「純」に関連した英語例文の一覧と使い方(733ページ目) - Weblio英語例文検索

白色光を色分解して形成した純度の高い赤、緑、青の三色の光を対応する表示素子で変調してカラー画像を形成する際、検出手段１により570nm〜600nmの波長領域の光を赤色光として使用することを検出したら、スイッチ手段2を閉じて赤色映像信号をアッテネート手段3へ接続する。例文帳に追加

In the case of modulating three color lights, red, green and blue with high purity generated by separating a white light with corresponding display elements to generate a color image, a detection means 1 detects the use of a light with a wavelength band of 570 nm-600 nm as a red light to close a switch means 2 and to connect a red video signal to an attenuate means 3. - 特許庁

成形冷凍パン生地の焼成前処理方法において、煩雑である焼成前作業を単純化すること、多種類のパン生地の焼成前作業を画一化し、多種類のパン生地を同時に焼成前処理すること、パン生地の焼成頻度をあげること、更に、最終発酵後の状態をより長時間に亘って良好に保持すること。例文帳に追加

To simplify baking pretreating operations which are complicated, unify the baking pretreating operations for many kinds of bread doughs and simultaneously carry out the baking pretreating operations for the many kinds of bread dough, raise the baking frequency of the bread dough and further maintain the conditions after the final fermentation well over a long period, in a method for baking pretreating of molded frozen bread doughs. - 特許庁

この光導波路１００の第２の拡散領域（１０２）の曲がり部の外側に、第２の拡散領域（１０２）に沿って基板１０１に形成した溝１０５と、溝１０５の底部１０５ａから第１の不純物を用いて拡散され、基板１０１の屈折率を小さくした第１の拡散領域（１０７）と、を備える。例文帳に追加

On the outside of the curvature of the second diffusion region (102) of this optical waveguide 100, there are provided a groove 105 that is formed on the substrate 101 along the second diffusion region (102) and a first diffusion region (107) that is formed by diffusing first impurities from the bottom 105a of the groove 105 to make a refractive index smaller for the substrate 101. - 特許庁

エタノール等の有機液体、水及び溶解性微量成分を含む液体を、蒸留器１に供給して有機液体成分を含む蒸気を得、その蒸気を有機液体選択的透過膜２に供給して有機液体成分をより多く含む高濃度蒸気を得、その高濃度蒸気を水選択的透過膜３に供給して水成分を除去して、高純度の有機液体を回収する。例文帳に追加

Liquid containing organic liquid like ethanol or the like, water and the soluble trace component is fed to a distiller 1 to obtain vapor containing the organic liquid component, the vapor is supplied to an organic liquid selective permeation membrane 2 to obtain highly concentrated vapor containing more organic liquid component, the highly concentrated vapor is supplied to a water selective permeation membrane 3 to remove the water component to recover the organic liquid of high purity. - 特許庁

摩擦ローラとして、太陽ローラ、遊星ローラ及びリングローラを有する単純遊星ローラ構造の変速機を複数備える変速機シリーズを構築する際に、複数の変速機を、リングローラの複数の内径寸法Ｒｉと複数の公称変速比Ａｉとで形成されるマトリックスＭの必要な各セルＳ（ｉ：ｊ）に対応して準備する。例文帳に追加

When constructing the transmission series provided with a plurality of transmissions of simple planetary roller structure having a sun roller, a planetary roller, and a ring roller as friction rollers, a plurality of transmissions are prepared corresponding to respective cells S (i:j) necessary for a matrix M formed of a plurality of inside diameter dimensions Ri and a plurality of nominal change gear ratios Ai of the ring roller. - 特許庁

酸化鉄と炭素質還元剤を含む成形体を原料とし、回転炉床炉と溶解炉を連結した溶鉄製造プロセスにおいて、それらの適切な操業条件を設定することで、回転炉床炉や溶解炉の耐火物の溶損を可及的に抑制しつつ、鉄分純度の高い溶鉄を生産性よく製造することのできる方法を確立すること。例文帳に追加

To establish a method with which molten iron having high iron purity can be produced with a good productivity while restraining erosion of refractory in a rotary hearth furnace and a melting furnace by setting respective suitable operational conditions, in a molten iron producing process in which formed material containing iron oxide and carbonaceous reducing agent is used as raw material, and the rotary hearth furnace and the melting furnace are connected. - 特許庁

外部ベース層にフォトリソグラフィーを使用して設けた開口第１の内側に、第２導電型不純物をドープした多結晶シリコン層を張り出させて形成し、その内側にＵ字型のエピタキシャルベース層を形成して、Ｕ字型の内側にサイドウオールを形成し、前記第１の開口よりも幅の狭い開口を設けてエミッタを形成する。例文帳に追加

A polycrystal silicon layer doped with impurities of a 2nd conductivity type is projected and formed on the 1st inner side of an opening bored in an external base layer by using photolithography, an epitaxial base layer in a U shape is formed inside it, a side wall is formed inside the U shape, and an opening which is narrower in width than the 1st opening is formed for an emitter. - 特許庁

埋め込み絶縁膜２及び表面半導体層が積層されてなるＳＯＩ基板の表面半導体層により形成され、絶縁膜２ａによって完全に絶縁分離された抵抗体４であって、抵抗体４の抵抗値が、抵抗体４を構成する表面半導体層に含まれる不純物濃度と抵抗体４の大きさとによって設定されてなるＳＯＩ半導体装置。例文帳に追加

There is provided an SOI semiconductor device where a resistance body 4, which is completely insulated and separated with an insulation film 2a, is formed with a surface semiconductor layer of the SOI substrate laminating the embedded insulation film 2 and surface semiconductor layer and the resistance value of the resistance body 4 is set, depending on the impurity concentration included in the surface semiconductor layer and a size of the resistance body 4. - 特許庁

硼素やりん等のドーパントを含む多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍのＰ型又はＮ型の不純物半導体層、及び多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍの真性半導体層が基材上にこの順番で積層されたものを光起電力素子用基板として用いる。例文帳に追加

The material for which the P-type or N-type impurity semiconductor layer of thickness 2 nm-40 μm composed of poly crystalline silicon containing the dopant of boron or phosphorus or the like, and the true semiconductor layer of the thickness 2 nm-40 μm composed of the polycrystalline silicon, are laminated on a base material in the order, is used as this substrate for the photovoltaic element. - 特許庁

Ｐ^-型ウェル領域４０２内にＮ型光電変換領域４０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域４０３の端部を除く部分にＰ^++型正孔蓄積領域４０７を、当該端部を含む領域の表層部上にＰ型不純物領域４３０を形成する。例文帳に追加

In the solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 403 is formed in a P^--type well region 402, a P^++-type hole storage region 407 is formed at a portion excluding the edge of the N-type photoelectric conversion region 403 and a P-type impurity region 430 is formed on a surface layer of the region including the edge. - 特許庁

生体骨補強治療用リン酸カルシウムセメントを、質量％で、リン酸マグネシウム：０．０３〜０．５％、第２リン酸カルシウムとα型第３リン酸カルシウムの水和反応生成物：２〜１０％、第２リン酸カルシウム：３〜１０％、第４リン酸カルシウム：１０〜２５％、α型第３リン酸カルシウムおよび不可避不純物：残り、からなる配合組成を有する混合組成物で構成する。例文帳に追加

Calcium phosphate cement for the bone reinforcing treatment is constituted of a mixed composition having a formulation composition consisting of 0.03-0.5% of magnesium phosphate, 2-10% of a hydration reaction product of calcium diphosphate and α-type calcium triphosphate, 3-10% of calcium diphosphate, 10-25% of calcium tetraphosphate and the remainder of α-type calcium triphosphate and inevitable impurities on the basis of mass %. - 特許庁

脱却塔で溶存二酸化硫黄を除去した後の濃硫酸中の硫酸純分を、季節や天候変動にかかわらず常に規格値以上に保持することができ、吸収塔周辺設備の腐食や吸収塔の能力低下を起こすことのない、安価で安定した濃硫酸の製造方法を供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing low-cost and stable concentrated sulfuric acid with which a sulfuric acid purity content in the concentrated sulfuric acid after removal of dissolved sulfur dioxide in a removing tower is always maintained at a specification value or higher irrespective of seasonal variation or change in weather and corrosion of equipment surrounding an absorption tower or lowering of capacity of the absorption tower do not take place. - 特許庁

上流側から内管１０に入った液体は、内管１０の他端側が硬化材４９で閉塞されているので、通過孔１１を通過して内管１０を巻いている濾布２２および内管１０と中段管２０の間に充填されている濾材２３を通過することにより不純物やスカムが濾過される。例文帳に追加

Since the other end of the inner pipe 10 is closed by the cured material 49, the liquid entering the inner pipe 10 from the upstream side passes through passing holes 11 to pass through the filter cloth 22 wound around the inner pipe 10 and the filter medium 23 charged in the gap between the inner pipe 10 and the middle stage pipe 20, and impurities or scum are filtered. - 特許庁

第１導電型不純物を含む化合物半導体基板１の温度を２５０℃以下の温度域に加熱にしてその表面を塩酸ガスでエッチングする第１クリーニング工程と、第１クリーニング工程の後、塩酸ガスでエッチングされた化合物半導体基板に対してラジカル水素処理を行う第２クリーニング工程と、を含む基板クリーニング工程を備える。例文帳に追加

A substrate-cleaning step of the method includes a first cleaning step of heating a compound semiconductor substrate 1, containing impurities of a first conductivity-type to a temperature range of 250°C and lower and etching a surface of the substrate with a gas of hydrochloric acid, and a second cleaning step after the first cleaning step, of subjecting the compound semiconductor substrate etched with the hydrochloric acid gas to a radical hydrogen treatment. - 特許庁

この発明は、石英ガラスルツボの製造において、電極アークの加熱が型枠内の原料石英ガラスの局所に集中しないようにし、これによって石英ガラスからの蒸発物質が電極などに付着して、その後これらが落下して石英ガラスルツボの純度を低下しないようにしたものである。例文帳に追加

To provide a manufacturing process of a quartz glass crucible for silicon single crystal pulling, which enables prevention of localized concentration of electrode arc heating of raw material quartz glass in a frame mold, thereby preventing deposition of evaporated matter from the raw material quartz glass on the electrode, etc., and accordingly prevention of falling of the deposited matter afterward, to inhibit reduction in purity of a quartz glass crucible manufactured. - 特許庁

同一半導体基板上への高耐圧ＭＯＳトランジスタと微細な低耐圧ＭＯＳトランジスタの混載において、２つのＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ｔｒｅｎｃｈ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用い、その間に寄生ＭＯＳトランジスタのチャネル領域に高濃度不純物ドープされた活性領域を設け、寄生ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン間の電流を遮断した。例文帳に追加

When the high breakdown voltage MOS transistor and a fine low breakdown voltage MOS transistor are mixedly mounted on a same semiconductor substrate, two STIs (shallow trench isolations) are used, an active region, where high concentration impurities are doped in the channel region of a parasitic MOS transistor, is provided between the STIs and current flowing between the source and drain of the parasitic MOS transistor is interrupted. - 特許庁

バイオマスからのメタン発生・供給に必要な各工程を極力統合してシステム全体を極力簡略化して簡素な設備にし、乾式システムを少なくとも部分的に採り入れて純湿式システムの場合の排水処理の問題を軽減し、効率よく安価に大量のメタンを連続的に供給可能なバイオマスメタン発酵装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for biomass methane fermentation, with which processes necessary for generation and supply of methane from biomass are integrated as much as possible, the whole system is simplified as much as possible into simple facilities, a dry system is adopted at least partially so as to reduce a problem of waste water treatment in the case of a purely wet system and a large amount of methane is supplied efficiently, inexpensively and continuously. - 特許庁

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。例文帳に追加

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film. - 特許庁

インヒビタを含有しない高純度成分の素材を用いて1050℃までの低温最終仕上げ焼鈍により、フォルステライトを主体とする下地被膜を有しない、磁気特性および打ち抜き加工性に優れた方向性電磁鋼板の製品を製造する際、磁気特性や打ち抜き、コーティングの障害となるコイルの巻き癖を効果的に解消する。例文帳に追加

To effectively solve the problem of coil set being an obstacle to magnetic properties, punching and coating when manufacturing a product of grain- oriented electrical steel sheet which is free from undercoat film composed essentially of forsterite and has excellent magnetic properties and punchability by means of low-temperature final finish annealing at ≤1,050°C using a stock having inhibitor-free high-purity components. - 特許庁

純度が質量比で９９．９９９％以上のアルミニウム材を準備する工程と、前記アルミニウム材に鉄を含有する治具を接触させて、前記アルミニウム材を塑性加工する工程と、前記塑性加工を行ったアルミニウム材を圧力が１．０×１０^−２Ｐａ以下の減圧下で熱処理する工程と、を含むことを特徴とするアルミニウム物品の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the aluminum article includes a step of preparing an aluminum material of the purity of 99.999% or more by mass ratio, a step of performing plastic working on the aluminum material with the jig containing iron in contact with it, and a step of heat-treating the aluminum material after plastic working under a reduced pressure of 1.0×10^-2 Pa or less. - 特許庁

搬送と管理の自動化を前提として、粒子除去手段とガス状不純物除去手段と除湿手段を備えた基板搬送容器内で構築される環境を、各プロセスにおける基板に最適な条件になるように運転パターンを変化させることを特徴とした基板搬送容器、およびその運転制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a container for transferring a substrate and a method for controlling a driving which are characterized by that a driving pattern is changed so that an environment formed in a container for transferring the substrate having a particle removing means, a gaseous-impurity removing means, and a dehumidifying means are made in the optimum conditions to the substrate in each process in order to automate a transfer and a control. - 特許庁

オフセットスペーサ形成工程（Ｓ１０４）の後に、シリコン基板表面に形成された変質層の厚さを測定し（Ｓ１０６）、予め取得した注入パラメータとシート抵抗と変質層の厚さとの関係から、不純物元素の注入パラメータを算出し（Ｓ１０８）、その注入パラメータを用いてイオン注入法によりエクステンション領域を形成する。例文帳に追加

After an offset spacer formation step (S104), the thickness of an alteration layer formed on the surface of a silicon substrate is measured (S106); the injection parameter of impurity elements is calculated from a relationship among the in-advance acquired injection parameter, sheet resistance, and the thickness of the alteration layer (S108); and then an extension area is formed by ion implantation by using the injection parameter. - 特許庁

ｐｎ接合を少なくとも有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、ｎ型半導体層とｎ型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、Ｉｎ元素をｎ型不純物として含むｎ型半導体で構成されるようにした。例文帳に追加

This photoelectric conversion function element is provided with electrodes on the front and rear surfaces of a II-VI group compound semiconductor crystal having at least pn junction, and it is also provided with a contact layer between an n-type semiconductor layer and an n-type electrode, and furthermore at least a part of the contact layer is made of n-type semiconductor containing an In element as an n-type impurity. - 特許庁

吸着工程と均圧工程との間、および再生工程と均圧工程との間に休止工程を設けるとともに、製品取出流量の減少量に応じて休止工程の時間を変化させるようにしたＰＳＡ分離方法において、製品取出量が急激に増量しても製品ガス純度が低下しないようにする。例文帳に追加

To prevent deterioration of the purity of the product gas when the product gas discharge amount increases rapidly, in a PSA separation method in which a rest process is arranged between an adsorption process and a pressure equalizing process and between a regeneration process and a pressure equalizing process in such a way that the time for the rest process is modified according to a decrease in the product gas discharging flow amount. - 特許庁

多層膜１３は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にｎ型不純物を含む２つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、２つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極１４と多層膜１３との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。例文帳に追加

Because the film 13 is formed by alternately laminating two kinds of semiconductor layers each containing an n-type inpurity and whose piezo polarization quantity and spontaneous polarization quantity are different from each other, an electron is induced at an interface between the two semiconductor layers, thus allowing contact resistance between the electrode 14 and the layer 13 or parasitic resistance in a current transmission path to be more reduced than that in a conventional one. - 特許庁

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。例文帳に追加

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16. - 特許庁

銅合金からなる鉄鋼連続鋳造鋳型において、鋳型銅材の高温強度を損なうことなく、溶鋼由来の不純物の亜鉛、アルミニウム、スズ、鉛、カドミウム等に代表される融点７００℃以下の低融点金属元素による侵食・合金化を抑制し、メニスカス近傍におけるヒートクラックの発生を抑制することを目的とする。例文帳に追加

To restrain erosion/alloying caused by low melting point metal elements having ≤ 700°C melting point represented by zinc, aluminum, tin, lead, cadmium, etc., as the original impurities in molten steel and also, restrain the development of a heat crack near a meniscus, without damaging high temperature strength of a copper material for mold in the mold for continuously casting the steel, composed of a copper alloy. - 特許庁

ｆ−Ｈ_２ＳＯ_４が存在する硫酸廃液もしくは硫酸鉄溶液又は硫酸に、鉄系使用済脱硫剤を鉄源として溶解し、この溶解液をｐＨを２〜５に調整し水酸化物を形成させ不純物として除去した後、溶解した使用済脱硫剤中の鉄分を冷却晶析法で硫酸鉄結晶を析出させ硫酸鉄とする。例文帳に追加

The used desulfurizing agent is dissolved as an iron source in a sulfuric acid waste liquid containing f-H2SO4, an iron sulfate solution, or sulfuric acid, the pH of the solution is adjusted at 2-5, generated hydroxides are removed as impurities, and the iron components in the dissolved used desulfurizing agent are deposited as iron sulfate crystals by a cooling crystallization method to obtain iron sulfate. - 特許庁

質量％で、Ｃ：０．０１〜０．１０％，Ｎ：０．０１〜０．４０％，Ｓｉ：０．１〜１, Ｃｒ：１０〜２０％，Ｍｎ：６〜２０％，Ｃｕ：２〜５％，Ｎｉ：１〜６％，残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、オ−ステナイト安定度の指標Ｍｄ３０値が−１２０＜Ｍｄ３０＜２０を満足するように成分設計されている。例文帳に追加

The austenitic high-Mn stainless steel has a composition consisting of, by mass, 0.01 to 0.10% C, 0.01 to 0.40% N, 0.1 to 1% Si, 10 to 20% Cr, 6 to 20% Mn, 2 to 5% Cu, 1 to 6% Ni and the balance Fe with inevitable impurities. - 特許庁

この発明は、安全で公害を発生させない薬剤を使用して、比較的低温域で運転される水管ボイラから２００℃以上の高温域で運転される軟水ボイラ、純水ボイラにおいてボイラ水と接触する鉄系金属の腐食とくに孔食の発生を防止することができる水処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method for water, which can prevent a ferrous metal contacting with boiler water from corroding, especially from generating pitting corrosion, by using chemicals which are safe and do not cause environmental pollution, in a water tube boiler operated at comparatively low temperatures, or in a soft water boiler or a pure water boiler operated at high temperatures of 200°C or higher. - 特許庁

原料融液が充填された高温下での変形や歪みが抑制され、かつ、ブラウンモールドの発生が抑制され、しかも、ルツボに起因する不純物汚染を招くことなく、シリコン等の半導体単結晶を歩留まりよく引上げるのに好適なシリカガラスルツボの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silica glass crucible in which deformation and strain at a high temperature in such a state that the crucible is filled with a raw material melt is suppressed and occurrence of brown mold is also suppressed, and which does not cause impurity contamination resulting from the crucible and is suitably used for pulling a semiconductor single crystal such as silicon in a good yield. - 特許庁

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。例文帳に追加

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31. - 特許庁

本発明の目的は、顕微鏡実視野と前記実視野に関連した２次画像を重ねて表示する手術用顕微鏡において、術者が前記顕微鏡実視野に対して前記２次画像の相対位置、相対角度、及び相対倍率の光学的な調整手段を容易かつ単純な構成で実現することである。例文帳に追加

To provide optical adjusting means for the relative position, relative angle and relative magnification of a secondary image with respect to a microscope real field by an operator with easy and simple constitution relating to a surgical microscope for displaying the microscope real field and the secondary image associated with the microscope real field in superposition. - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１００は、前記半導体層１０の上方に設けられたゲート絶縁層１０２と、前記ゲート絶縁層１０２の上方に設けられたゲート電極１０６と、前記半導体層１０に設けられ、ソース領域またはドレイン領域となる第１の導電型の第１不純物領域１２０とを含む。例文帳に追加

The transistor 100 is provided with a gate insulating layer 102 placed above the layer 10, a gate electrode 106 placed above the layer 102, and includes in the layer 10 a first dopant region 120 of first conductive type that is to be a source region or a drain region. - 特許庁

雰囲気ガスを炉内に供給する際にガス置換性が高く、焼成時間を短くできて、均質性の高い焼成物を得ることができ、それでいて粒子径分布が小さくて形状均一性に優れ、かつ不純物の低減された金属酸化物粉末を生産性高く製造可能な雰囲気焼成炉とこれを用いた焼成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an atmosphere calcinater furnace wherein replacing property for gas is high upon atmosphere gas being supplied into the furnace to shorten calcination time and hence obtain highly uniform calcinated article, the distribution of particle sizes is sharp with excellent shape uniformity, and further metal oxide powder with less impurity is manufacturable with high productivity. - 特許庁

ｐ型シリコン半導体基板を薄くした場合でも、塗布量を減らさないで、所望のＢＳＦ効果を十分達成することができ、かつ焼成後のｐ型シリコン半導体基板の変形を抑制することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された不純物層または電極層を備えた太陽電池を提供することである。例文帳に追加

To provide paste composition to fully achieve requested BSF effect without decreasing the amount of application, even when thinning a p-type silicon semiconductor board, and to control deformation of the p-type silicon semiconductor board after baking and a solar cell equipped with an impurities layer or an electrode layer formed with the composition. - 特許庁

本発明の課題は、入手容易な加水分解酵素を用いて、基質に対し少ない酵素量で、反応時間が短く、簡便な操作法によって、３−アミノグルタル酸ジエステル化合物から、高収率、高選択的に光学的に純粋な３−アミノグルタル酸モノエステル化合物を得る、工業的に好適な光学活性（Ｒ又はＳ）−３−アミノグルタル酸モノエステル化合物の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide an industrially suitable method for producing an optically active (R or S)-3-aminoglutaric acid monoester compound having high optical purity in high yield and selectivity from a 3-aminoglutaric acid diester compound by a simple operation using an easily available hydrolase in a short reaction time at a decreased enzyme/substrate ratio. - 特許庁

樹脂分の付着した基体における樹脂分の剥離と基体表面の洗浄に使用された炭酸アルキレンを主成分とする洗浄液を再生するに当り、該洗浄液にオゾンを作用させ、その後陰イオン交換体と接触させて不純物を除去することを特徴とする剥離洗浄剤の再生方法。例文帳に追加

In the method for regenerating the cleaning liquid consisting principally of alkylene carbonate which was used to peel a resin component of the base body where the resin component sticks and clean the surface of the base body, ozone is made to react with the cleaning liquid and then an anion exchanger is brought into contact to remove impurities. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved. - 特許庁

絹糸の表面にヒドロキシアパタイトを形成された複合化絹糸において、遺伝子組換えカイコを用いて生産される絹糸を用いることで、有害な反応性化合物を用いることなく、短時間で簡便にかつ高純度で、絹糸表面にヒドロキシアパタイトを形成させることを可能にするものである。例文帳に追加

To provide a compounded silk thread formed with hydroxyapatite on the surface of silk thread, capable of forming the hydroxyapatite on the surface of the silk thread in a short time simply and in a high purity by using the silk thread produced by using a gene recombinant silk worm, without using any harmful reactive compound. - 特許庁

気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体結晶を成長させた後、その結晶成長温度において、雰囲気を、アンモニアを０．１〜３０ｖｏｌ％の割合で含む冷却用雰囲気に切り替え、該冷却用雰囲気中において前記半導体結晶を冷却する工程を有するｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。例文帳に追加

After a GaN semiconductor crystal containing p-type impurities is grown by a vapor-phase growing method, a process is provided in which, at the crystal growth temperature, an atmosphere is changed to a cooling atmosphere containing ammonia by 0.1-30 vol.%, and the semiconductor crystal is cooled in the cooling atmosphere. - 特許庁

他方、いわゆる単純労働者については、業種及び送り出し国を指定し、雇用税制度（外国人を雇用するごとに一定額の税金を雇用主から徴収する制度）及び雇用率制度（各企業において外国人が全労働者に占める割合に上限を設定）により、数量制限を行いつつ受け入れている。例文帳に追加

On the other hand, Singapore is designating the industry types and sending countries for so-called unskilled workers and imposing quantitative restrictions on their acceptance through the employment tax system (a system which collects fixed taxes and commissions from employers who employ foreign workers) and the employment rate system (a system that establishes a maximum proportion of foreign workers to the entire employment ratio). - 経済産業省

こうした状況を踏まえ、能力・属性を問わないいわゆる単純労働者の国際移動に関しては、当面は域内における適切な管理の在り方を議論していくとともに、その自由化については、東アジア全体の経済・社会両面における長期的な発展を見極めた上で将来的・段階的に議論すべき課題であると言えよう。例文帳に追加

Taking these conditions into account, for the time being there should be a discussion concerning the ideal form of appropriate control of the international movements within the region of the so-called unskilled workers who are not expected to have any particular skills or attributes. Liberalization of their movements is an issue that needs to be discussed step-by-step in the future, fully taking into account the long-term economic and social development of all of East Asia. - 経済産業省

GATS 第４モードにおいては、高度な技術者から単純労働者まで自由に自由化約束の対象となり得るが、我が国を含む多くの加盟国は、分野横断的約束（horizontal commitment）のみを行い、個別サービス分野における市場アクセスについては、「各分野に共通の約束における記載を除くほか、約束しない。」としている。例文帳に追加

Mode Four of GATS covers a wide range of persons, from high-level engineers to unskilled workers, in its commitment to liberalization. However, many member countries, including Japan, have only made “horizontal commitments” to date, and their Schedules of Commitments generally indicates, with regard to market access regarding specific service sectors, “Unbound except for measures concerning the categories of natural persons referred to in the market access column.” - 経済産業省

まず、中国については、約13億人の人口を抱え、農村に２億人とも３億人とも推定される失業者が存在している現状では、今後の中国経済政策により国内の人口移動がどのように展開するかは不明であるが、単純労働者という面から見て、潜在的には最大の労働力送り出し国である。例文帳に追加

China has a population of about 1.3 billion people and farming village unemployment estimated at 200to 300 million. While it is unclear what kind of domestic population movements will develop depending on future Chinese economic policies, in terms of workers with special and/or technical skills, China has the greatest potential for sending out labor force. - 経済産業省