「引き上げるぞ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

合紙を介してパネルが積層状に積み重ねられたパネル積層体から合紙を取り除くに際し、最上層のパネルの上面に重ね合わされる合紙をそのパネルから容易に剥離して引き上げることができる合紙除去方法および合紙除去装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a slip sheet removing method and device for releasing a slip sheet overlapped on an upper face of a panel in the uppermost layer from the panel and pulling it up easily when removing the slip sheets from a panel stacked body constituted by stacking panels through the slip sheets in a layered state. - 特許庁

迅速に脱気をおこなうことができると共に、素材を替えることなく封止用熱融着部近傍の強度を著しく低下させず、製造コストを引き上げることなく製作することのできる粒状物用熱可塑性合成樹脂薄材製包装用袋を提供する。例文帳に追加

To provide a packaging bag made of a thermoplastic synthetic resin thin material for granular materials which can be rapidly deaerated and can be manufactured, without replacing materials, without increasing manufacturing costs, and without remarkably lowering thee strength in the vicinity of a sealing, thermally bonded part. - 特許庁

濡れ性を石英ガラスるつぼ内表面に作り出すことによって、この石英ガラスるつぼを用いてシリコン単結晶を引き上げる際にシリコンメルトの湯面振動を抑制することができるようにしたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a large diameter quartz glass crucible for pulling a silicon single crystal, whereby the inner surface of the quartz glass crucible has wettability and surface vibration of a silicon melt can be suppressed when pulling a silicon single crystal with use of the quartz glass crucible. - 特許庁

ＬＡＮケーブルのコネクタに、接続口へ固定するために設けられているロックレバー先端の両側面に、レバーを引き上げる方向、横方向および捩り方向への力を規制し、ケーブルなどが巻き込まれることを防止するためのフックを設ける。例文帳に追加

Hooks are arranged to prevent the cable etc. from being caught in, by regulating forces to pull the lever up, sideways and twisting directions on the LAN cable connector on both side surfaces at a tip of the locking lever which fixes the same to the end connection. - 特許庁

よって本発明はこのリングに支点を設け、リング本体がテコとなり、中蓋を引き上げる接点の位置を適宜配分する事により、支点を利用した力配分により１／３〜１／４の力でリングセットを取り除く事が可能となる。例文帳に追加

Accordingly, this invention provides a fulcrum for the ring, a ring body is used as a lever, and the position of a contact for lifting the inner rid is appropriately distributed, whereby the ring set can be removed by force of 1/3 to 1/4 by force allocation using the fulcrum. - 特許庁

筐体の一面にヒンジ結合されて、その筐体の一面の開口にパッキンを介し嵌め合わせる電池蓋の先端部を、前記筐体の一面に対しほぼ面一にロックする構造において、蓋先端部を指先等で引き上げる必要がなく、防水蓋を簡単に開放できるようにする。例文帳に追加

To easily open a waterproof lid without pulling up the leading end of the lid, in a structure configured such that the leading end of a battery lid hinge-connected to one face of a housing and fitted in an opening in the one face of the housing via a packing is locked to the one face of the housing so as to be substantially flush with the one face. - 特許庁

シリコン融液の表面および内部の温度勾配や速度分布を適切に制御することによって、シリコン単結晶の酸素濃度を制御して且つ径方向に均一に保ちつつシリコン単結晶を高速で引き上げることができる製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a silicon single crystal, with which the silicon single crystal can be pulled at a high speed while keeping the oxygen concentration in the radial direction of the silicon single crystal uniform by controlling the oxygen concentration in the single crystal by appropriately controlling the temperature gradients of the surface and the inside of a silicon melt and the speed distribution in the melt. - 特許庁

包装用袋の素材が何であれ、速やかに脱気をおこなうことができると共に、封止用熱融着部近傍の強度を著しく低下させず、かつ製造コストを引き上げることなく製作することのできる粒状物用熱可塑性合成樹脂薄材製包装用袋を提供する。例文帳に追加

To rapidly degas a packaging bag in spite of its material and make the packaging bag with neither extremely decreasing strength in the vicinity of a hot melt portion for seal nor increasing a production cost. - 特許庁

ボルトのカム部５は、締め付け方向の回転に従って、カム座金４のカム面４ｂに摺接しながらボルト２を漸次引き上げる斜面５ｄと、それに連続しボルト２が十分な締め付けトルクを得た状態でカム面４ｂと接合する座面５ｅとを備える。例文帳に追加

A cam part 5 of the bolt is provided with an inclined face 5d for gradually lifting the bolt 2 in slide contact with the cam face 4b of the cam washer 4 according to rotation in the fastening direction, and a bearing surface 5e continuing from it to be joined to the cam face 4b in the state where a sufficient fastening torque is gained. - 特許庁

取付台６の下面に設けた装着機構１７を敷居１の案内溝３に嵌合し、定置楔片２２よりも下方の可動楔片２５を引き上げることによる楔作用を介して取付台６を敷居１上面２に装着する。例文帳に追加

A mounting mechanism 17 provided on the lower face of a mount 6 is fitted to the guide groove 3 of the sill 1 and the mount 6 is mounted on an upper face 2 of the sill 1 with wedging effect produced by pulling up a movable wedge member 25 located under a fixed wedge member 22. - 特許庁

水平磁場あるいはカスプ磁場を印加するチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造し、育成中の単結晶が有転位化した場合に、有転位化した単結晶を無磁場の状態で溶解した後、再び磁場を印加してシリコン単結晶を引き上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is manufactured by a Czochralski method of impressing a horizontal magnetic field of cusp magnetic field and when the single crystal under growth is dislocated, the dislocated single crystal is melted in the state of the absence of the magnetic field and thereafter again the magnetic field is impressed to the melt and the silicon single crystal is pulled up. - 特許庁

空気取込み口用のプルトップ機構３のリング状つまみ片５を引き上げると、上面１１に刻まれた空気取込み口用の切り取り溝６に規定された空気取込み口封鎖片７２が押し下げられて空気取込み口６１が開口する。例文帳に追加

With a ringlike tab 5 of the air intake pulltop mechanism 3 pulled up, an air intake blocking piece 72 demarcated by a cutting groove 6 for the air intake incised at the upside 11 is pushed down and the air intake 71 is opened. - 特許庁

電源と、前記電源より電力が供給される負荷と、前記電力の消費量の増大を予測する電力消費量予測手段と、前記電力消費量予測手段の予測結果に基づいて、前記負荷に供給される電圧を引き上げる電圧引き上げ手段とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The power controller includes a power supply, a load to which power is supplied from the power supply, a power consumption prediction means for predicting an increase in power consumption, and a means for raising the voltage to be supplied to the load based on the prediction results from the power consumption prediction means. - 特許庁

棒状部はネック部に懸吊されかつ２つの円錐状の端部を有し、この端部の一方がネック部と結合している形で、単結晶をチョクラルスキー法により引き上げる、＜１１３＞方位を有するシリコンからなる単結晶の製造方法例文帳に追加

The method for producing the silicon single crystal with the <113> orientation comprises pulling the silicon single crystal by a Czochralski method in the form of an ingot which is suspended from a neck part and has two conical end parts, one of which is connected to the neck part. - 特許庁

その後、石英ルツボ１ａ内に残存している残存シリコン融液３ａに、シリコン単結晶製造用の原料として使用されないシリコン原料であるルツボ残シリコン塊８を供給して溶融し、この融液９からＣＺ法により原料シリコンインゴット１０を引き上げる。例文帳に追加

A silicon lump 8 remaining in a crucible which is not used as a raw material for producing a silicon single crystal is then supplied to a residual silicon melt 3a remaining in the quartz crucible 1a and melted to produce a melt 9, from which a raw material silicon ingot 10 is pulled by the CZ process. - 特許庁

このドラムの製造方法は、複数の孔１６，１７を設けた側面部１２，１３を円筒体１１の両側面に取り付け機械加工を施して得たドラム１０を表面処理のための処理液槽に浸漬し、その後ドラムを処理液槽から引き上げる。例文帳に追加

In the method for manufacturing a drum, a drum 10 obtained by attaching side pieces 12, 13 in which a plurality of holes 16, 17 have been bored to both side faces of a cylindrical body 11 and by carrying out machining is put in a treatment liquid tank for a surface treatment and then pulled up from the treatment liquid tank. - 特許庁

使用に当たっては、吸収性物品１を股間部にあてがった後、装着者が前記持上げ部材１４の延在部分１４ａを摘んで上方に引き上げることによって、吸収体４を臀部の溝に食い込ませるようにする。例文帳に追加

In the use of the absorbent article, after the absorbent article 1 is applied to the groin region, the user picks an elongated portion 14a of the lifting member 14 to pull it upward by holding it between her fingers, so as to make the absorber 4 sink into the cleavage of the buttocks. - 特許庁

単結晶成長装置において、チャンバの上部の結晶回転部やシール部材がホットゾーンからの輻射熱を受けることによって高温化し、単結晶の回転が停止したり引き上げる単結晶が汚染されたりすることを防止する。例文帳に追加

To prevent the temperature increase of a crystal rotating part and a sealing member above a chamber of a single crystal growing apparatus by the radiation heat generated from a hot zone and the resulting troubles of the stop of the rotation of the single crystal and the contamination of the pulling single crystal. - 特許庁

そして、一対の拡管ヘッドの両端間距離を分岐管の内径に設定した後、主軸を拡管機構と共に回転させながら上昇させることにより、金属パイプに形成した下穴の端面を、拡管ヘッドの円錐台形の形状に沿わせて引き上げることにより、分岐管を成形する。例文帳に追加

And then, the branching tube is formed by pulling up the ending face of the bottom hole formed on a metal pipe along with the shape of truncated cone formed by the expanded tube head, after setting a distance at both ends to the expanding head of a pair to be equal to inner diameter of the branching tube, to be rising by revolving the main shaft together with the expanding tube mechanism. - 特許庁

ワード線ＷＬ０，ＷＬ１の電圧がメモリセル１８ａ〜１９ｂから０情報を読み出す電圧以上になるとダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１を活性化させ、そのダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１に接続されたダミーセル２３ａ〜２４ｂによりビット線ＢＬ０，／ＢＬ０，ＢＬ１，／ＢＬ１の電位を引き上げる。例文帳に追加

When voltages of word lines WL0, WL1 become voltage or above necessary for reading 0-information from memory cells 18a-19b, dummy word lines DWL0, DWL1 are activated, potentials of bit lines BL0, /BL0, BL1, /BL1 are raised by dummy cells 23a-24b connected to this dummy word line DWL0, DWL1. - 特許庁

処理部２は、各入力値が当該照明環境の目的に対して好ましい光放射作用に対応している場合には、評価値を引き上げるように、好ましくない場合は引き下げるように、各入力値を合成し、評価画像又は評価指数を表示部３に表示させる。例文帳に追加

The processing part 2 synthesizes each input value in such a way as to raise an evaluation value in the case that each input value corresponds to actions of optical radiation preferable for the objectives of illumination environments and lower the evaluation value in the case that each input value corresponds to actions of optical radiation not preferable for the objectives of illumination environments to display evaluation images or evaluation indices on the display part 3. - 特許庁

バケツ本体と、一端がバケツ本体に取りつけられる投入紐とを具備する水汲みバケツであって、水を満たしたバケツ本体２を引き上げる際に水がこぼれることを防ぐと共に、バケツ本体を簡易な構造にて構成することができる水汲みバケツを提供する。例文帳に追加

To provide a water scoop bucket provided with a bucket main body and a throw rope the one end of which is attached to the bucket main body, capable of preventing water from spilling from the bucket main body when pulling up the bucket main body filled with washer and capable of being composed of a simple structure. - 特許庁

ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する場合に、石英坩堝を収容する坩堝として、灰分1ppm以下の炭素繊維強化炭素材からなる坩堝（Ｃ／Ｃ坩堝）を使用し、0.3〜0.5mm／minの引き上げ速度でシリコン単結晶を引き上げる。例文帳に追加

When the silicon single crystal is manufactured by a CZ process, a crucible (C/C crucible) consisting of a carbon fiber reinforced carbon material having an ash content of ≤1 ppm is used as the crucible for housing the quartz crucible and the silicon single crystal is pulled up at a pulling up speed of 0.3 to 0.5 mm/min. - 特許庁

水素原子が付与される物質を還元物質で水素生成物質に変えるときに、還元物質が液相中に残留しないために、水素生成物質のみを所定の濃度にまで引き上げることができる水素生成物質の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a hydrogen-generating substance which, when converting a substance to which hydrogen atom is applied to the hydrogen-generating substance with a reducing substance, can raise only the concentration of the hydrogen-generating substance to a given value because the reducing substance does not remain in the liquid phase. - 特許庁

記録紙トレイ１１は昇降機１３の平行リンク機構によって昇降可能となっており、画像形成装置本体から給紙カセット１２を引き出し、記録紙トレイ１１を上方に引き上げることによって、記録紙トレイ１１が水平な姿勢を維持したまま上方へ移動する。例文帳に追加

The recording paper tray 11 can be lifted by a parallel linkage mechanism of a lifter 13 and is moved upward while keeping a horizontal posture by pulling the paper feed cassette 12 out of the image forming device main body and pulling the recording paper tray 11 upwardly. - 特許庁

地下構造物１の建設終了後、内管８を軸回りに回転させ、または上下方向に往復動させながら引き上げることにより、ビット１１で地中壁２の一部を破砕し、地下水が通過可能な通水部１２を形成する。例文帳に追加

After the construction of an underground structure is completed, the inner pipe 8 is pulled up while being axially rotated or vertically reciprocated, and part of the underground wall 2 is crushed by the bit 11 to form a water flow section 12 in which underground water can pass. - 特許庁

前記セード８の凸部17，18を頭部４の溝部９，10に押し込むことで、簡単にセード８を頭部４に取り付けることができ、逆にセード８を頭部４から引き上げることで、簡単にセード８を頭部４から取り外すことができる。例文帳に追加

By pressing in the protrusions 17, 18 into the grooves 9, 10 of the head part 4, the hade is easily to be fitted to the head part 4, on the contrary, by pulling up the shade 8 from the head part 4, the shade can be easily removed from the head part 4. - 特許庁

種結晶２３を用いて抵抗率測定用のサンプル単結晶２１を引き上げ、サンプル単結晶２１の下端に形成されるサンプル単結晶終端部２１ｄを種結晶としてサンプル単結晶２１に連続して製品となる製品単結晶２２を引き上げる。例文帳に追加

A sample single crystal 21 for measuring specific resistance is pulled by using a seed crystal 23, and a product single crystal 22 to be a product is pulled successively to the sample single crystal 21 by using a sample single crystal end part 21d formed at the lower end of the sample single crystal 21 as a seed crystal. - 特許庁

2005年9月に発足したメルケル政権は2007年には付加価値税率を16％から19％に、所得税の最高税率を42％から45％に引き上げる財政健全化措置を講じた59ほか、2009年には憲法を改正して2016年以降の構造的財政赤字60をGDP比0.35％以内に抑制することを義務づけている。例文帳に追加

In 2007, The Merkel Administration, inaugurated in September 2005, took measures toward sound public finance59 by raising the value-added tax rate from 16% to 19% and the highest income tax rate from 42% to 45%, and in 2009, by revising the constitution, obliged that any structural fiscal deficits60after 2016 should be restrained to within 0.35% to GDP. - 経済産業省

ＰＣＭ撮影時には、読取手段２ｂに対する印加電圧を調整することにより、或いは画像処理部３ａにおいて画像処理を行うことにより、放射線画像記録パネル２ａの輝尽性蛍光体に記録された放射線画像の画像信号強度を、ＰＣＭ撮影以外の標準撮影により撮影された放射線画像の画像信号強度と同レベルに引き上げる。例文帳に追加

In PCM photography, the image signal intensity of the radiographic image recorded on the stimulable phosphor of a radiographic image recording panel 2a is raised to the same level as that of the radiographic image taken by standard photography other than the PCM photography by adjusting applied voltage to a reading means 2b or performing image processing in an image processing part 3a. - 特許庁

エッジデファインド・フィルムフェッド・グロース（ＥＦＧ）法により単結晶材を製造する単結晶材製造方法において、平板形状の単結晶を成長させる液だまり３０４の長手方向に対して垂直な方向に結晶成長用のシード基板１３０を配置して引き上げることにより、平板形状の単結晶材を製造する。例文帳に追加

In the method of producing a single crystal material by an edge-defined film-fed growth (EFG) method, the single crystal material having a flat plate form is produced by arranging a seed substrate 130 for crystal- growing in the vertical direction with respect to the longitudinal direction of a liquid pool 304 for growing the single crystal having the flat plate form and pulling up the seed. - 特許庁

分割された黒鉛ルツボを具備する単結晶製造装置を用いて単結晶を引き上げる際、特に低速の回転速度で引上げる場合にも、ヒーター温度を正確に検出し、ヒーター出力を安定して制御することができる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for producing a single crystal which can detect the heater temperature correctly and control the heater output stably, when pulling up a single crystal using a single crystal production apparatus possessing a divided graphite crucible, and also when pulling up especially at a low-speed rotation speed. - 特許庁

単結晶を引き上げる工程において、２次元ＣＣＤカメラで測定したフュージョンリングの画像の中に２本の測定ラインを設定して、それぞれの測定ラインとフュージョンリングとの両側の交点を検出し、前記両側の交点間の間隔に基いて単結晶の中心の位置を算出することによって融液の液面位置を測定する。例文帳に追加

In the single crystal pulling up process, the surface position of the melt is measured by setting two measuring lines in an image of a fusion ring measured by two dimensional CCD camera, then detecting intersection points at both sides of respective measuring lines and the fusion ring, and calculating the center position of the single crystal, based on the intervals between the intersection points at the both sides. - 特許庁

ＣＺ法によるシリコン単結晶製造装置において、長期間の汚染防止の効果を得るために、黒鉛製円筒の内壁を覆う石英製の筒（石英筒）を設置した場合に、引き上げる単結晶の有転位化が発生しやすくなるという問題を解決し、鉄汚染のない高品質のシリコン単結晶を効率よく製造できるシリコン単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a silicon single crystal of a high quality without any iron contamination by solving the following problem: the single crystal to be pulled is apt to dislocate when a cylinder made of quartz (quartz cylinder) for covering the inner wall of a graphite cylinder is provided in order to obtain anticontamination effect for a long period of time in the apparatus for manufacturing the silicon single crystal by a CZ method. - 特許庁

（１）ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、るつぼの回転速度を４ｍｉｎ^-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。例文帳に追加

A silicon single crystal is manufactured by a CZ method under the conditions that the rotation speed of the crucible is controlled to ≤4 min^-1 and that the single crystal is pulled while an inert gas introduced into a growing apparatus to pass over the silicon melt surface is blown to the melt surface to produce a rotating flow along the surface of the single crystal. - 特許庁

耐圧容器９内に配置したＰＢＮルツボ７内のＧａＡｓ融液６から、引上軸１により単結晶を引き上げる化合物半導体単結晶の製造装置において、上記引上軸１にグラファイト製傘１０を取り付け、ＧａＡｓ融液６からの輻射を遮断し、炉体上部を効率よく冷やす構造とする。例文帳に追加

In the apparatus for manufacturing the compound semiconductor single crystal by pulling the single crystal from a GaAs melt 6 in a PBN crucible 7 arranged in a pressure-resistant container 9 with a pulling shaft 1, the structure capable of efficiently cooling the upper part of the furnace is formed by attaching a graphite umbrella 10 to the pulling shaft 1, so as to shield radiation from the GaAs melt 6. - 特許庁

海底地盤Ｇ内に存在するハイドレート層Ｈを掘削し、ガスハイドレートを海上構造物１０に回収する方法として、ハイドレート層Ｈを掘進するとともに、海底の近傍位置の海水をハイドレート層Ｈに送水し、ガスハイドレートと海水との混合物であるガスハイドレートスラリーとして海上構造物１０に引き上げるようにした。例文帳に追加

The method of digging a hydrate layer H existing within sea ground G to collect gas hydrates into an offshore structure 10 includes digging the hydrate layer H, feeding sea water near the surface of the sea into the hydrate layer H, and raising a mixture of the gas hydrates and the sea water onto the offshore structure 10 as a gas-hydrate slurry. - 特許庁

海底地盤Ｇ内に存在するハイドレート層Ｈを掘削し、ガスハイドレートを海上構造物１０に回収する方法として、ハイドレート層Ｈを掘進するとともに、海表面付近の温海水をハイドレート層Ｈに送水し、ガスハイドレートと海水との混合物であるガスハイドレートスラリーとして海上構造物１０に引き上げるようにした。例文帳に追加

The method of digging a hydrate layer H existing within sea ground G to collect gas hydrates into an offshore structure 10 includes digging the hydrate layer H, feeding sea water near the surface of the sea into the hydrate layer H, and raising a mixture of the gas hydrates and the sea water onto the offshore structure 10 as a gas-hydrate slurry. - 特許庁

回転する坩堝内に存在する、ドーパントを含有する溶融液から単結晶を引き上げることにより、高濃度にドーピングされたシリコン単結晶を製造する方法において、単結晶引上時の成長変動が−０．３ｍｍ／ｍｉｎ〜０．３ｍｍ／ｍｉｎとなるように制限することを特徴とする、高濃度にドーピングされたシリコン単結晶の製造方法。例文帳に追加

In a method for producing the highly doped silicon single crystal by pulling the single crystal from a molten material which contains dopant and is held in a rotating crucible, growth fluctuations during the pulling of the single crystal are limited to an amount of -0.3 to 0.3 mm/min. - 特許庁

ケーシングドライバーによりケーシング２を回転させつつその先端部を水底地盤面に貫入させて埋設構造物の全体あるいはその一部を取り込み、ケーシング内において水底地盤を掘削するとともにケーシング内に取り込んだ埋設構造物をケーシング内から引き上げて撤去した後、ケーシングを引き上げる。例文帳に追加

The buried structure is wholly or partially taken in by making the leading end of the casing driver penetrate the subaqueous ground plane, while rotating the casing 2 by the casing driver; the subaqueous ground plane is excavated in the casing; the buried structure taken into the casing is pulled up from inside the casing and removed; and subsequently, the casing is pulled up. - 特許庁

育成結晶のアニール、ポーリングを行いながら、連続的に単結晶を引き上げる酸化物単結晶育成装置、及び安定した温度環境化で結晶育成を行い、育成収率の向上ならびに、坩堝、耐火物の寿命を向上させることにより育成コストを大幅に低減するタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の酸化物単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide single crystal growth device that continuously pulls up a single crystal while annealing and poling the grown crystal and to provide a method for manufacturing an oxide single crystal such as lithium tantalate and lithium niobate by which a crystal is grown in a stable temperature environment, the growth yield is improved and the growth cost is significantly decreased by improving the lifetime of a crucible and a refractory material. - 特許庁

スライダ２９は、前後方向に貫通する通路２９Ａと、これに連なって下面側に開放するスロット溝２９Ｂとを備え、このスロット溝２９Ｂ内に、フレーム１６の前後方向に延びるガイド軸２８を位置させて押し込むことによって装着可能であり、反対方向に引き上げることで取り外し可能となっている。例文帳に追加

The slider 29 comprises a passage 29A piercing longitudinally and a slot groove 29B connected with the passage for opening to a lower face side, which can be mounted by positioning and pushing in a guide shaft 28 extending in a longitudinal direction of the frame 16 and detached by pulling up in the opposite direction. - 特許庁

吸着グリップ４０を上方に引き上げる際に、昇降用モータ５８に大きな負荷が作用すると、その負荷の増大に応じてチェーン移動用シリンダ５５に対するエアの供給圧を増大させてシリンダ５５の出力を高め、そのシリンダ５５で吊下げチェーン５１を移動させて昇降用モータ５８の負荷を低減させる。例文帳に追加

When pulling the sucking grip 40 upward, when a large load acts on the lifting motor 58, an output of a cylinder 55 is enhanced by increasing the supply pressure of air to the chain moving cylinder 55 according to an increase in load, and the load of the lifting motor 58 is reduced by moving the chain 51 by being suspended by its cylinder 55. - 特許庁

両面に案内溝を有する基板１４を記録層形成液１８に浸漬する工程と、浸漬した基板１４を記録層形成液１８から引き上げる工程と、引き上げた基板１４を乾燥して基板１４の両面に記録層を形成する工程と、を有することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the optical information recording medium has a process for immersing a substrate 14 having guide grooves on both surfaces thereof in a recording layer forming liquid 18, a process for pulling up the immersed substrate 14 from the recording layer forming liquid 18 and a stage for drying the pulled-up substrate 14 to form the recording layers on both the surfaces of the substrate 14. - 特許庁

溶融めっきラインのめっき浴１７に金属帯１１を浸漬させた後、シンクロール１８を介して前記めっき浴１７から引き上げるにあたり、前記めっき浴１７への前記金属帯１１の進入板温度を、前記シンクロール１８の表面温度が前記めっき浴１７の温度より高くなるように制御する。例文帳に追加

In pulling up the metallic band 11 from a plating bath 17 of a hot-dip coating line via the sink roll 18 after immersing the metallic band 11 into the plating bath 17, the advancing sheet temperature of the metallic band 11 into the plating bath 17 is so controlled that the surface temperature of the sink roll 18 attains the temperature higher than the temperature of the plating bath 17. - 特許庁