「純」に関連した英語例文の一覧と使い方(731ページ目) - Weblio英語例文検索

精製装置５の精製室中に、金属Ａｌ又は金属Ａｌを含む合金が配置されており、精製装置５では、精製室に供給された窒素原料（窒素化合物からなる窒素原料）を、金属Ａｌ又は金属Ａｌを含む合金に接触させて精製し（不純物を除去し）、反応室１に供給する。例文帳に追加

Metal Al or an alloy containing metal Al is arranged in a purifying chamber in a purifying device 5, and the nitrogen raw material (the nitrogen raw material composed of nitrogen compounds) fed to the purifying chamber is purified (impurities are removed) through contacting itself with metal Al or the alloy containing metal Al, and then is fed to a reaction room 1. - 特許庁

周期律表第VIII族金属及び有機リン化合物を含むヒドロホルミル化触媒の存在下、オレフィン性不飽和化合物を一酸化炭素及び水素と反応させてアルデヒドを製造する方法において、反応系内に不純物として混入するイオウ水素化物及び、又はセレン水素化物の量を、触媒含有液中の第VIII族金属に対するモル比で３以下となるように制御する。例文帳に追加

This method for reacting an olefinically unsaturated compound with carbon monoxide and hydrogen in the presence of a hydroformylation catalyst containing a group VIII metal in the periodic table and an organic phosphorus compound comprises controlling the amount of a sulfur hydride and/or selenium hydride mixed with the reaction system as impurities so as to be ≤3 in the molar ratio thereof to the group VIII metal in the catalyst- containing liquid. - 特許庁

この時、カラーフィルター１３０を含むトップゲート型薄膜トランジスタのアレイ部を形成する時、ソース電極１０６及びドレイン電極１０８と不純物非晶質シリコン層を同時にパターニングし、ゲート電極１２４、アクティブ層１２０、ゲート絶縁膜を同時にパターニングして形成する。例文帳に追加

Therein, when the array part of the top gate type thin film transistor including the color filter 130 is formed, a source electrode 106, a drain electrode 108 and an impurity amorphous silicon layer are patterned at the same time, and a gate electrode 124, an active layer 120 and a gate insulating film are patterned and formed at the same time. - 特許庁

リチウム二次電池用正極活物質の製造原料として使用する酸化コバルトであって、該酸化コバルト中に含まれる不純物の珪素（Ｓｉ）が５００ｐｐｍ以下（但し、０ｐｐｍを除く。）で、Ｆｅの含有量がｌ００ｐｐｍ以下（但し、０ｐｐｍを除く。）であり、旦つ平均粒子径が０．１〜１０μｍであることを特徴とするリチウム二次電池正極活物質用酸化コバルト。例文帳に追加

The cobalt oxide is used as a raw material for producing the positive electrode active material for the lithium secondary battery, which comprises ≤500 ppm (excluding 0 ppm) of silicon (Si) and ≤100 ppm (excluding 0 ppm) of iron (Fe) as impurities, and has 0.1-10 μm average particle diameter. - 特許庁

高さの異なる２種のフォトスペーサーを同時に形成するフォトマスクで、構成が単純で廉価で、得られる第二フォトスペーサーＰＳ−２ｅは適正に光硬化され、幅は任意に調節が出来、剥離し難い第二フォトスペーサーを形成するカラーフィルタ用フォトマスクＰＭ３を提供すること。例文帳に追加

To provide a photomask PM3 for a color filter, the photomask that aims to simultaneously form two kinds of photospacers in different heights, that is inexpensive with a simple configuration, and that gives a second photospacer PS2e which is appropriately cured with light and can be controlled as desired in the width and is hardly peeled. - 特許庁

半導体基板１上に形成されたポリシリコン抵抗１０を形成する工程において、ポリシリコン中のに注入する不純物濃度を１×１０^20ｃｍ^-3以上としＦＧガス雰囲気で処理する際にポリシリコン抵抗１０の少なくとも一部の上に水素の拡散を阻害する膜あるいはアルミニウム配線９を配置する。例文帳に追加

In a process to form a polysilicon resistor 10 formed on a semiconductor substrate 1, the concentration of an impurity into polysilicon is set at 1×1020 cm-3 or more, and a film or an aluminum wiring 9 is arranged at least on a part of the polysilicon resistor 10 to prevent diffusion of hydrogen when the concentration is treated in an FG gas atmosphere. - 特許庁

パッケージ２を封止する固体撮像素子カバー４０として、重金属等の不純物の少ない単結晶からなるＺカット水晶板３を備えているので、α線の発生が少なく固体撮像素子１へのダメージを防止した固体撮像素子カバー４０および撮像装置１０を得ることができる。例文帳に追加

There are obtained an imaging device 10 and a solid-state imaging element cover 40 which generates less α rays and prevents the damage to the solid-state imaging element 1, wherein a Z-cut crystal plate 3 made of single crystal having less impurities such as heavy metal is provided to seal a package 2. - 特許庁

建設廃材系プラスチック廃棄物や、廃自動車シュレッダーダストの様な、多様な異物や不純物が混入している廃プラスチックを含有する混合廃棄物についても、その破砕による燃料化が円滑に行なえ、該混合廃棄物をセメント焼成設備のバーナー吹込み用燃料としてリサイクルできる処理方法及び処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a processing method and a processor wherein production of fuel can smoothly be conducted by crashing even in a mixed waste materials containing various kinds of foreign materials and impurities such as constructive plastic waste and discarded automobile shredder dusts and the mixed wasted materials can be recycled as a fuel for burner-blowing of a cement baking apparatus. - 特許庁

サブストレート領域１１の上に第１のドレイン領域１２とこれよりも不純物濃度の高い第２のドレイン領域１３とチャネル形成領域１４とソース領域１５とを有するＭＯＳＦＥＴにおいて、サブストレート領域１１と第１のドレイン領域１２との間に埋め込み領域３１を形成する。例文帳に追加

In a MOSFET having a first drain region 12, a second drain region 13 having a higher impurity concentration than that of the region 12, a channel forming region 14, and a source region 15 on a substrate region 11, an embedded region 31 is formed between the substrate region 11 and first drain region 12. - 特許庁

本発明では、磁気記録媒体にサーボ信号を磁気的に転写することによりサーボ信号を記録する磁気転写装置、又は磁気記録媒体上の傷又は不純物を光学的に検査するための光学式検査装置において、該磁気転写装置又は光学式検査装置に使用されるグリースのイオウ系ガスの発生量が０．５ｐｐｂ以下であるグリースを使用することを特徴とする。例文帳に追加

In the magnetic transfer device for recording servo signals by magnetically transferring the servo signals on a magnetic recording medium, or in the optical inspecting device for optically inspecting damages or impurities on a magnetic recording medium, the device is characterized by the use of the grease in which generation of sulfur based is 0.5 ppb or below. - 特許庁

Ｐ型不純物であるインジウム（Ｉｎ）を含んで電流路として形成されるとともに、その所定部位に電流路を狭窄することによって電気抵抗を高くした高抵抗部２３を設けたゲルマニウム（Ｇｅ）のバルク体２０を、内部が不活性ガス雰囲気に保たれたチャンバ１０内に収容する。例文帳に追加

The semiconductor particulates containing indium (In) of a P type impurity, is formed as a current passage, and also houses a bulk body 20 of germanium (Ge) with a high resistor portion 23 that electric resistance is increased by constricting the current passage at a predetermined part, in a chamber 10 where the inside is maintained an inactive gas atmosphere. - 特許庁

フラッシュランプの発光出力を１ミリ秒以上２０ミリ秒以下の時間をかけて最大値にまで到達させる第１照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度を予備加熱温度Ｔ１から目標温度Ｔ２にまで１ミリ秒以上２０ミリ秒以下にて昇温している。例文帳に追加

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature T1 to a target temperature T2 over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up to a maximal value over a period of time from 1 to 20 milliseconds. - 特許庁

抵抗変化部は、半導体基板の表層領域のうち、第１及び第２主電極領域のうちの少なくとも一方の電極領域と、制御電極と対向するチャネル形成領域１２とによって挟まれる部分に第１及び第２主電極領域よりも不純物濃度の低い第２導電型で設けられている。例文帳に追加

In the resistance change sections, a second-conductivity type that has lower impurity concentration than that of the first and second main electrode regions is provided at a part sandwiched by at least one electrode region of the first and second main electrode regions and a channel formation region 12 that faces the control electrode in the surface layer regions of the semiconductor substrate. - 特許庁

絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method. - 特許庁

ガドリニウム０．５〜３．８質量％と、元素周期表でランタンからユウロピウムまでのランタノイドからなる群から選択された少なくとも一種の元素を１〜１５質量％と、０．１〜０．８質量％の銀および／または０．１〜１．８質量％の亜鉛とを含有し、残部がマグネシウムと不可避不純物で構成した。例文帳に追加

The heat resistant magnesium alloy comprises, by mass, 0.5 to 3.8% gadolinium, 1 to 15% of at least one element selected from the group consisting of lanthanoids from lanthanum to europium in the periodic table, 0.1 to 0.8% silver and/or 0.1 to 1.8% zinc, and the balance magnesium with inevitable impurities. - 特許庁

本発明は、緩速砂濾過の機能を阻害する不純物である濁分や汚染物質を薬品を使用せず、メンテナンスの簡単な自然流下方式で達成することができる浄水供給システムであって、浄水供給システムの構成要素の運搬と設置に便利な可搬型小規模浄水供給システムを提供するものである。例文帳に追加

To provide a portable small-scaled purified water supply system which is a purified water supply system capable of achieving the removal of turbidity components or pollutants being impurities obstructing a slow sand filtering function by a natural flow down system maintained simply without using chemicals and convenient to transport and install the constituent elements of the purified water supply system. - 特許庁

塗布液１１をノズル３７から吐出する吐出ヘッド本体３０を有する液滴吐出ユニット１２を備えた液滴吐出装置において、吐出ヘッドユニット１２内の塗布液１１の流路の少なくとも一部に、塗布液１１中のイオン性不純物を吸着するための吸着部材４１ｃを設けた。例文帳に追加

In the droplet discharge apparatus provided with a droplet discharge unit 12 having a discharge head main body 30 for discharging a coating liquid 11 from a nozzle 37, an adsorption member 41c for adsorbing the ionic impurities in the coating liquid 11 is provided at least in a part of a flow passage of the coating liquid 11 in the discharge head unit 12. - 特許庁

空気吹きのガス化炉３に供給される酸素と、石炭を空気吹きのガス化炉３に搬送する窒素とを空気から分離する分離部と、分離部に供給される空気中の不純物を吸着除去する吸着部と、を備え、分離部から導出された酸素の少なくとも一部を吸着部へと供給することを特徴とする。例文帳に追加

The air separator includes a separation unit for separating, from air, oxygen supplied to an air-blown gasification furnace 3 and nitrogen that carries coal to the air-blown gasification furnace 3, and an adsorption unit for adsorbing and removing impurities in air supplied to the separation unit, wherein at least a part of oxygen led out from the separation unit is supplied to the adsorption unit. - 特許庁

炭化珪素を主成分とし、アルミナとイットリアとを含む炭化珪素質焼結体において、相対密度が９９％以上で、かつアルミナとイットリアの合計含有量が１．２〜５．２重量％、不純物として含まれる磁性金属の総量が７００重量ｐｐｍ以下であり、シリカを実質的に含まない炭化珪素質焼結体とする。例文帳に追加

In the silicon carbide sintered compact consisting essentially of silicon carbide and containing alumina and yttrium, the relative density is ≥99% sum total of the content of alumina and yttrium is 1.2-5.2 wt.%, the total quantity of magnetic metals contained as impurities is ≤700 wt.ppm and silica is substantially not contained. - 特許庁

質量％で、Ｃ：０．４０％以下、Ｓｉ：２．０％以下、Ｍｎ：１．０〜３．０％、Ｓ：０．１５〜０．４０％、Ｃｒ：１０〜３０％を含有し、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなるステンレス鋼であって、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓの含有量をそれぞれ［％Ｃｒ］、［％Ｍｎ］、［％Ｓ］としたときに、式（１）を満足することを特徴とする被削性に優れた快削ステンレス鋼。例文帳に追加

The free-cutting stainless steel with excellent machinability has a composition consisting of, by mass, ≤0.40% C, ≤2.0% - 特許庁

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ_２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。例文帳に追加

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost. - 特許庁

ドライエッチング装置を用い圧電体基板２からなるウエハ上の電極１にパターンを形成するエッチング処理後にウエハ上のハロゲン系ガスを含んだ反応生成物４を洗浄液にて除去する際、アルコールを添加し比抵抗を２０ＭΩ・ｍ以下に制御した純水を用いる。例文帳に追加

When eliminating a reaction product material 4 containing halogen group gas on a wafer made of a piezoelectric substrate 2 by using a rinse liquid, after etching process wherein a pattern is formed on electrodes 1 on the wafer, using a dry etching apparatus, pure water is used, whose specific resistance is controlled to be 20 MΩ.m through the addition of alcohol. - 特許庁

イオン交換樹脂の存在下でギ酸メチルを分解して一酸化炭素を製造する際に、得られた一酸化炭素ガスの精製プロセスおよびイオン交換樹脂の再生プロセスが不要であり、プロセス面および熱エネルギー面で優位で、且つ、長期間に渡り、安定して高純度一酸化炭素を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing carbon monoxide in which a process for purifying obtained gaseous carbon monoxide and a process for regenerating an ion exchange resin are not necessary when carbon monoxide is produced by decomposing methyl formate in the presence of the ion exchange resin, advantages are ensured in terms of a process and heat energy and high purity carbon monoxide is stably produced over a long period of time. - 特許庁

この発明は、シリコンウェーハ表層の測定しようとする部分を、シリコン溶解液と近接させて対面させることによって、常温で溶解液から発生する蒸気によりシリコンウェーハの表層部をエッチングし、その液滴を分析して簡便でかつ高精度にシリコンウェーハの表層部の金属不純物を測定しようとするものである。例文帳に追加

To etch the surface layer section of a silicon wafer by vapor generated from a solution at normal temperatures, and to measure metal impurities at the surface layer section of the silicon wafer easily and precisely, by analyzing droplets, by allowing the part of the surface layer of the silicon wafer to be measured to be close to and face the silicon solution. - 特許庁

リチウムが存在する試料を高純度の窒素雰囲気中にさらし、窒素と常温で反応させることによって窒化リチウムを生成させ、その後、大気に曝すことなく窒素雰囲気のままＥＤＸ或いはＥＰＭＡ分析装置に導入し、窒化リチウムの窒素の分析により、定性的にリチウムの存在を確認可能な分析方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an analytical method in which a lithium-containing sample is exposed to a high-purity nitrogen atmosphere, and lithium nitride is made through reacting with nitrogen at normal temperature, and then it is introduced to an EDX or EPMA analyzer while being in the nitrogen atmosphere without being exposed to atmospheric air, and the presence of lithium can be checked qualitatively by analyzing the nitrogen of the lithium nitride. - 特許庁

基材２の表面に溶融はんだめっきが施された太陽電池用電極線材１のめっき前の基材は、Ｃｕを９９．９０mass％以上含む純銅の圧延材で形成され、圧延方向の結晶方位＜１００＞、＜１１４＞、＜１１２＞のＸ線回折によるピーク強度をそれぞれＰ＜１００＞、Ｐ＜１１４＞、Ｐ＜１１２＞と表すとき、下記式に示す＜１１４＞および＜１１２＞の結晶方位のピーク強度比ＰＲ（％）が５０〜９０％とされる。例文帳に追加

This base material of this electrode wire 1 for a solar cell before plating with molten solder plating applied to a surface of the base material 2 is formed of a rolled material of pure copper containing 99.90 mass% of Cu. - 特許庁

本発明の半導体ウエハの洗浄方法は、アルカリ系薬液を用いて半導体ウエハ上の異物を除去洗浄する工程と、半導体ウエハの表面電荷を弱酸性の洗浄液を用いて中和する洗浄工程と、酸系薬液を用いて半導体ウエハ上に残る金属不純物を除去洗浄する工程とを備える。例文帳に追加

The cleaning method of a semiconductor wafer has a step for removing and cleaning foreign substances using an alkali-based chemical, cleaning step for neutralizing surface charge on the semiconductor wafer using slightly acidic cleaning liquid, and a step for removing and cleaning metal impurities remained on the semiconductor wafer using an acid-based chemical. - 特許庁

貴金属を用いることなく、低濃度から高濃度までの広範囲なアンモニア濃度域において、アンモニアを比較的低温で、かつ、高い空間速度で窒素と水素とに効率よく分解して高純度の水素を取得できる触媒およびその製造方法、ならびに、アンモニア処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a catalyst by which ammonia with a concentration that can widely range from low to high concentrations can be efficiently decomposed with high space velocity at a relatively low temperature into nitrogen and hydrogen without using any noble metals, so as to be able to obtain hydrogen with high purity, a process for producing the catalyst, and a method for treating ammonia. - 特許庁

水性媒体中ラジカル形成化合物としてジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの存在下で、ラジカルにより開始される溶液重合によりビニルピロリドンモノマーからポリビニルピロリドンを製造する方法において、原料のビニルピロリドンモノマー中の塩基性不純物を吸着剤で除去したビニルピロリドンモノマーを使用することを特徴とするポリビニルピロリドンの製造方法。例文帳に追加

This method for producing a polyvinylpyrroridone from vinylpyrroridone monomer by a solution polymerization initiated with a radical by using dimethyl-2,2'-azobisisobutylate as a radical-forming compound in an aqueous medium, is provided by using a vinylpyrroridone monomer from which a basic impurity in the raw material vinylpyrroridone monomer is removed by an adsorbing agent. - 特許庁

予め用いる基板はＳｉＧｅ層が形成されおり、ＳｉＧｅ工程が省略でき、また表面にＳｉ層がついているため、その上にＳｉを形成する際の表面浄化工程で不純物を効果的に除去でき、かつ平坦性を抑えることができる、最終的にＳｉＧｅをＳｉの接触構造を用いた半導体デバイスを形成したときに高歩留まりで製造できる。例文帳に追加

When a semiconductor device using the contact structure is formed, SiGe can finally be manufactured by a high yield. - 特許庁

さらに圧縮空気を供給することによりバキュームジェネレータにより吸引されたクリーンタンクからの清浄なクーラント液と圧縮空気との混合流体をフィルタエレメントの内壁に衝突させ、フィルタエレメント外壁に付着している不純物を剥離することによりフィルタエレメントを浄化するようにした。例文帳に追加

By further supplying compressed air, a mixed fluid of a clean coolant liquid suctioned from a clean tank by the vacuum generator is made to bump against the inner wall of the filter element, and thereby impurities deposited on the outer wall of the filter element are stripped off to clean the filter element. - 特許庁

前記生成した炭酸バリウムに、溶媒を加えて溶解し、得られた溶液を濃縮して再結晶させる再結晶法、及び、前記生成した炭酸バリウムに、溶媒を加えて溶解し、得られた溶液に凝集剤を添加して、不純物を沈殿させる沈殿法の少なくとも一方を行う態様が好ましい。例文帳に追加

It is preferable to adopt at least one of a recrystallizing method by adding a solvent into the produced barium carbonate to dissolve and concentrating and recrystallizing the resultant solution or a precipitating method by adding a solvent into the produced barium carbonate and adding a flocculant into the resultant solution to precipitate impurities. - 特許庁

塗工液ストーレッジタンク（ｓｔｏｒａｇｅ ｔａｎｋ）、浸漬塗布部及び塗工液循環手段を有し、該ストーレッジタンク、浸漬塗布部及び塗工液循環手段のうちの少なくとも一つの接液部がステンレス製である塗工装置を用いて感光層を塗工する電子写真感光体の製造方法において、前記ストーレッジタンク内または前記塗工液循環手段内にイオン性不純物吸着手段を設ける。例文帳に追加

Further, this method is provided with an ionic impurities adsorbing means in the storage tank or the coating solution circulating means. - 特許庁

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。例文帳に追加

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process. - 特許庁

溶剤または希釈剤を含有する混合物からＴＥＤＡを蒸発させ、その際、溶剤または希釈剤は、大気圧下（＝１．０１３２５バール）で、１７０〜２５０℃の沸点を有し、かつ、蒸気の形のＴＥＤＡを液体溶剤中に導通させることを含む純粋なトリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）の溶液の製造方法によって達成される。例文帳に追加

This method for producing the solution of the triethylenediamine(TEDA) comprises evaporating the TEDA from a mixture containing a solvent or a diluent wherein the solvent or diluent has 170-250°C boiling point under atmospheric pressure (=1.01325 bars) and passing the TEDA in the form of vapor through a liquid solvent. - 特許庁

４−シアノピリジンを酸性水溶液中で接触還元して得られる４−ピリジンメタノールを含有する反応混合物から、４−ピリジンメタノールを選択的に抽出することができ、その後の蒸留操作においても精留を行うことなく、簡単な蒸留操作により、容易に高純度の４−ピリジンメタノールを製造する。例文帳に追加

To provide a method for producing 4-pyridinemethanol, by which the 4-pyridinemethanol can selectively be extracted from a 4-pyridinemethanol-containing reaction mixture obtained by the catalytic reduction of the 4-pyridinemethanol in an acidic aqueous solution and then easily be subjected to a simple distillation treatment to obtain the highly pure 4-pyridinemethanol without needing a rectification operation. - 特許庁

主に部分酸化反応により、炭化水素燃料を改質して水素と一酸化炭素を含む改質ガスを生成する改質器３０と、改質器３０に炭化水素燃料を供給する燃料供給管３６と、改質器３０に高純度酸素ガスを供給する酸素ボンベ４２と、改質ガスを燃焼して駆動力を発生する内燃機関１０と、を備える。例文帳に追加

There are provided with the reformer 30 reforming hydrocarbon fuel by mainly partial oxidation reaction and forming reformed gas containing hydrogen and carbon monoxide, a fuel supply pipe 36 supplying hydrocarbon fuel to the reformer 30, an oxygen cylinder 42 supplying high purity oxygen gas to the reformer 30, and an internal combustion engine 10 combusting reformed gas and generating drive force. - 特許庁

また、炭酸成分を炭酸アルカリとして固定した使用済レジスト剥離液を、蒸留回収工程において、連続式又は回分式に蒸留することにより、炭酸アルカリなどの無機成分及びレジスト成分を釜残として分離する一方、蒸発ベーパを精留塔に供給し、水や溶剤などの低沸点不純分を分離してレジスト剥離液成分を回収する。例文帳に追加

Or, the used resist removing liquid in which the carbonic acid component is fixed as an alkali carbonate is subjected to continuous or batch distillation in a distillation and recovery process to separate the inorganic component such as alkali carbonates and the resist component as a still residue, and the vaporized fraction is supplied to a fractionating tower to separate the low boiling point impurities such as water and solvents to recover the resist removing liquid component. - 特許庁

処理材２を充填した収容部３へ被処理水を流通させて軟水化処理，純水化処理等を行う水処理装置１において、前記収容部３を被処理水の流通する方向が下向流となるように構成するとともに、前記処理材２を洗浄するとき、前記処理材２の一部が固定床状態を維持するように構成したことを特徴としている。例文帳に追加

With respect to water treatment apparatus 1 for softening or purifying water by passing object water through a housing part 3 filled with a treatment material 2, the housing part 3 is constructed so as to keep the flow direction of the object water downward and keep a portion of the treatment material 2 in the fixed bed state at the time of washing the treatment material 2. - 特許庁

制御部２４は、測定終了検出部２３により例えば一日の測定の終了等の測定の終了が検出されると、メモリ２２に記憶された吸引待ち時間のデータに基づいて、各反応管に対して吐出した洗剤（及び純水）を、該吐出した時刻から吸引待ち時間経過後に吸引するように洗浄ユニット１２を制御する。例文帳に追加

When an end-of-measurement detecting section 23 detects the end of measurement, for example, one-day measurement, the control section 24 controls a cleaning unit 12 to suck a detergent (and pure water) discharged into each reaction tube when the suction waiting time has elapsed after the detergent is discharged based on the data about the suction waiting time stored in the memory 22. - 特許庁

上記フェライト・オーステナイト系ステンレス鋼の成分は、質量％にて、Ｃ：０．１％以下、Ｃｒ：１７〜２５％、Ｓｉ：１％以下、Ｍｎ：３．７％以下、Ｎｉ：０．６〜３％、Ｃｕ：０．１〜３％、Ｎ：０．０６％以上、０．１５％未満を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物とすることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the components of the ferrite-austenite stainless steel sheet contains by mass%, ≤0.1% C, 17 to 25% Cr, ≤1% Si, ≤3.7% Mn, 0.6 to 3% Ni, 0.1 to 3% Cu, ≥0.06% to <0.15% N, the balance Fe and inevitable impurities. - 特許庁

本発明の鉄基焼結鋼材は、Ｆｅを主成分とする原料粉末を加圧成形した成形体を焼結させた焼結体からなる鉄基焼結鋼材であって、全体を１００質量％としたときに、０．０５〜０．６質量％のＶと、０．１〜１．０質量％のＣと、残部であるＦｅおよび不可避不純物とからなることを特徴とする。例文帳に追加

The iron-based sintered steel material comprises a sintered body obtained by sintering a molded body formed by press-molding raw material particles that contain Fe as a main component, and is characterized by containing 0.05-06 mass% of V, 0.1-1.0 mass% of C, and the balance Fe with inevitable impurities based on 100 mass% of the whole. - 特許庁

素子分離としてのＳＴＩ形成後の半導体基板において、メモリ領域のメモリセル部に対するチャネルドープ工程をゲート酸化前に行い、所定の不純物注入完了後にレジスト付きの状態にてフッ酸含有の溶液によりＳＴＩ段差を調整するためウエットエッチングを行い、メモリ領域とロジック領域のＳＴＩ突き出し量の差が同程度になるようにした。例文帳に追加

In a semiconductor substrate after STI formation as element isolation, a channel dope step is performed on the memory cell of a memory region before gate oxidation, and wet etching is performed for adjusting an STI step using a hydrofluoric acid containing solution in a state with a resist after a predetermined impurity is completely injected, so that a difference between the STI protruding amounts of the memory region and the logic region becomes approximately equal. - 特許庁

環境負荷が問題となる元素を原料からの不可避不純物程度しか含まず、その使用目的に応じて調整されたマグネタイト相を主成分としたキャリア芯材を提供し、トナーの荷電制御が容易で安定した高画質が得ることができ、かつ高速現像を可能にする電子写真現像剤用キャリア電子写真現像剤を提供する。例文帳に追加

To provide a carrier core material which contains an element having a question with respect to environmental load by only the order of inevitable impurities from raw material and primarily comprises a magnetite phase adjusted according to the use purpose, and also to provide a carrier electrophotographic developer for electrophotographic developer, which easily makes charge control of toner, provides a stable high image quality, and permits high-speed development. - 特許庁

焼成用治具７は被焼成物Ｗの焼成位置をかさ上げするための焼成治具であって、この焼成治具７は、高熱伝導率かつ高い機械的強度の特性をあわせ持ち、被焼成物Ｗが載置可能な形状の構造体からなっていて、高純度の常圧焼結炭化珪素からなり、しかも、中抜き構造からなることが好ましい。例文帳に追加

This jig for baking 7 as a baking jig for raising a baking position of a baked object W, has properties of high heat conduction efficiency and high mechanical strength, and is formed by a structure of the shape capable of placing the baked object W, composed of silicon carbide of high purity, sintered under normal pressure, and preferably composed of a hollow structure. - 特許庁