「基準電極」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

リーク電流測定は、ソース／ドレイン領域を基準電位（接地電位）、ゲート電圧Ｖgをパラメータとし、ゲート電極１２に流れる電流Ｉgが製品として動作させる電流の許容範囲から逸脱するゲート電圧値Ｖgbを探索する。例文帳に追加

In the leak current measurement, a source/drain region is defined as reference potential (ground potential), a gate voltage Vg is defined as a parameter, and a gate voltage value Vgb is searched for a current Ig flowing to the gate electrode 12 to get out of a current allowable range for operation as a product. - 特許庁

流路に圧電振動子を接合した構造に薬液を流すだけで、２電極の一方のみに捕獲手段を形成すると同時に、基準振動子と検出用振動子との近接配置をしても高精度の測定が可能な分析用マイクロセンサを提供する。例文帳に追加

To provide a microsensor for analysis which forms a capturing means on only either of two electrodes only by allowing medical fluid to flow in a structure formed by bonding a piezoelectric vibrator onto a fluid, and performing highly accurate measurement even when a reference vibrator and a detection vibrator are arranged close to each other. - 特許庁

ここで、上部電極６の並置とチップ分離は、炭化珪素層上に形成されたステップを基準として行なうことにより、より正確に劈開方向を知ることができ、チップ分離の際に半導体チップに割れや欠けが発生するのを抑制することができる。例文帳に追加

In this case, arranging of the electrode 6 side by side and chip separation are performed with a step formed on the silicon carbide as reference, thereby the cleavage direction is known precisely to reduce occurrence of the breakage or chipping off in the semiconductor chip in chip separation. - 特許庁

検査領域決定行程では、検査基準電圧Ｖ_Lを印加された第２検査電極３を絶縁碍子１１の検査を行うべき箇所が全て含まれるよう移動させ、フラッシュオーバーが発生しない領域が検査領域として決定される。例文帳に追加

In the inspection domain determination process, the second inspection electrode 3 to which the inspection reference voltage V_L is applied is moved to include all spots to be inspected of the insulator 11, and a domain where flashover is not generated is determined as an inspection domain. - 特許庁

ＧＮＤ表配線４６Ａ及びＧＮＤ裏配線４６Ｂは、第２貫通穴４３Ｂに充填された第２導電性部材４５Ｂを介して後述する圧電体５４の上部電極５２に接続されると共に、ＧＮＤ表配線４６Ａ側で基準電位端子４６Ｃと接続されている。例文帳に追加

A GND front wiring 46A and a GND back wiring 46B are connected with the upper electrode 52 of a piezoelectric body 54 through a second electrically conductive member 45B filling a second through-hole 43B, and connected with a reference electric potential terminal 46C on the GND front wiring 46A side. - 特許庁

スイッチ部（４０）は、タイミング信号（ＣＰ１，ＣＰ２）の第１状態においてコンデンサ（６０）を正の高電圧ＶＬＣＤと基準電圧ＶＭで充電させ、タイミング信号の第３状態ではコンデンサの一方の蓄積電極には電圧ＶＬＣＤに代えてＶＭを印加する。例文帳に追加

A switching part 40 makes a capacitor 60 to be charged with a positive high voltage VLCD and a reference voltage VM in the first state of timing signals CP1, CP2 and impresses the VM on the storage electrode of one side of the capactor 60 instead of the voltage VLCD in the third state of the timing signals. - 特許庁

現像位置より現像剤の搬送方向上流側に現像剤層に接触して配置される導電性又は半導電性材料からなる部材に前記現像剤層の表面電位を基準として前記現像剤の帯電極性と逆の極性側の電圧を印加する。例文帳に追加

The voltage on a revere polarity side to the electrification polarity of developer based on the surface potential of a developer layer is applied to a member composed of conductive or semiconductive material arranged in contact with the developer layer on an upstream side in a developer conveying direction from a developing position. - 特許庁

酸化亜鉛−酸化スズを主成分とする酸化物であって、 ３０℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．４％水溶液中のＡｇ／ＡｇＣｌ標準電極を基準とした起電力が−０．６Ｖ以下であることを特徴とする非晶質酸化物透明導電膜材料。例文帳に追加

An amorphous oxide transparent conductive film material is an oxide whose main component is zinc oxide-tin oxide and in which its electromotive force is -0.6 V or below on the basis of an Ag/AgCl standard electrode in a 2.4% water solution of tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) at 30°C. - 特許庁

ウェーハ検知部７２は、ツィーザ５１１にウェーハＷが保持されている場合と保持されていない場合とで、電極部材７１と基準電位点との間の静電容量が変化することを検出することにより、ツィーザ５１１にウェーハＷが保持されているか否かを検知する。例文帳に追加

The wafer detector 72 detects that an electrostatic capacitance between the electrode member 71 and the reference potential changes with whether the wafer W is held by the tweezers 511 or not, whereby the wafer detector 72 is capable of detecting whether the tweezers 51 holds a wafer W or not. - 特許庁

発光素子２４がオフの状態で、閾値電圧検出基準電圧をドライバー素子２２のゲートに供給すると共に、ソースにゲート電圧とほぼ同一の電圧を供給してゲート・ドレイン電極間の閾値電圧を検出し、これを静電容量２３に蓄える。例文帳に追加

A reference voltage for threshold voltage detection is supplied to the gate of the driver element 22 while the light emitting element 24 is off, as well as an almost equal voltage to the gate voltage is supplied to the source so as to detect the threshold voltage between the gate-drain electrodes and store in the static capacitor 23. - 特許庁

放電加工の面積と加工液の状態に影響する放電ギャップの適性値を、加工する電極毎に加工過程中の基準内で求め、その適正な放電ギャップで加工することで、加工精度を確保でき、上記工程を自動で行い作業効率の向上を図る。例文帳に追加

To secure machining accuracy by determining a proper value of an electric discharge gap affecting discharge machining area and a state of machining fluid within a reference in a machining process for every electrode to be machined and performing machining by the proper electric discharge gap and to improve working efficiency by automatically performing the processes. - 特許庁

本発明に係るキーシート１００は、キーベース１と、該キーベース１に配置されたキートップ３とを有するキーシート１００であって、前記キーベース１には前記キートップ３に印加された静電気を基準電位電極２ｃに誘導する導電パターン１０が設けられていることを特徴とする。例文帳に追加

The key-sheet 100 has a key base 1 and a key top 3 arranged on the key base 1, and a conductive pattern 10 to induce static electricity applied to the key top 3 to the standard potential electrode 2c is installed at the key base 1. - 特許庁

軸線Ｏ方向において、絶縁碍子１の先端部１１の先端面１５を基準とし、中心電極２の先端部２１の先端面２２が先端方向に向けて突出した突出量Ｄを−０．５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下とした。例文帳に追加

By using a tip surface 15 of a tip 11 of an insulator 1 as a reference in the direction of an axial line O, a projection amount D by which a tip surface 22 of a tip 21 of a center electrode 2 is projected toward the tip direction is set to -0.5 to 0.3 mm. - 特許庁

ゲート電極の低抵抗化を損なわず、ＥＳＤ電流の局部集中回避と優れた熱伝導特性によって高ＥＳＤ耐性を確保することで、設計基準に柔軟で且つ高信頼性を有する保護回路を備えた半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit equipped with a protective circuit which meets flexibly a design specification and is high in reliability, by a method wherein the protective circuit is kept high in ESD resistance by keeping a gate electrode low in resistance, restraining an ESD current from concentrating locally on a certain point, and keeping high in thermal conductivity. - 特許庁

半導体結晶のストリエーションを露呈させるエッチングにおいて、酸化還元電位が２．０Ｖ（標準水素電極基準）以上であるエッチング液３を用い、エッチング中に半導体のバンドギャップのエネルギーよりも大きなエネルギーを有する光を照射しながらエッチングする。例文帳に追加

In etching exposing the striation of the semiconductor crystal, an etching liquid 3 of an oxidation-reduction potential ≥2.0 V (with a standard hydrogen electrode as a reference) is used, and the etching is performed while light having a larger energy than an energy of a bad gap of the semiconductor is irradiated during the etching. - 特許庁

検査では、電極端子５０６，５０７間に電圧を印加し、コンタクトチェーンに流れる電流を測定して印加電圧対測定電流特性を取得し、これを予め決められた基準特性と比較することによって、多層配線構造の潜在不良の有無を判定する。例文帳に追加

In inspection, voltage is applied between the electrode terminals 506 and 507, current flowing into the contact chain is measured, and an applied voltage couple measurement current characteristic is obtained; it is compared with a reference characteristic which is previously decided, and thus, the presence of the latent failure in multilayer wiring structure is determined. - 特許庁

この時の測定用部材３０（４０）の所定箇所の高さ３０Ｄ、高さ３０Ｄを測った所定箇所から頂点３２（４２）までのＺ方向距離から、基準ワイヤ電極支持位置から測ったＱ30（Ｑ20）のＺ位置を求めることができる。例文帳に追加

At this time, based on a height 30D at a predetermined location of the measuring member 30 (40) and a Z-directional distance from the predetermined location at which the height 30D is measured to a vertex 32 (42), a Z location of the wire support point Q30 (Q20) measured from a reference wire electrode support point can be obtained. - 特許庁

これにより、スルーホール１３に対して下地パターン４７が位置ずれを起こしている場合に、位置基準穴４５と印刷マーク４８との位置関係に基づいて当該位置ずれを補正しつつ、グリーンシート３４に電極パターン４９を形成することが可能になる。例文帳に追加

When the underlying pattern 47 is displaced from the through hole 13, an electrode pattern 49 can be formed on a green sheet 34 while correcting the displacement based on the positional relation between the positional reference hole 45 and the print mark 48. - 特許庁

また、本発明のプラズマ処理装置は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ生成部及び基板電極に相互に印加する変調手段をプラズマ発生電源及び基板バイアス電源に設けられる。例文帳に追加

The apparatus for the plasma treatment is furnished with a modulation means for applying the pulse-modulated electric power to the plasma-generating part and one to the substrate electrode, respectively in the plasma-generating power source and in the substrate bias power source, wherein the pulse modulation is based on the diffusion time of the gas from the central part of discharge to the substrate. - 特許庁

基準電極３は、基端部１１と略同じ面位置に基端部１１を取り囲むようにリング状に配置された基端部１４と、この基端部１４上に中空円錐状の誘電体ホーン１６を介在して配置された、基端部１４より径が小さい先端部１５とを有する。例文帳に追加

The reference electrode 3 has a proximal end portion 14 disposed in the form of a ring at approximately the same planar position as the proximal end portion 11 in such a manner as to surround the proximal end portion 11, and a tip portion 15 disposed on the proximal end portion 14 through a hollow conical dielectric hone 16 and being smaller in diameter than the proximal end portion 14. - 特許庁

上記の問題点を解決するために、積層セラミックコンデンサの内部電極で用いるニッケル超微粉を平均粒径が０．２〜０．５μｍであり、かつ平均粒径の２倍以上の粒径をもつ粗粒子の存在率を個数基準で０．１％以下にする。例文帳に追加

For solving the is problem, nickel ultra-fine powder used for the internal electrode of a laminated ceramic capacitor is set at 0.2 to 0.5 μm in average grain diameter, and the abundance ratio of coarse particles, whose grain diameter is twice as large as the average grain diameter to the whole particles, is set at 0.1% or smaller, on the basis of number. - 特許庁

電極パターンが乾燥した後に、グリーンシートに形成してある位置検出マーク１２ｃ，１２ｄを基準に、支持シート２０の長手方向に垂直な幅方向両端における支持シート２０の長手方向に沿って、それぞれの第１端張力Ｆ１および第２端張力Ｆ２を調節する。例文帳に追加

After the electrode patterns are dried, a first end tension F1 and a second end tension F2 at both ends of width direction vertical to the longitudinal direction of the support sheet 20 are adjusted, respectively, along the longitudinal direction of the support sheet 20 at both the ends, while position-detecting marks 12c, 12d formed on the green sheet are used as references. - 特許庁

インクジェット記録ユニットの圧電素子に駆動信号を供給するためのＦＰＣ５０では、半田バンプ搭載部５０Ｂに搭載された複数の半田バンプ３４の間隔を、基準マーク５４からの距離が長くなるにつれて、圧電素子の電極パット部の間隔よりも狭くするように設定する。例文帳に追加

In an FPC 50 for feeding a driving signal to a piezoelectric element of an inkjet recording unit, an interval for a plurality of solder bumps which are loaded on a solder bump loading section 50B is set in a manner to become narrower than an interval of electrode pad sections of the piezoelectric element as a distance from a reference mark 54 becomes longer. - 特許庁

鉄、ヒ素その他の不純物元素を含有する塩化ニッケル水溶液に、酸化剤とｐＨ調整剤を添加し、酸化還元電位（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準）を１０５０〜１０８０ｍＶに、かつｐＨを１．９５〜２．００に調整して、鉄及びヒ素を水酸化物沈殿として除去することを特徴とする。例文帳に追加

The method is characterized in that iron and arsenic are removed as a hydroxide precipitate by adding an oxidant and a pH regulator to the nickel chloride aqueous solution containing iron, arsenic and other impurity elements, and by regulating the oxidation-reduction potential (based on an Ag/AgCl electrode) to 1,050-1,080 mV and the pH to 1.95-2.00. - 特許庁

また、コントローラ１２は、液晶パネル４の対向電極４２に印加する基準電圧を周期的に、ＰＷＭ信号発生部１１から出力されるＰＷＭ信号と同一の振幅レンジである電位Ｖ_０と電位Ｖ_１とに切り換える。例文帳に追加

Also by the controller 12, the reference voltage to be applied to a counter electrode 42 of the liquid crystal panel 4 is periodically changed over to potentials V_0 and V_1 which have amplitude ranges same as that of the PWM signal outputted from the PWM signal generating section 11. - 特許庁

データ線駆動回路２１は、全ての走査線１０が走査線駆動回路１１により選択される期間ごと、すなわち１フレーム期間ごとに、画像信号を共通電極５６の電位を基準として極性反転させてデータ線２０に供給する。例文帳に追加

The data line driving circuit 21 inverts the polarity of image signals referring to the potential of a common electrode 56 in each period when the whole scanning lines 10 are selected by the scanning line driving circuit 11, that is in each one frame period, and supplies the signals to data lines 20. - 特許庁

バー形成工程より前に、主面１２ａを基準とする高さがストライプ状電極１８より高い膜状構造体２２を、複数の半導体レーザバー３０となる半導体積層構造１４の複数の部分それぞれの上に形成する。例文帳に追加

Prior to the bar formation step, a film-shaped structure 22 whose hight based on a principal surface 12a is higher than the striped electrode 18 is formed on each of multiple parts of the semiconductor laminate structure 14 that constitutes each of the multiple of the semiconductor laser bars 30. - 特許庁

便座への人体の着座を該便座に設けられた電極の静電容量変化に基づいて検知する着座検知装置であって、発振回路１０から出力される基準発振信号Ｂの電圧の立上り及び立下りの双方の時点において静電容量を測定する。例文帳に追加

The seat-taking detector for detecting taking of a toilet seat by a human body based on the capacitance variation of an electrode provided at the toilet seat measures capacitance at both of the time of boosting and dropping of the voltage of a reference oscillation signal B output from an oscillation circuit 10. - 特許庁

本発明のセンサセルは、ターゲットＤＮＡと選択的に反応するプローブＤＮＡ（３０）を表面に結合する金属微粒子（２０）と、ゲート絶縁膜（２５）上に金属微粒子（２０）が多数結合されてなる電界効果トランジスタＴｒ２と、電位基準となる参照電極（２１）とを備える。例文帳に追加

The sensor cell comprises: a metal fine particle (20) for combining with the probe DNA (30) selectively reacting with a target DNA on a surface; an electric field transistor Tr2 where a number of metal fine particles (20) are combined on a gate insulating film (25); and the reference electrode (21) that becomes a potential reference. - 特許庁

対向ソース構成のアクティブマトリクス型の液晶表示素子であるパネル部の主基板部４３は、複数の画素電極４７と、スイッチング素子である複数のＴＦＴ５４と、走査および基準信号線５３，５５と、接続線６６とを含む。例文帳に追加

A main substrate part 43 of a panel part which is an active matrix type liquid crystal display element of counter source composition comprises plural pixel electrodes 47, a plurality of TFT 54 (Thin Film Transistor) which are switching elements, a scanning and reference signal line 53, 55, and an interconnecting line 66. - 特許庁

データパルス位相制御回路３０は制御回路４０からの内部クロック信号と走査基準信号に基づき、複数のパルス列からなり、最初のパルスの開始タイミングを遅らせ、最後のパルスの終了タイミングを早めたパルス列を、データ電極群毎に異なる位相で出力する。例文帳に追加

A data-pulse phase control circuit 30 outputs pulse trains which consist of plural pulse trains and in which the starting timing of first pulses are delayed and the completing timing of final pulses are made to be early with different phases for every data electrode group based on an internal clock signal and a scanning reference signal from a control circuit 40. - 特許庁

誘電体酸化皮膜層を形成した陽極電極上に固体電解質層ならびに陰極引き出し部を設け、かつ水分量を重量基準で１重量％以下に規定したコンデンサ素子１０を外装部材で被覆した構成とした固体電解コンデンサである。例文帳に追加

This solid electrolytic capacitor is constituted in such a way that a solid electrolyte layer and a cathode lead are formed on an anode on which a dielectric oxide film layer is formed and that a capacitor element 10 whose moisture is prescribed at 1 wt.% or less in terms of weight is covered with a packaging member. - 特許庁

あるいは、銅または銅合金からなる試験極、対極、基準電極と定電流電源を用い、腐食性の有無を判定する水に特定の薬剤を添加したのち、試験極／対極の間に定電圧を印加したときの試験極／対極間の電流値を計測する。例文帳に追加

Or, the specific agent is added to the water for determining the presence or absence of corrosiveness by using the test electrode made of copper or a copper alloy, the counter electrode, the reference electrode, and the constant-current supply before the current value between the test and counter electrodes when a constant voltage is applied between the test and counter electrodes is measured. - 特許庁

基準物質４４に代えて電極棒６ａ，６ｂの間にセットされる測定試料の温度を温度センサ３４によって測定すると共にその温度を変化させながらその測定試料の電流、電圧、電気抵抗等を測定する熱分析装置の温度校正方法である。例文帳に追加

This temperature calibrating method for the thermal analyzer is constituted so as to measure not only the temperature of a measuring sample set between electrode rods 6a and 6b in place of a reference substance 44 with a temperature sensor 34 but also the current, voltage, electric resistance or the like of the measuring sample while changing the temperature of the measuring sample. - 特許庁

ゲート絶縁膜１６は、ゲート電極１８上、走査線５上、及び基準信号線６上の少なくとも一部分ではその周囲より薄く形成された第１絶縁層１６ａと、該第１絶縁層１６ａの上面側に形成された第２絶縁層１６ｂとを含む。例文帳に追加

The gate insulating film 16, at least one a part of the gate electrode 18 the scanning line 5 and the reference signal line 6, contains a first insulating layer 16a which is formed thinner than the periphery of the part and a second insulation layer 16b which is formed on the upper face side of the first insulating layer 16a. - 特許庁

第２基板４は、複数の走査線２０および基準信号線２１と、複数のデータ電極８のいずれかと同じデータ信号が入力され得る予備配線２８と、複数の第１接続パッド２４と、複数の第２接続パッド２６とを有する。例文帳に追加

The second substrate 4 is provided with a plurality of scanning lines 20 and reference signal lines 21, auxiliary wiring 28 in which a data signal identical to that of any of a plurality of the data electrodes 8 can be inputted, a plurality of first connection pads 24 and a plurality of second connection pads 26. - 特許庁

制御信号を第１のスイッチング素子を介して制御用容量素子に一旦蓄えるとともに、制御用容量素子に保持された制御信号に基づいて、第２のスイッチング素子が第１の基準配線から画素電極への電流経路を形成／遮断する。例文帳に追加

A control signal is once stored on the control capacitor element via the first switching element and, at the same time, the second switching element forms/intercepts a current course from the first reference line to the pixel electrode based on the control signal held on the control capacitor element. - 特許庁

冷却装置１０の流入部位２０と流出部位２２の間を金属製の管体２１，２３と導体２４により構成した短絡手段２５で電気的に短絡するとともに、前記短絡手段２５と接地された燃料電池１の基準電極５側の間を導体３１で電気的に短絡する。例文帳に追加

A short-circuiting means 25 constituted of metal pipes 21 and 23 and a conductor 24 makes a short-circuit electrically between a running-in port 20 and a running-out port 22 of the cooling device 10, and a conductor 31 makes a short-circuit electrically between the short-circuiting means 25 and a reference electrode 5 side of the grounded fuel cell 1. - 特許庁

これは、ワーク２と電極２２との間で放電が開始する位置は各孔毎で略一定のため、この放電開始位置を基準位置として、そこから所定の加工送り量Ｌｋだけ送ってワーク２に孔加工をするようにしたものである。例文帳に追加

Since the electric discharge starting position between the workpiece 2 and the electrode 22 is approximately constant for each hole, the electrode 22 is fed by a predetermined machining feed amount Lk to bore the workpiece 2 with the electric discharge start position as the reference position. - 特許庁

抵抗発熱体２１を内部に有するセラミック製の基体２と、固体電解質体からなる検出層１１の表裏面に検知電極１３１、基準電極１３２が形成された酸素濃淡電池素子１と、電極保護層５とを積層した板状の素子本体を有する積層型ガスセンサ素子４００において、少なくとも測定対象気体に晒されることになる先端側全周に、多孔質接着層４１と多孔質表面層４２とからなる多孔質保護層４０を形成する。例文帳に追加

The laminated type gas sensor element 400 has plate-like element body in which ceramic-made base substance 2 internally containing resistance heating element 21, oxygen concentration cell element 1 with sensing electrode 131 and reference electrode 132 formed on both faces of sensing layer 11 consisting of solid electrolyte, and electrode protective layer 5, are laminated. - 特許庁

本発明の基準電圧発生回路は、第一導電型のコレクタ層と、上記コレクタ層の表面に形成された第一導電型のベース層と、上記ベース層の表面に形成された第一導電型のエミッタ層と、上記エミッタ層に接続された複数のエミッタ電極を含むバンドギャップリファレンス回路において、複数のエミッタ層が形成されたベース層が共通のものであることを特徴とする基準電圧発生回路である。例文帳に追加

The reference voltage generating circuit contains a common base layer formed with a plurality of emitter layers in a band gap reference circuit which contains a first conductive collector layer, a first conductive base layer formed on a surface of the collector layer, a first conductive emitter layer formed on a surface of the base layer, and a plurality of emitter electrodes connected to the emitter layer. - 特許庁

カラーフィルタ基板の製造工程で発生した品質基準を満足しないガラス基板、あるいはスパッタリング装置のダミー基板の再生プロセスにおいて、透明電極処理に酸処理を用いずに、カラーフィルタを効率的に再生処理するガラス基板の再生装置及びこれを用いた再生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a glass substrate regenerating apparatus for efficiently regenerating a color filter without using acid treatment for transparent electrode treatment in a regenerating process of a glass substrate which is produced in the manufacturing step of a color filter substrate but does not meet quality standards or a dummy substrate of a sputtering device, and to provide a regenerating method using the regenerating apparatus. - 特許庁

ディスプレイ装置１００は、ドライバＩＣ３００と当該ドライバＩＣ３００を実装するディスプレイユニット２００と、を有し、ドライバＩＣ３００には、ディスプレイユニット２００との接合面と反対の裏面に接合面に形成された各電極Ｅの配置位置の基準となる第２アライメントマークＡＭ２が形成されている。例文帳に追加

The display device 100 includes a driver IC 300 and a display unit 200 mounting the driver IC 300, wherein the driver IC 300 has a second alignment mark AM2 formed on a back face opposite to the joining face with the display unit 200, the second alignment mark functioning as a reference for an arrangement position of each electrode E formed on the joining face. - 特許庁

プラズマ電極１と被溶接物４との間のプラズマアーク電圧Ｖｐを検出するプラズマアーク電圧検出器ＶＤと、このプラズマアーク電圧検出器ＶＤの検出電圧Ｖｄを入力して、この検出電圧Ｖｄが予め定めた基準値以上になったときに、キーホールが貫通したと判別するキーホール貫通判別手段とを備えたプラズマ溶接用電源である。例文帳に追加

The power source for plasma welding includes: a plasma arc voltage detector VD for detecting a plasma arc voltage Vp between a plasma electrode 1 and a material 4 to be welded; and a keyhole penetration determination means for determining that the keyhole is penetrated when a detection voltage Vd becomes higher than a preliminarily set reference value by inputting the detection voltage Vd of the plasma arc voltage detection detector VD. - 特許庁

タイマからの出力信号により、停止状態が予め決められた基準時間まで継続したことを確認すると、予め決められた時間だけ酸性水生成動作を行うため、コントローラ４１は原水電磁弁５、ポンプ１３、給水量調整弁３１等の各部に制御信号を出力し、一対の電極へ給電を行う。例文帳に追加

When the fact that the stoppage is continued until the predetermined reference time is confirmed by the signal from the timer, a control signal is outputted from the controller 41 to a raw water solenoid valve 5, pump 13, water supply control valve 31, etc., to generate acidic water for a predetermined time by supplying power to a couple of electrodes. - 特許庁