current collector, a porous n-type oxide semiconductor layer sensitized by dye, a hall moving layer, and a cathode-side current collector; the dye having a specific structure and a hall moving agent are made of polythiophene. - 特許庁

したがって、接地端子１３で光学的挙動部１１を電気的挙動部１２と独立して接地することによって、電気的挙動部１２が如何なる駆動回路に接続されても、駆動回路の種類や駆動方式に影響されずに上記光出力波形を表すノード電圧Ｓを正しくシミュレーション計算できる。例文帳に追加

Even if this part 12 is connected to any drive circuit, a node voltage S showing the optical output waveform can be correctly simulatingly-computed by grounding the optical behavior part 11 at a ground terminal 13 independently of the electric behavior part 12, irrespective of the type of drive circuits or the drive system. - 特許庁