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該当件数 : 36978



例文

)、Si:0.1%以下(0%を含まない)、Mn:2.0〜3.5%、P:0.05%以下(0%を含まない)、S:0.05%以下(0%を含まない)、Al:0.005〜0.1%、およびN:0.015%以下(0%を含まない)を満たし、残部が鉄および不可避不物であって、金属組織が、ベイナイトを母相組織とするものであって、全組織に対する割合で、フェライトの面積率:3〜20%、およびマルテンサイトの面積率:10〜35%を満たすことを特徴とする、引張強度が980MPa以上の加工性に優れた高降伏比高強度の溶融亜鉛めっき鋼板または合金化溶融亜鉛めっき鋼板である。例文帳に追加

The hot dipped galvanized steel sheet or the alloyed hot-dip galvanized steel sheet is also characterized in that the metallic structure thereof contains bainite as a matrix structure, and the area ratio of ferrite is 3 to 20% and the area ratio of martensite is 10 to 35% relative the entire structure. - 特許庁

本発明に係るN−ビニルカルバゾール共重合体位相差フィルムの製造方法は、度99.0質量%以上のカルバゾールからN−ビニルカルバゾールを合成する工程;1質量%以上、15質量%以下のN−ビニルカルバゾールおよび85質量%以上、99質量%以下の(メタ)アクリル酸系モノマーを含むモノマー群を共重合する工程;および、得られた共重合体をフィルム状に加熱成形する工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the N-vinylcarbazole copolymer retardation film includes steps of: composing N-vinylcarbazole from carbazole with a purity of 99.0 mass% or more; copolymerizing a monomer group containing 1-15 mass% N-vinylcarbazole and 85-99 mass% (meth)acrylate-based monomer; and heat-molding the obtained copolymer into film shape. - 特許庁

)、Si:1.2%以下(0%を含まない)、Mn:3.8%以下(0%を含まない)、P:0.03%以下(0%を含まない)、S:0.03%以下(0%を含まない)、N:0.01%以下(0%を含まない)、Ti:0.2%以下(0%を含まない)およびREM:0.0003〜0.05%を含有し、残部が鉄および不可避不物からなるREM含有鋼を製造する方法であって、REM添加前の溶鋼中の溶存酸素量Q_Ofを0.0001〜0.015%の範囲に調整し、その後にREMを添加するにあたっては、前記溶存酸素量Q_OfとREM添加量Q_REMが下記(1)式を満足する量のREMを添加して溶製する。例文帳に追加

(no containing 0%) N, ≤0.2% (no containing 0%) Ti and 0.0003-0.05% - 特許庁

チオール基含有化合物で変性したスルホン酸型陽イオン交換樹脂よりなるビスフェノール化合物製造用の酸性触媒の製造方法であって、変性に用いたチオール基含有化合物の保護基であるアシル基由来の不物のビスフェノール化合物生成反応系への混入の問題を解決することができる酸性触媒を、煩雑な操作や特別な装置を要することなく工業的に有利に製造する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an acidic catalyst for manufacturing a bisphenol compound comprising a sulfonic acid type cation exchange resin modified by a thiol group-containing compound, which can solve a problem wherein impurities originating from an acyl group being the protective group of the thiol group-containing compound used in modification get mixed in a bisphenol compound forming reaction system, in an industrially advantagious manner without requiring complicated operation or a special device. - 特許庁

例文

あるいは、1.5質量%以下の銅を含み残部の主成分が錫からなる第1のはんだ合金と、2.0質量%以上の銅を含み残部の主成分が錫からなる第2のはんだ合金および銅の少なくとも一方とを所定の質量比で重ね合わせ、熱間圧延工程よって3質量%以上10質量%以下の銅を含み残部の主成分が錫からなるペレット状のはんだ合金を製造するものである。例文帳に追加

Alternatively, a first solder alloy containing ≤1.5 mass% copper and the balance mainly tin, and at least one of a second solder alloy containing2.0 mass% copper and the balance mainly tin and pure copper are superposed at the predetermined mass ratio to produce the pellet-like solder alloy containing 3-10 mass% copper and the balance mainly tin by the hot-rolling process. - 特許庁


例文

硫黄成分を含有する金属試料を酸素ガス雰囲気下で高周波誘導加熱により燃焼させて、硫黄成分を二酸化硫黄まで酸化させる高周波誘導加熱工程と、金属試料の燃焼により生成する二酸化硫黄を含む二酸化硫黄含有ガスを紫外蛍光法により分析して金属試料中の硫黄を定量する分析工程とを含む金属試料中の硫黄の分析方法である。例文帳に追加

The method for analyzing sulfur in the metal sample includes a high-frequency induction heating process of oxidizing a sulfur component to sulfur dioxide by burning the metal sample containing the sulfur component by high-frequency induction heating under a pure oxygen gas atmosphere, and an analyzing process of quantitatively determining the sulfur in the metal sample by analyzing the sulfur dioxide containing gas containing sulfur dioxide produced by combustion of the metal sample by an ultraviolet fluorescence method. - 特許庁

本発明の真空処理装置1は、真空チャンバ3と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Sを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段4と、前記基板保持手段の吸着面に対してUV光を照射し、該吸着面に付着した不物を除去するUV照射手段90と、を少なくとも備えたことを特徴とする。例文帳に追加

The vacuum processing apparatus 1 includes at least a vacuum chamber 3, an substrate holding means 4 arranged in the vacuum chamber 3 and having an electrode for the electrostatic chuck configured to electrostatically attract a substrate S and a heating mechanism configured to heat the substrate, and a UV irradiation means 90 of irradiating the attraction surface of the substrate holding means with UV light to remove the impurity sticking on the attraction surface. - 特許庁

電気再生式水製造装置の脱塩室にイオン交換樹脂を充填する方法であって、高度の熟練した技術を必要とせず、イオン交換樹脂の性能を損なうことなく、脱塩室の壁面を構成するイオン交換膜を破損する恐れがなく、しかも、各部屋に均一に充填することが出来、さらに、弱電解質成分の除去効率を高めることが出来るイオン交換樹脂の充填方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for filling the desalting chamber of an electric regeneration-type pure water making apparatus with the ion exchange resin, requiring no highly skilled technique, not damaging the performance of the ion exchange resin, not having the risk of damaging an ion exchange resin membrane constituting the wall surface of the desalting chamber, capable of uniformly filling respective chambers, and capable of improving the removal efficiency of weak electrolyte components further. - 特許庁

時間tにおいて被制御システム100の現在の状態をサンプリングし、操作変数MV軌跡を最小化する費用関数が将来の比較的短い時間区間の間にMPCモデルを用いて計算され、MPCは最適解を見つけるために二次計画(QP)アルゴリズムを使用し、QPアルゴリズムは、勾配射影に基づいておよびニュートンステップ射影を使用して、単制約を有するアクティブセットソルバクラスアルゴリズムを使用して解かれる。例文帳に追加

Sampling a current state of the controlled system 100 at time t, a cost function minimizing manipulated variables MV trajectories is computed with the MPC model for a relatively short time interval in the future, wherein the MPC uses a quadratic programming (QP) algorithm to find the optimal solution, and wherein the QP algorithm is solved by using an Active Sets solver class algorithm with simple constraints based on gradient projection and by using Newton step projection. - 特許庁

例文

2−ヒドロキシイソ酪酸エステルを有機塩基の存在下にスルフリルフルオリド(SO_2F_2)と反応させることにより2−フルオロイソ酪酸エステルの含有組成物を合成し(脱ヒドロキシフッ素化反応工程)、得られた2−フルオロイソ酪酸エステルの含有組成物を空気または酸素と接触させながら蒸留精製を行うことにより(エアレーション蒸留工程)、高度の2−フルオロイソ酪酸エステルを収率良く製造することができる。例文帳に追加

A reaction of 2-hydroxybutyrate and sulfuryl fluoride (SO_2F_2) is carried out in the presence of an organic base to synthesize a 2-fluoroisobutyrate-containing composition (dehydroxy fluorination reaction step); the resulting 2-fluoroisobutyrate-containing composition is subjected to distillation purification while being brought into contact with air or oxygen (aeration distillation step); whereby a 2-fluoroisobutyrate at high purity is produced in a good yield. - 特許庁

例文

本発明の製造方法は、(a)基質としての原材料のレシチンと、粒子サイズが0.01mm以上の非水溶性の界面活性剤マトリックス材料とを用いるステップと、(b)前記の非水溶性の界面活性剤−マトリックス材料と原材料のレシチンとの混合物と、ホスホリパーゼD、ラセミ酸または異性体的に粋なアミノ酸、またはアミンと塩とを、pH−バッファ水溶液内で、酵素処理するステップとを有する。例文帳に追加

The production method includes (a) a step using raw material lecithin as a substrate and a water-insoluble surfactant matrix material having a particle size of 0.01 mm or more, and (b) a step for enzymatic treatment of a mixture of the water insoluble surfactant-matrix material with the raw material lecithin, and phospholipase D, racemic acid or isometrically pure amino acid, or amine and a salt, in a pH-buffer aqueous solution. - 特許庁

このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム16および走査液回収アーム16の先端に設置した走査液回収冶具16aを動作させることによって、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台6を回転させて不物を含む薬液を回収する。例文帳に追加

A scanning liquid recovery arm 16 and a scanning liquid recovery tool 16a installed at the tip of the scanning liquid recovery arm 16 are operated in a recovery region from a scanning start position to a scanning end position on a wafer surface set based on the origin position of the wafer, thus rotating the wafer turning table 6 for recovering a liquid chemical including impurities while the liquid chemical is in contact with the wafer surface in the recovery region. - 特許庁

抵抗スイッチ素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に、セット電圧を印加することにより、前記誘電体膜の状態を第1の抵抗状態から、より高抵抗の第2の抵抗状態に遷移させるセット電圧源と、を含み、前記誘電体膜は、非ドープまたは深い不物でドープされたペロブスカイト膜より構成される。例文帳に追加

The resistance switch element includes a lower electrode, a dielectric film formed on the lower electrode, an upper electrode formed on the dielectric film, and a set voltage source that changes the state of the dielectric film from a first resistance state to a second resistance state of higher resistance by applying a set voltage between the lower electrode and the upper electrode, wherein the dielectric film is formed of a perovskite film which is not doped or doped with a deep impurity. - 特許庁

本発明が提供する塩化カリウムの製造方法は、製塩工程から生成する苦汁の冷却方法を検討し、効率良く高度の塩化カリウムを回収することを特徴とするものであり、製塩工程から生成する苦汁に水を添加して、一定温度に保持するよう調整された苦汁中に流入分散させて急冷却することにより、多成分で構成される苦汁中から選択的に塩化カリウムを析出させ、回収することができる。例文帳に追加

The method for producing potassium chloride by using bittern, in which high-purity potassium chloride is recovered efficiently by cooling the bittern to be produced by the salt making process, comprises the steps of: adding water to the bittern to be produced by the salt making process; making water flow dispersedly in the bittern adjusted to keep constant temperature; quickly cooling the resulting bittern to selectively precipitate potassium chloride from the bittern comprising many components; and recovering the precipitated potassium chloride. - 特許庁

従来の局所排気技術等による竜巻の生成は部屋、容器、誘導管や噴射装置、ファンケース等が必要であり複雑かつ製作も容易でなく、又、竜巻へのエネルギー投入が直接でないため効率が低く、さらに、機械や装置の大きさに対する竜巻の伸長度も小さく、海上などで発生する自然竜巻のような自由空間で丈の高い竜巻の生成を主な目的とする場合にはその構成に問題があり、もっと効率が良く単で簡易な人工竜巻発生機を実現することが本発明の目的。例文帳に追加

To provide a simple and easy artificial tornado generator capable of improving efficiency in comparison with creation of tornado by conventional local air discharge technology or the like. - 特許庁

このときのステレオ処理の総演算量は、探索幅wが同じであるため、通常画像のステレオ処理の総演算量の1/4となり、単に通常画像の探索幅wを2倍にして遠距離の対象物から近距離の対象物Bまでを測距可能とする場合に比較してステレオ処理の演算量を1.25倍に抑えることができ、処理時間の増加、計算コストの増加を抑えつつ、遠距離の対象物から近距離の対象物Bまで測距可能となる。例文帳に追加

This enables measurement of distances from a long-range object to a short-range object B while suppressing the increase of processing time and computational cost. - 特許庁

一般式(1)(式中、R^1はメチル基等を表わし、R^2はハロゲン原子等を表わし、R^3およびR^4は炭素数1〜4のアルキル基等を表わし、Xは酸素原子等を表わし、Yは酸素原子等を表わし、nは0〜4の整数を表わし、*は不斉炭素原子を表わす。)で示される光学活性アルコール誘導体と一般式(2)(式中、Zはハロゲン原子を表わし、R^5はピリジル基等を表わす。)で示されるハロゲン化含窒素複素環化合物とを、光学度の低下を抑えて、縮合させる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for condensing an optically active alcohol derivative of general formula(1) and a halogenated nitrogen-containing heterocyclic compound of general formula(2) through suppressing lowering the optical purity of the final product. - 特許庁

結晶格子中に、2価あるいは3価の金属ドーパントを面的欠陥として持ち、金属イオン及び/又は金属原子が未酸化状態あるいは不飽和の低次酸化状態にあって、大きな不物準位を有しながら標準的な格子定数に歪みを与えない結晶構造を有してなる高温合成された二酸化チタンを含有することを特徴とする化粧料の用酸化防止剤に効果のある二酸化チタン。例文帳に追加

The antioxidant for the cosmetic contains titanium oxide having a divalent or trivalent metal dopant in a crystal lattice as a plane defect, having a metal ion and/or a metal atom in an unoxidized state or an unsaturated low-level oxidation state, having a crystal structure giving no strain to a standard lattice constant while having a large impurity level, synthesized at high temperature and effective as the antioxidant for the cosmetic. - 特許庁

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも2層以上の不物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタ。例文帳に追加

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, at least two layers where the concentration of impurities is different are composed in an empty region that greatly affects the element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor from a gate electrode end to source/drain electrode ends, thus reducing the series resistance of the heterojunction field effect transistor, and at the same time achieving a high element breakdown voltage. - 特許庁

この発明のp型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法では、p型不物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層3を作製する第1の工程と、その窒化ガリウム系化合物半導体層3上に金属等からなる触媒層7を作製する第2の工程と、その触媒層7を付けた状態での窒化ガリウム系化合物半導体層3を熱処理する第3の工程とを含む、ことを特徴とする例文帳に追加

A method for manufacturing a p-type gallium nitride compound semiconductor comprises a first step of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor layer 3 in which a p-type impurity is added, a second step of manufacturing a catalytic layer 7 made of a metal or the like on the layer 3, and a third step of heat treating the layer 3 in a state in which the layer 7 is attached. - 特許庁

水蒸気改質装置の構成部を一体的に構成してコンパクト化をなし、熱供給源として円筒状のメタルファイバーバーナーを適用して均一な加熱を可能とし、触媒層の温度勾配を減らして改質反応の効率を極大化し、燃焼排気ガスを用いて水蒸気を発生させてエネルギー利用効率を高めることにより、全体システムの単化及び施設、運転費用の節減を図り得るコンパクト型水蒸気改質装置を提供する。例文帳に追加

To provide a compact steam reforming system which can simplify the whole system and save the costs for the facility and operation, by integrally constituting its constitution units, installing a metal fiber burner as a heat supply source for uniform heating, maximizing the efficiency of a reforming reaction by decreasing the temperature gradient of a catalyst, and increasing the efficiency of energy usage by forming the steam using exhaust combustion gas. - 特許庁

2本の蒸留塔を用いてメタクリル酸メチルを精製するに際し、重合防止剤の存在下、第一の蒸留塔に送入されるメタクリル酸メチルの送入位置の下部からエチレンアミン類を添加し、塔上部から低沸点不物を取除き塔下部からメタクリル酸メチルを取り出し、つづいて第二の蒸留塔にメタクリル酸メチルを送入し塔上部からメタクリル酸メチルを取り出すことにより、イソプロペニルメチルケトンを除去することを特徴とする方法が開示される。例文帳に追加

The purification method is to add an ethyleneamine below a feeding position for feeding methyl methacrylate to a first distillation tower, remove impurities having low boiling points from the upper part of the tower, remove methyl methacrylate from the lower part of the tower, subsequently feed methyl methacrylate to a second distillation tower and take out methyl methacrylate and remove isopropenyl methyl ketone. - 特許庁

すべてのヌクレオシドユニットが実質的にすべてSpのホスホロチオエート糖間結合または実質的にすべてRpのホスホロチオエート糖間結合のいずれかにより一緒に連結されているホスホロチオエートオリゴヌクレオチド、好ましくは、標的RNAまたはDNAの配列の少なくとも一部に相補的であるホスホロチオエートオリゴヌクレオチド、ならびに、実質的にキラル的に粋な糖間結合を有する配列特異的ホスホロチオエートオリゴヌクレオチドを合成する化学的および酵素的方法を提供する。例文帳に追加

The phosphorothioate oligouncleotide in which all nucleotide units are bound to each other through either of substantially all Sp phosphorothioate intersugar bonds or substantially all Rp phosphorothioate intersugar bonds, preferably the phosphorothioate oligonucleotide at least partially complementary to the sequence of a target RNA or DNA, and a method for chemically or enzymatically synthesizing a sequence-specific phosphorothioate oligonucleotide having substantially chirally pure intersugar bonds is provided. - 特許庁

滑動抵抗材において、その内蔵固定用金属製板32への固定用ボルトの端部の取付け部を、台座状の構造とし、さらにコンクリート躯体側に突き出た凸型の構造とすることにより、該取付け部の強度並びに耐久性を飛躍的に高めることが可能であるばかりでなく、コンクリート本体と該突き出た凸型部とが係合した形となり、横向きの力は内蔵固定用金属製板とコンクリート本体とで支えることとなり、単な且つ経済的な構造で、重力式構造物本体と変わらない強度並びに耐久性を与え得る。例文帳に追加

By the constitution, the strength of the mounting section and the durability can be rapidly increased, a concrete main body can be interlocked with a projected convex section, lateral force is borne on the built-in fixing metal plate and concrete main body, and the same strength and durability as those of a gravity structure main body can be provided by simple and economic structure. - 特許庁

更にSiに対し減衰深さが深く、従ってSi自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりSiを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。例文帳に追加

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region. - 特許庁

Mg:2.0%を越え3.4%以下、Mn:0.20〜0.50%、Fe:0.28%以上0.60%未満、Si:0.04〜0.20%を含有し、且つFeとMnの合計含有量が0.6〜1.0%であり、残部Alおよび不物からなるアルミニウム合金硬質板であって、板表面におけるAl−Fe−Mn系晶出物の面積占有率が1.0%を越え3.0%未満、Mg−Si系晶出物の面積占有率が0.2%未満であり、絞り成形時の45°耳率が4.0%未満、0−180°耳率が4.0%未満であることを特徴とする。例文帳に追加

In this sheet, the area occupancy of Al-Fe-Mn crystals and that of Mg-Si crystals at sheet surface are made to >1.0 to <3.0% and <0.2%, respectively, and also 45° earing ratio and 0 to 180° earing ratio at drawing are made to <4.0%, respectively. - 特許庁

グラフィックスパイプラインが頂点状態情報を保持することを可能にし、インデックス付けされたものと直接の頂点値および属性とを混合することを可能にするユニークな頂点表現、投影行列値セットコマンド、表示リスト呼び出しオブジェクトコマンド、および埋め込みフレームバッファクリア/セットコマンドを含んだ特徴をもち、アプリケーションプログラマが容易に使用し習熟することができ、単かつパワフルな構築物を備える。例文帳に追加

The graphics programming interface is provided with simple and powerful structure having characteristics including unique apex expression to enable a graphics pipeline to hold apex state information and to mix indexed and direct apex values and attributes, a projection matrix value set command, a display list call object command and an embedded frame buffer clear/set command, in which an application programmer is easily used and mastered. - 特許庁

本発明のガスセンサは、導電型の異なる第1半導体層及び第2半導体層と、各々の半導体層とそれぞれコンタクトしているオーミック電極と、これらのオーミック電極のうちのいずれか一方の表面に設けられ、水素原子を有する分子から水素原子を解離する触媒層と、を備え、触媒層が設けられたオーミック電極とコンタクトしている半導体層は、不物濃度に応じた所定の膜厚を有する。例文帳に追加

The gas sensor is provided with a first semiconductor layer and a second semiconductor layer of different conductivity types, ohmic electrodes in contact with the respective semiconductor layers, and a catalyst layer provided on one surface of the ohmic electrode for dissociating a hydrogen atom from a molecule having the hydrogen atom, and the semiconductor layers in contact with the ohmic electrode provided with the catalyst layer has a specified thickness corresponding to a concentration of an impurity. - 特許庁

デッキ1を構成する複数枚のカードに、攻撃力と守備力とが更に表示された複数枚の対戦タイプのダメージ吸収力表示カードCH,Mと、使用されたときに表示されている効果を発揮する複数枚の表示効果発揮タイプのダメージ吸収力表示カードIと、カードゲーム用フィールド7上に置かれている場合にのみ機能を発揮する単タイプのダメージ吸収力表示カードDとを含める。例文帳に追加

A plurality of cards comprising the deck 1 includes a plurality of fighting type damage absorbing power display cards CH and M displaying an offensive power and a defensive power, a plurality of display effect exhibiting type damage absorbing power display cards I exhibiting displayed effects when being used, and simple type damage absorbing power display cards D exhibiting a function only when being placed on a card game field 7. - 特許庁

質量%で、C:0.03〜0.25%、Si:0.25〜0.60%、Mn:2.00%以下、P:0.035%以下、S:0.01%以下、Cr:11.0〜15.5%、Ni:0.60%以下、Cu:0.80%以下、Sn:0.03〜0.15%、V:0.060%以下、Al:0.03%以下、N:0.01〜0.08%、残部Fe及び不可避的不物からなる鋼組成を有し、かつ、SnとNの範囲が下記(A)式を満たすと共に、焼入れ或いは焼入れ焼戻しにより硬度が300〜600HVであることを特徴とする耐食性に優れたマルテンサイト系ステンレス鋼。例文帳に追加

The martensitic stainless steel having excellent corrosion resistance has a steel composition comprising, by mass, 0.03 to 0.25% C, 0.25 to 0.60% Si, ≤2.00% Mn, ≤0.035% P, ≤0.01% - 特許庁

重量%で、C:0.0040〜0.01%、Si:0.07%以下、Mn:0.1〜1.0%、P:0.01〜0.05%、S:0.02%以下、N:0.004%以下、Nb:0.15%以下、かつ(1)式を満足する残部が実質的にFeおよび不可避的不物からなる成分を有する鋼をAr3点以上で熱間仕上圧延を終了後、500〜700℃で巻取りし、冷間圧延、焼鈍および亜鉛めっき処理を施し、単軸引張り試験による公称ひずみ1%と10%の2点法のn値が0.21以上であることを特徴とする、耐二次加工脆性および成形性に優れた高強度薄鋼板およびその製造方法。例文帳に追加

This high strength thin steel sheet excellent in secondary working embrittlement resistance and formability is the one in which, as to steel having components contg., by weight, 0.0040 to 0.01% C, ≤0.07% - 特許庁

式中、Mmは、希土類元素混合物を表し、La40〜50重量%と、Ce25〜35重量%と、Pr30重量%以下と、Nd30重量%以下と、不可避不物とからなり、y、z、w、x、tは、Mmに対するモル比を表し、0.4≦y≦0.8、0.25≦z≦0.45、0.2≦w≦0.4、0.98≦x≦1.05、0<t≦0.2であり、水素吸蔵合金を母相とする組織内にTi化合物が分散させることで、寿命が長く、高容量でかつ高率放電特性、低温特性に優れた水素吸蔵合金および、電極を得ることができる。例文帳に追加

Since a Ti compd. is dispersed in a texture with the hydrogen storage alloy as a parent phase, the resultant hydrogen storage alloy and an electrode having a long service life and a high capacity and excellent in high rate discharge characteristics and low temp. characteristics can be obtained. - 特許庁

水を電気分解することで水素および酸素ガスを発生させる電解槽14と、電解槽14で生成した水素ガスおよび酸素ガスを湯水に混合する混合手段21を備えた構成とし、電気分解で生成した水素ガスもしくは酸素ガスを混合することで、次亜塩素酸イオンを生成することなく、湯水に気体を混合することができ、シャワーや洗面、台所等にも皮膚や頭髪にダメージを与えない気体を混合した湯水を供給することができる。例文帳に追加

This water heater with the gas mixing function is provided with an electrolytic bath 14 for generating hydrogen gas and oxygen gas by electrolyzing pure water, and a mixing means 21 for mixing the hydrogen gas and the oxygen gas generated by the electrolytic bath 14 into the hot water; and the hydrogen gas or the oxygen gas generated by electrolysis is mixed. - 特許庁

本発明では、被照射体通路と同軸の円錐状の軌道を走行する加速された電子を、円板状の電子透過窓を通過させた後に、これと同軸的に設けられた磁石を用いて被照射体通路に向かって集中させるとともに、前記の電子透過窓の前方に設けた同軸コリメータを用いてX線の分布を制限することによって、被照射体通路内の被照射体に化された電子線のみを照射するようにしている。例文帳に追加

Accelerated electrons running on a circular cone-shaped orbit coaxial with the irradiation object passage are transmitted through a discoid electron transmission window, and concentrated toward the irradiation object passage by using a magnet provided coaxially therewith, and an X-ray distribution is restricted by using a coaxial collimator provided in front of the electron transmission window, to thereby irradiate only the purified electron beam onto the irradiation object in the irradiation object passage. - 特許庁

塩化ルテニウム酸水溶液を陽イオン交換膜に介して塩酸溶液と接触させ、前記前記塩化ルテニウム酸水溶液中に陰極を挿入し、前記塩酸溶液中に陽極を挿入して前記陽極と陰極の間に直流電流を流すことにより、陰極側において4価ルテニウムイオンを3価ルテニウムイオンに還元して3価ルテニウムイオンに化することを特徴とする精製塩化ルテニウムの製造方法。例文帳に追加

The method of preparing the refined ruthenium chloride comprises bringing the aqueous ruthenium chloride acid solution into contact with a hydrochloric acid solution across a cation exchange membrane, inserting an cathode into the aqueous ruthenium chloride acid solution, inserting the anode into the hydrochloric acid solution and passing a direct current between the anode and the cathode thereby reducing the quadrivalent ruthenium ions to the tervalent ruthenium ions on the cathode side and purifying the quadrivalent ruthenium ions to the tervalent ruthenium ions. - 特許庁

塩化亜鉛とトリアルキルアルミニウムとを原料とし、一の反応により、ジアルキル亜鉛とジアルキルアルミニウムモノハライドとの双方を、反応過程での析出物の生成を抑制し、析出物の装置への付着や生成物への混入を抑制し、工業的規模で効率よく、度、収率共に高く製造することを可能とする、ジアルキル亜鉛及びジアルキルアルミニウムモノハライドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing dialkyl zinc and dialkylaluminium monohalide in which zinc chloride and trialkylaluminium are made to be a raw material, both dialkyl zinc and dialkylaluminium monohalide can be manufactured by one reaction, the generation of a deposit in a reaction process is controlled, the adhesion to an apparatus and mixing into product of a deposit are controlled, the efficiency is high on an industrial scale, and the purity and yield are high. - 特許庁

廃芳香族ポリカーボネート樹脂(例えば不要となったCD等の情報メディア材料、自動車ヘッドランプレンズ、シート等の芳香族ポリカーボネート樹脂製品)を安価で大量に処理し、高度の芳香族ジヒドロキシ化合物のアルカリ金属水酸化物水溶液を回収する方法において、その際に発生する排水に起因する排水処理工程の能力低下を防止する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for preventing the capacity reduction of a discharging water-treating process caused by the discharging water formed in the process of recovering an aqueous alkali metal oxide solution of a high purity aromatic dihydroxy compound in treating waste aromatic polycarbonate resin (e.g. disused articles from aromatic polycarbonate products such as information media materials such as CDs, the head lamps, sheets, etc., of automobiles) inexpensively in a large amount. - 特許庁

一般式(I)(式中、R^1およびR^2は、それぞれ炭素数1〜3のアルキル基を示し、それらはたがいに同一であっても異なっていてもよい。)で表されるサクシンイミド誘導体を含むカチオン系重合体溶液に、イオン交換膜電気透析で除去可能な無機塩を加え、この溶液をイオン交換膜電気透析に付してサクシンイミド誘導体を除去することを特徴とする、高度カチオン系重合体の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the high-purity cation type polymer includes: adding an inorganic salt that is removable by ion exchange membrane electrodialysis into a cation type polymer solution containing a succinimide derivative represented by general formula (I) (wherein R^1 and R^2, which may be the same or different, are each 1-3C alkyl); and subjecting this solution to ion exchange membrane electrodialysis to remove the succinimide derivative. - 特許庁

150nmよりも薄い反射防止膜5を半導体基板1の上に形成する工程と、前記反射防止膜5の上にレジスト6を塗布する工程と、放射線を使用して前記レジスト6を露光する工程と、露光された前記レジスト6を現像する工程と、現像された前記レジスト6をマスクに使用して前記反射防止膜5を通して前記半導体基板1に不物を注入する工程と、前記レジスト6と反射防止膜5を同じエッチャントによって除去する工程とを含む。例文帳に追加

This method comprises the steps of forming a thinner antireflection film 5 than 150 nm on a semiconductor substrate 1, coating a resist 6 on the antireflection film 5, exposing the resist 6 by the use of radiation rays, developing the resist 6 exposed, injecting impurities into the semiconductor substrate 1 through the antireflection film 5 using the developed resist 6 as a mask, and eliminating the resist 6 and antireflection film 5 with the same etchant. - 特許庁

4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホンを75重量%以上、ならびに2,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホンおよびトリヒドロキシトリフェニルジスルホンを合計で25重量%以下含有する異性体混合物を、必要に応じて塩基性物質を添加した水系溶媒に、温度102〜140℃で溶解させ、次いで冷却して4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホンを析出させて分離することを特徴とする高度4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホンの製造方法。例文帳に追加

An isomer mixture containing75 wt.% 4,4'- dihydroxydiphenylsulfone and ≤25 wt.% 2,4'-dihydroxydiphenylsulfone and trihydroxytriphenyldisulfone in total is dissolved in an aqueous solvent optionally incorporated with a basic substance at 102-140°C, the solution is cooled and the precipitated 4,4'-dihydroxydiphenylsulfone is separated to obtain the 4,4'- dihydroxydiphenylsulfone in high purity. - 特許庁

白金族元素と不物元素を含む塩化物溶液から白金族元素を回収する方法において、塩化物溶液をポリアミン型アニオン交換樹脂と接触させて白金族元素を選択的に吸着させる第一の工程、吸着処理後の樹脂を洗浄処理する第二の工程、及び洗浄処理後の樹脂から白金族元素を溶離させる第三の工程を含むことを特徴とする白金族元素の分離回収方法などによって提供。例文帳に追加

The method of separating and recovering platinum group elements from the chloride solution containing platinum group elements and impurity elements comprises: a first stage where a chloride solution is brought into contact with a polyamine type anion exchange resin to selectively adsorb the platinum group elements; a second stage where the resin after the adsorption treatment is subjected to cleaning treatment; and a third stage where the platinum group elements are eluted from the resin after the cleaning treatment. - 特許庁

物を効率よく除去し、光学的性質を安定させて、再利用可能なレベルまで精製した液体を、露光装置へ供給することが可能であり、何らかの事情で露光装置へ供給すべき露光用液体が利用不可能な液質になってしまったときに、その液質が不良な液体を速やかに系内から排除し良好な液質の露光用液体を露光装置へ供給する定常状態へ早期に復旧することが可能な手段を提供すること。例文帳に追加

To provide a means for supplying a lithography apparatus with liquid refined to reusable level by removing impurities efficiently and stabilizing optical properties in which the liquid of poor liquid quality can be removed quickly from the system when the liquid quality of the liquid for lithography to be supplied to the apparatus becomes unusable for some reason, and a steady state where the liquid for lithography having good quality is supplied to the apparatus can be restored early. - 特許庁

シリコン含有量(C_Si)が3質量ppm以下、鉄含有量(C_Fe)が2質量ppm以下、銅含有量(C_Cu)が2質量ppm以下であるとともに、C_Si+C_Fe+C_Cuが6.8質量ppm以下であり、かつ、B、Na、Mg、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Co、Zn、Ga、As、Zr、Mo、Sn、Sb、La、Ce、NdおよびPbの各元素に関し、含有量総和が3質量ppm以下、各元素の含有量がそれぞれ1質量ppm以下である高度アルミニウム材が、冷間加工温度50℃以下、下記式(1)を満たす冷間加工率W(%)で冷間加工されてなる。例文帳に追加

The cold worked material is obtained by subjecting a high purity aluminum material with a composition having a silicon content (C_Si) of ≤3 mass ppm, an iron content (C_Fe) of ≤2 mass ppm and a copper content (C_Cu) of ≤2 mass ppm, in which C_Si+C_Fe+C_Cu are ≤6.8 mass ppm. - 特許庁

第1の課題はオゾンガス等の有害ガスによる褪色を抑制すること、特に、低濃度領域や色の混ざりの少ない色に近い部分や白地に隣接した部位でも十分なオゾンガス等の有害ガスによる褪色を抑制すること、第2の課題はビーディング発生等による画質劣化を抑制すること、第3の課題は光沢の高いプリントを得るインクジェット記録方法及びプリントを提供すること。例文帳に追加

To provide an ink jet recording method and a print which suppress fading caused by harmful gases such as ozone gas or the like, particularly in a low-concentration region, in a portion near a pure color having a little color mixture or at a position adjacent to a blank part, suppresses the deterioration of image quality resulting from the occurrence of beading or the like, and obtains a print having high glossiness. - 特許庁

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも2層以上の不物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。例文帳に追加

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, empty regions give much effect on an element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor between from an end of a gate electrode to an end of a source or drain electrode, are composed of at least two layers having different impurity concentrations, thereby reducing series resistance of the heterojunction field effect transistor and enabling the heterojunction field effect transistor to realize a high element breakdown voltage. - 特許庁

本発明の光検知装置におけるMQW構造は、n−GaAs層21上に量子井戸ポテンシャルを有するGaAs層22と量子井戸に対するポテンシャルの障壁を有するAlGaAs層23とを交互に複数積層成長させ、最上層にInバンプ15との良好な接続を確保するためのn−GaAs層24が形成されてなり、各AlGaAs層23には、GaAs層22から見たGaAs基板11側の界面に選択的にn^+型不物25、一般的にSiが選択的にドーピングされている。例文帳に追加

The optical sensor has an MQW structure formed such that a plurality of GaAs layers 22 having quantum well potentials and a plurality of AlGaAs layers 23 having potential barriers against quantum wells are alternately grown on an n-GaAs layer 21 and an n-GaAs layer 24 for ensuring a good connection to In bumps 15 is formed as an uppermost layer. - 特許庁

ヘパリナーゼをコードする遺伝子および大量のヘパリナーゼの生産を容易にする発現用システムと、遺伝子を改変し、改変された特異性および他の所望の特性を有する組換えヘパリナーゼの生産の方法と手段と、サイトカイン−プロテオグリカン相互作用の領域で、繊維芽細胞成長因子−ヘパリン相互作用により例証されるように、道具または診断剤として使用する粋なヘパリナーゼとを、提供する。例文帳に追加

To provide a gene coding for heparinase, to provide a system for exhibiting, easily producing a large amount of the heparinase, to provide a method and device for recombining gene and producing recombination heparinase having recombined specificities and to provide a pure heparinase, in a cytokine-proteoglycan interactive region, as illustrated by fibroblast growth factor-heparin interaction, applied as a tool or a diagnostic agent. - 特許庁

質量%で、C:0.06〜0.30%、Si:2.0%以下、Mn:0.1〜3.0%、P:0.1%以下、S:0.0005〜0.01%、Al:0.025〜0.20%、Nb:0.01〜0.10%、Ti:0.01〜0.20%、N:0.0005〜0.010%を含有し、残部がFe及び不可避的不物からなり、Nの含有量[N]、Tiの含有量[Ti]が下記の式(A)を満たし、かつ円相当径が50nm以下の粒界窒化物が、粒界1μm^2当たり140個以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The steel sheet has a composition comprising, by mass, 0.06 to 0.30% C, ≤2.0% - 特許庁

本発明は有機電界発光素子に係り、陽極電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、及び陰極電極を含む有機電界発光素子において、上記発光層は光学的に活性である低分子電荷輸送材料と高分子発光材料の混合物を用いるのを特徴とする有機電界発光素子を提供することによって発光効率、色度及びレーザー転写特性が向上した有機電界発光素子を提供できる。例文帳に追加

With the organic electroluminescent element including a positive electrode, a hole transport layer, a luminescent layer, an electron injection layer and a negative electrode, the luminescent layer uses a mixture of an optically active low molecular load transport material and a high molecular luminescent material, whereby, an organic electroluminescent element with improved eight emitting efficiency, color purity and laser transfer characteristics. - 特許庁

例文

本発明の気相成長装置は、チャンバ103内に、支持台101上に載置されたウェハ102が収容され、ウェハ102上に成膜するためのガスを供給する第一の流路121及びウェハ102上に成膜される膜の不物濃度を制御するためのガスを供給する第二の流路131が前記チャンバに接続された気相成長装置において、上述した第一の流路が2経路1a、1b、第二の流路が2経路2a、2bに分割され、ウェハ102上の周辺部と中央部に、個々に供給されるように構成されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the vapor phase deposition apparatus, the first channel is branched into two paths 1a and 1b, and the second channel is branched into two paths 2a and 2b so as to supply a gas individually to a peripheral portion and to a central portion on the wafer 102. - 特許庁

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